JP5564111B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

この発明は、無線通信装置の送信回路で用いられる半導体装置に関する。
携帯電話機などの無線通信装置では、無線周波数(RF:Radio Frequency)の送信信号を所望の出力電力まで増幅するために複数の増幅回路が設けられる。これらの増幅回路では、送信信号の歪を規格内に抑えるために送信信号のピーク対平均電力比(PAPR:Peak to Average Power Ratio)に対して十分広いダイナミックレンジが要求される。ダイナミックレンジが狭い増幅回路にPAPRが大きい送信信号が入力されると、増幅回路の出力信号が歪むために主信号チャネルの電力と隣接チャネルの漏洩電力との比である隣接チャネル漏洩電力比(ACLR:Adjacent Channel Leakage Ratio)が劣化するからである。
送信信号のPAPRは、変調方式およびデータチャネルの多重化数と密接に関係し、一般に、データ転送速度が高くなるほどPAPRが大きくなる。したがって、隣接チャネル漏洩電力比の悪化を抑制するためには、変調方式やチャネル多重化数に応じて、増幅回路のバックオフ(飽和出力電力と実際の動作出力電力の差)を適切に調整する必要がある。
たとえば、WO2007/132916号公報(特許文献1)に記載された通信装置では、ベースバンド信号の波形を分析することによって電力増幅回路の適切なバックオフの大きさが計算される。計算されたバックオフに基づいて、電力増幅回路に入力されるRF信号の振幅または電力増幅回路に供給する電源電力が制御される。
特開2007−27988号公報(特許文献2)に記載された通信装置では、送信電力の最大値が、複数の変調方式の間で均一になるように制御される。これに伴って、送信信号の平均電力は、複数の変調方式の間で異なる可変値となる。このような制御を行なうために、中央処理装置(CPU:Central Processing Unit)から入力される、変調方式を指定する信号に応じて、可変利得増幅回路の利得が制御される。
PAPRの大きい信号を歪なく伝送するためには、増幅回路のダイナミックレンジは大きいほどよい。しかしながら、増幅回路のダイナミックレンジを広げるためには、動作電流を増加する必要があるので、増幅回路の消費電流が増大する。特開2007−5996号公報(特許文献3)は、データ転送速度が比較的大きい高速通信モードにおいて歪なく信号を送信できるとともに、データ転送速度が比較的小さい通常モードにおいて増幅回路の消費電流を減らすことができる通信装置を開示する。
具体的に、この文献の通信装置では、送信部の増幅回路が多段接続された増幅器によって構成される。各段の増幅器は、動作電流によって利得が変わるリニアアンプで構成される。ベースバンド回路は、送信モードに関する情報およびデータの多重数の情報を送信部の増幅回路に供給する。増幅回路は、送信モードが通常モードから高速通信モードになったりデータの多重数が多くなったりした場合には、最終段の増幅器の動作電流を多くしてダイナミックレンジを広げる。これとともに、増幅回路は、前段または初段の増幅器の動作電流を少なくして利得を下げ、増幅回路全体として利得が一定になるように、各段の増幅器の利得の配分を調整する。
上記の各文献に記載されたような増幅回路の利得を調整する方法と異なり、ベースバンド信号の信号処理によってPAPRを削減する方法もある(たとえば、特表2009−535924号公報(特許文献4)参照)。
WO2007/132916号公報 特開2007−27988号公報 特開2007−5996号公報 特表2009−535924号公報
携帯電話機などの携帯型の無線通信装置では、バッテリを節約するために装置の低消費電力化は重要な課題である。上記の特開2007−5996号公報(特許文献3)に記載された技術は、この低消費電力化の点で有望な技術ではあるが、増幅回路が多段接続されたリニアアンプで構成されているために雑音特性の点で問題がある。増幅回路を多段構成にすると後段の増幅器が前段の増幅器の雑音を増幅することになるので、増幅回路全体の雑音特性が劣化するからである。通常モードよりもデータ転送速度の大きい高速通信モードの場合には、雑音特性がさらに劣化する。この場合、最終段の増幅器の動作電流を増加することによってゲインとダイナミックレンジを上げるとともに、初段の増幅器の動作電流を減少することによってゲインを下げるので、通常モードよりも初段の増幅器の雑音特性が劣化し、増幅回路全体の雑音特性が劣化することになるからである。
W−CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)やUMTS(Universal Mobile Telecommunications System)などの第3世代(3G)移動体通信システムでは、基地局と移動局との間の通信に周波数分割複信(FDD:Frequency Division Duplex)が用いられる。このため、移動局(携帯電話機)では受信部と送信部が同時に動作する。したがって、送信部の雑音が大きいと、受信部では表面弾性波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタなどを設けることによって雑音の抑制が必要となり、コストの増加の問題も生じる。
この発明は上記の問題点を考慮してなされたものである。この発明の目的は、送信信号のPAPRに応じて増幅回路のゲインの調整と消費電力の低減とが可能であるとともに、従来よりも雑音特性を向上させた通信用の半導体装置を提供することである。
この発明の実施の一形態による半導体装置は、第1の増幅部と、デジタル・アナログ変換部と、変調部と、第2の増幅部と、制御部とを備える。第1の増幅部は、第1のデジタルベースバンド信号を受け、この第1のデジタルベースバンド信号を第1の利得で増幅して第2のデジタルベースバンド信号を生成する。デジタル・アナログ変換部は、第2のデジタルベースバンド信号をアナログベースバンド信号に変換する。変調部は、アナログベースバンド信号によって局部発振信号を変調することによって送信信号を生成する。第2の増幅部は、送信信号を可変の第2の利得で増幅する。この半導体装置は複数の送信モードに従ってそれぞれデータを送信可能とするものであり、制御部は、そのいずれかの送信モードを表わす情報を受け、送信モードに応じて第1の利得を調整する。
上記の実施の形態によれば、デジタル・アナログ変換部の前段に第1の増幅部を設けてデジタルベースバンド信号の振幅を調整することによって、第2の増幅部のゲインおよび消費電力をPAPRに応じて調整できるとともに、従来よりも雑音特性を向上させることができる。
この発明の実施の形態による無線通信システム1の構成を示すブロック図である。 図1のフロントエンドモジュール12の具体的構成を示すブロック図である。 各送信方式における送信信号の波形図である。 送信回路の利得特性の一例を示す図である。 RFPGAの利得と動作電流との関係を示す図である。 図1の送信部22およびHPAモジュール11の詳細な構成を示すブロック図である。 DPGA24の構成の一例を示す図である。 RFPGA35の構成の一例を示す図である。 APC36の構成を示すブロック図である。 ゲイン設定部57に格納されている、ある1枚のテーブルの例を模式的に示す図である。 ゲイン設定部57に格納されている、図10とは異なる送信モードに対応するテーブルの例を模式的に示す図である。 LTEモードまたはHSUPAモードにおいて、図10とは別の温度情報および周波数情報に対応したテーブルの例である。 R99モードにおいて、図11とは別の温度情報および周波数情報に対応したテーブルの例である。 この発明の実施の形態2による送信部122の構成を示すブロック図である。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰返さない。
<実施の形態1>
[無線通信システムの概略構成]
図1は、この発明の実施の形態による無線通信システム1の構成を示すブロック図である。図1の無線通信システム1は、携帯電話機に内蔵される。無線通信システム1は、RFIC(Radio-Frequency Integrated Circuit)10と、ベースバンドIC(Integrated Circuit)5と、HPA(High Power Amplifier:高出力増幅器)モジュール11と、整合回路16_1〜16_nと、フロントエンドモジュール(FEM:Front End Module)12と、アンテナ13とを含む。
(RFIC)
RFIC10は、大きく分けて“GSM/EDGE”、“WCDMA/HSPA”、および“LTE”の3つの送受信方式の規格に準拠して、アンテナを介して基地局との間でRF(Radio-Frequency)信号の送信および受信を可能とする1チップのトランシーバIC(通信用半導体集積回路)である。
ここで、GSM(Global System for Mobile Communication)は、TDD(時分割複信:Time Division Duplex)−TDMA(時分割多元接続:Time Division Multiple Access)方式で実現されている第2世代(2G)携帯電話規格である。EDGE(Enhanced Data Rates for GSM Evolution)は、GM方式の中のパケット通信の拡張規格である。EDGEでは、デジタル変調方式として8PSK(8位相偏移変調方式:8 Phase Shift Keying)が使用される。
