JP5601563B2 - サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法に係り、とりわけ、スライダとの接続端子数を増加させて、情報処理量を増大させることにより、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダの相対位置を高精度に制御することができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法に関する。

一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込みおよび読み込みを行う磁気ヘッドスライダが実装されたサスペンション用基板を備えている。このサスペンション用基板は、複数の配線層と、スライダが実装される実装領域の近傍に設けられた複数の配線パッドとを有し、各配線パッドが配線層にそれぞれ接続されている。これらの配線パッドが磁気ヘッドスライダのスライダパッドにそれぞれ接続されることにより、磁気ヘッドスライダに対してデータの受け渡しを行うようになっている。

このような磁気ヘッドスライダのスライダパッドと各配線パッドとの接続方法としては、例えば、半田ボールを介して接続する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ここでは、磁気ヘッドスライダの側面にスライダパッドが設けられ、各スライダパッドとこれに対応する配線層の配線パッドとの間に半田ボールが形成されて接続されている。

ところで、近年の高度情報化社会においては、ＨＤＤドライブに対して書き込みまたは読み込みされる情報量を増大させることが要求されている。このようにＨＤＤドライブの情報処理量を増大させるためには、情報を記録する磁気ディスクを従来よりも高密度化することが必要となり、そのため、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの相対位置をさらに高精度に制御する必要がある。スライダの位置を高精度に制御するためには、スライダに位置制御機能を付加させることが必要となり、それに伴いスライダの端子数が増加する。したがって、サスペンション用基板側の各配線層とスライダとの接続端子数を増加させることが必要となる。

しかしながら、このような方法では、磁気ヘッドスライダの側面のスペースは限られているため、スライダとの接続端子数を増加させることは困難である。

このことにより、磁気ヘッドスライダの裏面に複数のスライダパッドを設けて、サスペンション用基板の各配線層の配線パッドに接続させる方法が考えられている（例えば、特許文献２参照）。この場合、磁気ヘッドスライダに、より多くのスライダパッドを形成することができるため、スライダとの接続端子数を増加させることが可能となる。

特開２００４−１５２３９３号公報 米国特許出願公開第２００７／０２７４００５号明細書

しかしながら、サスペンション用基板においては、ＨＤＤを小型化するために、磁気ヘッドスライダが実装される実装領域のスペースは限られている。このことにより、サスペンション用基板上に多くの配線パッドを設けた場合に、サスペンション用基板上において各配線パッドに接続される配線層を引き回すことが困難となる。このため、スライダとの接続端子数を増加させることが困難であるという問題がある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、磁気ヘッドスライダとの接続端子数を増加させて磁気ディスクと磁気ヘッドスライダの相対位置を高精度に制御することができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板において、実装領域は、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、絶縁層の他方の面に設けられた複数の配線層とを有し、各配線層に、スライダのスライダパッドに導通される配線パッドが設けられ、絶縁層に貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性を有する導電接続部が設けられ、バネ性材料層は、本体用バネ性材料層と、この本体用バネ性材料層から破断溝を介して区画された配線用バネ性材料層とからなり、一の配線層と配線用バネ性材料層とが導電接続部を介して接続され、当該一の配線層は、配線用バネ性材料層により他の配線層を迂回していることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、配線用バネ性材料層の一方の面に、配線用バネ性材料層よりも高い導電性を有する導電層が設けられていることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、導電層は、配線用バネ性材料層の絶縁層側の面に設けられ、導電層は、導電接続部と配線用バネ性材料層との間に介在されていることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、配線用バネ性材料層は、他の配線層の配線パッドに対応する位置とは異なる位置に設けられていることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、本体用バネ性材料層は、他の配線層の配線パッドに対応する位置に設けられていることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、当該一の配線層は、磁気ディスクとスライダの相対位置を制御する位置制御素子用配線層からなることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板において、実装領域は、第１絶縁層と、この第１絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、第１絶縁層の他方の面に設けられた複数の第１配線層とを有し、各第１配線層に、スライダのスライダパッドに導通される配線パッドが設けられ、一の第１配線層に第２絶縁層を介して第２配線層が積層され、この第２絶縁層に貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性を有する導電接続部が設けられ、当該一の第１配線層と第２配線層とが導電接続部を介して接続され、当該一の第１配線層は、この第２配線層により他の第１配線層を迂回していることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板において、実装領域は、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、絶縁層の他方の面に設けられた複数の配線層とを有し、各配線層に、スライダのスライダパッドに導通される配線パッドが設けられ、配線パッドは、全体として１０個以上１２個以下で設けられていることを特徴とするサスペンション用基板である。

本発明は、サスペンション用基板を有することを特徴とするサスペンションである。

本発明は、サスペンションと、このサスペンションに実装されたスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションである。

本発明は、ヘッド付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブである。

本発明は、裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層とを有する積層体を準備する工程と、絶縁層に貫通孔を形成する工程と、この貫通孔に導電性を有する導電接続部を形成する工程と、絶縁層の他方の面に、複数の配線層を形成し、一の配線層を導電接続部に接続させる工程と、各配線層に、スライダパッドに導通される配線パッドを形成する工程と、バネ性材料層に破断溝を形成して、バネ性材料層を、本体用バネ性材料層と、この本体用バネ性材料層から破断溝を介して区画され、導電接続部に接続される配線用バネ性材料層とに分離する工程と、を備え、当該一の配線層と配線用バネ性材料層とが導電接続部を介して接続され、当該一の配線層は、この配線用バネ性材料層により他の配線層を迂回することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。

本発明は、配線用バネ性材料層の絶縁層とは反対側の面に、配線用バネ性材料層よりも高い導電性を有する導電層を形成する工程を更に備えたことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。

本発明は、裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、導電性を有するバネ性材料層を準備する工程と、バネ性材料層の一方の面に、配線用バネ性材料層よりも高い導電性を有する導電層を形成する工程と、バネ性材料層の導電層側の面に、導電層を覆うように絶縁層を形成する工程と、この絶縁層の導電層に対応する領域に、貫通孔を形成する工程と、この貫通孔に導電性を有する導電接続部を形成する工程と、絶縁層に、複数の配線層を形成し、一の配線層を導電接続部に接続させる工程と、各配線層に、スライダパッドに導通される配線パッドを形成する工程と、バネ性材料層に破断溝を形成して、バネ性材料層を、本体用バネ性材料層と、この本体用バネ性材料層から破断溝を介して区画され、導電層が形成された配線用バネ性材料層とに分離する工程と、を備え、当該一の配線層と導電層とが導電接続部を介して接続され、当該一の配線層は、この導電層により他の配線層を迂回することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。

本発明は、バネ性材料層に破断溝を形成する際、配線用バネ性材料層が他の配線層の配線パッドに対応する位置とは異なる位置に配置されるように破断溝が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。

