JP5544369B2 - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents
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Description
− 青色半導体チップの全放射出口面積4mm2と、赤色半導体チップの全放射出口面積2mm2と、オプションとして白色半導体チップの全放射出口面積1mm2とを有するオプトエレクトロニクス部品を使用することで、約3000Kの色温度と演色評価数CRI>90とを有する暖白色光源が実現する。オプションの白色半導体チップは、平均電流において動作し、駆動電子回路と協働して色座標Cx,Cyを正確に所望の白色点に設定する。これにより、ビニングの問題が排除される。この場合、半導体チップの効率は電流密度の増大とともに下がることを考慮する必要がある。一例として、青色を放出する半導体チップ3bが電流密度350mAによって一定に動作するならば、白色半導体チップは平均電流密度175mAで動作し、白色点を設定するための電流密度は0〜350mAの間で可変である。
− 青色半導体チップの全放射出口面積5mm2と、赤色半導体チップの全放射出口面積1mm2と、オプションとして白色半導体チップの全放射出口面積1mm2とを有するオプトエレクトロニクス部品を使用することで、約6000Kの色温度と演色評価数CRI>90と100lm/W以上の効率とを有する冷白色光源が実現する。このような冷白色光源は、通常、この効率において演色評価数CRI<70である。
− 青色半導体チップの全放射出口面積2mm2と、赤色半導体チップの全放射出口面積2mm2と、白色半導体チップの全放射出口面積3mm2とを有するオプトエレクトロニクス部品を使用することで、約6000K〜2700Kの間の色温度(プランク曲線上で調整可能)と、全色温度において演色評価数CRI>90および90lm/W以上の効率を有する調整可能な光源が実現する。
本特許出願は、独国特許出願第102008057140.7号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
2 接続キャリア
3 放射放出半導体チップ
3a 放射出口面
4 変換要素
4a 外面
4b 内面
5 接着剤
6 気体で充填された中間領域
7 成形体
8 光取出しレンズ
8a 外面
8b 内面
9 さらなる変換要素
10 中心軸線
11 光センサ
12 接続帯状部
21 接続キャリアの基体
22 反射層
23 反射器
30 半導体ボディ
33a すべての放射放出半導体チップの全放射出口面
M 点
Claims (14)
- オプトエレクトロニクス部品(1)であって、
− 少なくとも2個の放射放出半導体チップ(3)が上に配置されている接続キャリア(2)と、
− 前記接続キャリア(2)に固定されている変換要素(4)と、
を備えており、
− 前記半導体チップ(3)が前記変換要素(4)と前記接続キャリア(2)とによって囲まれており、
− 前記放射放出半導体チップ(3)の少なくとも2個が、動作時に自身が放出する電磁放射の波長が互いに異なっており、
− 前記変換要素(4)が、機械的に自立性の半球体であり、
− 前記変換要素(4)が、セラミック材料からなり、
前記変換要素(4)が、半球状に前記半導体チップ(3)を包囲しており、
前記放射放出半導体チップ(3)の少なくとも1個が、動作時に白色光を放出する、
オプトエレクトロニクス部品(1)。 - 前記半導体チップ(3)と前記変換要素(4)との間に少なくとも1つの中間領域(6)が配置されており、前記少なくとも1つの中間領域が気体によって満たされている、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記変換要素(4)と前記接続キャリア(2)との間に、結合手段が配置されており、前記結合手段が前記変換要素(4)と前記接続キャリア(2)とに直接隣接している、
請求項1または請求項2に記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記放射放出半導体チップ(3)の少なくとも1個が、動作時に、赤色光または白色光のスペクトル範囲の電磁放射を放出する、
請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 白色光を放出する前記半導体チップ(3)が半導体ボディ(30)を備えており、前記半導体ボディ(30)の下流、放射出口領域に、さらなる変換要素(9)が配置されており、前記さらなる変換要素(9)が、動作時に前記半導体ボディ(30)において生成される電磁放射の少なくとも一部分を、黄色光のスペクトル範囲の電磁放射に変換する、
請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記接続キャリア(2)に光センサ(11)が固定されており、前記光センサ(11)が前記変換要素(4)と前記接続キャリア(2)とによって囲まれているように、前記光センサ(11)が前記変換要素(4)によって包囲されており、前記光センサ(11)が、動作時に前記放射放出半導体チップ(3)によって生成される前記電磁放射を動作時に検出するように設計されている、
請求項1から請求項5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記半導体チップ(3)と前記光センサ(11)(存在時)とが成形体(7)に埋め込まれている、
請求項6に記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記中間領域(6)が前記成形体(7)と前記変換要素(4)との間に延在しており、前記中間領域(6)が前記成形体(7)に直接隣接している、
請求項7に記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 光取出しレンズ(8)が前記変換要素の外面(4a)に隣接しており、前記外面(8a)が前記半導体チップ(3)とは反対側である、
請求項1から請求項8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記光取出しレンズ(8)が、
− 前記半導体チップ(3)の側の内面(8b)であって、半径Rconversionを有する内側半球面によって囲まれている、前記内面(8b)と、
− 前記半導体チップ(3)とは反対側の外面(8a)であって、半径Routerを有する外側半球面を囲んでいる、前記外面(8a)と、を有し、
前記半径Rconversionおよび前記半径Routerが、条件、
Router≧Rconversion*nlens/nair、
を満たしており、nlensが前記光取出しレンズ(8)の屈折率であり、nairが前記光取出しレンズ(8)の周囲物質の屈折率である、
請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。 - − 前記成形体(7)が、半径Rinnerを有する半球面によって囲まれており、
− 前記半導体チップ(3)が、有効面積Aを有する全放射出口面(33a)を有し、
− 前記有効面積Aおよび前記半径Rinnerが、条件、
A≦1/2*π*Rinner 2、
を満たしている、
請求項7に記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記有効面積Aおよび前記半径Rinnerが、条件、
A≧1/20*π*Rinner 2、
を満たしている、
請求項11に記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記変換要素(4)が、
オルトケイ酸塩、チオガレート、硫化物、窒化物、フッ化物、ガーネットのうちの1種類をベースとするルミネセンス変換物質、
を含んでいる、またはこのようなルミネセンス変換物質からなる、
請求項1から請求項12のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。 - 前記変換要素(4)が、
Eu3+、Mn2+、Mn4+のうちの1種類のドーパントによって活性化されるルミネセンス変換物質、
を含んでいる、またはこのようなルミネセンス変換物質からなる、
請求項1から請求項13のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
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