WCDMA(Wideband Code Divided Multiple Access)は、FDD(周波数分割複信:Frequency Division Duplex)−CDMA(符号分割多元接続:Code Division Multiple Access)方式で実現されている第3世代(3G)携帯電話規格である。欧米ではUMTS(Universal Mobile Telecommunications Systems)として知られる。HSPA(High Speed Packet Access)は、WCDMAにおける高速パケット通信の拡張規格であり、特に3.5G携帯電話規格と呼ばれる。
LTE(Long Term Evolution)は、HSPAよりさらに高速化・広帯域化を図った携帯電話規格で3.9G携帯電話規格と呼ばれる。LTEでは、下りはOFDMA(直交周波数分割多元接続:Orthogonal Frequency Division Multiple Access)が採用され、上りはSC−FDMA(シングルキャリア周波数分割多元接続:Single Carrier Frequency Division Multiple Access)が採用される。
RFIC10は、受信部(RX)21、送信部(TX)22、およびデジタルRFインターフェース(DigRF IF)を有する。
受信部21は、アンテナ13で受信した基地局からの受信RF信号を、ローカルキャリア信号(局部発振信号)を使ってアナログ受信ベースバンド信号にダウンコンバートする。受信部21は、さらに、アナログ受信ベースバンド信号をAD(Analog-to-Digital)変換してデジタル受信ベースバンド信号を生成する。
送信部22は、逆に、デジタル送信ベースバンド信号をDA(Digital-to-Analog)変換してアナログ送信ベースバンド信号を送信し、ローカルキャリア信号を使ってそのアナログ送信ベースバンド信号を送信RF信号にアップコンバートする。そして、送信部22は、アンテナ13を介して基地局に送信RF信号を無線送信する。
デジタルRFインターフェース20は、RFIC10とベースバンドIC5との間のインターフェースであり、MIPI Alliance(MIPI:Mobile Industry Processor Interface)により策定されたインターフェース規格に従ったものである。
RFIC10は、さらに、各々RF信号を出力する複数の出力端子Tx1〜Txn、各々RF信号を受け取る複数の入力端子Rx1〜Rxnを有する。(Tx1,Rx1),・・・,(Txn,Rxn)のように出力端子、入力端子がペアをなしており、RFICが使用されるバンド(周波数帯)に応じて、使用される出力端子および入力端子のペアが決められている。
(ベースバンドIC)
ベースバンドIC5は、RFIC10から受け取ったデジタル受信ベースバンド信号に対して、上記3つの送受信モードそれぞれに対応したデジタル復調その他の信号処理を行い、受信データ(音声、画像またはその他のデータ)を生成する。ベースバンドIC5は、さらに、送信データ(音声、画像又はその他データ)に上記3つの送受信モードそれぞれに対応したデジタル変調その他の信号処理を行ってデジタル送信ベースバンド信号を生成し、RFIC10に転送する。図1には図示しないが無線通信システム1が搭載される携帯電話機は、アプリケーションプロセッサ、メモリ、スピーカ、マイクロホン、入力キー、液晶モニタを有し、それぞれがベースバンドIC5との間で信号のやりとりを行なう。
(HPAモジュール)
HPAモジュール11は、出力端子Tx1〜Txnにそれぞれ対応して設けられた複数のHPA(高出力増幅器:High Power Amplifier)40を有する。各HPA40は、対応の出力端子から整合回路を介して受けとった送信RF信号を増幅する。各HPA40は1つ半導体チップで構成されており、これらはパッケージ内にモジュール化されている。整合回路16_1〜16_nは、出力端子Tx1〜Txnと複数のHPA40との間にそれぞれ挿入される。図では、整合回路16_1,16_2はRFIC10に外付けされているが、RFIC10に内蔵することもできる。
(フロントエンドモジュール)
フロントエンドモジュール12は、入力・出力端子ペア(Rx1,Tx1)〜(Rxn,Txn)のうちの1組を選択し、選択した入力・出力端子ペア(Rxi,Txi)(iは1以上n以下の整数)と、アンテナ13とを接続する。
図2は、図1のフロントエンドモジュール12の具体的構成を示すブロック図である。図1、図2を参照して、フロントエンドモジュール12は、アンテナスイッチ(ANT SW)15と、入力・出力端子ペア(Rx1,Tx1)〜(Rxn,Txn)にそれぞれ対応する複数のデュプレクサ(DPX)14_1〜14_n(不特定のものを示す場合、デュプレクサ14と記載する)とを含む。
アンテナスイッチ15は、使用される周波数帯に応じて1つのデュプレクサ14を選択し、選択したデュプレクサ14とアンテナ13とを接続する。選択されたデュプレクサ14は、対応する出力端子Txi(iは1以上n以下の整数)からの送信RF信号をアンテナ13に送信すると同時に、アンテナ13からの受信RF信号を対応する入力端子Rxiに送信する。このとき、デュプレクサ14は、送信RF信号が入力端子Rxiに漏れることを抑制するとともに、受信RF信号が出力端子Txiに漏れることを抑制する。これにより基地局との間の送受信にFDD方式が実現する。アンテナスイッチ15および複数のデュプレクサ14_1〜14_nの各々は1つの半導体チップで構成され、これらが1つのパッケージ内でモジュール化されている。
[従来の送信部の問題点]
図1で説明した送信部22は、2GベースのGSM/EDGEの送信を行なう回路部分と、3Gベースの3つの送信方式(送信モード)の送信を行なう回路部分とを含む。3Gベースの送信方式は具体的に次のとおりであり、変調方式、多重化方式、多元接続方式がそれぞれ異なる。ここで「多重化方式」とは一つのユーザの送信する複数の情報(データ)を多重化して送信する方式を指し、「多元接続」はそれぞれ異なる場所にいる複数のユーザのそれぞれ送信する情報(データ)を多重化して送信する方式を指す。
(i)Release 99(「R99」と以下略す。):WCDMAの通常モードであり、変調方式はQPSK(Quadrature Phase Shift Keying)、多重化方式はCDM(Code Division Multiplexing)、多元接続方式はCDMAである。
(ii)HSUPA(High Speed Uplink Packet Access):HSPAのアップリンク高速パケット通信規格であり、電波状況に応じてQPSK(4位相偏移変調:Quadrature Phase Shift Keying)および16QAM(16 Quadrature Amplitude Modulation)のいずれかを用いる。16QAMは、1シンボルあたりの4ビット(16値)の情報を載せることでき、QPSKの2倍の伝送速度になる。多重化方式はCDMであり、多元接続方式はCDMAである。
(iii)LTE:電波状況に応じてQPSK、16QAM、64QAMのいずれかを用いる。多重化方式はSC−FDE(Single Carrier Frequency Domain Equalization)であり、多元接続方式は、SC−FDMAである。
図3は、各送信方式における送信信号の波形図である。図3(A)はR99の場合の送信波形の一例を示し、図3(B)はHSUPAの場合の送信波形の一例を示し、図3(C)はLTEの場合の送信波形の一例を示す。ただし、HSUPAおよびLTEは変調方式が16QAMの場合を示す。図3(A)〜(C)において、平均電圧aveとピーク値pkの位置が破線で示される。
送信信号のピーク対平均電力比(PAPR)は変調方式、多重化の数に応じて増減する。LTE方式ではさらに、RB(Resource Block)の割当数によっても送信信号のPAPRは変化する。この結果、図3(A)〜(C)に示すように、R99の場合、送信信号のPAPRは約3dB程度であるが、HSPAの場合には送信信号のPAPRは約7.5dB程度まで大きくなり、LTEの場合には送信信号のPAPRは約8.5dB程度まで大きくなる。
図4は、送信回路の利得特性の一例を示す図である。移動無線通信では帯域外輻射電力に対する制限が厳しく、送信回路に対して高い線形性が求められる。一般に、回路の線形性を示す指標としてP1dB(1dB Compression point:1dB利得圧縮点)がある。図4に示すように理想的な直線状の利得特性に対して1dB利得が低下した入力レベルをIP1dB(Input P1dB)、出力レベルをOP1dB(Output P1dB)と呼ぶ。P1dBは通常、CW(Continuous wave)波で評価される。非線形歪みを持った回路に大きな振幅の信号を入力すると、回路の非線形歪みに起因した帯域外スペクトル放射が発生する。発生した帯域外スペクトル放射は、隣接チャネルへ漏洩して隣接チャネルの干渉波となる。したがって、信号を歪ませることなく伝送するには、入力信号の最大振幅時においても回路が線形増幅可能なように、回路のP1dBからPAPR程度下げた平均電圧の信号を回路に入力する。送信回路のP1dBを変化させない場合、送信モードがR99のときの入力電圧の実効値は図4のA1点になり、送信モードがLTEのときの入力電圧の実効値は図4のA2点になる。
一般的に送信部において最も消費電流が大きなブロックはRF部の出力段のRF増幅回路であり、後段になるほど高い線形性が要求されるためにより大きな動作電流が必要となる。特にUMTS/LTE方式の送信機の場合は、送信電力の制御範囲が広いためにRF可変利得増幅回路(PGA:Programmable Gain Amplifier)の消費電流が大きい。
図5は、RFPGAの利得と動作電流との関係を示す図である。一般にRFPGAでは、利得をlinear-in-dBで変化させるために、利得に対して動作電流を指数関数的に増加させる必要がある。たとえば、図5において、利得を6dB増加させたときの消費電流は2倍となる。
