JP6213381B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

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本発明は、半導体スイッチング素子をPWM制御することで負荷に供給する出力電圧を制御するスイッチング電源装置に関する。
スイッチング電源装置については、半導体スイッチング素子や負荷に過電流が流れることを防止するため、過電流保護を行うことが一般的である。この過電流保護は、例えば半導体スイッチング素子がオンした期間に流れる電流を抵抗素子により電圧に変換して検出し、その電圧を検出用閾値電圧と比較して行う。
例えば図11に示すように、IC(集積回路)として構成される降圧型スイッチング電源装置1の外部には、電源VINとグランド(GND(1))との間に、抵抗素子2(RSHUNT)、PチャネルMOSFET3、コイル4(L1)及び抵抗素子5(RL)の直列回路が接続されている。PチャネルMOSFET3のドレインにはダイオード6(D1)のカソードが接続され、ダイオード6のアノードはグランドに接続されている。抵抗素子5には、コンデンサ7(C1)が並列に接続されている。PチャネルMOSFET3のソースは、スイッチング電源装置1の端子OCINに接続され、PチャネルMOSFET3のゲートは同端子GATEに接続されている。そして、コイル4と抵抗素子5との共通接続点が電圧VOUTの出力端子となっている。
電圧VOUTとグランドとの間には、抵抗素子8及び9の直列回路が接続されており、両者の共通接続点は、スイッチング電源装置1の端子VDETに接続されている。端子VDETは、スイッチング素子1の内部でオペアンプ10の反転入力端子に接続されており、オペアンプ10の非反転入力端子には、出力電圧制御用の基準電圧VREF1が与えられている。オペアンプ10の出力端子(信号AMPOUT)は、次段のコンパレータ11(PWM信号生成回路)の非反転入力端子に接続されており、コンパレータ11の反転入力端子には、発振回路12が出力するPWM制御の搬送波(三角波CTT)が入力されている。
コンパレータ11の出力端子(信号COMPOUT,PWM信号)は、波形整形回路(PWM LOGIC)13の入力端子に接続されている。波形整形回路13は、入力されるPWM信号を、例えば2個直列接続したNOTゲートを介すことで波形整形した信号PWMOUTを駆動回路(DRIVER)14に出力する。駆動回路14には、グランドGND(2)を基準として、グランドGND(1)に対応した電源(1)よりも高い電圧の電源(2)が供給されている。そして、駆動回路14は、入力される信号PWMOUTに応じたゲート信号を、端子GATEを介してPチャネルMOSFET3のゲートに出力する。
端子OCINは、スイッチング電源装置1の内部でコンパレータ15の反転入力端子に接続されており、コンパレータ15の非反転入力端子には基準電圧VREF2が与えられている。コンパレータ15には電源VINが入力されており、コンパレータ15は、その電圧VINと端子OCINの電圧との電位差を、過電流検出用の基準電圧VREF2と比較する。
コンパレータ15の出力端子(信号OCOUT)は、フリップフロップ16のセット端子S(負論理)に接続されており、フリップフロップ16のクロック端子CLKには、発振回路12より出力されるクロック信号CLKが入力されている。クロック信号CLKは、PWM制御の搬送波CTTに同期した同じ周波数の矩形波である。そして、フリップフロップ16の出力端子Qより、過電流検出信号FFOUTが外部に出力される。
図12に示すように、ゲート信号(GATE)がローレベルとなりPチャネルMOSFET3がオンしている期間に、抵抗素子2及びコイル4に電流が流れ、その電流が過電流状態であれば、電位差(VIN−OCIN)は基準電圧VREF2を超える。そのタイミングで、コンパレータ15の出力信号OCOUTはローレベルに変化する。そのローレベルに変化した状態をフリップフロップ16でラッチすることで、検出信号FFOUTがハイレベル(アクティブ)となる。尚、以下に示す特許文献1は図11に示す構成に対応するものではなく、一般的なスイッチング電源装置の一例を提示したものである。
特開2009−278226号公報
