CN116783391A - 真空泵 - Google Patents

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CN116783391A
CN116783391A CN202180075713.2A CN202180075713A CN116783391A CN 116783391 A CN116783391 A CN 116783391A CN 202180075713 A CN202180075713 A CN 202180075713A CN 116783391 A CN116783391 A CN 116783391A
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中辻重义
高井庆行
铃木春树
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Edwards Japan Ltd
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Abstract

得到能够抑制转子旋转时转子的接触故障引起的对外部配管的影响的真空泵。升温环(301)设置于该真空泵,连接外部配管的排气口(133)连接于升温环(301),由于转子的旋转时转子的接触故障而被直接或间接地施加旋转力。并且,除了升温环(301)和壳(外筒(127a))的连接部分之外,设置有抑制上述的旋转力导致的升温环301的旋转的旋转抑制机构(孔洞(301a)及螺栓(305)等)。

Description

真空泵
技术领域
本发明涉及真空泵。
背景技术
涡轮分子泵等的真空泵具有借助马达旋转的转子、配置于转子的周围而与转子一同形成流路的定子,使从吸气口进入的气体分子与转子的转子翼和定子的定子翼碰撞而向排气口移送。
某真空泵为了抑制气态的反应原料、反应产物等在流路内的壁面附着、析出而堆积,具备使定子侧升温的环状部件,排气口与环状部件连接(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2019-90384号公报。
转子旋转时,若发生转子由于上述的堆积物等而与定子等的固定部件接触的故障,则以转子的旋转力对该固定部件自身及与固定部件连结的上述的环状部件施加旋转力,对与环状部件连接的排气口也施加旋转力。此外,真空泵的运转时,外部配管连接于排气口,外部配管固定于外部的构造物、装置等,因此在这样的故障时,也对外部配管施加旋转力,在外部配管处有发生位移、变形、脱落等的故障的可能性。
这样的问题不限于上述的排气口,在转子的接触故障时,直接或间接地施加旋转力的与环状部件连接的其他配管连接部也同样有发生的可能性。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而作出的,其目的在于得到一种真空泵,前述真空泵抑制转子旋转时转子的接触故障导致的对外部配管的影响。
本发明的真空泵具备转子、定子、壳、环状部件、配管连接部、旋转抑制机构,前述壳容纳前述转子及前述定子,前述环状部件由于转子旋转时的转子的接触故障而被直接或间接地施加旋转力,前述配管连接部与前述环状部件连接,连接外部配管,前述旋转抑制机构是除了前述环状部件和前述壳的连接部分以外的部件,抑制前述旋转力导致的前述环状部件的旋转。
发明效果
根据本发明,能够得到抑制转子旋转时转子的接触故障导致的对外部配管的影响的真空泵。
本发明的上述或其他目的、特征及优越性根据附图以及以下的详细的说明而更加明确。
附图说明
图1是表示作为本发明的实施方式1的真空泵的涡轮分子泵的纵剖视图。
图2是表示对图1所示的涡轮分子泵的电磁铁进行励磁控制的放大回路的回路图。
图3是表示电流指令值比检测值大的情况的控制的时间图。
图4是表示电流指令值比检测值小的情况的控制的时间图。
图5是表示作为本发明的实施方式1的真空泵的涡轮分子泵的侧视图。
图6是图1所示的涡轮分子泵的横剖视图。
图7是表示作为本发明的实施方式2的真空泵的涡轮分子泵100的纵剖视图。
图8是图7所示的涡轮分子泵的横剖视图。
图9是表示实施方式2的旋转抑制机构的一例的立体图。