互いにPAPRの異なる複数の信号を扱う送信回路において、どのような信号が入力されても入力信号を歪み無く増幅できるように設計しようとすると、最も高いPAPRを持つ信号に対して十分なマージンを持った線形性を有するように回路設計を行う必要がある。RF部の可変利得増幅回路に対してそのように設計すると、送信回路で消費される電流は入力信号のPAPRによらず常に大きくなってしまい、携帯端末のバッテリ駆動時間を短くしてしまう問題がある。
実施の形態1のRFIC10では、以下に詳しく説明するように、デジタル・アナログ変換器の前段にデジタルプログラマブルゲインアンプを設けることによって、増幅回路の消費電力を低減させるとともに雑音特性を向上させることができる。
[送信部の詳細な構成]
図6は、図1の送信部22およびHPAモジュール11の詳細な構成を示すブロック図である。
送信部22は、各送信モードに応じて図1のベースバンドIC5によって生成されたデジタル送信ベースバンド信号を図1のデジタルRFインターフェース20を介して受ける。送信部22は、受取ったデジタル送信ベースバンド信号をダイレクトコンバージョン方式でアップコンバートしてRF信号を生成する。
送信部22は、800MHz〜2.5GHzの範囲にある複数の周波数帯におけるRF信号の生成を可能とする。その周波数帯(バンド)は規格により定めらており、代表的には“Band1”、“Band2”、および“Band7”が用いられる。“Band1”は1920MHz−1980MHz帯、“Band2”は1850MHz〜1910MHz帯、“Band7”は2500MHz〜2570MHz帯である。
図6を参照して、送信部22は、マルチプレクサ(MPX)23と、2個のデジタルプログラマブルゲインアンプ(DPGA:Digital Programmable Gain Amplifier)24_1,24_2と、2個の加算器38_1,38_2と、2個のデジタル・アナログ変換器(DAC:Digital to Analog Converter)25_1,25_2と、ローパスフィルタ(LPF:Low Pass Filter)26_1,26_2と、オートパワーコントローラ(APC)36とを含む。DAC25(25_1,25_2)とローパスフィルタ26(26_1,26_2)とによってアナログベースバンド回路27が構成される。以下、各構成要素について説明する。
(マルチプレクサ)
デジタルRFインターフェース20を介してベースバンドIC5から受けたデジタル送信ベースバンド信号(送信データ)には、同相成分信号(I信号)と直交成分信号(Q信号)とがシリアル転送された1ビットのデータ信号が含まれる。この1ビットのデータ信号に付随して、デジタル送信ベースバンド信号には、1ビットのデータ信号が同期する1ビットのクロック信号と、データの取り込みを許可する1ビットのイネーブル信号とがさらに含まれる。
マルチプレクサ23は、シリアル転送されたI信号およびQ信号を分離(マルチプレクス)するとともに、シリアルのI信号およびQ信号の各々を複数のビットからなるパラレル信号(I信号I_d1,Q信号Q_d1)に変換する。
(DPGA)
DPGA24_1,24_2(総称する場合、DPGA24とも称する)は、ゲイン(利得)が可変の増幅器である。DPGA24_1は、パラレルのデジタル信号であるI信号I_d1をデジタル処理によって増幅する。すなわち、DPGA24_1は、I信号I_d1にゲインを乗算した値にI信号I_d1の値を変換する。同様に、DPGA24_2は、パラレルのデジタル信号であるQ信号Q_d1をデジタル処理によって増幅する。各DPGAのゲイン(増幅率とも称する)は、ゲイン調整信号GCS1に基づいて調整される。このとき、2つのDPGA24_1,24_2の間では同じゲインとなるように調整される。たとえば、ゲイン調整信号GCS1がゲインを1dBに調整するように指示する信号である場合、2つのDPGA24_1,24_2のいずれのゲインも1dBに調整される。ゲイン調整信号GCS1は、APC36から供給される。
図7は、DPGA24の構成の一例を示す図である。図7を参照して、DPGA24_1は、マルチプレクサ23からのI信号(デジタル信号)I_d1にAPC36からのゲイン調整信号GCS1を乗算した値を出力するデジタル乗算器である。DPGA24_2は、マルチプレクサ23からのQ信号(デジタル信号)Q_d1にAPC36からのゲイン調整信号GCS1を乗算した値を出力するデジタル乗算器である。DPGA24_1,24_2で乗算された値が、APC36によって設定されるゲインでI信号I_d1およびQ信号Q_d1を増幅した信号(デジタル信号)I_d2,Q_d2となり、次段のアナログベースバンド回路27に送られる。
図7では、DPGA24_1,24_2は乗算器によって構成されているが、乗算器に代えてルックアップテーブルを用いてもよい。ルックアップテーブルには、入力されるI信号I_d1およびQ信号_d1と与えられたゲインとに対応して、出力すべき値(I信号I_d1およびQ信号_d1の値にゲインを乗算した値)が予め用意される。DPGAは、ルックアップテーブルを参照することによって、I信号I_d1およびQ信号_d1にゲインを乗算した信号I_d2,Q_d2を出力する。
(DAC、ローパスフィルタ)
再び図6を参照して、DPGA24_1,24_2から出力された増幅後のデジタルのI信号、Q信号は加算器38_1,38_2(総称する場合、加算器38とも記載する)に入力される。加算器38_1,38_2はデジタルのI信号、Q信号に、後述するDCオフセットキャンセル回路37から出力されたDCオフセットを補正するための補正信号を加算する。
DAC25_1は、加算器38_1から出力されたデジタルのI信号を差動のアナログ信号に変換する。DAC25_1から出力されたアナログのI信号はローパスフィルタ26_1によって遮断周波数より高い帯域の周波数が除去される。同様に、DAC25_2は、加算器38_2から出力されたデジタルのQ信号を差動のアナログ信号に変換する。DAC25_2から出力されたアナログのQ信号はローパスフィルタ26_2によって遮断周波数より高い帯域の周波数が除去される。
(局部発振器、1/2分周器、および直交変調器)
送信部22は、さらに、複数の局部発振器30(30_1,30_2)、複数の1/2分周器31(31_1,31_2)、複数の直交変調器32(32_1,32_2)、および複数の無線周波数プログラマブルゲインアンプ(RFPGA:Radio Frequency Programmable Gain Amplifier)35(35_1,35_2)を含む(総称する場合または不特定のものを示す場合に、局部発振器30、1/2分周器31、直交変調器32、およびRFPGA35と記載する)。局部発振器30、1/2分周器31、直交変調器32は、およびRFPGA35は、原則的には、各送信モードの周波数帯(バンド)に対応して設けられるが、近接した周波数帯の場合は異なる周波数帯で共用される場合もある。図6には各要素が代表として2個ずつ示されているが実際には2個に限られない。
局部発振器30は、差動の局部発振信号(周波数は同じで位相差が互いに180度のクロック信号)LOを生成する。
1/2分周器31は、局部発振信号LOの周波数を1/2に分周した局部発振信号LOI,LOQを生成する。局部発振信号LOIは元の信号LOの立上がりエッジに同期し、局部発振信号LOQは元の信号LOの立下がりエッジに同期する。これにより、局部発振信号LOQは、局部発振信号LOIを90度移相した信号になる。
直交変調器32は、対応の1/2分周器31から出力された局部発振信号LOI,LOQと、ローパスフィルタ26_1,26_2から出力されたアナログのI信号I_aおよびQ信号Q_aとを受ける。直交変調器32は、I信号I_a,Q信号Q_aで局部発振信号LOI,LOQを直交変調することによって、I信号I_a,Q信号Q_aが局部発振信号LOI,LOQの周波数にアップコンバートされたアナログの送信RF信号を生成する。より詳細には、直交変調器32は、局部発振信号LOIとI信号I_aとを混合する混合器33と、局部発振信号LOQとQ信号Q_aとを混合する混合器34とを含む。これらの混合器33,34の出力は加算され、送信RF信号として次段のRFPGA35に出力される。
RFICで送信する信号の周波数帯に応じて、アップコンバートするための直交変調器32が使い分けされる。例示の直交変調器32_1は、2000MHzを超える高周波数帯(Band7)へのアップコンバートを行ない、直交変調器32_2は2000MHz以下の複数の周波数帯(たとえばBand1、Band2)へのアップコンバートを行なっているものとする。複数の直交変調器32は排他的に動作する。すなわち、RFICが使用する周波数帯に対応する1つの直交変調器が動作している間は、他の直交変調器は動作しない。
(RFPGA)
RFPGA35_1,35_2は、直交変調器32_1,32_2にそれぞれ対応して設けられる。RFPGA35は、対応の直交変調器32から出力された送信RF信号を増幅するゲイン可変の増幅器であり、対応の直交変調器32が動作しているときに増幅動作を行なう。RFICが使用する周波数帯に対応する1つのRFPGAが動作しているときは、他のRFPGAは動作しない。RFPGA35のゲインはAPC36からのゲイン調整信号GCS2に基づいて調整される。RFPGA35_1によって増幅された送信RF信号は、出力端子Tx1から出力され、整合回路16_1を介して対応のHPA40_1に入力される。RFPGA35_2によって増幅された送信RF信号は、出力端子Tx2から出力され、整合回路16_2を介して対応のHPA40_2に入力される。各整合回路は、RFPGAの出力インピーダンスとHPAの入力インピーダンスとの整合をとる。