本発明は、バネ性材料層に破断溝を形成する際、本体用バネ性材料層が他の配線層の配線パッドに対応する位置に配置されるように破断溝が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。

本発明は、裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、第１絶縁層と、この第１絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、第１絶縁層の他方の面に設けられた複数の第１配線層とを有する積層体を準備する工程と、第１絶縁層の第１配線層側の面に、一の第１配線層を覆うように第２絶縁層を形成する工程と、この第２絶縁層の当該一の第１配線層に対応する領域に、貫通孔を形成する工程と、この貫通孔に、導電性を有する導電接続部を形成する工程と、第２絶縁層に、この導電接続部に接続される第２配線層を形成する工程と、各第１配線層に、スライダのスライダパッドに導通される配線パッドを形成する工程と、を備え、当該一の第１配線層と第２配線層とが導電接続部を介して接続され、当該一の第１配線層は、この第２配線層により他の第１配線層を迂回することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。

本発明は、裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、絶縁層の他方の面に設けられた複数の配線層とを有する積層体を準備する工程と、各配線層に、スライダパッドに導通される配線パッドを形成する工程と、を備え、配線パッドは、全体として１０個以上１２個以下で形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。

本発明によれば、磁気ヘッドスライダとの接続端子数を増加させて、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダの相対位置を高精度に制御することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の一例を示す平面図。 図２は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域の一例を示す平面図。 図３は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域の断面構成の一例を示す断面図。 図４（ａ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域におけるバネ性材料層の平面形状の一例を示す図。図４（ｂ）は、絶縁層の平面形状の一例を示す図。図４（ｃ）は、配線層の平面形状の一例を示す図。図４（ｄ）は、保護層の平面形状の一例を示す図。 図５は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンションの一例を示す平面図。 図６は、本発明の第１の実施の形態におけるヘッド付サスペンションの一例を示す平面図。 図７は、本発明の第１の実施の形態におけるハードディスクドライブの一例を示す平面図。 図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層に貫通孔を形成する工程を示す図。 図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、配線層および導電接続部を形成する工程を示す図。 図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、保護層を形成する工程を示す図。 図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層をエッチングする工程を示す図。 図１２は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、配線パッドを形成する工程を示す図。 図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、バネ性材料層をエッチングする工程を示す図。 図１４は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域の一例を示す平面図。 図１５は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域の断面構成の一例を示す断面図。 図１６は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域における導電層の平面形状の一例を示す図。 図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、バネ性材料層に導電層を形成する工程を示す図。 図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層に貫通孔を形成する工程を示す図。 図１９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、配線層および導電接続部を形成する工程を示す図。 図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、保護層を形成する工程を示す図。 図２１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層をエッチングする工程を示す図。 図２２は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、配線パッドを形成する工程を示す図。 図２３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、バネ性材料層をエッチングする工程を示す図。 図２４は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域の一例を示す平面図。 図２５は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域の断面構成の一例を示す断面図。 図２６（ａ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の実装領域におけるバネ性材料層の平面形状の一例を示す図。図２６（ｂ）は、絶縁層の平面形状の一例を示す図。図２６（ｃ）は、配線層の平面形状の一例を示す図。図２６（ｄ）は、追加絶縁層の平面形状の一例を示す図。図２６（ｅ）は、追加配線層の平面形状の一例を示す図。図２６（ｆ）は、保護層の平面形状の一例を示す図。 図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、配線材料層をエッチングする工程を示す図。 図２８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、追加の保護層を形成する工程を示す図。 図２９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、配線層および導電接続部を形成する工程を示す図。 図３０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、保護層を形成する工程を示す図。 図３１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層をエッチングする工程を示す図。 図３２は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、配線パッドを形成する工程を示す図。 図３３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法において、バネ性材料層をエッチングする工程を示す図。

第１の実施の形態
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。ここで、図１乃至図１１３は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスク、並びにサスペンション用基板の製造方法を示す図である。

まず、図１によりサスペンション用基板１の全体構成について説明する。図１に示すサスペンション用基板１は、裏面に複数（例えば、１２個）のスライダパッド（図示せず）が設けられたスライダ５２（図６参照）を実装する実装領域２と基部側に位置する外部接続基板接続部３と、実装領域２と外部接続基板接続部３とを接続する１１個の配線層１４、１５、１６とを有している。なお、図２に示すように、実装領域２に実装されるスライダ５２は、９７０μｍの縦寸法と、７３０μｍの横寸法とを有している。ここで、実装領域２とは、図２に示すように、実装されたスライダ５２に対応する領域のことをいう。

次に、図２乃至図４を用いてサスペンション用基板１の実装領域２について説明する。図３に示すように、サスペンション用基板１の実装領域２は、絶縁層１０と、この絶縁層１０の一方の面（下面）に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１と、絶縁層１０の他方の面（上面）に設けられた１１個の配線層１４、１５、１６とを有している。

図２および図４に示すように、配線層１４および１５は、スライダ５２側に位置するスライダ側部分１４ａ、１５ａと外部接続基板接続部３側の基部側部分１４ｂ、１５ｂとにそれぞれ分離されている。なお、この配線層１４および１５は、特に限定されるわけではないが、磁気ディスク６３（図７参照）とスライダ５２の相対位置を制御する位置制御素子用配線層からなることが好ましい。このことにより、他の配線層１６（配線層１４および１５以外の配線層）のインピーダンスを所望の設計値に調整するように設計することが可能となる。

各配線層１４、１５、１６に、スライダ５２のスライダパッドに導通される円形状の配線パッド１７が設けられている。このうち、配線層１４および１５については、スライダ側部分１４ａおよび１５ａに配線パッド１７が設けられている。本実施の形態においては、スライダ５２の１２個のスライダパッドに対応して、接地用端子１７ａを含む１２個の配線パッド１７が形成されている。各配線パッド１７は、１００μｍの直径を有し、図２に示すように、各配線パッド１７の縦ピッチは１２５μｍ、横ピッチは２１８μｍとなるように配置されている。

図４に示すように、絶縁層１０に、円筒状の４つの貫通孔（ビア）２０が形成されている。各貫通孔２０は、配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂ、並びに配線層１５のスライダ側部分１５ａおよび基部側部分１５ｂに対応する領域に配置されている。各貫通孔２０は、７０μｍの開口径を有している。また、絶縁層１０には、接地用端子１７ａに対応する接地用貫通孔２０ａも設けられており、この接地用貫通孔２０ａに導電部（図示せず）を設けることにより、接地用端子１７ａがバネ性材料層１１の本体用バネ性材料層１２に接続されるようになっている。