具体实施方式
以下,基于俯图,对本发明的实施方式进行说明。
实施方式1
图1表示该涡轮分子泵100的纵剖视图。图1中,涡轮分子泵100在圆筒状的外筒127的上端形成有吸气口101。并且,在外筒127的内侧,具备旋转体103,前述旋转体103将用于将气体抽吸排出的涡轮叶片即多个旋转翼102(102a、102b、102c···)在周部放射状且多层地形成。在该旋转体103的中心安装有转子轴113,该转子轴113例如被5轴控制的磁轴承在空中悬浮支承且被位置控制。旋转体103一般由铝或铝合金等的金属构成。
上侧径向电磁铁104为4个电磁铁在X轴和Y轴上成对地配置。与该上侧径向电磁铁104接近且与上侧径向电磁铁104分别对应地具备4个上侧径向传感器107。上侧径向传感器107例如使用具有传导绕组的电感传感器、涡电流传感器等,基于与转子轴113的位置对应地变化的该传导绕组的电感的变化检测转子轴113的位置。该上侧径向传感器107构成为,检测转子轴113、即固定于该转子轴113的旋转体103的径向位移,送向控制装置200。
在该控制装置200中,例如具有PID调节功能的补偿回路基于上侧径向传感器107检测到的位置信号生成上侧径向电磁铁104的励磁控制指令信号,图2所示的放大回路150(后述)基于该励磁控制指令信号对上侧径向电磁铁104进行励磁控制,由此,调整转子轴113的上侧的径向位置。
并且,该转子轴113由高透磁率材料(铁、不锈钢等)等形成,由于上侧径向电磁铁104的磁力而被吸引。该调整在X轴方向和Y轴方向上分别独立地进行。此外,下侧径向电磁铁105及下侧径向传感器108被与上侧径向电磁铁104及上侧径向传感器107同样地配置,将转子轴113的下侧的径向位置与上侧的径向位置同样地调整。
进而,轴向电磁铁106A、106B配置成在上下夹着转子轴113的下部具备的圆板状的金属盘111。金属盘111由铁等的高透磁率材料构成。为了检测转子轴113的轴向位移而具备轴向传感器109,构成为其轴向位置信号被送向控制装置200。
并且,在控制装置200中,例如具有PID调节功能的补偿回路基于被轴向传感器109检测的轴向位置信号生成轴向电磁铁106A和轴向电磁铁106B的各自的励磁控制指令信号,放大回路150基于这些励磁控制指令信号,对轴向电磁铁106A和轴向电磁铁106B分别进行励磁控制,由此,轴向电磁铁106A借助磁力将金属盘111向上方吸引,轴向电磁铁106B将金属盘111向下方吸引,调整转子轴113的轴向位置。
这样,控制装置200适当调节该轴向电磁铁106A、106B对金属盘111作用的磁力,使转子轴113在轴向上磁悬浮,在空间上非接触地保持。另外,关于对这些上侧径向电磁铁104、下侧径向电磁铁105及轴向电磁铁106A、106B进行励磁控制的放大回路150在后说明。
另一方面,马达121具备以包围转子轴113的方式周状地配置的多个磁极。各磁极被控制装置200控制,使得经由在与转子轴113之间作用的电磁力将转子轴113旋转驱动。此外,图中未示出的例如霍尔元件、分析器、编码器等的旋转速度传感器被装入马达121,借助该旋转速度传感器的检测信号检测转子轴113的旋转速度。
进而,例如在下侧径向传感器108附近安装有图中未示出的相位传感器,检测转子轴113的旋转的相位。控制装置200中,一同利用该相位传感器和旋转速度传感器的检测信号检测磁极的位置。
与旋转翼102(102a、102b、102c···)隔开些许空隙地配设有多个固定翼123(123a、123b、123c···)。旋转翼102(102a、102b、102c···)为了分别通过碰撞将排出气体的分子向下移送,形成为从与转子轴113的轴线垂直的平面倾斜既定的角度。固定翼123(123a、123b、123c···)例如由铝、铁、不锈钢、铜等的金属、或包括这些金属作为成分的合金等的金属构成。
此外,固定翼123也同样形成为从与转子轴113的轴线垂直的平面倾斜既定的角度,且被向外筒127的内侧与旋转翼102的层交替地配设。并且,固定翼123的外周端被以嵌插于多个层叠的固定翼间隔件125(125a、125b、125c···)之间的状态支承。