図8は、RFPGA35の構成の一例を示す図である。図8を参照して、RFPGA35は、抵抗ラダー90と、電流/電圧変換部91と、高周波トランス回路94とを含む。
抵抗ラダー90は、直交変調器32から入力された入力電圧Vinを分圧する。抵抗ラダー90は、ネットワーク状に連結された複数の抵抗素子を含む。図8に示すように、ノードP0〜P13の隣接ノード間と、ノードN0〜N13の隣接ノード間とには各1個の抵抗素子が設けられる。ノードP1〜P12,N1〜N12の各々と仮想交流接地線80との間には直列接続された2個の抵抗素子が設けられる。ノードP0,P13,N0,N13の各々と仮想交流接地線80との間には直列接続された2個の抵抗素子が設けられ、この2個の抵抗素子の直列体と並列にさらに直列接続された2個の抵抗素子が設けられる。各抵抗素子の抵抗値はRである。入力電圧VinはノードP13,N13間に印加される。
上記の抵抗ラダー90の構成によれば、ノードPi,Ni間(ただし、iは0以上12以下の整数)の電圧は、隣接するノードPi+1,Ni+1間の電圧1/2になる。したがって、ノードPi,Ni間の電圧(ただし、iは0以上12以下の整数)は、入力電圧Vinを2の(13−i)乗で割った値に等しい。
電流/電圧変換部91は、18個のトランスコンダクタンスアンプTA0〜TA17を含む(総称する場合または不特定のものを示す場合、トランスコンダクタンスアンプTAと記載する)。トランスコンダクタンスアンプTA0は、ノードP0,N0間の電圧を抵抗素子によって1/2に分圧した電圧が入力される。同様に、トランスコンダクタンスアンプTAi(ただし、iは0以上13以下の整数)には、ノードPi,Ni間の電圧を1/2に分圧した電圧が入力される。したがって、トランスコンダクタンスアンプTAi(ただし、iは0以上13以下の整数)に入力される電圧は、入力電圧Vinを2の(14−i)乗で割った値に等しい。トランスコンダクタンスアンプTA14〜TA17には、入力電圧Vinが入力される。
トランスコンダクタンスアンプTA0〜TA17の各々は、入力された電圧を電流に変換して出力信号線92に供給する。このとき、トランスコンダクタンスアンプTA0〜TA14は、互いに等しいトランスコンダクタンスgmを有する。トランスコンダクタンスアンプTA15〜TA17のトランスコンダクタンスは、それぞれ、2gm、4gm、8gmを有する。
トランスコンダクタンスアンプTA0〜TA17の動作は、制御ワードWC<0>〜WC<17>によってそれぞれ制御される。制御ワードWC<0>〜WC<17>は、多ビットのパラレル信号であるゲイン調整信号GCS2の各ビットに対応する。各トランスコンダクタンスアンプTAは、対応の制御ワードが“1”のとき入力された電圧に応じた電流を出力信号線92に出力し、対応の制御ワードが“0”のとき出力信号線92に電流を出力しない。
トランスコンダクタンスアンプTA0〜TA17の出力信号は、高周波トランス回路94を介して図1の出力端子Txj(jは1以上n以下の整数)へ伝達される。高周波トランス回路94は、トランスコンダクタンスアンプTA0〜TA17の出力信号の直流成分を分離するともに、インピーダンス変換を行なう。
上記の構成のRFPGA35によれば、0.125dBステップで−66dB〜12dBの範囲のゲイン調整が可能である。ただし、トランスコンダクタンスアンプTA16のみが動作する場合(すなわち、制御ワードWC<16>のみが“1”の場合)、RFPGA5のゲインが0dBになるようにトランスコンダクタンスgmが設定されているものとする。最大ゲインの12dBは、制御ワードの上位8ビット、すなわち、WC<17>〜WC<10>の各々が“1”で、他のビット“0”のときに実現される。最小ゲインの−66dBは、WC<5>のみが“1”で、他のビットが“0”のときに実現される。
(DCオフセットキャンセル回路)
再び図6を参照して、送信部22は、さらに、DCオフセットキャンセル回路37を含む。DCオフセットキャンセル回路37は、直交変調器32_1,32_2に生じるキャリア信号の漏れ(キャリアリークと呼ばれている)を防ぐため、すなわち、キャリアリークの原因である直交変調器32に入力されるベースバンド信号の差動信号間でのDCレベルを相違(オフセット)をキャンセルするために設けられている。具体的には、DCオフセットキャンセル回路37は、直交変調器32_1,32_2からの出力および分周器31_1,31_2からのローカルキャリア信号LOI,LOQを使って補正量を演算する。DCオフセットキャンセル回路37は、差動信号間のDCレベルのオフセットを小さくするような補正量を算出し、算出した補正量を加算器38_1,38_2に供給する。加算器38_1,38_2は、2つのDPGA24_1,24_2の出力するデジタルベースバンド信号に、DCオフセットキャンセル回路37による演算結果を加算して補正後のデジタルベースバンド信号を出力する。DCオフセットキャンセル回路37の具体的な構成は、たとえば、特願2009−281360号に記載される。
(HPAモジュール)
図6には、図1に示す出力端子Tx1〜Txnのうちの出力端子Tx1,Tx2と整合回路16_1,16_2を介して接続されたHPAモジュール11の構成が示される。HPA40_1,40_2は、それぞれ出力端子Tx1,Tx2から出力されるRF信号を増幅する、ゲインが可変の高出力増幅器(HPA:High Power Amplifier)である。RFICが使用する周波数帯に対応する直交変調器32およびRFPGA35が動作しているときに、その周波数帯に対応するHPAが増幅動作を行ない、他のHPAは動作しない。HPA40_1,40_2によって増幅された送信RF信号は、フロントエンドモジュール12に送られる。
HPAモジュール11は、さらに、HPA40に対応して設けられるカプラ41および検波器(DET)42と、スイッチ(SW)43と、DC−DCコンバータ44とを含む。図6には、HPA40_1,41_2にそれぞれ対応するカプラ41_1,41_2と、カプラ41_1,41_2にそれぞれ対応する検波器42_1,42_2とが示される。
カプラ41は、対応のHPA40から出力されたRF信号を検出する。検波器42は、対応のカプラ41の出力波形を検波する。この結果、検波器42によって対応のHPA40の出力電力が検知される。検波器42として、たとえば、ダイオード検波器が用いられる。スイッチ43は、複数の検波器42のうち、増幅動作を行なっているHPA40に対応する検波器42の出力を選択し、選択した出力を制御信号CS2として送信部22にフィードバックする。
DC−DCコンバータ44は、APC36から出力されたゲイン調整信号GCS3の電圧レベルを変換して各HPA40に供給する。ゲイン調整信号GCS3によってHPA40のゲインが調整される。
[APCの詳細な構成および動作]
(APCの動作の概要)
CDMA方式の場合のように複数の移動局(携帯電話機)が同一周波数の搬送波を使用する通信方式の場合には、基地局での受信電力が等しくなるように各移動局の送信電力を調整する必要がある。例えば、移動局が基地局から遠い位置にある場合には送信電力を上げ、移動局が基地局から近い位置にある場合には送信電力を下げるように基地局は移動局に対して指令する。すなわち、基地局は移動局に対して、「送信パワーを増加させる」、「送信パワーを減少させる」、および「送信パワーを増減しない」のいずれかの指令を送信する。以下、この指令を「送信パワー情報」と称する。1回の指令(送信パワー情報)に応答して移動局が増減する送信パワー量は、たとえば、0.5dBずつ増減、1dBずつ増減、2dBずつ増減のように予め決められている。送信パワー情報は、LTEモードのとき500μsごとに、R99モードおよびHSUPAモードのときに667μsごとに基地局から各移動局(携帯電話機)に送信される。
基地局と移動局との間では、通話データその他各種データを送受するデータチャネルの他に制御チャネルがある。基地局から送信された送信パワー情報を含む各種制御情報は制御チャネルを介して移動局で受信される。受信された各種制御情報は、RFIC10でダウンコンバートされた後、ベースバンドIC5によってデコード(復調)される。復調の結果得られた送信パワー情報は、ベースバンドIC5からデジタルRFインターフェース20を介して送信部22のAPC36に送られる。したがって、ベースバンドIC5からAPC36が受ける送信パワー情報は、「パワー増加」、「増減不要」、「パワー減少」を識別するデジタル信号になる。たとえば、1回の指令で1dBのパワー増加および減少が生じる場合を例にすると、APCの受ける送信パワー情報は「パワー増加」=+1、「増減不要」=0、「パワー減少」=−1を示すデジタル値で表現される。
RFIC10の送信部22に設けられたAPC36は、送信パワー情報を含む制御信号CS1を受ける。制御信号CS1は、送信パワー情報の他に温度情報、周波数情報、および送信モード情報などを含む。APC36はさらに、検波器42から出力された制御信号CS2とを受ける。APC36は、こられの制御信号CS1,CS2に基づいて、各送信モードで設定される規定の時間ごとにDPGA24、RFPGA35、およびHPA40のゲインを調整する。以下、制御信号CS1,CS2に基づいた制御について具体的に説明する。
(送信パワー情報に基づく制御)
図9は、APC36の構成を示すブロック図である。図9を参照して、APC36は、第1および第2のレジスタ50,51と、加算器49と、ゲイン設定部57と、ゲイン制御ロジック回路(Gain control logic)58と、デジタル・アナログ変換器(DAC)59とを含む。
