JP5562656B2 - パターン評価システム、パターン評価方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の速度で取得される、評価対象パターンの一連の画像を取り込む画像取得手段と、
前記一連の画像を第2の速度で処理して前記評価対象パターンの評価結果を出力する複数の画像処理手段と、
前記複数の画像処理手段を制御するとともに、前記第1および前記第2の速度を取得し、前記複数の画像処理手段のうち、前記一連の画像の取得時間と前記一連の画像の処理時間とが実質的に同一になることを可能にする画像処理手段を推定して前記一連の画像の処理に割り当てる制御手段と、
を備えるパターン評価システムが提供される。
一連の評価対象パターンの画像を取得する撮像手段と、前記画像を処理して前記評価対象パターンを評価する複数の画像処理手段と、前記複数の画像処理手段を制御する制御手段と、を備えるパターン評価システムを用いたパターン評価方法であって、
前記撮像手段が前記画像を取得する第1の速度を測定する手順と、
画像処理手段が前記画像を処理する第2の速度を測定する手順と、
測定された前記第1および第2の速度から、前記複数の画像処理手段のうち、前記一連の画像の取得時間と前記一連の画像の処理時間とが実質的に同一になることを可能にする画像処理手段を推定して前記画像の処理に割り当てる手順と、
を備えるパターン評価方法が提供される。
図1は、本発明の実施の一形態によるパターン評価システムの概略構成を示すブロック図である。本実施形態の特徴は、画像取込装置10による一連の画像Imgの取込における一枚当たりの画像取得時間Tiと、クラスタノードCNによる一枚当たりの画像処理時間Tpとを取得し、上記一連の画像の取得時間と上記一連の画像の処理時間とが実質的に同一になるようにクラスタノードCNの台数を推定して上記一連の画像の処理に割り当てるメインノードMNを備える点にある。この点は後に詳述する。なお、ここで、「実質的に同一」とは、後述する分散処理のオーバーヘッド時間Tohの他、測定誤差等を除いて同一であることを意味する。
図1に示すパターン評価システム1の動作を、本発明に係るパターン評価方法の実施の一形態として図2を参照しながら説明する。
nTi = Toh + n/m × Tp ・・・・・・・・・・・・・・(1)
ここで、
n:一度に実施される画像処理枚数
m:クラスタノードの最適台数
Ti:1枚あたりのSEM画像取得時間
Toh:分散処理のオーバーヘッド時間
Tp:1枚あたりの画像処理時間
である。本実施形態において、Tiは例えば第1の速度に対応し、Tpは例えば第2の速度に対応する。
上述したパターン評価方法を用いた高効率・低コストの検査工程を含むプロセスで半導体装置を製造することにより、高いスループットおよび歩留まりで半導体装置を製造することが可能になる。
以上、本発明の実施の一形態について説明したが、本発明は上記形態に限るものでは決してなく、種々変形して適用することができる。
10:画像取込装置
300:CD−SEM
CN1〜CNM:クラスタノード
MN:メインノード
Img1〜Imgn:SEM画像
Ti:一枚当たりの画像取得時間
Tp:一枚当たりの画像処理時間
Claims (6)
- 第1の速度で取得される、評価対象パターンの一連の画像を取り込む画像取得手段と、
前記一連の画像を第2の速度で処理して前記評価対象パターンの評価結果を出力する複数の画像処理手段と、
前記一連の画像の処理に前記複数の画像処理手段の少なくとも一部を割り当てて分散処理させる制御手段と、
を備え、
一度の分散処理で実施される画像処理枚数をn、前記分散処理のオーバーヘッド時間をToh、前記第1および第2の速度をそれぞれTiおよびTpとすると、前記制御手段は、割り当てるべき画像処理手段の最適台数mを次式
nTi = Toh + n/m × Tp
に従って求める、パターン評価システム。 - 前記評価対象パターンは複数あり、かつ、処理中の評価対象パターンの処理に割り当てられた画像処理手段の数が画像処理手段の総数を下回る場合に、前記制御手段は、処理中の評価対象パターン以外の評価対象パターンの処理に残余の画像処理手段を割り当てられるかどうかを判定し、割り当て可能なときに前記複数の評価対象パターンについて並行処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のパターン評価システム。
- 前記画像は、走査型電子顕微鏡(SEM)により取得されたSEM画像である、ことを特徴とする請求項1または2に記載のパターン評価システム。
- 撮像手段と、複数の画像処理手段と、制御手段と、を備えるパターン評価システムを用いたパターン評価方法であって、
前記撮像手段が一連の評価対象パターンの画像を取得する第1の速度を測定する手順と、
画像処理手段が前記画像を処理して前記評価対象パターンを評価する第2の速度を測定する手順と、
前記一連の画像の処理に前記複数の画像処理手段の少なくとも一部を割り当てて分散処理させる手順と、
を備え、
一度の分散処理で実施される画像処理枚数をn、前記分散処理のオーバーヘッド時間をToh、前記第1および第2の速度をそれぞれTiおよびTpとすると、割り当てるべき画像処理手段の最適台数mは、次式
nTi = Toh + n/m × Tp
に従って求められる、パターン評価方法。 - 前記画像は、走査型電子顕微鏡(SEM)により取得されたSEM画像である、
ことを特徴とする請求項4に記載のパターン評価方法。 - パターンが形成された複数の基板でなる製造ロットから任意の基板を抜き取る工程と、 抜き取られた前記基板の前記パターンを、請求項4または5に記載のパターン評価方法により評価する工程と、
前記パターンが良品であると評価された場合に、前記抜き取られた基板が属する前記製造ロットの基板に半導体装置を製造することと、
を備える半導体装置の製造方法。
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