JP2012508970A5

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Publication number: JP2012508970A5
Application number: JP2011535869A
Authority: JP
Filing date: 2009-11-02
Publication date: 2012-12-20
Anticipated expiration: 2029-11-02

Claims

オプトエレクトロニクス部品（１）であって、
− 少なくとも２個の放射放出半導体チップ（３）が上に配置されている接続キャリア（２）と、
− 前記接続キャリア（２）に固定されている変換要素（４）と、
を備えており、
− 前記変換要素（４）が、前記半導体チップ（３）が前記変換要素（４）と前記接続キャリア（２）とによって囲まれているように、前記半導体チップ（３）を包囲しており、
− 前記放射放出半導体チップ（３）の少なくとも２個が、動作時に自身が放出する電磁放射の波長が互いに異なっており、前記変換要素（４）が、特に半球状に前記半導体チップ（３）を包囲しており、
前記放射放出半導体チップ（３）の少なくとも１個が、動作時に白色光を放出する、
オプトエレクトロニクス部品（１）。
前記半導体チップ（３）と前記変換要素（４）との間に少なくとも１つの中間領域（６）が配置されており、前記少なくとも１つの中間領域が気体によって満たされている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記変換要素（４）と前記接続キャリア（２）との間に、結合手段、特に、接着剤（５）が配置されており、前記結合手段が前記変換要素（４）と前記接続キャリア（２）とに直接隣接している、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記変換要素（４）がセラミック材料またはガラスセラミック材料からなる、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記放射放出半導体チップ（３）の少なくとも１個が、動作時に、赤色光または白色光のスペクトル範囲の電磁放射を放出する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
白色光を放出する前記半導体チップ（３）が半導体ボディ（３０）を備えており、前記半導体ボディ（３０）の下流、放射出口領域に、さらなる変換要素（９）が配置されており、前記さらなる変換要素（９）が、動作時に前記半導体ボディ（３０）において生成される電磁放射の少なくとも一部分を、黄色光のスペクトル範囲の電磁放射に変換する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記接続キャリア（２）に光センサ（１１）が固定されており、前記光センサ（１１）が前記変換要素（４）と前記接続キャリア（２）とによって囲まれているように、前記光センサ（１１）が前記変換要素（４）によって包囲されており、前記光センサ（１１）が、動作時に前記放射放出半導体チップ（３）によって生成される前記電磁放射を動作時に検出するように設計されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記半導体チップ（３）と前記光センサ（１１）（存在時）とが成形体（７）に埋め込まれている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記中間領域（６）が前記成形体（７）と前記変換要素（４）との間に延在しており、前記中間領域（６）が前記成形体（７）に直接隣接している、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
光取出しレンズ（８）が前記変換要素の外面（４ａ）に隣接しており、前記外面（８ａ）が前記半導体チップ（３）とは反対側である、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記光取出しレンズ（８）が、
− 前記半導体チップ（３）の側の内面（８ｂ）であって、半径Ｒ_conversionを有する内側半球面によって囲まれている、前記内面（８ｂ）と、
− 前記半導体チップ（３）とは反対側の外面（８ａ）であって、半径Ｒ_outerを有する外側半球面を囲んでいる、前記外面（８ａ）と、を有し、
前記半径Ｒ_conversionおよび前記半径Ｒ_outerが、条件、
Ｒ_outer≧Ｒ_conversion＊ｎ_lens／ｎ_air、
を満たしており、ｎ_lensが前記光取出しレンズ（８）の屈折率であり、ｎ_airが前記光取出しレンズ（８）の周囲物質の屈折率である、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
− 前記成形体（７）が、半径Ｒ_innerを有する半球面によって囲まれており、
− 前記半導体チップ（３）が、有効面積Ａを有する全放射出口面（３３ａ）を有し、
− 前記有効面積Ａおよび前記半径Ｒ_innerが、条件、
Ａ≦１／２＊π＊Ｒ_inner ^２、
を満たしている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記有効面積Ａおよび前記半径Ｒ_innerが、条件、
Ａ≧１／２０＊π＊Ｒ_inner ^２、
を満たしている、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記変換要素（４）が、
オルトケイ酸塩、チオガレート、硫化物、窒化物、フッ化物、ガーネットのうちの１種類をベースとするルミネセンス変換物質、
を含んでいる、またはこのようなルミネセンス変換物質からなる、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
前記変換要素（４）が、
Ｅｕ３＋、Ｍｎ２＋、Ｍｎ４＋のうちの１種類のドーパントによって活性化されるルミネセンス変換物質、
を含んでいる、またはこのようなルミネセンス変換物質からなる、
請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。