第1のレジスタ50は、現在設定されているアンテナ送信パワーの値を保持する。具体的には、送信パワーの設定値は、図10、図11などに示された入力コードの形式で保持される。加算器49は、ベースバンドIC5から送信パワー情報を受け、第1のレジスタ50に保持されている設定値と加算演算することによって、新たに設定されるべき送信パワーの値を生成する。第1のレジスタ50の値は、加算器49から出力された送信パワーの設定値によって所定の時間ごと(LTEモードは500μsごと、HSUPAモードおよびR99モードは667μsごと)に更新される。
第2のレジスタ51は、第1のレジスタ50から転送されたアンテナの送信パワーの設定値を保持する。第1のレジスタ50の内容が更新された場合には更新後の送信パワーの設定値がそのままの値で第2のレジスタ51に転送される。図9の構成と異なり、第1のレジスタ50に保持された値が、後述する加算器52,53を介して第2のレジスタ51に転送される構成であってもよい。この場合、転送時には、加算器52,53の他方の入力は0になる。
ゲイン設定部57は、たとえば、SRAM(Static Random Access Memory)を内蔵する。SRAMは、ルックアップテーブル(LUT:Look Up able)として、アンテナの送信パワーの値に対応して設定すべきDPGA24,RFPGA35、およびHPA40の制御データを記憶する。RFIC10の電源がオンされた際に、RFIC10内のCPU(図示せず)がSRAMに制御データを書込んでルックアップテーブルを構築する。SRAMに代えて不揮発性メモリが用いられてもよい。不揮発性メモリであれば電源オン時の書込み処理が不要になる。
ルックアップテーブルは複数枚のテーブルから構成される。ゲイン設定部57は、制御信号CS1に含まれる温度情報、周波数情報、および送信モード情報に基づいて1枚のテーブルを特定する。そして、ゲイン設定部57は、第2のレジスタ51に保持されたアンテナの送信パワーの設定値をアドレス信号として受け、特定された1枚のテーブルに保持された複数の制御データのうちアンテナの送信パワーの設定値により指定された制御データを出力する。
ゲイン設定部57から出力された制御コードは、ゲイン制御ロジック回路58によってDPGA24、RFPGA35、およびHPA40のゲインを調整する制御信号コードに変換され、ゲイン調整信号GCS1,GCS2,GCS3としてDPGA24、RFPGA35、およびHPA40にそれぞれ出力される。ただし、ゲイン調整信号GCS3については、DAC59によってアナログ信号に変換された後、DC−DCコンバータ44によって電圧レベルが変換されてから、HPA40に出力される。
図10は、ゲイン設定部57に格納されている、ある1枚のテーブルの例を模式的に示す図である。
一般に、アンテナの送信パワー[dBm]には、DPGA24、RFPGA35、およびHPA40のゲイン[dB]が関係する。実際には、DPGA24からRFPGA35までの経路およびHPA40からアンテナまでの経路での電力の減衰も関係するが、以下の説明では簡単のためにこれらの経路上での電力の減衰を無視する。この場合、デジタル送信ベースバンド信号の電圧振幅(実効値)をVbb[dBV]とし、DPGA24、RFPGA35、およびHPA40のトータルのゲインをGamp[dB]し、アンテナの入力インピーダンスを50Ωとすれば、アンテナの送信パワーPt[dBm]は、
Pt=Gamp+Vbb+13.01 …(1)
と表わされる。図10〜図13に示されるテーブルでは、簡単のために、Vbb=−13.01[dBV]としている。Vbbの値は、実際には、ベースバンドIC5の設計によって異なる。
図10に示すように、アンテナの送信パワー(HPA40の出力電力)は、−50dB〜23.875dBの範囲で0.125dBステップごとに合計592ポイントで設定可能である。テーブル中の入力コードは、アンテナの送信パワーの設定値に対応して、H’000からH’24Fまでの592ポイントの値をもつ(「H’」は16進数表示であることを表わす)。各入力コードに対応して制御コードが設定される。制御コードは、DPGA24、RFPGA35、およびHPA40にそれぞれ設定されるべきゲイン(dB)値を特定する情報である。ゲイン設定部57は、第2のレジスタ51から送信パワーの設定値を受けると、送信パワーの設定値に対応した制御コードを出力する。たとえば、送信パワーが−50dBm(入力コード:H’000)の場合に、DPGA24、RFPGA35、およびHPA40のゲインが、0dB、−50dB、および0dBにそれぞれ設定される。
HPA40のゲインは、特に、アンテナに高出力の送信パワーが必要な場合に増加するように調整される。低出力時にはゲインは0dBに固定され、設定される送信パワーの上限(23.875dBm)より20〜30dBm低いレベルからゲイン調整される。具体的に、入力コードがH’000からH’18Fまで(400ステップ)は0dBに固定され、H’190からH’1CFまで(64ステップ)は5dBに設定される。H’1D0からH’20Fまで(64ステップ)は10dBに設定される。H’210からH’24Fまで(64ステップ)は15dBに設定される。
RFPGA35のゲインは、入力コードがH’000のとき−50dBに設定される。
H’000からH’18Fまでは、入力コード値で16ステップごとに2dBずつ増加し、H’18Fでは−2.0dBに設定される。H’190になると3dB減少して−5.0dBに設定される。H’190からH’1CFまでは、入力コード値で16ステップごとに2dBずつ増加し、H’1CFでは1.0dBに設定される。H’1D0になると3dB減少して−2.0dBに設定される。H’1D0からH’24Fまでは、入力コード値で16ステップごとに2dBずつ増加し、H’24Fでは7.0dBに設定される。すなわち、H’000〜H’24Fにおいて、RFPGA35とHPA40とのゲインの合計値(RFPGA35の入力電圧からみたHPA40の出力電圧のゲイン)は、−50dB(H’000)〜22dB(H’24F)の範囲で入力コード値で16ステップごとに2dBステップずつ増加することになる。
DPGA24のゲインは、0dBから1.875dBの範囲で変化する。DPGA24のゲインは、入力コードが1ステップ増えるごとに0.125dBずつ増加し、1.875dBの次は0dBに戻り再び0.125dBずつ増加する。したがって、DPGA24のゲインは、入力コード値で16ステップごとに0dBから1.875dBまでを繰り返す。
このようにしてDPGA24のゲインが0.125dBのステップで調整され、RFPGA3のゲインはDPGA24よりも大きいステップ(2.000dB)で調整され、HPA40のゲインはRFPGA3よりもさらに大きいステップ(5.000dB)で調整される。すなわち、アンテナの送信パワーの上位の値(2dB以上の部分)はHPA40およびRFPGA3のゲインで調整され、それより下位の値(0.000dB〜1.875dBの部分)はDPGA24のゲインで調整される。
RFPGA3およびHPA40はアナログ回路で構成され、たとえば0.5dBを下回るような微細なステップを精度よくゲインを調整することが難しく、仮に精度よくゲイン調整するためには複雑な回路構成を要するため回路規模を大きくなる。これに対してDPGA24による増幅はデジタル演算で実現されるため、微細なステップでもノイズの影響も少なく精度よくゲイン調整が可能である。0dBmを超えるような高送信パワーが要求されるレンジでの増幅動作には、相当の電流が要求されるため、RFPGA3単独ではなく、RFIC10とは別チップのHPA40と協働してゲインを調整することが望ましい。
(制御信号CS2に基づく制御)
アンテナの送信パワーに関し、設計上の値(図9の第1のレジスタ50に保持される値)と実際の送信時の値とでは誤差が生じることが多い。この理由は、アナログ回路であるRFPGA3およびHPA40は、設計どおりのゲインに設定することが難しいからである。その誤差を調整するために、図9に示すように、APC36は、動作中のHPA40の出力を検波器42で検波した信号(制御信号CS2)のフィードバックを受けて、ゲインを調整する機構をもつ。
図9を参照して、APC36は、さらに、ローパスフィルタ54と、ADコンバータ(ADC)55と、積分器56と、加算器52,53とを含む。
入力された制御信号CS2は、ローパスフィルタ54によって遮断周波数を超える高域が除去された後、ADコンバータ55によってデジタル信号に変換される。ADコンバータ55の出力信号は、HPA40の送信パワーを表わす。積分器56は、ADコンバータ55によってサンプリングされた複数のデジタル値に基づいて、一定時間内の平均電力を算出する。
加算器52は、第1のレジスタ50に保持されるアンテナの送信パワーの設定値と積分器56によって出力される実際の送信パワーとの差を算出する。この差が、設計上の出力電力と実際の出力電力との誤差を示す。加算器53は、第2のレジスタ51に保持されたアンテナの送信パワーの設定値に、加算器52から出力された当該誤差を加算し、加算結果によって第2のレジスタ51を書き換える。書き換えられた新たなアンテナの送信パワーの設定値で、再度DPGA24、RFPGA3、およびHPA40の各ゲインが調整される。このフィードバック制御が所定の時間内(LTEモードでは500μs以内、R99モードおよびHSUPAモードでは667μs以内)に繰返されることによって誤差が調整される。最終的に、第1のレジスタ50に保持された設定されるべき送信パワーの値に実際のHPA40の出力電力が調整される。フィードバック制御している間、第1のレジスタ50はそのままの値を保持する。
このフィードバック制御は、特に消費電力の高くなる高出力時、たとえば、調整される送信パワーの上限から20〜30dB低いレベル(0dBmのレベル)から高い送信パワー時において実施されるようにしてもよい。
(送信モード情報に基づく制御)