固定翼间隔件125为环状的部件,例如由铝、铁、不锈钢、铜等的金属、或包括这些金属作为成分的合金等的金属构成。在固定翼间隔件125的外周,隔开些许空隙地固定有外筒127、127a。在外筒127a的底部配设有基座部129。此外,在基座部129的上方配置有排气口133,与外部连通。从腔(真空腔)侧进入吸气口101而被移送来的排出气体被送向排气口133。
进而,根据涡轮分子泵100的用途,在固定翼间隔件125的下部和基座部129之间配设带螺纹的间隔件131。带螺纹的间隔件131是由铝、铜、不锈钢、铁、或以这些金属为成分的合金等的金属构成的圆筒状的部件,在其内周面刻设有多条螺旋状的螺纹槽131a。螺纹槽131a的螺旋的方向为,排出气体的分子在旋转体103的旋转方向上移动时该分子被向排气口133移送的方向。在与旋转体103的旋转翼102(102a、102b、102c···)连续的最下部,圆筒部102d垂下。该圆筒部102d的外周面为圆筒状,且向带螺纹的间隔件131的内周面伸出,与该带螺纹的间隔件131的内周面隔开既定的间隙地接近。被旋转翼102及固定翼123向螺纹槽131a移送来的排出气体被螺纹槽131a引导且被送向基座部129。
基座部129是构成涡轮分子泵100的基底部的圆盘状的部件,一般由铁、铝、不锈钢等的金属构成。基座部129将涡轮分子泵100物理性地保持,并且也兼具热的传导路的功能,所以希望使用铁、铝、铜等的具有刚性且热传导率也高的金属。
该结构中,旋转翼102与转子轴113一同被马达121旋转驱动时,通过旋转翼102和固定翼123的作用,排出气体被穿过吸气口101从腔抽吸。旋转翼102的旋转速度通常为20000rpm~90000rpm,旋转翼102的末端的周速度达到200m/s~400m/s。被从吸气口101抽吸的排出气体穿过旋转翼102和固定翼123之间,被向基座部129移送。此时,由于排出气体与旋转翼102接触时产生的摩擦热、由马达121产生的热的传导等,旋转翼102的温度上升,但该热通过辐射或排出气体的气体分子等的传导向固定翼123侧传递。
固定翼间隔件125在外周部彼此接合,将固定翼123从旋转翼102接收到的热、排出气体与固定翼123接触时产生的摩擦热等向外部传递。
另外,上述内容中,说明了带螺纹的间隔件131在旋转体103的圆筒部102d的外周配设,在带螺纹的间隔件131的内周面刻设有螺纹槽131a。然而,也有与此相反地在圆筒部102d的外周面刻设螺纹槽、在其周围配置具有圆筒状的内周面的间隔件的情况。
此外,根据涡轮分子泵100的用途,也有如下情况:电装部借助定子柱122将周围覆盖,使得被从吸气口101抽吸的气体不会进入由上侧径向电磁铁104、上侧径向传感器107、马达121、下侧径向电磁铁105、下侧径向传感器108、轴向电磁铁106A、106B、轴向传感器109等构成的电装部,该定子柱122内借助冲洗气体保持成既定压。
该情况下,在基座部129处配设图中未示出的配管,冲洗气体被穿过该配管地导入。被导入的冲洗气体穿过保护轴承120和转子轴113之间、马达121的转子和定子之间、定子柱122和旋转翼102的内周侧圆筒部之间的间隙,被向排气口133送出。
这里,涡轮分子泵100需要基于机种的确定、分别调整的固有的参数(例如,与机种对应的诸多特性)的控制。为了储存该控制参数,上述涡轮分子泵100在其主体内具备电子回路部141。电子回路部141由EEP-ROM等半导体存储器及用于其存取的半导体元件等电子零件、用于安装它们的基板143等构成。该电子回路部141被容纳于基座部129的例如中央附近的图中未示出的旋转速度传感器的下部,被气密性的底盖145关闭,前述基座部129构成涡轮分子泵100的下部。
但是,半导体的制造工序中,被导入腔的工艺气体中,存在具有其压力变得比既定值高或者其温度变得比既定值低时变为固体的性质的物质。在涡轮分子泵100内部,排出气体的压力在吸气口101处最低在排气口133处最高。在工艺气体被从吸气口101向排气口133移送的中途,其压力变得比既定值高、其温度变得比既定值低时,工艺气体呈固体状,在涡轮分子泵100内部附着而堆积。