図３に示すように、各貫通孔２０には、導電性を有する導電接続部２１が形成され、配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂが各導電接続部２１に接続されている。ここで、図３においては、明瞭化のために、配線層１４の断面構成例を示しているが、配線層１５についても、同様の断面構成とすることができる。

また、図２乃至図４に示すように、バネ性材料層１１は、本体用バネ性材料層（本体用バネ性材料層部分）１２と、この本体用バネ性材料層１２から破断溝１１ａを介して区画された配線用バネ性材料層（配線用バネ性材料層部分）１３とからなっている。このうち配線用バネ性材料層１３は、後述する金属薄膜層２３およびＣｕスパッタリング層２４を介して導電接続部２１に接続されている。このようにして、配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂと配線用バネ性材料層１３が導電接続部２１を介してそれぞれ接続され、配線層１４が、この配線用バネ性材料層１３により他の配線層１６を迂回するように構成されている。

図２において配線層１４に接続された配線用バネ性材料層１３のように、配線用バネ性材料層１３は、他の配線層１６の配線パッド１７に対応する位置とは異なる位置に設けられていることが好ましい。すなわち、配線用バネ性材料層１３は、他の配線層１６の配線パッド１７の下方に配置されないことが好ましい。また、本体用バネ性材料層１２は、他の配線層１６の配線パッド１７に対応する位置、すなわち、他の配線層１６の配線パッド１７の下方に配置されることが好ましい。このことにより、各配線層１４、１５、１６の配線パッド１７が設けられた領域に本体用バネ性材料層１２によって所定の強度が付与され、スライダ５２を実装する際に必要な強度を確保することができる。

図３に示すように、各配線層１４、１５、１６に保護層２２が設けられ、各配線層１４、１５、１６が劣化することを防止している。この保護層２２に、配線パッド１７を形成するための円形状の孔２２ａが設けられている。

また、各配線層１４、１５、１６および各導電接続部２１と絶縁層１０との間に、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、もしくはそれらの合金からなる金属薄膜層２３と、銅（Ｃｕ）からなるＣｕスパッタリング層２４が介在されている。すなわち、絶縁層１０側に金属薄膜層２３が形成され、この金属薄膜層２３上にＣｕスパッタリング層２４が形成されている。このように金属薄膜層２３を介在させることにより、下地である絶縁層１０との接着性を向上させ、絶縁層１０に対して、各配線層１４、１５、１６および各導電接続部２１を確実に付着させるように構成されている。

次に、各構成部材について詳細に述べる。

絶縁層１０の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、絶縁層１０の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。また、絶縁層１０の厚さは、５μｍ〜３０μｍ、とりわけ１０μｍ〜２０μｍであることが好ましい。このことにより、バネ性材料層１１と各配線層１４、１５、１６との間の絶縁性能を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての弾力性が喪失されることを防止することができる。

各配線層１４、１５、１６の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。ここで、各配線層１４、１５、１６の厚さは、例えば１μｍ〜１８μｍ、とりわけ５μｍ〜１２μｍであることが好ましい。このことにより、各配線層１４、１５、１６の導電性を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての弾力性が喪失されることを防止することができる。

配線パッド１７は、各配線層１４、１５、１６上に形成されたニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉめっき層１８と、このＮｉめっき層１８上に形成された金（Ａｕ）からなるＡｕめっき層１９とからなっている。このようにして、配線パッド１７の表面が劣化することを防止するとともに、スライダ５２のスライダパッドとの間における接触抵抗を低減させている。

各導電接続部２１の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、ニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）が挙げられ、より好ましくは、各配線層１４、１５、１６と同じ材料、すなわち銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。

本体用バネ性材料層１２および配線用バネ性材料層１３の材料としては、所望の導電性、弾力性、および強度を有するものであれば特に限定されることはないが、例えば、ステンレス、アルミニウム、ベリリウム銅、またはその他の銅合金を用いることができ、好ましくはステンレスを用いることが好適である。各バネ性材料層１１の厚さは、１０μｍ〜３０μｍ、とりわけ１５μｍ〜２５μｍであることが好ましい。このことにより、バネ性材料層１１の導電性および弾力性を確保することができる。

保護層２２の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、保護層２２の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。保護層２２の厚さは、３μｍ〜３０μｍであることが好ましい。

次に、図５により、本実施の形態におけるサスペンション４１について説明する。図５に示すサスペンション４１は、上述した実装領域２を有するサスペンション用基板１と、サスペンション用基板１の実装領域２とは反対側となる面（下面）に設けられ、後述するスライダ５２（図６参照）をディスク６３（図７参照）に対して保持するためのロードビーム４２とを有している。

次に、図６により、本実施の形態におけるヘッド付サスペンション５１について説明する。図６に示すヘッド付サスペンション５１は、上述したサスペンション４１と、サスペンション用基板１の実装領域２に実装され、裏面に１２個のスライダパッドが設けられたスライダ５２とを有している。

次に、図７により、本実施の形態におけるハードディスクドライブ６１について説明する。図７に示すハードディスクドライブ６１は、ケース６２と、このケース６２に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク６３と、このディスク６３を回転させるスピンドルモータ６４と、ディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク６３に対してデータの書き込みおよび読み込みを行うスライダ５２を含むヘッド付サスペンション５１とを有している。このうちヘッド付サスペンション５１は、ケース６２に対して移動自在に取り付けられ、ケース６２にはヘッド付サスペンション５１のスライダ５２をディスク６３上に沿って移動させるボイスコイルモータ６５が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション５１とボイスコイルモータ６５との間には、アーム６６が連結されている。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわちサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、代表例として、配線層１４に関する図８乃至図１３を用いて、図３に示す断面構成のサスペンション用基板１を製造する方法について述べるが、図示されていない配線層１５についても、これと同様な方法により他の配線層１６を迂回する構成のサスペンション用基板１を製造することができる。

まず、図８（ａ）に示すように、絶縁層１０と、この絶縁層１０の下面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１とを有する積層体３０を準備する。この積層体３０においては、バネ性材料層１１はめっきにより形成されていても良く、あるいは絶縁層１０とバネ性材料層１１とが互いに接着されていても良い。

次に、図８（ｂ）に示すように、積層体３０の両面にフォトファブリケーションの手法によりレジスト３１、３２が形成される。すなわち、絶縁層１０の表面に、貫通孔２０を形成するためのパターン状のレジスト３１が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト３２が形成される。この場合、レジスト３１、３２としては、ドライフィルムレジストが好ましいが、カゼイン等の液状のレジストを用いても良い。

次に、パターン状のレジスト３１の開口部から、有機アルカリ液などのエッチング液により絶縁層１０がエッチングされて、絶縁層１０に２つの貫通孔２０が形成される（図８（ｃ）参照）。なお、絶縁層１０のエッチングは、プラズマエッチングで行っても良い。その後、これらのレジスト３１、３２が剥離される（図８（ｄ）参照）。