上記構成のスイッチング電源装置1では、PWM制御の搬送波CTTに同期したクロック信号CLKの立上りエッジでコンパレータ15の出力信号OCOUTがローレベルに変化した状態を捉えて過電流検出を行うことを意図している。しかしながら、コンパレータ11よりPWM信号が出力されてから、PチャネルMOSFET3が実際にオンして負荷のコイル4が通電されるまでに、波形整形回路13及び駆動回路14を経由している。そのため、搬送波に同期したタイミングが、PチャネルMOSFET3がオンしているタイミングに必ずしも同期せず、過電流の検出ができなくなるおそれがある。
すなわち、図12に示すように、コンパレータ15の出力信号OCOUTがローレベルになるタイミングがクロック信号CLKの立上りエッジよりも後になれば、フリップフロップ16が前記ローレベルへの変化を捉えることができず、信号FFOUTがローレベルのままとなり過電流が検出できない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、過電流検出をより確実に行うことができるスイッチング電源装置を提供することにある。
請求項1記載のスイッチング電源装置によれば、電圧比較回路は、負荷と直列に接続される半導体スイッチング素子がオンした際に電流が流れる通電経路に配置される抵抗素子の端子電圧と、過電流検出用の基準電圧とを比較する。そして、ラッチ回路は、PWM信号生成回路の出力端子から半導体スイッチング素子の導通制御端子までの信号経路中の信号を用いて、電圧比較回路の出力信号を、半導体スイッチング素子がオンからオフに移行する期間にラッチする。
すなわち、信号経路中の信号を用いてラッチ回路に電圧比較回路の出力信号をラッチさせることで、PWM信号の搬送波のレベル変化タイミングと、前記PWM信号が半導体スイッチング素子の導通制御端子に与えられて実際にスイッチング動作するタイミングとの時間差が縮小される。したがって、ラッチ回路は、電圧比較回路が過電流を検出した際に出力した信号を取りこぼすことなく確実にラッチすることができる。
また、請求項記載のスイッチング電源装置によれば、ラッチ回路に入力するラッチ信号に、PWM信号に応じて、駆動回路が半導体スイッチング素子の導通制御端子に出力する駆動信号を用いる。すなわち、前記駆動信号は、上記導通制御端子に直接出力される信号であるから、その信号の変化は半導体スイッチング素子のスイッチング動作と時間差が殆ど無い。したがって、ラッチ回路は、半導体スイッチング素子がオンからオフに移行する期間にラッチ動作を一層確実に行うことができる。
第1実施形態であり、スイッチング電源装置の構成を示す図 動作タイミングチャート 第2実施形態であり、スイッチング電源装置の構成を示す図 第3実施形態であり、スイッチング電源装置の構成を示す図 第4実施形態であり、スイッチング電源装置の構成を示す図 動作タイミングチャート 第5実施形態であり、スイッチング電源装置の構成を示す図 動作タイミングチャート 第6実施形態であり、スイッチング電源装置の構成を示す図 動作タイミングチャート 従来技術を示す、スイッチング電源装置の構成を示す図 動作タイミングチャート
(第1実施形態)
以下、図11と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。図1に示すように、本実施形態のスイッチング電源装置21は、内部の構成要素はスイッチング電源装置1と同じであるが、フリップフロップ16(ラッチ回路)のクロック端子CLKには、発振回路12(図1では図示せず)が出力するクロック信号ではなく、波形整形回路13が出力する信号CLKが入力されている。この信号CLKは、信号PWMOUTと同相である。したがって、駆動能力に問題が無ければ、信号PWMOUTをフリップフロップ16のクロック端子CLKに与えても良い。
次に、本実施形態の作用について説明する。図2に示すように、フリップフロップ16のクロック端子CLKには、PチャネルMOSFET3(半導体スイッチング素子)のゲート信号との遅延時間差がごく僅かの信号CLK(PWMOUT)が与えられている。したがって、PチャネルMOSFET3がオンしている期間に流れる電流が過電流状態になり、コンパレータ15の出力信号OCOUTがローレベルに変化した場合、フリップフロップ16はその信号変化を信号CLKの立上りエッジで確実にラッチして検出信号FFOUTをハイレベルにできる。
以上のように本実施形態によれば、コンパレータ15(電圧比較回路)は、コイル4と直列に接続されるPチャネルMOSFET3がオンした際に電流が流れる通電経路に配置される抵抗素子2の端子電圧と、過電流検出用の基準電圧VREF2とを比較する。そして、フリップフロップ16は、コンパレータ11の出力端子からPチャネルMOSFET3のゲートまでの信号経路中の信号を用いて、コンパレータ15の出力信号を、PチャネルMOSFET2がオンからオフに移行する期間にラッチする。具体的には、コンパレータ11(PWM信号生成回路)が出力するPWM信号の波形を整形して出力する波形整形回路12の出力信号CLK(PWMOUT)をラッチ信号としてフリップフロップ16のクロック端子CLKに与えるようにした。