例如,对于Al蚀刻装置使用SiCl4作为工艺气体的情况下,根据蒸气压曲线可知,低真空(760[torr]~10-2[torr])且低温(约20[℃])时,固体产物(例如AlCl3)析出,在涡轮分子泵100内部附着堆积。由此,工艺气体的析出物在涡轮分子泵100内部堆积时,该堆积物使泵流路变窄,成为使涡轮分子泵100的性能下降的原因。并且,前述产物在排气口133附近、带螺纹的间隔件131附近的压力高的部分处于容易凝固、附着的状况。
因此,为了解决该问题,以往在基座部129等的外周缠绕图中未示出的加热器、环状的水冷管149,且例如在基座部129处埋入图中未示出的温度传感器(例如热敏电阻),以基于该温度传感器的信号将基座部129的温度保持成恒定的较高的温度(设定温度)的方式进行加热器的加热、水冷管149的冷却的控制(以下称作TMS。TMS;Temperature ManagementSystem)。
接着,关于这样构成的涡轮分子泵100,关于对该上侧径向电磁铁104、下侧径向电磁铁105及轴向电磁铁106A、106B进行励磁控制的放大回路150进行说明。在图2中表示该放大回路150的回路图。
图2中,构成上侧径向电磁铁104等的电磁铁绕组151的一端经由晶体管161与电源171的正极171a连接,此外,其另一端经由电流检测回路181及晶体管162与电源171的负极171b连接。并且,晶体管161、162为所谓的功率场效应晶体管,具有二极管与其源-漏间连接的构造。
此时,晶体管161构成为,其二极管的阴极端子161a与正极171a连接,并且阳极端子161b与电磁铁绕组151的一端连接。此外,晶体管162构成为,其二极管的阴极端子162a与电流检测回路181连接,并且阳极端子162b与负极171b连接。
另一方面,电流再生用的二极管165构成为,其阴极端子165a与电磁铁绕组151的一端连接,并且其阳极端子165b与负极171b连接。此外,与此相同地,电流再生用的二极管166构成为,其阴极端子166a与正极171a连接,并且其阳极端子166b经由电流检测回路181与电磁铁绕组151的另一端连接。并且,电流检测回路181由例如霍尔传感器式电流传感器、电阻元件构成。
如上所述地构成的放大回路150与一个电磁铁对应。因此,磁轴承为5轴控制且电磁铁104、105、106A、106B为合计10个的情况下,关于各个电磁铁构成同样的放大回路150,相对于电源171,10个放大回路150被并联地连接。
进而,放大控制回路191例如由控制装置200的图中未示出的数字·信号·处理器部(以下称作DSP部)构成,该放大控制回路191切换晶体管161、162的接通/切断。
放大控制回路191将电流检测回路181检测到的电流值(将反映该电流值的信号称作电流检测信号191c)与既定的电流指令值比较。并且,基于该比较结果,确定PWM控制的一个周期即控制周期Ts内产生的脉冲宽度的大小(脉冲宽度时间Tp1、Tp2)。结果,将具有该脉冲宽度的栅极驱动信号191a、191b从放大控制回路191向晶体管161、162的栅极端子输出。
另外,旋转体103的旋转速度的加速运转中通过共振点时、定速运转中发生外部扰动时等,需要进行高速且强力的旋转体103的位置控制。因此,为了能够进行流向电磁铁绕组151的电流的急剧的增加(或者减少),作为电源171,例如使用50V左右的高电压。此外,为了电源171的稳定化,通常电容器连接在电源171的正极171a和负极171b之间(图示略)。
该结构中,将晶体管161、162的二者接通时,流向电磁铁绕组151的电流(以下称作电磁铁电流iL)增加,将二者切断时,电磁铁电流iL减少。
此外,将晶体管161、162的一者接通而将另一者切断时,所谓的飞轮电流被保持。并且,这样飞轮电流在放大回路150中流动,由此,使放大回路150的磁滞损耗减少,能够将作为回路整体的消耗电力抑制成较低。此外,通过这样地控制晶体管161、162,能够减少在涡轮分子泵100处产生的高调波等高频率噪音。进而,通过借助电流检测回路181测定该飞轮电流,能够检测在电磁铁绕组151流动的电磁铁电流iL。
即,检测到的电流值比电流指令值小的情况下,如图3所示,在控制周期Ts(例如100μ s)中将晶体管161、162的二者以相当于脉冲宽度时间Tp1的时间接通1次。因此,该期间中的电磁铁电流iL从正极171a朝向负极171b向能够流经晶体管161、162的电流值iLmax(未图示)增加。
