JP6045079B2 - 照明装置 - Google Patents

照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6045079B2
JP6045079B2 JP2013549382A JP2013549382A JP6045079B2 JP 6045079 B2 JP6045079 B2 JP 6045079B2 JP 2013549382 A JP2013549382 A JP 2013549382A JP 2013549382 A JP2013549382 A JP 2013549382A JP 6045079 B2 JP6045079 B2 JP 6045079B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflector
light emitting
radiation
emitting diode
heat removal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013549382A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014505982A (ja
JP2014505982A5 (ja
Inventor
ヴラジーミル ニコラエヴィッチ ウラシュク
ヴラジーミル ニコラエヴィッチ ウラシュク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Nauchno Proizvodstvennaya Kommercheskaya Eltan Ltd Firma
Original Assignee
Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Nauchno Proizvodstvennaya Kommercheskaya Eltan Ltd Firma
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Nauchno Proizvodstvennaya Kommercheskaya Eltan Ltd Firma filed Critical Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo Nauchno Proizvodstvennaya Kommercheskaya Eltan Ltd Firma
Publication of JP2014505982A publication Critical patent/JP2014505982A/ja
Publication of JP2014505982A5 publication Critical patent/JP2014505982A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6045079B2 publication Critical patent/JP6045079B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/0008Reflectors for light sources providing for indirect lighting
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/005Reflectors for light sources with an elongated shape to cooperate with linear light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/04Optical design
    • F21V7/043Optical design with cylindrical surface
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/22Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/24Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/22Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/28Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
    • F21V7/30Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/233Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating a spot light distribution, e.g. for substitution of reflector lamps
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/502Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
    • F21V29/505Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of reflectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Description

本発明は、電気・電子機器に関連し、とりわけ変換フォトルミネセンス蛍光の変換によるLEDに基づく白色光源に関連している。
