JP5586088B2 - 昇圧型dc/dcコンバータ及びこれを備えた電子機器 - Google Patents
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Description
101 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ(同期整流トランジスタ)
102 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ(出力トランジスタ)
103、104 ドライバ
105 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ(ブートストラップ用)
106 抵抗
107 ドライバ制御回路
108 PWMコンパレータ
109 エラーアンプ
110 発振回路
111 基準電圧生成回路
112 ソフトスタート回路
113 保護回路
201 インダクタ
202 コンデンサ
203 コンデンサ(ブートストラップ用)
204、205 抵抗
BD ボディダイオード(寄生ダイオード)
1〜3 レベルシフタ
4、5 デッドタイム生成部
6、7 論理積演算器
8 否定論理積演算器
9、10 否定論理和演算器
11 インバータ
300 電源IC
301 基準電圧生成回路
302 温度保護回路(TSD)
303 低電圧誤動作防止回路(UVLO)
304 エラーアンプ
305 発振回路
306 PWMコンパレータ
307 DC/DCドライバ
308、309 ソフトスタート回路
310 正チャージポンプドライバ
311 負チャージポンプドライバ
312 コントローラ
313 レベルシフタ
314 オン/オフシーケンサ
315 出力地絡保護回路
320 電源ブロック
M1 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ(同期整流トランジスタ)
M2 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ(出力トランジスタ)
M3 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ(ブートストラップ用)
400 バッテリ
500 タイミングコントローラ
600 TFT液晶表示パネル
700 ゲートドライバ
800 ソースドライバ
900 階調部
Claims (8)
- 入力電圧から所望の出力電圧を生成するためにインダクタの一端に各々接続されたNチャネル型の出力トランジスタ及び同期整流トランジスタと、
接地電圧と前記入力電圧との間で前記出力トランジスタの第1ゲート信号をパルス駆動する第1ドライバと、
前記インダクタの一端に現れるスイッチ電圧を少なくとも前記同期整流トランジスタのオンスレッショルド電圧分だけ高めたブート電圧を生成するブートストラップ回路と、
前記スイッチ電圧と前記ブート電圧との間で前記同期整流トランジスタの第2ゲート信号をパルス駆動する第2ドライバと、
基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
前記出力電圧に応じた帰還電圧と前記基準電圧との差分を増幅して誤差電圧を生成するエラーアンプと、
昇圧型DC/DCコンバータが起動してから所定のソフトスタート期間にわたって前記誤差電圧を緩やかに上昇させるためのソフトスタート回路と、
三角波電圧を生成する発振回路と、
前記誤差電圧と前記三角波電圧とを比較してパルス幅変調信号を生成するPWMコンパレータと、
前記パルス幅変調信号に基づき前記第1ドライバと前記第2ドライバを介して前記出力トランジスタと前記同期整流トランジスタのオン/オフ制御を行うドライバ制御回路と、
を有する昇圧型DC/DCコンバータであって、
前記ブートストラップ回路は、前記入力電圧の印加端と前記ブート電圧の印加端との間に、前記ドライバ制御回路によってオン/オフ制御されるPチャネル型電界効果トランジスタを含んでおり、
前記ドライバ制御回路は、
前記入力電圧と前記接地電圧との間でパルス駆動される第1論理信号をレベルシフトすることにより、前記ブート電圧と前記スイッチ電圧との間でパルス駆動される第3ゲート信号を生成して前記Pチャネル型電界効果トランジスタのゲートに出力する第1レベルシフタと;
前記入力電圧と前記接地電圧との間でパルス駆動される第2論理信号をレベルシフトすることにより、前記ブート電圧と前記スイッチ電圧との間でパルス駆動される第3論理信号を生成して前記第2ドライバに出力する第2レベルシフタと;
前記第2ゲート信号をレベルシフトすることにより、前記入力電圧と前記接地電圧との間でパルス駆動される第4論理信号を生成する第3レベルシフタと;
前記入力電圧と前記接地電圧との間で動作し、前記第4論理信号に所定の遅延を与えて第1遅延信号を生成する第1デッドタイム生成部と;
前記入力電圧と前記接地電圧との間で動作し、前記第1ゲート信号に所定の遅延を与えて第2遅延信号を生成する第2デッドタイム生成部と;
前記入力電圧と前記接地電圧との間で動作し、前記ソフトスタート期間にはローレベルに維持されて前記ソフトスタート期間が満了した時点でハイレベルとなるソフトスタート終了信号と第5論理信号との論理積演算により前記第2論理信号を生成する第1論理積演算器と;
前記入力電圧と前記接地電圧との間で動作し、前記ソフトスタート終了信号と前記第1遅延信号との論理積演算により第6論理信号を生成する第2論理積演算器と;
前記入力電圧と前記接地電圧との間で動作し、前記パルス幅変調信号と前記第1ゲート信号との否定論理積演算により前記第1論理信号を生成する否定論理積演算器と;
前記入力電圧と前記接地電圧との間で動作し、前記パルス幅変調信号と前記第2遅延信号との否定論理和演算により前記第5論理信号を生成する第1否定論理和演算器と;
前記入力電圧と前記接地電圧との間で動作し、前記第6論理信号と第7論理信号との否定論理和演算により第8論理信号を生成して前記第1ドライバに出力する第2否定論理和演算器と;
前記パルス幅変調信号を論理反転して前記第8論理信号を生成するインバータと;
を含み、
前記出力トランジスタと前記Pチャネル型電界効果トランジスタとを同期してオン/オフさせ、
前記出力トランジスタと前記同期整流トランジスタの同時オンを防止し、かつ、
前記昇圧型DC/DCコンバータが起動してから前記ソフトスタート期間にわたって、前記同期整流トランジスタをオフさせたまま、前記出力トランジスタのみをオン/オフさせる非同期整流駆動を行い、その後、前記出力トランジスタと前記同期整流トランジスタを相補的にオン/オフさせる同期整流駆動を行う、
ことを特徴とする昇圧型DC/DCコンバータ。 - 前記ブートストラップ回路は、前記入力電圧の印加端と前記ブート電圧の印加端との間に、電流制限抵抗を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の昇圧型DC/DCコンバータ。
- 前記出力トランジスタ、前記同期整流トランジスタ、前記第1ドライバ、前記第2ドライバ、前記ブートストラップ回路、前記ドライバ制御回路、前記基準電圧生成回路、前記エラーアンプ、前記ソフトスタート回路、前記発振回路、及び、前記PWMコンパレータは、いずれも半導体装置に集積化されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の昇圧型DC/DCコンバータ。
- 前記半導体装置には、前記ブートストラップ回路を形成する素子として、前記スイッチ電圧の印加端と前記ブート電圧の印加端との間に、ブートストラップ用のコンデンサが外付けされていることを特徴とする請求項3に記載の昇圧型DC/DCコンバータ。
- 前記半導体装置には、前記入力電圧の印加端と前記スイッチ電圧の印加端との間に、前記インダクタが外付けされていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の昇圧型DC/DCコンバータ。
- 前記入力電圧の供給源である電源と、
前記入力電圧から前記出力電圧を生成する請求項1〜請求項5のいずれかに記載の昇圧型DC/DCコンバータと、
前記出力電圧を受けて動作する負荷と、
を有することを特徴とする電子機器。 - 前記電源は、バッテリであることを特徴とする請求項6に記載の電子機器。
- 前記負荷は、液晶表示パネルであることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の電子機器。
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