次に、図９に示すように、各配線層１４、１６および導電接続部２１が形成される。この場合、まず、図９（ａ）に示すように、絶縁層１０上、およびバネ性材料層１１の露出されている部分（貫通孔２０に対応する部分）に、金属薄膜層２３、Ｃｕスパッタリング層２４が順次形成される。このＣｕスパッタリング層２４上に、導電接続部２１および各配線層１４、１６を形成するためのパターン状のレジスト３３が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト３４が形成される（図９（ｂ）参照）。

次に、パターン状のレジスト３３の開口部に、電解銅めっき法により絶縁層１０の各貫通孔２０に導電接続部２１が形成されるとともに、各配線層１４、１６が形成される（図９（ｃ）参照）。この場合、配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂと導電接続部２１が接続される。その後、これらのレジスト３３、３４が剥離されて（図９（ｄ）参照）、金属薄膜層２３およびＣｕスパッタリング層２４のうち露出されている部分が除去される（図９（ｅ）参照）。

次に、図１０に示すように、各配線層１４、１６にパターン状の保護層２２が形成される。この場合、まず、絶縁層１０の上方に全領域に亘って保護層２２が形成される（図１０（ａ）参照）。次に、保護層２２上に、パターン状のレジスト３５が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト３６が形成される（図１０（ｂ）参照）。次に、パターン状のレジスト３５の開口部から、エッチング液により保護層２２がエッチングされる（図１０（ｃ）参照）。この場合、保護層２２に、配線パッド１７を形成するための孔２２ａが形成される。その後、これらのレジスト３５、３６が剥離される（図１０（ｄ）参照）。

次に、図１１に示すように、絶縁層１０がエッチングされる。この場合、まず、図１１（ａ）に示すように、絶縁層１０の上方にパターン状のレジスト３７が形成されるとともに、バネ性材料層１１の全面にレジスト３８が形成される。次に、パターン状のレジスト３７の開口部から、エッチング液により絶縁層１０がエッチングされて、絶縁層１０のうち露出されている部分が除去される（図１１（ｂ）参照）。その後、これらのレジスト３７、３８が剥離される（図１１（ｃ）参照）。

次に、図１２に示すように、各配線層１４、１６のうち露出されている部分に、Ｎｉめっき層１８およびＡｕめっき層１９が順次形成される。このようにして、各配線層１４、１６に配線パッド１７が形成される。

次に、図１３に示すように、バネ性材料層１１が、破断溝１１ａを介して本体用バネ性材料層１２と配線用バネ性材料層１３に分離される。この場合、まず、図１３（ａ）に示すように、バネ性材料層１１の上方の全領域に亘ってレジスト３９が形成されるとともに、バネ性材料層１１の下面に、パターン状のレジスト４０が形成される。次に、パターン状のレジスト４０の開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、バネ性材料層１１がエッチングされる。このようにして、破断溝１１ａが形成され、バネ性材料層１１が本体用バネ性材料層１２と配線用バネ性材料層１３とに分離される（図１３（ｂ）参照）。その後、レジスト３９、４０が剥離され、本実施の形態によるサスペンション用基板１の実装領域２の断面構成が得られる（図３および図１３（ｃ）参照）。

このようにして得られたサスペンション用基板１の下面に、ロードビーム４２が取り付けられて図５に示すサスペンション４１が得られる。このサスペンション４１の実装領域２に、裏面に１２個のスライダパッドが設けられたスライダ５２が実装されて図６に示すヘッド付サスペンション５１が得られる。この場合、スライダ５２のスライダパッドが各配線層１４、１５、１６の配線パッド１７に接続される。さらに、このヘッド付サスペンション５１がハードディスクドライブ６１のケース６２に取り付けられて、図７に示すハードディスクドライブ６１が得られる。

図７に示すハードディスクドライブ６１においてデータの読み込みおよび書き込みを行う際、ボイスコイルモータ６５によりヘッド付サスペンション５１のスライダ５２がディスク６３上に沿って移動し、スピンドルモータ６４により回転しているディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接する。このことにより、スライダ５２とディスク６３との間で、スライダパッドおよび配線パッド１７を介してデータの受け渡しが行われる。この間、サスペンション用基板１の実装領域２と外部接続基板接続部３との間に接続された各配線層１４、１５、１６により電気信号が伝送される。

このように本実施の形態によれば、配線層１４と配線用バネ性材料層１３とが、絶縁層１０の貫通孔２０に形成された導電接続部２１を介して接続され、この配線用バネ性材料層１３により、配線層１４は、他の配線層１６を迂回することができる。このことにより、スペースが限られている実装領域２において、各配線パッド１７から延びる各配線層１４、１５、１６を互いに絶縁距離を確保しながら引き回すことができる。このため、サスペンション用基板１に形成される配線パッド１７の個数を増加させて、１２個のスライダパッドを有するスライダ５２を実装することができ、磁気ディスク６３と磁気ヘッドスライダ５２の相対位置を高精度に制御することができる。

また、本実施の形態によれば、上述した効果を有するサスペンション４１、ヘッド付サスペンション５１、およびハードディスクドライブ６１を得ることができる。

なお、本実施の形態においては、図２乃至図４に示すように、絶縁層１０に対して各配線層１４、１５、１６が上方に、バネ性材料層１１が下方に配置される例について述べたが、各配線層１４、１５、１６を下方に、バネ性材料層１１を上方に配置しても良い。

また、本実施の形態においては、１２個のスライダパッドを有するスライダ５２を実装するために、接地用端子１７ａを含む１２個の配線パッド１７が形成される例について述べた。しかしながらこのことに限られることはなく、１１個以上１２個以下のスライダパッドを有するスライダ５２を実装するために、接地用端子１７ａを含む１１個以上１２個以下の配線パッド１７が形成される場合に、本発明によるサスペンション用基板１を適用することが有効である。すなわち、接地用端子１７ａを含む配線パッド１７の個数が１０個の場合、言い換えれば、接地用端子１７ａを除く配線パッド１７の個数が９個である場合、サスペンション用基板１の同一面上に９個の配線層を引き回すことはできるが、接地用端子１７ａを除く１０個以上１１個以下の配線パッド１７を形成する場合には、スペースの制約を受けるため、サスペンション用基板１の同一面上に１０個以上１１個以下の配線層を引き回すことは困難である。したがって、このように接地用端子１７ａを含めて１１個以上１２個以下の配線パッド１７を設ける場合には、本発明によるサスペンション用基板１を適用することにより、各配線層を互いに絶縁距離を確保して引き回すことができる。