すなわち、信号経路中の信号を用いてフリップフロップ16にコンパレータ15の出力信号をラッチさせることで、PWM信号の搬送波のレベル変化タイミングと、前記PWM信号がPチャネルMOSFET3のゲートに与えられて実際にスイッチング動作するタイミングとの時間差が縮小される。したがって、フリップフロップ16は、コンパレータ15が過電流を検出した際に出力した信号を取りこぼすことなく確実にラッチすることができる。
(第2実施形態)
図3に示すように、第2実施形態のスイッチング電源装置31は、フリップフロップ16のクロック端子CLKには、駆動回路14が出力するゲート信号(駆動信号)と同相の信号がレベルシフト回路32を介して入力されている。第1実施形態と同様に、ゲート信号の駆動能力に問題がなければ、ゲート信号をクロック端子CLKに与えても良い。
駆動回路14は、フリップフロップ16の動作電源である電源(1)よりも電圧が高い電源(2)が供給されて動作するので、ゲート信号の最大振幅も、電源(1)よりも高い電圧となっている。そこで、クロック端子CLKに入力する信号の最大振幅を、レベルシフト回路32を介すことで電源(1)の電圧にシフトして出力する。
すなわち、ゲート信号は、信号経路中の信号のうちPチャネルMOSFET3のゲートに直接与えられる信号であるから、その信号の変化はPチャネルMOSFET3のスイッチング動作と時間差が殆ど無い。したがって、フリップフロップ16は、コンパレータ15が過電流を検出した際に出力した信号を一層確実にラッチすることができる。
(第3実施形態)
図4に示すように、第3実施形態のスイッチング電源装置41は、第1実施形態のスイッチング電源装置21の内部に、抵抗素子2及びPチャネルMOSFET3を配置した構成である。それに伴い。端子GATEに替わる端子D1には、スイッチング素子41の内部でPチャネルMOSFET3のドレインが接続されており、外部でダイオード6のカソード及びコイル4の一端が接続されている。
(第4実施形態)
図5に示すように、第4実施形態のスイッチング電源装置51は、第1実施形態のスイッチング電源装置21に信号レベル維持回路52を追加した構成である。信号レベル維持回路52は、タイマ53(遅延回路)とORゲート54とで構成され、タイマ53の入力端子及びORゲート54の入力端子の一方には信号CLK(PWMOUT)が与えられており、ORゲート54の入力端子の他方はタイマ53の出力端子に接続されている。そして、ORゲート54の出力端子(S信号)はフリップフロップ16のセット端子Sに接続され、フリップフロップ16のクロック端子CLKには、コンパレータ15の出力信号OCOUTが与えられている。
タイマ53は、計時動作を停止している期間は出力信号をハイレベルにしており、信号CLK(PWMOUT)がローレベルになると出力信号をローレベルにして計時動作を開始する。そして、一定の時間を計時すると計時動作を停止して出力信号をハイレベルに戻す。
次に、第4実施形態の作用について説明する。図6に示すように、信号CLK(PWMOUT)のデューティが小さい場合でも、タイマ53が一定時間を計時する間はローレベル信号を出力する。ORゲート54は信号CLK(PWMOUT)と前記ローレベル信号とのORをとってS信号を生成し出力するので、S信号がローレベルを示す期間は上記一定時間以上確保される。そして、フリップフロップ16は、コンパレータ15が過電流状態を検出した際にローレベルになる信号OCOUTの立上りエッジでS信号をラッチするので、過電流検出信号FFOUTをハイレベルにできる。
以上のように第4実施形態によれば、信号経路中の信号がアクティブレベルに変化した状態を一定期間維持する信号レベル維持回路52を備え、フリップフロップ16は、信号レベル維持回路52が出力する信号を用いてラッチ動作を行う(すなわち、信号OCOUTの立上りエッジでS信号をラッチすることは、結果としてコンパレータ15が過電流状態を検出した際にローレベルになる信号OCOUTをS信号でラッチすることと等価である)。