効率的なLED、特に窒化物(InGaN系)の開発における最近の進歩のおかげで、当技術分野で知られているすべての白色光源の達成可能な限り最高の効率のため、固体照明技術は、白色照明市場を制覇し始めている。線形照明や街路照明など、比較的大きく、激しく加熱されるLEDは、熱の効率的な除去を容易にするように分配することができるため、LEDによる解決策が広く、照明装置に使用されている。省エネ問題を解決するための重要な見通しの観点から、スモールフォームファクタと高い光束を有する標準的な白熱灯やハロゲンをLEDに交換するための開発は、最も重要な科学的、技術的課題の一つであるが、しかしながら、その解決策は、制御電子回路(ドライバ)をインストールするための限られた空間と、このようなランプのLEDが放出する熱を除去するための比較的小さな表面積によって著しく妨げられる。
白色LEDは多くの場合、YAG:Ce系蛍光体でコーティングされた青色LEDを含む。ハイパワー(1ワット以上)の複数の青色LEDは30〜45%程度の効率を有し、それぞれ適用されるワットから約550から700mWがユニット加熱に割り当てられる。さらに蛍光体は、白色LEDで、青色光が黄色光に変換する際に、入射光エネルギーの約20%が、蛍光体の加熱に費やされると考えられている。技術仕様は、青色LED放射電力損失が25℃〜125℃の温度で約7%、白色LEDの電力損失は、同じ温度約20%であることを示唆する。それゆえ、高出力の白色LEDは、熱や光束に実質的な限界がある。本発明の目的は、既知の技術的解決法が克服した、スモールファクタのLEDランプを提供し、標準電球に差し替えることである。
標準的な白色光ランプに取って代わるよう設計されたLEDランプの構造はLEDチップに基づいている。白色光は、LEDチップから放出された放射線の混合と、青、緑および、またはおよびオレンジなどの異なる光色の混合の結果である。
しかし近年では、黄色またはオレンジ色(赤色)の光を放射し、LEDチップの青色や紫外線を吸収する光輝性蛍光体変換を伴うLEDの白光源が最も広く普及している。図1は、この種の白色光源の動作原理を説明するための図である。
この装置は、比較的長波の第二の放出に対する反応として、前述の比較的短波の照射を受け、特定の比較的短波放射が活性化され、放出される主に比較的短波放射と変換光輝性蛍光体媒体を放出するLEDチップを構成する。特定の実施形態では、チップからの青色モノクロまたはUV放射線放出は、ポリマーマトリックス中の有機および/または無機蛍光体(蛍光体光輝)にチップを配置することによって白色光に変換される。
図2は、米国特許6,351,069に記載されている、既知の光輝蛍光体の変換を伴う白色LED光源を示している。
白色光源110は、LEDチップ112窒化物を含んでおり、励起されると、プライマリ青色放射線を放出する。チップ112は、反射カップ114の導電性枠上に配置され、電気導体116及び118に接続されている。導体116および118は、チップ112に電力を提供する。チップ112は、放射122の波長を変換する変換材料を含む透明樹脂層120で覆われている。層120を形成するために使用される変換材料の種類は、材料122によって生成される二次放射線の求めるスペクトル分布に応じて適宜選択することができる。チップ112及び蛍光体層120は、レンズ124で覆われている。レンズ124は通常、透明なエポキシ又はシリコンで作られる。白色光源を使用する場合は電圧が、一次放射線がチップの上面によって放出される、チップ112に供給される。放出された一次放射は、層120における変換材料122によって一部吸収される。その後、一次光の吸収に応答して変換材料122は、二次放射線を放出する、すなわち、より長い波長のピークを有する光を変換する放出された一次放射の残りの未吸収部分は、二次放射線と共に変換層を透過する。レンズ124は、出射光として矢印126で示した一般的な方向に吸収されていない一次放射線と二次放射線を導く。従って、出射光は、チップ112から放出された一次放射線と変換層120によって放出される二次放射線から構成される複雑な光である。変換材料はまた、装置内に残る少量のみ、あるいはすべての一次光は、可視である二次光を放出する二つ以上の変換材料と組み合わせた第一のUV光を発するチップの場合のように構成することができる。
LED表面に形成されているフォトルミネセント蛍光体層を含む、当該技術分野で知られている上述の装置は、いくつかの不利な点がある。光ルミネセント蛍光体が光ルミネセント燐光体層を介して放射伝搬の角度に応じて光路長の大幅な変化によるLEDの表面と直接、機械的、光学的及び熱的に接触しているときの色均一性を達成することは困難である。さらに、加熱LEDの高温は望ましくない色が光輝蛍光体の座標の変更や劣化につながることがある。
指定された不利な点を解消するために我々は、LEDから離れた波長変換器を伴う白色光源を提案し、その動作原理を図3にて説明する。照明の配置は、この原則に従って構築されており、例として米国特許6,600,175(B1)を図4に示す。この白色光源は、内部容積を有する透明媒体211によって形成されたシェル207を備える。媒体211は例えば、透明なポリマーまたはガラス等の光を透過する任意の適切な材料で形成することができる。媒体211の内部容積は、ベース214に載置された発光ダイオード(LED)チップ213を備えている。第一及び第二の電気的接点216および217は、LED213チップの218と219それぞれの放射面と裏面、また導体212による第一の電気的接点216に隣接してLED218の放射面に接続されている。媒体211を透過した光は、その蛍光及び/又は燐光成分、またはそれらの混合物、または、白色光にLED213の側面218によって放出される放射線に変換するフォトルミネセンス燐光体媒体に関連付けられている。フォトルミネセント蛍光体は、媒体211のシェル207内で散乱、および/またはシェル207の表面の内壁にフィルムコーティング209の形態で配置される。あるいは光ルミネセント蛍光体は、外部被覆が十分に維持されている場合(例:摩擦や劣化の対象とならない)のように、シェルが単独にある環境下でアセンブリシェルの外壁上でコーティングされる(図示せず)。例えば、フォトルミネセント蛍光体は、ポリマーやガラス溶解物中に分散させることができ、シェルは、そこからシェルの均一な組成物を提供し、シェルの全表面からの光出力を確保するために形成される。