また、本実施の形態においては、図２および図４に示すように、配線層１４および１５が、位置制御素子用配線層からなり、接地用端子１７ａは、接地用貫通孔２０ａに設けられた導電部（図示せず）を介してバネ性材料層１１の本体用バネ性材料層１２に接続されている例について述べた。しかしながらこのことに限られることはなく、配線層１４が接地配線層からなり、他の配線層１６を迂回するように構成しても良い。すなわち、図示しないが、配線層１４のスライダ側部分１４ａに接地用端子１７ａが設けられ、この接地用端子１７ａが、貫通孔２０に設けられた導電接続部２１を介して配線用バネ性材料層１３に接続されて、接地配線層からなる第１配線層１４が、他の配線層１６を迂回しても良い。この場合、サスペンション用基板１の同一面上に引き回すことが可能な配線層の個数は、上述したように９個であるため、接地配線層からなる配線層１４を含めると配線層の個数は１０個となり、接地用端子１７ａを含むと配線パッド１７の個数は１０個となる。このため、接地配線層を迂回させて、接地用端子１７ａを含めて１０個以上１２個以下の配線パッド１７を設ける場合には、本発明によるサスペンション用基板１を適用することにより、各配線層を互いに絶縁距離を確保して引き回すことができる。

また、本実施の形態において、配線用バネ性材料層１３の絶縁層１０とは反対側の面（下面）に、配線用バネ性材料層１３よりも高い導電性を有する導電層（図示せず）を形成しても良い。この導電層を、各配線層１４、１５、１６および導電接続部２１と同じ材料、例えば銅（Ｃｕ）を用いて形成することにより、配線層１４のスライダ側部分１４ａと基部側部分１４ｂとの間の導電性をより一層向上させることができる。

また、本実施の形態においては、配線層１４のスライダ側部分１４ａと配線用バネ性材料層１３との間を接続する導電接続部２１と、配線層１４の基部側部分１４ｂと配線用バネ性材料層１３との間を接続する導電接続部２１とが、いずれも実装領域２内に配置されている例について述べた。しかしながらこのことに限られることはなく、後者、すなわち、配線層１４の基部側部分１４と配線用バネ性材料層１３との間を接続する導電接続部２１は、実装領域２よりも基部側に配置されていても良い。この場合においても、各配線パッド１７から延びる各配線層１４、１５、１６を互いに絶縁距離を確保しながら引き回すことができる。

第２の実施の形態
次に、図１４乃至図２３により、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板について説明する。

図１４乃至図２３に示す第２の実施の形態におけるサスペンション用基板において、配線用バネ性材料層の絶縁層側の面に導電層が設けられ、この導電層が導電接続部と配線用バネ性材料層との間に介在されている点が主に異なり、他の構成は、図１乃至図１３に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図１４乃至図２３において、図１乃至図１３に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図１４および図１５に示すサスペンション用基板１においては、配線用バネ性材料層１３の絶縁層１０側の面に、配線用バネ性材料層１３よりも高い導電性を有する導電層７１が設けられている。この導電層７１は、２つの導電接続部２１の間に延び、各導電接続部２１と配線用バネ性材料層１３との間に介在されている。また、配線用バネ性材料層１３と導電層７１との間には、後述する金属薄膜層７２およびＣｕスパッタリング層７３が介在され、配線用バネ性材料層１３に対して導電層７１を確実に付着させるように構成されている。このようにして、配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂと導電層７１とが導電接続部２１を介してそれぞれ接続され、配線層１４は、この導電層７１により他の配線層１６を迂回するように構成されている。なお、導電層７１は、図１４および図１６に示すように、配線用バネ性材料層１３の平面形状に類似した平面形状を有している。

導電層７１の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、各配線層１４、１５、１６および導電接続部２１と同じ材料、例えば、銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。ここで、導電層７１の厚さは、例えば０．５〜５μｍ、とりわけ２〜４μｍであることが好ましい。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわちサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、代表例として、配線層１４に関する図１７乃至図２３を用いて、図１５に示す断面構成のサスペンション用基板１を製造する方法について述べるが、図示されていない配線層１５についても、これと同様な方法により他の配線層１６を迂回する構成のサスペンション用基板１を製造することができる。

まず、図１７（ａ）に示すように、導電性を有するバネ性材料層１１を準備する。次に、図１７（ｂ）に示すように、バネ性材料層１１上に、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、もしくはそれらの合金からなる金属薄膜層７２、Ｃｕスパッタリング層７３が順次形成される。このＣｕスパッタリング層７２上に、導電層７１を形成するためのパターン状のレジスト７４が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト７５が形成される（図１７（ｃ）参照）。

次に、バネ性材料層１１の上面において、パターン状のレジスト７４の開口部に、電解銅めっき法により導電層７１が形成される（図１７（ｄ）参照）。その後、これらのレジスト７４、７５が剥離されて（図１７（ｅ）参照）、金属薄膜層７２およびＣｕスパッタリング層７３のうち露出されている部分が除去される（図１７（ｆ）参照）。

次に、図１８に示すように、絶縁層１０が形成される。この場合、まず、図１８（ａ）に示すように、バネ性材料層１１の上方に、導電層７１を覆うように絶縁層１０が形成される。次に、絶縁層１０の表面に、貫通孔２０を形成するためのパターン状のレジスト３１が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト３２が形成される。

次に、パターン状のレジスト３１の開口部から、有機アルカリ液などのエッチング液により絶縁層１０がエッチングされて、絶縁層１０の導電層７１に対応する領域に２つの貫通孔２０が形成される（図１８（ｃ）参照）。この場合、各貫通孔２０において、導電層７１の一部が露出している。その後、これらのレジスト３１、３２が剥離される（図１８（ｄ）参照）。

次に、図１９に示すように、各配線層１４、１６および導電接続部２１が形成される。この場合、まず、図１９（ａ）に示すように、絶縁層１０上、および導電層７１の露出されている部分（貫通孔２０に対応する部分）に、金属薄膜層２３、Ｃｕスパッタリング層２４が順次形成される。このＣｕスパッタリング層２４上に、導電接続部２１および各配線層１４、１６を形成するためのパターン状のレジスト３３が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト３４が形成される（図１９（ｂ）参照）。

次に、パターン状のレジスト３３の開口部に、電解銅めっき法により絶縁層１０の各貫通孔２０に導電接続部２１が形成されるとともに、各配線層１４、１６が形成される（図１９（ｃ）参照）。この場合、配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂと導電接続部２１が接続される。また、各導電接続部２１は、金属薄膜層２３およびＣｕスパッタリング層２４を介して導電層７１に接続される。その後、これらのレジスト３３、３４が剥離されて（図１９（ｄ）参照）、金属薄膜層２３およびＣｕスパッタリング層２４のうち露出されている部分が除去される（図１９（ｅ）参照）。