具体的には、レベル維持回路52をタイマ53とORゲート54とで構成した。したがって、信号CLK(PWMOUT)のローレベルデューティが小さい場合でも、信号レベル維持回路52が出力するS信号は、タイマ53が一定時間を計時する間はローレベルを維持するので、過電流検出信号FFOUTを確実にハイレベル(アクティブ)にできる。
(第5実施形態)
図7に示すように、第5実施形態のスイッチング電源装置61は、第1実施形態のスイッチング電源装置21にフリップフロップ62(第2ラッチ回路)及びORゲート63を追加した構成である。フリップフロップ62のセット端子Sには、コンパレータ15の出力信号OCOUTが入力されており、クロック端子CLKには、発振回路12より出力されるクロック信号CLK(2)が入力されている。ORゲート63の2つの入力端子は、フリップフロップ16(第1ラッチ回路)の出力端子Q(信号FFOUT1),フリップフロップ62の出力端子Q(信号FFOUT2)に接続されており、ORゲート63の出力端子より過電流検出信号FFOUTが出力される。
次に、第5実施形態の作用について説明する。図8に示すように、PWM信号のデューティが100%でありローレベルが継続する状態では、第1〜第4実施形態の構成では過電流が発生しても、フリップフロップ16はコンパレータ15の出力信号OCOUTがローレベルに変化したことを検出できない。これに対して第5実施形態の構成では、フリップフロップ62側がクロック信号CLK(2)の立上りエッジで上記のローレベル変化を検出するので、ORゲート63を介して過電流検出信号FFOUTをハイレベルにできる。
以上のように第5実施形態によれば、コンパレータ15の出力信号OCOUTを搬送波CTTに同期したクロック信号CLK(2)に基づきラッチするフリップフロップ62と、フリップフロップ16及び62の出力信号FFOUT1,FFOUT2のORを出力するORゲート63とを備えたので、PWM信号のデューティが100%である場合でも過電流状態を検出することができる。
(第6実施形態)
図9に示すように、第6実施形態は、スイッチング電源装置1をローサイド駆動方式による昇圧型の構成に適用した場合を示す。すなわち、電源VINとグランド(GND(1))との間には、コイル4、NチャネルMOSFET71(半導体スイッチング素子)及び抵抗素子2の直列回路が接続されている。NチャネルMOSFET71のドレインには、ダイオード6のアノードが接続されており、ダイオード6のカソードが電圧VOUTの出力端子となっている。また、前記カソードとグランドとの間には、抵抗素子5及びコンデンサ7の並列回路が接続されている。そして、PチャネルMOSFETのソースが端子OCINに接続されている。
次に、第6実施形態の作用について説明する。図10に示すタイミングチャートは、NチャネルMOSFET71に対応して、信号AMPOUT,COMPOUT,PWMOUT,GATEがハイレベルを示す期間にNチャネルMOSFET71がオンするように制御する。そして、第1実施形態等と同様に、NチャネルMOSFET71がオンしている期間に流れる電流が過電流状態になり、コンパレータ15の出力信号OCOUTがローレベルに変化した場合、フリップフロップ16は、ゲート信号との遅延時間差がごく僅かの信号CLK(PWMOUT)の立上りエッジでその変化を確実にラッチして、検出信号FFOUTをハイレベルにできる。以上のように構成される第6実施形態によれば、NチャネルMOSFET71を用いた昇圧型の構成についても、本発明を同様に適用できる。
本発明は上記した、又は図面に記載した実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
波形整形回路13は、必要に応じて設ければ良い。
第2実施形態におけるレベルシフト回路32は、駆動回路14とフリップフロップ16との動作電源電圧に電位差がある場合に用いれば良い。
第3実施形態を、第2,第4〜実施形態に適用しても良い。
第4実施形態において、タイマ53に替えてディレイラインなどの遅延回路(遅延素子)を用いても良い。
半導体スイッチング素子は、バイポーラトランジスタやIGBTなどでも良い。
図面中、2は抵抗素子、3はPチャネルMOSFET(半導体スイッチング素子)、4はコイル(負荷)、10はオペアンプ(電圧信号出力回路)、11はコンパレータ(PWM信号生成回路)、13は波形整形回路、14は駆動回路、15はコンパレータ(電圧比較回路)、16はフリップフロップ(ラッチ回路)、21はスイッチング電源装置を示す。

Claims (6)

  1. 電源とグランドとの間に負荷(4)と共に直列に接続される半導体スイッチング素子(3,71)をPWM(Pulse Width Modulation)制御することで、前記負荷に供給する出力電圧を制御するスイッチング電源装置において、