另一方面,检测到的电流值比电流指令值大的情况下,如图4所示,在控制周期Ts中将晶体管161、162的二者以相当于脉冲宽度时间Tp2的时间切断1次。因此,该期间中的电磁铁电流iL从负极171b朝向正极171a向能够经由二极管165、166再生的电流值iLmin(未图示)减少。
并且,哪种情况下,经过脉冲宽度时间Tp1、Tp2后,均使晶体管161、162中的某一个接通。因此,该期间中,飞轮电流被保持于放大回路150。
如上所述地构成涡轮分子泵100。该涡轮分子泵100是真空泵的一例。进而,图1中,旋转翼102及旋转体103是该涡轮分子泵100的转子,固定翼123及固定翼间隔件125是涡轮分子泵部分的定子,带螺纹的间隔件131是涡轮分子泵部分的后段的螺纹槽泵部分的定子。此外,外筒127及外筒127a是该涡轮分子泵100的壳,容纳上述的转子及定子。
进而,图1中,升温环301是由于加热器302的发热而使气体流路升温的环状部件,由与上述的定子相同的材质构成。该升温环301及加热器302也用于上述的TMS。
该升温环301以能够向上述的定子传热的方式固定于上述的定子,此外,在其上端借助螺栓等固定于外筒127a。升温环301从基座部129离开,在二者之间形成有空隙303,二者由于空隙303而被隔热。此外,空隙303处设置有密封304。这样,升温环301并非直接固定于基座部129。同样地,带螺纹的间隔件131也并非直接固定于基座部129。进而,排气口133固定于升温环301,未图示的外部配管连接于排气口133。并且,气体被经由升温环301和带螺纹的间隔件131之间的气体流路向排气口133移送,经由排气口133向外部配管排出。另外,排气口133是气体流路,同样被温度管理,所以并非直接固定于壳(外筒127a)及基座部129。
图5是表示作为本发明的实施方式1的真空泵的涡轮分子泵100的侧视图。如图5所示,排气口133配置成插通于在外筒127a形成的插通孔127b,插通孔127b考虑相对于壳的隔热性、该泵100的装配时的作业性等,具有比排气口133大的尺寸,使得排气口133不接触外筒127a。
如上所述,借助TMS抑制气体流路上的堆积物的产生,但由于气体流路上的堆积物等,上述的转子接触上述的定子的故障发生时,对定子施加转子的旋转引起的旋转力。此时,也对固定于定子的升温环301施加该旋转力。升温环301经由外筒127a间接地固定于基座部129,但外筒127a和升温环301的连接借助与泵100的轴向平行地配设的螺栓等进行,从配置空间的观点出发,难以使用强度高的比较大的螺栓等,所以上述的故障时相对于对升温环301施加的旋转力有强度不足的可能性。假如在该连接部分的强度相对于该旋转力不足的情况下,也对固定于升温环301的排气口133施加该旋转力,则有发生如上所述的问题的可能性。
因此,该泵100中设置有旋转抑制机构,前述旋转抑制机构抑制由该旋转力引起的升温环301相对于壳的旋转。该实施方式中,该旋转抑制机构具备形成于升温环301的旋转限制部、固定于壳而由于旋转力抵接于旋转限制部的旋转限制部件。
图6是图1所示的涡轮分子泵的横剖视图(表示图1中的A-A截面的图)。该实施方式中,升温环301的旋转限制部如图1及图6所示,是沿着泵100的径向的孔洞301a,旋转限制部件是在该孔洞301a内配置的螺栓305。具体地,与孔洞301a对应的孔洞形成于外筒127a,螺栓305通过螺纹结合固定于该外筒127a的孔洞,螺栓305的末端配置于孔洞301a内。另外,也可以取代螺栓305而使用销。此外,孔洞301a不将升温环301贯通。另外,这里,孔洞301a及螺栓305沿径向设置,但也可以不沿径向设置。
该实施方式中,将转子及定子容纳于壳(外筒127a)内部后,能够将作为旋转限制部件的螺栓305、销从该壳的外侧设置。
并且,无上述的转子的接触故障时,在孔洞301a和螺栓305之间存在空隙。借助该空隙,确保升温环301和壳(外筒127a)之间的隔热。