次に、図２０に示すように、各配線層１４、１６にパターン状の保護層２２が形成される。この場合、まず、絶縁層１０の上方に全領域に亘って保護層２２が形成される（図２０（ａ）参照）。次に、保護層２２上に、パターン状のレジスト３５が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト３６が形成される（図２０（ｂ）参照）。次に、パターン状のレジスト３５の開口部から、エッチング液により保護層２２がエッチングされる（図２０（ｃ）参照）。この場合、保護層２２に、配線パッド１７を形成するための孔２２ａが形成される。その後、これらのレジスト３５、３６が剥離される（図２０（ｄ）参照）。

次に、図２１に示すように、絶縁層１０がエッチングされる。この場合、まず、図２１（ａ）に示すように、絶縁層１０の上方にパターン状のレジスト３７が形成されるとともに、バネ性材料層１１の全面にレジスト３８が形成される。次に、パターン状のレジスト３７の開口部から、エッチング液により絶縁層１０がエッチングされて、絶縁層１０のうち露出されている部分が除去される（図２１（ｂ）参照）。その後、これらのレジスト３７、３８が剥離される（図２１（ｃ）参照）。

次に、図２２に示すように、各配線層１４、１６のうち露出されている部分に、Ｎｉめっき層１８およびＡｕめっき層１９が順次形成される。このようにして、各配線層１４、１６に配線パッド１７が形成される。

次に、図２３に示すように、バネ性材料層１１が、破断溝１１ａを介して本体用バネ性材料層１２と配線用バネ性材料層１３に分離される。この場合、まず、図２３（ａ）に示すように、バネ性材料層１１の上方の全領域に亘ってレジスト３９が形成されるとともに、バネ性材料層１１の下面に、パターン状のレジスト４０が形成される。次に、パターン状のレジスト４０の開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、バネ性材料層１１がエッチングされる。このようにして、破断溝１１ａが形成され、バネ性材料層１１が本体用バネ性材料層１２と上面に導電層７１が形成された配線用バネ性材料層１３とに分離される（図２３（ｂ）参照）。その後、レジスト３９、４０が剥離され、本実施の形態によるサスペンション用基板１の実装領域２の断面構成が得られる（図１５および図２３（ｃ）参照）。

このように本実施の形態によれば、配線用バネ性材料層１３の絶縁層１０側の面に導電層７１が形成され、配線層１４と導電層７１とが、絶縁層１０の貫通孔２０に形成された導電接続部２１を介して接続され、この導電層７１により他の配線層１６を迂回することができる。このことにより、スペースが限られている実装領域２において、各配線パッド１７から延びる各配線層１４、１５、１６を互いに絶縁距離を確保しながら引き回すことができる。このため、サスペンション用基板１に形成される配線パッド１７の個数を増加させて、１２個のスライダパッドを有するスライダ５２を実装することができ、磁気ディスク６３と磁気ヘッドスライダ５２の相対位置を高精度に制御することができる。また、この導電層７１は、配線用バネ性材料層１３よりも高い導電性を有しているため、配線層１４のスライダ側部分１４ａと基部側部分１４ｂとの間の導電性をより一層向上させることができる。

第３の実施の形態
次に、図２４乃至図３３により、本発明の第３の実施の形態におけるサスペンション用基板について説明する。

図２４乃至図３３に示す第３の実施の形態におけるサスペンション用基板において、一の第１配線層に第２絶縁層を介して第２配線層が積層され、当該一の第１配線層と第２配線層とが、第２絶縁層の貫通孔に形成された導電接続部を介して接続されている点が主に異なり、他の構成は、図１乃至図１３に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図２４乃至図３３において、図１乃至図１３に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施の形態におけるサスペンション用基板１の実装領域２は、第１絶縁層１０と、この第１絶縁層１０の一方の面（下面）に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１と、第１絶縁層１０の他方の面（上面）に設けられた複数の第１配線層１４、１５、１６とを有している。なお、これら第１絶縁層１０、および第１配線層１４、１５、１６は、図１乃至図１３に示す第１の実施の形態における絶縁層１０、および配線層１４、１５、１６と同一部分に対応するため、このように同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図２４乃至図２６に示すように、第１配線層１４に、第２絶縁層８１を介して第２配線層８２が積層されている。具体的には、第１絶縁層１０上に、各第１配線層１４、１５、１６を覆うように第２絶縁層８１が形成され、この第２絶縁層８１上に、第２配線層８２が形成されている。このうち、第２絶縁層８１に、配線パッド１７を形成するための円形状の孔８１ａが設けられている。

図２６（ｄ）に示すように、第２絶縁層８１に、円筒状の４つの貫通孔（ビア）８３が設けられている。各貫通孔８３は、第１配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂ並びに第１配線層１５のスライダ側部分１５ａおよび基部側部分１５ｂに対応する位置に配置されている。

図２５に示すように、各貫通孔８３には、導電性を有する導電接続部８４が形成され、第１配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂが、後述する金属薄膜層８６およびＣｕスパッタリング層８７を介して導電接続部８４に接続されている。このようにして、第１配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４ｂが導電接続部８４を介して接続され、第１配線層１４は、この第２配線層８２により他の第１配線層１６を迂回するように構成されている。ここで、図２５においては、明瞭化のために、第１配線層１４の断面構成例を示しているが、第１配線層１５についても、同様の断面構成とすることができる。

また、図２５に示すように、本実施の形態におけるバネ性材料層１１は、破断溝１１ａを介して、４つのバネ性材料部分１１ｂに区画されている。

第２絶縁層８１上には、第２配線層８２を覆う保護層８５が設けられ、第２配線層８２が劣化することを防止している。この保護層８５に、配線パッド１７を形成するための円形状の孔８５ａが設けられている。

第２配線層８２および各導電接続部８４と第２絶縁層８１との間に、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、もしくはそれらの合金からなる金属薄膜層８６と、銅（Ｃｕ）からなるＣｕスパッタリング層８７が介在されている。すなわち、第２絶縁層８１側に金属薄膜層８６が形成され、この金属薄膜層８６上にＣｕスパッタリング層８７が形成されている。このようにして、第２絶縁層８１に対して、第２配線層８２および各導電接続部８４を確実に付着させるように構成されている。

第２絶縁層８１の材料としては、第１絶縁層１０と同様の材料を用いることが好適である。また、第２配線層８２および各導電接続部８４の材料としては、各第１配線層１４、１５、１６と同様の材料を用いることが好適である。さらに、保護層８５の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、保護層８５の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわちサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、代表例として、第１配線層１４に関する図２７乃至図３３を用いて、図２５に示す断面構成のサスペンション用基板１を製造する方法について述べるが、図示されていない第１配線層１５についても、これと同様な方法により他の第１配線層１６を迂回する構成のサスペンション用基板１を製造することができる。