図9を参照して、APC36のゲイン設定部57には、送信モードに応じて異なるテーブルが用意されている。具体的には、送信モードに応じて、DPGA24のゲインの値を変更したテーブルが用意されている。ゲイン設定部57は、送信モードを特定する送信モード情報をベースバンドICから受け取り、送信モード情報に対応したテーブルを選択する。以下、具体例を挙げて説明する。
図11は、ゲイン設定部57に格納されている、図10とは異なる送信モードに対応するテーブルの例を模式的に示す図である。図10は、LTEモードおよびHSUPAモードで送信している場合のテーブル例であり、図11は、R99モードで送信している場合のテーブル例である。図11のテーブルは、図10のテーブルと比べて、各入力コードに対するDPGA24のゲインが2dB大きくなり、RFPGAのゲインが2dB少なくなっている。すなわち、図11のテーブルの場合、DPGA24のゲインは、0.125dBを1ステップとして2dB〜3.875dBのレンジで変化することになる。図11のHPA40のゲインの値は、図10の場合と同じであるので、入力コードに対する送信パワーの値は図10と図11とで変わらない。
図10、図11の例を一般化すると次のようになる。LTEモードおよびHSUPAモードの場合に設定されるゲインのレンジ[dB]をG1min〜G1max(G1minがレンジの下限で、G1maxがレンジの上限)とし、そのステップの幅をΔ1[dB]とする。LTEモードおよびHSUPAモードの場合よりもPAPRの小さいR99モードの場合に設定されるゲインのレンジ[dB]をG2min〜G2max(G2minがレンジの下限で、G2maxがレンジの上限)とし、そのステップ幅をΔ2[dB]とする。この場合、
G1max<G2max,G1min<G2min …(2)
となるようにゲインが設定される。さらに、
G1max≦G2min …(3)
G1max−G1min=G2max−G2min …(4)
Δ1=Δ2 …(5)
であることが望ましい。図10、図11の例の場合は、G1min=0dB、G1max=1.875dB、G2min=2dB、G2max=3.875dB、Δ1=Δ2=0.125dBのように設定される。
上記の設定によれば、デジタル送信ベースバンド信号I_d1,Q_d1のPAPRが小さいほどDPGA24のゲインが大きくなる。この結果、DAC25から出力されるアナログ送信ベースバンド信号のピーク振幅がなるべく一定となるように制御される。さらに、DPGA24のゲインの増減分はRFPGA35のゲインによって調整され、アンテナからの送信電力が一定になるように制御される。具体的には、伝送する信号のPAPRが小さくなるにつれて、DPGA24のゲインを上げるとともに、RFPGA35のゲインを下げるように制御される。この結果、高速通信が可能なモードにおける高PAPR信号を伝送する場合においても歪み無く送信することができる。低PAPR信号を伝送する場合には、DPGAに比べて消費電流が大きいRFPGAのゲインを下げることができるので、消費電流を抑制でき、携帯端末の電池を節約できる。ここで、DAC25やローパスフィルタ26などのアナログベースバンド回路27の線形性は主に電源電圧や回路構成によって決まるので、信号振幅が増加しても問題とならない。
一般的にPAPR値の大小は、変調方式、多重化方式および多元接続方式に依存するので、原理的には、変調方式、多重化方式および多元接続方式のうちの少なくともいずれか1つに応じてDPGAおよびRFPGAのゲインを調整することにより上記メリットが実現できるといえる。たとえば、変調および多重化の処理を行うベースバンドIC5が変調方式、多重化方式および多元接続方式の少なくともいずれかを示す情報を生成し、RFICがその情報を受けてDPGAおよびRFPGAのそれぞれゲインを調整する構成でもよい。しかしLTE,HSUPA,R99のように、変調方式、多重化方式、多元接続方式の少なくともいずれか1つが異なる複数の送信モード間でPAPR値が異なり、本実施の形態のように、その複数の送信モードのうちのいずれかを表わす情報をベースバンドIC5が生成し、RFICがその情報を受けてDPGAおよびRFPGAのそれぞれゲインを調整する構成がより簡易である。
また、実施の形態1のRFIC10によれば、DPGA24によってデジタル送信ベースバンド信号I_d1,Q_d1の振幅を調整することによって、DAC25のダイナミックレンジを最大限活用することができるので、DAC25の出力の雑音特性(すなわち、CNR:Carrier-to-Noise Ratio)を向上させることができる。さらに、DAC25からの出力信号の振幅増加によって、DAC25からRFPGA35までの雑音特性を向上させることができる。
加えて、DPGA24でパワー制御の微調整(すなわち、設定すべきパワー値の下位の桁を調整すること)を行う構成となっている。DPGA24はデジタル処理であるため、ばらつきが少なく精度のよいパワー制御ができる。例えばRFPGAはアナログ処理であるためばらつきが大きくなり、そのばらつきを抑えようとするとRFPGAの面積が大きくなる。
また、実施の形態1のRFIC10によれば、アンテナ出力のパワー制御をDPGA24とRFPGAのゲイン調整で実現している。たとえば特開2007−5996号公報(特許文献3)に記載のRFICと比べて、キャリアリークを減少させることができる。この文献に記載されるようにRFPGAが複数段の増幅器で構成されている場合、前段の増幅器のゲインを変化させると動作点が変更されるために、キャリアリークの原因であるDCオフセットが変化する。実施の形態1のRFIC10では、DPGA24のゲインを調整しているので、キャリアリークが増加することはない。
なお本実施の形態では、LTEモードおよびHSUPAモードにおけるDPGA24のゲインを同じレンジ(0dB〜1.875dB)内で変化するように制御していた。さらにLTEモードとHSUPAモードとでDPGA24のゲインの変化を異なるようにしてもよい。HSUPAモードにおけるPAPRがLTEモードよりも小さく、R99モードよりも大きいことを考慮して、HSUPAモードにおいてDPGA24のゲインの最小値および最大値をLTEモードの場合よりも大きくし、R99モードの場合よりも小さくするようにしてもよい。例えばHSUPAモードにおけるDPGA24のゲインのレンジを1dB〜2.875dBとしてもよい。その場合には入力コードに対するRFPGA35のゲイン設定値を図10のものとは別の値に調整しなおす必要がある。
他方、本実施の形態では、DPGA24のゲインがあるレンジ内で変化するように制御していた。これに対して、たとえば、LTEモードおよびHSUPAモードの場合にDPGA24のゲインを0dBに設定し、R99モードの場合にDPGA24のゲインを2dBに設定するように、DPGA24のゲインを送信モードに応じた値に固定してもよい。この場合、RFPGA35のゲインを0.125dBステップで調整する必要があるが、図8で説明した構成のRFPGA35を用いれば0.125dBステップでゲインを調整することができる。ただし、DPGA24によって微細なステップを調整したほうが、ノイズの影響も少なく精度よくゲイン調整を行なうことができる。
(温度情報および周波数情報に基づく制御)
実施の形態1のRFIC10は、携帯電話機が使用される環境に応じてRFPGA35およびHPA40のゲインを最適に設定するための機構をもつ。使用環境の典型的なパラメータとして周波数および温度が挙げられる。アナログ回路であるRFPGA35およびHPA40では、使用中の周波数および温度に応じて入力電圧に対する出力電圧のゲイン特性が変化する。たとえば、温度が上がるとHPAのゲインは低下するので、HPAのゲインの低下をRFPGAおよびDPGAのゲインの設定値の増加によって補う必要がある。特にHPAのゲイン変化に対する大まかな補正はRFPGAのゲインの増減で調整し、細かい補正はDPGAのゲインの増減で調整する。すなわち、RFPGA35およびHPA40のゲインを送信パワーの設定値に対して一意的に設定するのではなく、周波数および温度に応じてRFPGA35とHPA40との間でゲインの配分を変更することが望ましい。
周波数情報は、携帯電話機が実際の送信時に使用しているキャリアの周波数、すなわち、直交変調器32が変調に利用する局部発振信号の周波数を特定する情報である。この周波数情報は、ベースバンドIC5からの情報に基づきRFIC内で生成される信号であるが、直交変調器32に入力される局部発振信号LOI,LOQの周波数を設定するための制御情報にも利用される。
温度情報は、使用中のRFIC10の温度を特定する情報である。具体的にはRFICの動作保障する温度範囲(たとえば−40℃〜90℃)を複数のサブレンジ(たとえば、25℃ステップで6つのサブレンジ)に分け、RFICがどのサブレンジの温度となっているかを特定する情報である。RFIC10内には、トランジスタにより構成された温度測定回路(図示せず)が設けられており、温度情報はその測定結果に基づきRFIC10内で生成される。
図9のゲイン設定部57は、LTEモードおよびHSUPAモードにおいて周波数情報および温度情報に応じた複数枚のテーブルを有し、R99モードにおいて同じく周波数情報および温度情報に応じた複数枚のテーブルを有する。