    前記出力電圧と制御用基準電圧との差に応じた電圧信号を出力する電圧信号出力回路(10)と、
    前記電圧信号と搬送波とを比較してPWM信号を生成するPWM信号生成回路(11)と、
    前記半導体スイッチング素子がオンした際に電流が流れる通電経路に配置される抵抗素子の端子電圧と、過電流検出用の基準電圧とを比較する電圧比較回路(15)と、
    前記PWM信号生成回路の出力端子から前記半導体スイッチング素子の導通制御端子までの信号経路中の信号を用いて、前記電圧比較回路の出力信号を、前記半導体スイッチング素子がオンからオフに移行する期間にラッチするラッチ回路(16)と
    前記PWM信号に応じて、前記半導体スイッチング素子の導通制御端子に駆動信号を駆動する駆動回路(14)とを備え、
    前記ラッチ回路に入力するラッチ信号に、前記駆動信号を用いることを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記ラッチ回路の動作電源電圧と、前記駆動回路の動作電源電圧とが異なる際に、
    前記ラッチ信号のレベルをシフトして前記ラッチ回路に入力するためのレベルシフト回路(32)を備えることを特徴とする請求項記載のスイッチング電源装置。
  3. 電源とグランドとの間に負荷(4)と共に直列に接続される半導体スイッチング素子(3,71)をPWM(Pulse Width Modulation)制御することで、前記負荷に供給する出力電圧を制御するスイッチング電源装置において、
    前記出力電圧と制御用基準電圧との差に応じた電圧信号を出力する電圧信号出力回路(10)と、
    前記電圧信号と搬送波とを比較してPWM信号を生成するPWM信号生成回路(11)と、
    前記半導体スイッチング素子がオンした際に電流が流れる通電経路に配置される抵抗素子の端子電圧と、過電流検出用の基準電圧とを比較する電圧比較回路(15)と、
    前記PWM信号生成回路の出力端子から前記半導体スイッチング素子の導通制御端子までの信号経路中の信号を用いて、前記電圧比較回路の出力信号を、前記半導体スイッチング素子がオンからオフに移行する期間にラッチするラッチ回路(16)と、
    前記PWM信号生成回路が出力するPWM信号の波形を整形して出力する波形整形回路(13)とを備え、
    前記ラッチ回路のラッチ信号に、前記波形整形回路の出力信号を用いることを特徴とするスイッチング電源装置。
  4. 電源とグランドとの間に負荷(4)と共に直列に接続される半導体スイッチング素子(3,71)をPWM(Pulse Width Modulation)制御することで、前記負荷に供給する出力電圧を制御するスイッチング電源装置において、
    前記出力電圧と制御用基準電圧との差に応じた電圧信号を出力する電圧信号出力回路(10)と、
    前記電圧信号と搬送波とを比較してPWM信号を生成するPWM信号生成回路(11)と、
    前記半導体スイッチング素子がオンした際に電流が流れる通電経路に配置される抵抗素子の端子電圧と、過電流検出用の基準電圧とを比較する電圧比較回路(15)と、
    前記PWM信号生成回路の出力端子から前記半導体スイッチング素子の導通制御端子までの信号経路中の信号を用いて、前記電圧比較回路の出力信号を、前記半導体スイッチング素子がオンからオフに移行する期間にラッチするラッチ回路(16)と、
    前記信号経路中のPWM信号がアクティブレベルに変化した状態を一定期間維持する信号レベル維持回路(52)とを備え、
    前記ラッチ回路は、信号レベル維持回路の出力信号を用いてラッチ動作を行うように構成されていることを特徴とするスイッチング電源装置。
  5. 前記信号レベル維持回路は、入力信号を遅延させる遅延回路(53)と、
    前記入力信号と前記遅延回路の出力信号とのORをとるORゲート(54)とで構成されていることを特徴とする請求項記載のスイッチング電源装置。
  6. 前記ラッチ回路を第1ラッチ回路とすると、
    前記電圧比較回路の出力信号を前記搬送波に同期した信号に基づきラッチする第2ラッチ回路(62)と、
    前記第1及び第2ラッチ回路の出力信号のORをとるORゲート(63)とを備えることを特徴とする請求項1からの何れか一項に記載のスイッチング電源装置。
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