まず、図２７（ａ）に示すように、第１絶縁層１０と、この第１絶縁層１０の下面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１と、第１絶縁層１０の上面に設けられた配線材料層８８とを有する積層体８９を準備する。この積層体８９においては、バネ性材料層１１および配線材料層８８はめっきにより形成されていても良く、あるいは第１絶縁層１０とバネ性材料層１１および配線材料層８８とが互いに接着されていても良い。

次に、図２７（ｂ）に示すように、積層体８９の両面にレジスト９０、９１が形成される。すなわち、配線材料層８８の表面に、第１配線層１４、１６を形成するためのパターン状のレジスト９０が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト９１が形成される。

次に、パターン状のレジスト９０の開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、配線材料層８８がエッチングされて、各第１配線層１４、１６が形成され（図２７（ｃ）参照）、その後、これらのレジスト９０、９１が剥離される（図２７（ｄ）参照）。

次に、図２８に示すように、第２絶縁層８１が形成される。この場合、まず、図２８（ａ）に示すように、第１絶縁層１０の上方に、各第１配線層１４、１６を覆うように第２絶縁層８１が形成される。次に、第２絶縁層８１の表面に、配線パッド１７のための孔８１ａおよび貫通孔８３を形成するためのパターン状のレジスト９２が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト９３が形成される。

次に、パターン状のレジスト９２の開口部から、有機アルカリ液などのエッチング液により第２絶縁層８１がエッチングされて、第２絶縁層８１に孔８１ａが形成されるとともに、貫通孔８３が形成される（図２８（ｃ）参照）。この場合、各孔８１ａおよび各貫通孔８３において、各第１配線層１４、１６の一部が露出している。その後、これらのレジスト９２、９３が剥離される（図２８（ｄ）参照）。

次に、図２９に示すように、第２配線層８２および導電接続部８４が形成される。この場合、まず、図２９（ａ）に示すように、第２絶縁層８１上、および各第１配線層１４、１６の露出されている部分に、金属薄膜層８６、Ｃｕスパッタリング層８７が順次形成される。このＣｕスパッタリング層８７上に、導電接続部８４および第２配線層８２を形成するためのパターン状のレジスト９４が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト９５が形成される（図２９（ｂ）参照）。

次に、パターン状のレジスト９４の開口部に、電解銅めっき法により第２絶縁層８１の各貫通孔８３に導電接続部８４が形成されるとともに、第２配線層８２が形成される（図２９（ｃ）参照）。この場合、第２配線層８２は導電接続部８４に接続される。また、各導電接続部８４は、金属薄膜層８６およびＣｕスパッタリング層８７を介して第１配線層１４のスライダ側部分１４ａおよび基部側部分１４にそれぞれ接続される。その後、これらのレジスト９４、９５が剥離されて（図２９（ｄ）参照）、金属薄膜層８６およびＣｕスパッタリング層８７のうち露出されている部分が除去される（図２９（ｅ）参照）。

次に、図３０に示すように、第２配線層８２にパターン状の保護層８５が形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方の全領域に亘って保護層８５が形成される（図３０（ａ）参照）。次に、保護層８５上に、パターン状のレジスト９６が形成され、バネ性材料層１１の全面にレジスト９７が形成される（図３０（ｂ）参照）。次に、パターン状のレジスト９６の開口部から、エッチング液により保護層８５がエッチングされる（図３０（ｃ）参照）。この場合、保護層８５に、配線パッド１７を形成するための孔８５ａが形成され、各孔８１ａにおいて、第１配線層１４、１６の一部が露出する。その後、これらのレジスト９６、９７が剥離される（図３０（ｄ）参照）。

次に、図３１に示すように、第１絶縁層１０がエッチングされる。この場合、まず、図３１（ａ）に示すように、第１絶縁層１０の上方にパターン状のレジスト９８が形成されるとともに、バネ性材料層１１の全面にレジスト９９が形成される。次に、パターン状のレジスト９８の開口部から、エッチング液により第１絶縁層１０がエッチングされて、第１絶縁層１０のうち露出されている部分が除去される（図３１（ｂ）参照）。その後、これらのレジスト９８、９９が剥離される（図３１（ｃ）参照）。

次に、図３２に示すように、各第１配線層１４、１６のうち露出されている部分に、Ｎｉめっき層１８およびＡｕめっき層１９が順次形成される。このようにして、各第１配線層１４、１６に配線パッド１７が形成される。

次に、図３３に示すように、バネ性材料層１１が、破断溝１１ａを介して４つのバネ性材料部分１１ｂに分離される。この場合、まず、図３３（ａ）に示すように、バネ性材料層１１の上方の全領域に亘ってレジスト１００が形成されるとともに、バネ性材料層１１の下面に、パターン状のレジスト１０１が形成される。次に、パターン状のレジスト１０１の開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、バネ性材料層１１がエッチングされる。このようにして、破断溝１１ａが形成され、バネ性材料層１１が４つのバネ性材料部分１１ｂに分離される（図３３（ｂ）参照）。その後、レジスト１００、１０１が剥離され、本実施の形態によるサスペンション用基板１の実装領域２の断面構成が得られる（図２５および図３３（ｃ）参照）。

このように本実施の形態によれば、第１配線層１４と第２配線層８２とが、第２絶縁層８１の貫通孔８３に形成された導電接続部８４を介して接続され、第１配線層１４は、この第２配線層８２により他の第１配線層１６を迂回することができる。このことにより、スペースが限られている実装領域２において、各配線パッド１７から延びる各第１配線層１４、１５、１６を互いに絶縁距離を確保しながら引き回すことができる。このため、サスペンション用基板１に形成される配線パッド１７の個数を増加させて、１２個のスライダパッドを有するスライダ５２を実装することができ、磁気ディスク６３と磁気ヘッドスライダ５２の相対位置を高精度に制御することができる。また、この第２配線層８２は、各第１配線層１４、１５、１６と同様の材料から形成されているため、第１配線層１４のスライダ側部分１４ａと基部側部分１４ｂとの間の導電性をより一層向上させることができる。

以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明によるサスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、図１乃至図１３に示した第１の実施の形態における配線用バネ性材料層１３による迂回ルートと、図２４乃至図３３に示した第３の実施の形態における第２配線層８２による迂回ルートとを組み合わせることも可能である。さらに、図１４乃至２３に示した第２の実施の形態における導電層７１による迂回ルートと、第２配線層８２による迂回ルートとを組み合わせることも可能である。