该实施方式中,例如如图6所示,以等角度间隔设置有多个孔洞301a及螺栓305。另外,孔洞301a及螺栓305的个数及螺栓305的直径、材质基于相对于上述的接触故障时的旋转力必要的强度来选择。即,考虑上述的升温环301和外筒127a的连接强度的同时选择孔洞301a及螺栓305的个数及螺栓305的直径、材质,以得到超过至旋转限制部件由于该旋转力与旋转限制部抵接的旋转角度也大致不发生升温环301的旋转那样的强度。
接着,关于实施方式1的真空泵的动作进行说明。
通常运转时,基于控制装置200的控制,马达121动作,转子旋转。由此,经由吸气口101流入的气体被沿转子和定子之间的气体流路移送,被从排气口133向外部配管排出。
旋转中的转子接触定子的故障发生时,由于转子的接触,对定子施加旋转力,所以也对升温环301施加该旋转力。此时,由于孔洞301a及螺栓305的抵接,升温环301的旋转被限制,进而,与升温环301连接的排气口133的旋转被抑制。因此,即使发生这样的故障,对与排气口133连接的外部配管施加的机械负荷也被抑制。
如上所述,根据上述实施方式,连接外部配管的排气口133连接于升温环301,由于转子的旋转时的转子的接触故障,直接或间接地施加旋转力。并且,除了升温环301和壳(外筒127a)的(直接地或者经由其他部件而间接地)连接部分以外,还设置有抑制由于上述的旋转力导致的升温环301的旋转的旋转抑制机构(孔洞301a及螺栓305等)。
由此,抑制转子旋转时转子向固定部件(定子等)的接触导致的对外部配管的影响。
假如不设置上述的旋转抑制机构,上述的故障发生时升温环301及排气口133(在泵100的周向上)旋转的情况下,排气口133旋转至接触外筒127a的插通孔127b的内壁,有对外部配管施加较大的机械负荷的可能性。另一方面,借助上述的旋转抑制机构,抑制升温环301的旋转,由此,也抑制排气口133的旋转,抑制对与排气口133连接的外部配管施加的机械负荷。
实施方式2
本发明的实施方式2的真空泵中,设置有旋转抑制机构,前述旋转抑制机构抑制由于上述的旋转力引起的升温环301相对于固定有壳(外筒127a)的基座部129的旋转。该实施方式2中,该旋转抑制机构具备形成于升温环301的旋转限制部、在轴向上从基座部129突出而由于该旋转力与旋转限制部抵接的旋转限制部件。
图7是表示作为本发明的实施方式2的真空泵的涡轮分子泵100的纵剖视图。图8是图7所示的涡轮分子泵的横剖视图(表示图7中的A-A截面的图)。图9是表示实施方式2的旋转抑制机构的一例的立体图。
该实施方式2中,升温环301的旋转限制部如图7、图8及图9所示,是在升温环301的凸缘401形成的切口401a,旋转限制部件是沿轴向固定于基座部129的螺栓402。该螺栓402与在基座部129的孔洞处形成的内螺纹螺纹结合,其头部配置于切口401a内。另外,也可以使用销而不使用螺栓402。此外,也可以设置孔而不设置切口401a。
无上述的转子的接触故障时,切口401a(的内壁面)和螺栓402之间存在空隙。此外,凸缘401和基座部129之间也存在空隙。借助这些空隙,确保升温环301和基座部129之间的隔热。
该实施方式中,例如如图8、图9所示,以等角度间隔设置多个切口401a及螺栓402。另外,切口401a及螺栓402的个数及螺栓402的直径、材质基于相对于上述的接触故障时的旋转力必要的强度来选择。即,选择切口401a及螺栓402的个数及螺栓402的直径、材质,以得到超过至旋转限制部件由于该旋转力与旋转限制部抵接的旋转角度也大致不发生升温环301的旋转那样的强度。
接着,关于实施方式2的真空泵的动作进行说明。
旋转中的转子接触定子的故障发生时,由于转子的接触而对定子施加旋转力,所以也对升温环301施加该旋转力。此时,由于升温环301的切口401a及螺栓402的抵接,升温环301的旋转被限制,进而与升温环301连接的排气口133的旋转也被抑制。因此,即使发生这样的故障,也抑制对与排气口133连接的外部配管施加的机械负荷。
另外,关于实施方式2的真空泵的其他结构及动作与实施方式1相同,所以省略该说明。
另外,关于对于上述的实施方式进行的各种各样的改变及修正对本领域技术人员而言是显而易见的。这样的改变及修正也可以在不脱离其主题的宗旨及范围且不减弱意图实现的优点的情况下进行。即,可知这样的改变及修正也包含于本发明的权利要求书中。
