JP5602412B2 - マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクセットおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクセットおよび半導体デバイスの製造方法 Download PDF

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103105738B (zh) * 2011-11-14 2015-12-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种曝光方法
JP6314423B2 (ja) * 2013-10-25 2018-04-25 凸版印刷株式会社 反射型マスク
JP6540758B2 (ja) * 2017-07-31 2019-07-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH06258817A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Toppan Printing Co Ltd 位相シフトマスクおよびそれに用いるブランクならびにそれらの製造方法
JP3115185B2 (ja) * 1993-05-25 2000-12-04 株式会社東芝 露光用マスクとパターン形成方法
JP2001297976A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP2002062638A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP4566547B2 (ja) * 2003-11-13 2010-10-20 Hoya株式会社 マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法
JP4958149B2 (ja) * 2006-11-01 2012-06-20 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法
JP2009086094A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Hoya Corp マスクブランク及び転写用マスク

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