１ サスペンション用基板
２ 実装領域
３ 外部接続基板接続部
１０ 絶縁層、第１絶縁層
１１ バネ性材料層
１１ａ 破断溝
１１ｂ バネ性材料部分
１２ 本体用バネ性材料層
１３ 配線用バネ性材料層
１４ 配線層、第１配線層
１４ａ スライダ側部分
１４ｂ 基部側部分
１５ 配線層、第１配線層
１５ａ スライダ側部分
１５ｂ 基部側部分
１６ 他の配線層、他の第１配線層
１７ 配線パッド
１７ａ 接地用端子
１８ Ｎｉめっき層
１９ Ａｕめっき層
２０ 貫通孔
２０ａ 接地用貫通孔
２１ 導電接続部
２２ 保護層
２２ａ 孔
２３ 金属薄膜層
２４ Ｃｕスパッタリング層
３０ 積層体
３１〜４０ レジスト
４１ サスペンション
４２ ロードビーム
５１ ヘッド付サスペンション
５２ スライダ
６１ ハードディスクドライブ
６２ ケース
６３ ディスク
６４ スピンドルモータ
６５ ボイスコイルモータ
６６ アーム
７１ 導電層
７２ 金属薄膜層
７３ Ｃｕスパッタリング層
７４、７５ レジスト
８１ 第２絶縁層
８１ａ 孔
８２ 第２配線層
８３ 貫通孔
８４ 導電接続部
８５ 保護層
８５ａ 孔
８６ 金属薄膜層
８７ Ｃｕスパッタリング層
８８ 配線材料層
８９ 積層体
９０〜１０１ レジスト

Claims (16)

1. 裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板において、
   実装領域は、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、絶縁層の他方の面に設けられた複数の配線層とを有し、
   各配線層に、スライダのスライダパッドに導通される配線パッドが設けられ、
   絶縁層に貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性を有する導電接続部が設けられ、
   バネ性材料層は、本体用バネ性材料層部分と、この本体用バネ性材料層部分から破断溝を介して区画された配線用バネ性材料層部分とからなり、
   一の配線層と配線用バネ性材料層部分とが導電接続部を介して接続され、当該一の配線層は、配線用バネ性材料層部分により他の配線層を迂回していることを特徴とするサスペンション用基板。
2. 配線用バネ性材料層部分の一方の面に、配線用バネ性材料層部分よりも高い導電性を有する導電層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
3. 導電層は、配線用バネ性材料層部分の絶縁層側の面に設けられ、
   導電層は、導電接続部と配線用バネ性材料層部分との間に介在されていることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。
4. 配線用バネ性材料層部分は、他の配線層の配線パッドに対応する位置とは異なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のサスペンション用基板。
5. 本体用バネ性材料層部分は、他の配線層の配線パッドに対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のサスペンション用基板。
6. 当該一の配線層は、磁気ディスクとスライダの相対位置を制御する位置制御素子用配線層からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のサスペンション用基板。
7. 裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板において、
   実装領域は、第１絶縁層と、この第１絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、第１絶縁層の他方の面に設けられた複数の第１配線層とを有し、
   各第１配線層に、スライダのスライダパッドに導通される配線パッドが設けられ、
   一の第１配線層に第２絶縁層を介して第２配線層が積層され、
   この第２絶縁層に貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性を有する導電接続部が設けられ、
   当該一の第１配線層と第２配線層とが導電接続部を介して接続され、当該一の第１配線層は、この第２配線層により他の第１配線層を迂回していることを特徴とするサスペンション用基板。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載のサスペンション用基板を有することを特徴とするサスペンション。
9. 請求項８記載のサスペンションと、このサスペンションに実装されたスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
10. 請求項９に記載のヘッド付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
11. 裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
    絶縁層と、この絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層とを有する積層体を準備する工程と、
    絶縁層に貫通孔を形成する工程と、
    この貫通孔に導電性を有する導電接続部を形成する工程と、
    絶縁層の他方の面に、複数の配線層を形成し、一の配線層を導電接続部に接続させる工程と、
    各配線層に、スライダパッドに導通される配線パッドを形成する工程と、
    バネ性材料層に破断溝を形成して、バネ性材料層を、本体用バネ性材料層部分と、この本体用バネ性材料層部分から破断溝を介して区画され、導電接続部に接続される配線用バネ性材料層部分とに分離する工程と、を備え、
    当該一の配線層と配線用バネ性材料層部分とが導電接続部を介して接続され、当該一の配線層は、この配線用バネ性材料層部分により他の配線層を迂回することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
12. 配線用バネ性材料層部分の絶縁層とは反対側の面に、配線用バネ性材料層部分よりも高い導電性を有する導電層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１１に記載のサスペンション用基板の製造方法。
13. 裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
    導電性を有するバネ性材料層を準備する工程と、
    バネ性材料層の一方の面に、配線用バネ性材料層部分よりも高い導電性を有する導電層を形成する工程と、
    バネ性材料層の導電層側の面に、導電層を覆うように絶縁層を形成する工程と、
    この絶縁層の導電層に対応する領域に、貫通孔を形成する工程と、
    この貫通孔に導電性を有する導電接続部を形成する工程と、
    絶縁層に、複数の配線層を形成し、一の配線層を導電接続部に接続させる工程と、
    各配線層に、スライダパッドに導通される配線パッドを形成する工程と、
    バネ性材料層に破断溝を形成して、バネ性材料層を、本体用バネ性材料層部分と、この本体用バネ性材料層部分から破断溝を介して区画され、導電層が形成された配線用バネ性材料層部分とに分離する工程と、を備え、
    当該一の配線層と導電層とが導電接続部を介して接続され、当該一の配線層は、この導電層により他の配線層を迂回することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
14. バネ性材料層に破断溝を形成する際、配線用バネ性材料層部分が他の配線層の配線パッドに対応する位置とは異なる位置に配置されるように破断溝が形成されることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。
15. バネ性材料層に破断溝を形成する際、本体用バネ性材料層部分が他の配線層の配線パッドに対応する位置に配置されるように破断溝が形成されることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。
16. 裏面にスライダパッドが設けられたスライダを実装する実装領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
    第１絶縁層と、この第１絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、第１絶縁層の他方の面に設けられた複数の第１配線層とを有する積層体を準備する工程と、
    第１絶縁層の第１配線層側の面に、一の第１配線層を覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
    この第２絶縁層の当該一の第１配線層に対応する領域に、貫通孔を形成する工程と、
    この貫通孔に、導電性を有する導電接続部を形成する工程と、
    第２絶縁層に、この導電接続部に接続される第２配線層を形成する工程と、
    各第１配線層に、スライダのスライダパッドに導通される配線パッドを形成する工程と、を備え、
    当該一の第１配線層と第２配線層とが導電接続部を介して接続され、当該一の第１配線層は、この第２配線層により他の第１配線層を迂回することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。

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