例如,上述实施方式中,升温环301的旋转限制部为孔洞301a,但也可以是与壳相向的槽、切口等,此外,作为其他实施方式,也可以是与壳相向的突起、台阶部等。
此外,在上述实施方式中,作为由于转子的旋转时的转子的接触故障而直接或间接施加旋转力的环状部件,设置有间接施加旋转力的升温环301,将上述的旋转抑制机构设置于升温环301,但也可以将其取代,将上述的旋转抑制机构设置于无需温度管理的环状部件。此外,也可以是,除了排气口133以外,将上述的旋转抑制机构设置于与其他外部配管用的配管连接部连接的环状部件。另外,该环状部件是无需温度管理的部件的情况下,也可以不特别地设置上述的旋转限制部和旋转限制部件之间的空隙。
进而,上述实施方式中,升温环301等的环状部件可以是一个部件,也可以是连结多个部件来构成的部件。
进而,上述实施方式中,螺栓105或销也可以如上所述地沿周向排列且沿轴向排列。
进而,上述实施方式中,也可以不设置作为上述的旋转限制部件的螺栓305,而在壳处设置与升温环301相向的突起、台阶部等,在无上述的接触故障时,在壳的该突起、台阶部等与升温环301之间设置空隙,且抑制上述的接触故障导致的旋转力引起的升温环301的旋转。此外,不设置螺栓305等上述的旋转限制部件作为除了壳以外的部件,而在壳处设置该突起、台阶部等的情况下,在升温环301的旋转限制部和壳之间设置空隙。
进而,上述实施方式中,升温环301和带螺纹的间隔件131也可以是一个部件。即,带螺纹的间隔件131也可以具有包括升温环301的形状,为上述的环状部件。
产业上的可利用性
本发明例如能够应用于涡轮分子泵等的真空泵。
附图标记说明
100涡轮分子泵(真空泵的一例)
102旋转翼(转子的一例的一部分)
103旋转体(转子的一例的一部分)
127外筒(壳的一例的一部分)
127a外筒(壳的一例的一部分)
131带螺纹的间隔件(定子的一例)
133排气口(配管连接部的一例)
301升温环(环状部件的一例)
301a孔洞(旋转限制部的一例)
305螺栓(旋转限制部件的一例)
401a切口(旋转限制部的一例)
402螺栓(旋转限制部件的一例)。

Claims (8)

1.一种真空泵,其特征在于,
具备转子、定子、壳、环状部件、配管连接部、旋转抑制机构,
前述壳容纳前述转子及前述定子,
前述环状部件由于前述转子旋转时的前述转子的接触故障而被直接或间接地施加旋转力,
前述配管连接部与前述环状部件连接,连接外部配管,
前述旋转抑制机构是除了前述环状部件和前述壳的连接部分以外的部件,抑制前述旋转力导致的前述环状部件的旋转。
2.如权利要求1所述的真空泵,其特征在于,
前述旋转抑制机构具备旋转限制部和旋转限制部件,
前述旋转限制部形成于前述环状部件,
前述旋转限制部件固定于前述壳,由于前述旋转力而与前述旋转限制部抵接。
3.如权利要求2所述的真空泵,其特征在于,
前述环状部件是由于加热器的发热而使气体流路升温的升温环,
前述旋转限制部是孔洞,
前述旋转限制部件是配置于前述孔洞内的螺栓或销,
无前述接触故障时,在前述孔洞和前述螺栓或前述销之间存在空隙。
4.如权利要求1所述的真空泵,其特征在于,
前述环状部件是由于加热器的发热而使气体流路升温的升温环,
前述旋转抑制机构在前述升温环及前述壳当中的一者具备与前述升温环及前述壳当中的另一者相向的突起或台阶部,
无前述接触故障时,在前述突起或前述台阶部和前述升温环及前述壳当中的另一者之间存在空隙。
5.如权利要求1所述的真空泵,其特征在于,
还具备基座部,
前述旋转抑制机构具备旋转限制部和旋转限制部件,
前述旋转限制部形成于前述环状部件,
前述旋转限制部件在轴向上从前述基座部突出,由于前述旋转力而与前述旋转限制部抵接。
6.如权利要求5所述的真空泵,其特征在于,
前述环状部件具备凸缘和形成于前述凸缘的孔或切口,前述旋转限制部是前述孔或前述切口,
前述旋转限制部件是沿前述轴向固定于前述基座部的螺栓或销。
7.如权利要求1、2、5及6中任一项所述的真空泵,其特征在于,
前述环状部件是由于加热器的发热而使气体流路升温的升温环。
8.如权利要求1至7中任一项所述的真空泵,其特征在于,
前述配管连接部是排气口。
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