図12は、LTEモードまたはHSUPAモードにおいて、図10とは別の温度情報および周波数情報に対応したテーブルの例である。HPAのゲインが図10のHPAのゲインよりも0.25dBだけ大きい値となったとき、DPGAのゲインのレンジ(0dB〜1.875dB)は図10と同じであるが、入力コードに対応するDPGAのゲインの値が図10の場合と異なる。DPGAのゲインは、入力コードH’000から16ステップごとに、0.750dB、0.875dB、1.000dB、・・・、1.875dB、0.000dB、0.125dB、・・・、0.500dB、および0.625dBを繰り替えすように設定される。RFPGAのゲインは入力コードH’000で−51.0dBとなり、それ以降、入力コードがH’**A(**は任意の値)で2dB増える。またH’18FからH’190に移るとき、H’1CFからH’1D0に移るとき、およびH’20FからH’210に移るときに、それぞれ5dB増加する。このようなテーブルは、周波数情報および温度情報で特定される条件の数(たとえば、1000〜2000)だけ用意される。
図13は、R99モードにおいて、図11とは別の温度情報および周波数情報に対応したテーブルの例である。図13のテーブルでは、HPAのゲインが図11のHPAのゲインよりも1dBだけ小さい値となったとき、DPGAのゲインのレンジ(dB〜.875dB)は図11と同じであるが、入力コードに対応するDPGAのゲインの値が図11の場合と異なる。DPGAのゲインは、入力コードH’000から16ステップごとに、2.500dB、2.625dB、2.750dB、・・・、3.875dB、2.000dB、2.125dB、2.250dB、および2.375dBを繰り替えすように設定される。RFPGAのゲインは入力コードH’000で−51.5dBとなり、それ以降、入力コードがH’**E(**は任意の値)で2dB増える。またH’18FからH’190に移るとき、H’1CFからH’1D0に移るとき、およびH’20FからH’210に移るときに、それぞれ5dB増加する。このようなテーブルは、周波数情報および温度情報で特定される条件の数(たとえば、1000〜2000)だけ用意される。
周波数情報および温度情報以外でRFPGAおよびHPAのゲインに影響を与えるパラメータがあればそのパラメータに関する情報に基づいてテーブルを適宜設定してもよいことは言うまでもない。単純な構成として、送信モード情報に応じた2枚のテーブル(たとえば図10、図11のテーブル)のみを用意した構成としてもよい。
<実施の形態2>
図14は、この発明の実施の形態2による送信部122の構成を示すブロック図である。図14の局部発振器130_1,130_2は、それぞれ電流調整信号CCS1,CCS3に応じて動作時に流れる駆動電流の大きさが調整できる点で、図6の局部発振器30_1,30_2と異なる。図14の1/2分周器131_1,131_2は、それぞれ電流調整信号CCS2,CCS4に応じて動作時に流れる駆動電流の大きさが調整できる点で、図6の1/2分周器31_1,31_2と異なる。図14のAPC136は、図6のAPC36の機能に加えて、送信モード情報に応じた電流調整信号CCS1〜CCS4を生成して出力する。図14のその他の点は図6の場合と同じであるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰返さない。
LTEモードおよびHSUPAモードに比べてR99モードの場合は、DPGA24のゲインを上げることによって雑音特性が向上する。このため、R99モードにおいて雑音特性マージンに余裕が生じることがある。その場合、雑音特性のマージンが取れる程度に、局部発振器130および1/2分周器131の動作時に流す駆動電流の量を減少させることができ、消費電力を低減することができる。
電流調整信号CCS1〜CCS4は1ビットに限らず多ビットの信号であってもよい。多ビットの電流調整信号CCS1〜CCS4に応じて多段階的に駆動電流を調整することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
5 ベースバンドIC、10 RFIC、11 HPAモジュール、12 フロントエンドモジュール、13 アンテナ、20 デジタルRFインターフェース、21 受信部、22,122 送信部、24 DPGA、25 DAC、30,130 局部発振器、31,131 1/2分周器、32 直交変調器、35 RFPGA、36,136 APC(オートパワーコントローラ)、40 HPA。

Claims (15)

  1. 複数の送信モードに従ってそれぞれデータを送信可能とする半導体装置であって、
    第1のデジタルベースバンド信号を受け、前記第1のデジタルベースバンド信号を第1の利得で増幅した第2のデジタルベースバンド信号を生成し、その第1の利得が可変である第1の増幅部と
    前記第1の増幅部によって生成された前記第2のデジタルベースバンド信号をアナログベースバンド信号に変換するデジタル・アナログ変換部と
    前記アナログベースバンド信号によって局部発振信号を変調することによって送信信号を生成する変調部と
    前記送信信号を可変の第2の利得で増幅する第2の増幅部と
    前記複数の送信モードのいずれかを表わす情報を受け、前記情報に応じて前記第1の利得を調整する制御部とを備えた半導体装置。
  2. 前記制御部は、さらに、前記情報に応じて前記第2の利得を調整する、請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記制御部は、前記第1の利得の最小の変更幅が前記第2の利得の最小の変更幅よりも小さくなるように前記第1および第2の利得を調整する、請求項2に記載の半導体装置。
  4. 前記複数の送信モードのうちの第1の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号のピーク対平均電力比よりも、前記複数の送信モードのうちの第2の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号のピーク対平均電力比が大きく、
    前記第1の増幅部が、前記第1の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号、および、前記第2の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号を受けた場合、前記制御部は、前記第1の送信モードにおける前記第1の利得を前記第2の送信モードにおける前記第1の利得よりも大きくする、請求項1に記載の半導体装置。
  5. 前記複数の送信モードのうちの第1の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号のピーク対平均電力比よりも、前記複数の送信モードうちの第2の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号のピーク対平均電力比が大きく、
    前記第1の増幅部は、前記第1の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号、および、前記第2の送信モードにおける前記第1のデジタルベースバンド信号を受け、
    前記制御部は、前記第1の送信モードにおいて前記第1の利得を第1の下限値と第1の上限値との間で変化させ、前記第2の送信モードにおいて前記第1の利得を第2の下限値と第2の上限値との間で変化させ、
    前記第1の下限値は、前記第2の下限値よりも大きく、
    前記第1の上限値は、前記第2の上限値よりも大きい、請求項1に記載の半導体装置。
  6. 前記第1の下限値は、前記第2の上限値以上である、請求項5に記載の半導体装置。
  7. 前記局部発振信号を生成する局部発振回路をさらに備え、
    前記制御部は、さらに、前記送信モードに応じて前記局部発振回路に供給する駆動電流の大きさを調整する、請求項1に記載の半導体装置。
  8. 前記第1のデジタルベースバンド信号は、同相成分信号および直交成分信号を含み、
    前記第1の増幅部は、前記同相成分信号および前記直交成分信号の各々を前記第1の利得で増幅し、
    前記アナログベースバンド信号は、同相成分信号および直交成分信号を含み、
    前記半導体装置は、前記局部発振信号を受けて、互いに位相が90度異なる第1および第2の局部発振信号を生成する分周回路をさらに備え、
    前記変調部は、前記アナログベースバンド信号の前記同相成分信号および直交成分信号によって、前記第1および第2の局部発振信号を変調することによって前記送信信号を生成し、
    前記制御部は、さらに、前記送信モードに応じて前記分周回路に供給する駆動電流の大きさを調整する、請求項1または7に記載の半導体装置。
  9. 前記複数の送信モードは、変調方式、多重化方式および多元接続方式の少なくともいずれか1つがそれぞれで異なっている送信モードである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置。
  10. 第1のデジタルベースバンド信号を受け、前記第1のデジタルベースバンド信号を第1の利得で増幅して第2のデジタルベースバンド信号を生成し、その第1の利得が可変である第1の増幅部と
    前記第1の増幅部によって生成された前記第2のデジタルベースバンド信号をアナログベースバンド信号に変換するデジタル・アナログ変換部と
    前記アナログベースバンド信号によって局部発振信号を変調することによって送信信号を生成する変調部と
    前記送信信号を可変の第2の利得で増幅する第2の増幅部と
    送信すべきデータからベースバンド処理により前記第1のデジタルベースバンド信号を生成した際の変調方式、多重化方式および多元化方式の少なくともいずれか1つに応じて前記第1の利得を調整する制御部とを備えた半導体装置。
  11. 第1のデジタルベースバンド信号を受け、前記第1のデジタルベースバンド信号を第1の利得で増幅した第2のデジタルベースバンド信号を生成する第1の増幅部と
    前記第1の増幅部によって生成された前記第2のデジタルベースバンド信号をアナログベースバンド信号に変換するデジタル・アナログ変換部と
    前記アナログベースバンド信号によって局部発振信号を変調することによって送信信号を生成する変調部と
    前記送信信号を可変の第2の利得で増幅する第2の増幅部と
    前記送信信号が無線で送信されるときの送信電力を調整する制御信号を受け、その制御信号に応じて前記第1および第2の利得を調整する制御部とを備えた半導体装置。
  12. 外部から受信信号を受け、前記受信信号に基づいて前記受信信号の周波数よりも低い周波数のデータ信号を生成する受信回路をさらに備え、
    前記制御信号は、前記データ信号に含まれる情報に基づく信号である、請求項11に記載の半導体装置。
  13. 前記受信回路は、前記データ信号をベースバンド処理回路に供給し、
    前記制御部は、前記制御信号を前記ベースバンド処理回路から受けとる、請求項12に記載の半導体装置。
  14. 前記送信信号は電力増幅器に送信され、
    前記制御部は、さらに前記電力増幅器の出力が検波された検波信号を受信し、その検波信号に応じても前記第1および第2の利得を調整する、請求項12に記載の半導体装置。
  15. 前記制御部は、前記第1の利得の最小の変更幅が前記第2の利得の最小の変更幅よりも小さくなるように前記第1および第2の利得を調整する、請求項11に記載の半導体装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8666339B2 (en) * 2012-03-29 2014-03-04 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency power amplifier with low dynamic error vector magnitude
CN102752000A (zh) * 2012-06-26 2012-10-24 中兴通讯股份有限公司 发射信号的处理芯片及方法
US9106501B2 (en) 2013-04-03 2015-08-11 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Quadrature power amplifier having increased efficiency
US9397955B2 (en) * 2013-04-04 2016-07-19 Maxlinear, Inc. Method and system for an analog crossbar architecture
CN104969601B (zh) * 2013-06-29 2019-05-10 华为技术有限公司 测量方法及设备
US9276623B2 (en) * 2013-08-20 2016-03-01 Aviacomm Inc. Cost effective multiband RF front-end architecture for mobile applications
JP2015080070A (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 セイコーエプソン株式会社 発振回路、発振器、電子機器および移動体
US9544002B2 (en) * 2014-01-16 2017-01-10 Intel IP Corporation Concurrent transmit and receive
US9961632B2 (en) 2014-09-26 2018-05-01 Apple Inc. DSP assisted and on demand RF and analog domain processing for low power wireless transceivers
CN105915262A (zh) * 2016-06-30 2016-08-31 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 一种射频发射电路及移动终端
US10338646B1 (en) 2018-02-22 2019-07-02 Lg Electronics Inc. Radio frequency amplifier circuit and mobile terminal having the same
KR102040546B1 (ko) * 2018-02-22 2019-11-06 엘지전자 주식회사 무선 주파수 증폭기 회로 및 이를 구비하는 이동 단말기
JP6801684B2 (ja) * 2018-03-29 2020-12-16 株式会社デンソー 振動型ジャイロスコープ
WO2021081989A1 (zh) * 2019-11-01 2021-05-06 华普特科技(深圳)股份有限公司 分时检测控制电路、无线收发系统及其分时检测控制方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005078939A1 (ja) * 2004-02-12 2005-08-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 送信電力制御装置
JP2007005996A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Renesas Technology Corp 通信用半導体集積回路および無線通信装置
JP2008187550A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Nec Saitama Ltd レベル制御装置及びその方法並びにそれを用いた送信装置
JP2009088809A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd 通信装置および通信方法
WO2009151097A1 (ja) * 2008-06-13 2009-12-17 日本電気株式会社 電力増幅器及びその増幅方法、それを用いた電波送信機

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284998A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Mitsubishi Electric Corp 無線送信装置
JP4610697B2 (ja) * 2000-06-13 2011-01-12 パナソニック株式会社 送信電力制御方法及び無線通信装置
DE10163466A1 (de) * 2001-12-21 2003-07-10 Infineon Technologies Ag Sendeanordnung für zeitkontinuierliche Datenübertragung
WO2004057768A1 (ja) * 2002-12-20 2004-07-08 Renesas Technology Corp. 送信回路およびそれを用いた送受信機
US7664520B2 (en) * 2004-06-24 2010-02-16 Nokia Corporation Low current direct conversion transmitter architecture
JP2007019939A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Renesas Technology Corp 無線通信装置及びそれを用いた携帯電話端末
US20070064883A1 (en) * 2005-07-21 2007-03-22 Lawrence Rosenthal Techniques for suspended delivery of messages
JP2007043289A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Toshiba Corp 増幅回路とこれを用いたフィルタ及び無線通信装置
JP4982350B2 (ja) * 2007-12-17 2012-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 送受信機
US8565806B2 (en) * 2010-12-12 2013-10-22 St-Ericsson Sa Real time transmission power control

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005078939A1 (ja) * 2004-02-12 2005-08-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 送信電力制御装置
JP2007005996A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Renesas Technology Corp 通信用半導体集積回路および無線通信装置
JP2008187550A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Nec Saitama Ltd レベル制御装置及びその方法並びにそれを用いた送信装置
JP2009088809A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd 通信装置および通信方法
WO2009151097A1 (ja) * 2008-06-13 2009-12-17 日本電気株式会社 電力増幅器及びその増幅方法、それを用いた電波送信機

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