リモート円筒形変換機を持つ細長い白色LED照明は、米国特許US7,618,157(B1)に記載の技術で知られている。その構成は、概略的に図5に示す。照明器310は、線形ヒートシンク312を備え、LED314は、複数のヒートシンクの長辺に沿ってヒートシンク312に装着され、発光ドーム316はLED314に対面して位置するドーム316の半円形部分318は、LEDの光に励起される光輝蛍光体3210を構成する、LED314と同じライン上のヒートシンク312に取り付けられた、LEDが314に対して位置ドーム316のセクションの半円形部分318を、前記LEDからの光により励起され光ルミネセンス蛍光体320を含む。ヒートシンク312は、アルミニウム等の熱伝導性材料で作られている。ドーム316は、ガラスまたはプラスチックのような透明材料で形成されている。光輝蛍光320は、ドームの内側のコーティングとして適用またはコーティング材料に導入することができる。LED両側のヒートシンクに取り付けられている光ルミネセント燐光を持たない平坦部326は、アルミニウムコーティングのような内部反射面328を有し、ドーム部318に発光ダイオード314から来る光を反射する。
変換層は、蛍光体材料、量子ドット材料、このような材料の組み合わせを含むことができ、さらに、透明なホスト材料を含むことができ、前記蛍光体材料および/または量子ドット材料が分散されている。
なお、光輝性蛍光体材料の粉末を含む層は、伝導・吸収・反射し、その上に入射する光を放散させることが知られている。この層は、光を消費するとき、それはまた、伝導・吸収し、散乱光の一部を反射することができる。この事実により、既知の発明は、LED放射の影響下の光輝蛍光粒子内で励起された放射は、反射されたLED放射と同様、機器の蛍光層と内部組織に必然的に部分的に吸収され、白光源の効率を下げるとしてきた。
山田[1]とナレンドラン[2] は、黄色の波長範囲の放射線に変換される、約470nmの波長の青色光照射によって励起る光輝蛍光YAG:Ceの変換層から前後に伝播する放射部分の割合を測定した。ナレンドランはこの場合、変換層によって放出・反射された光の60%以上は励起源に戻って延びており、この光の大部分は、LEDアセンブリ内に失われることを証明した[2]。後方へ向かいつつ前方へも向かう放射のバランスのとれた白色光ポーションを作り出す8mg/cmでの密度の光屈折率を有するエポキシ樹脂1.6に混入された可視屈折率1.8のYAG:Ce光輝蛍光体の場合、青と黄色の光それぞれ53%と47%の放射を含む一方で、黄色の場合はそれぞれの割合が55%と45%であることが証明されている[3]。
したがって、そのため、光束の著しい増加とLED白光源変換の最高の効率は、全ての状態においてLED光源の出射孔へのリモート変換機のLED放射の照射を即時に受けた光ルミネセンス蛍光体表面からの放射を導くことによって等しく達成可能である。
同様の技術的解決法は、特許US7,293,908(B2)に提案されており、この特許によって完成した、サイドライト放射結合の照明装置の具現化を主張し、LEDから遠隔である反射板の上に位置する変換層を含む。
この装置は、プロトタイプとして選択された本発明に基づく装置と最も類似している。
本特許に従って実装側光放射結合のある白色光源の動作原理を、側光放射連結照明システムの記載の実施形態の一つの断面である図6にて説明する。
側光放射連結照明システムは、LED402、第一リフレクタ404、第二リフレクタ406、出口開口部412、変換層602、追加の透明カバー層408、第二リフレクタ406を第一リフレクタ404と分ける支持手段から構成される。支持手段は、平らな透明素子502、サイドサポート504、ベース506を含む。サイドサポート504は、透明または反射する素材であることが望ましい。第一反射体404はベース506に取り付けられている。第二リフレクタ406は平らな透明素子502に取り付けられている。変換層602は、第二リフレクタ406の表面上に位置し、LED402の活性領域によって放射された一次放射の少なくとも一部を一次放射波長とは異なる波長を有する放射線に変換している。
説明のために、側光放射連結照明システムの動作を説明する光線414、415、416について考慮しよう。最初の色の光線414は、LED402の活性領域によって放射され、LED402出射面に向けられる。最初の色の光線414は、LED402の出力面を通過し、透明カバー層408に向けられる。最初の色の光線414は、透明カバー層408を通過し、最初の色の光線414を最初の色とは異なる第2の色の光線415の中で変換する変換層602に向けられる。第二の色の光は、波長変換の点から任意の方向に出射させることができる。第二の色の光線415は、透明カバー層408を通って導かれると、その後、出口開口412を通って最初の反射鏡404に導かれる。第二の色の光線416は、リフレクタ404によって反射され、平坦な透明部材502に向けられる。第二の色の光線416は平坦な透明部材502を透過して側光放射カップリング照明システムを出る。
このシステムの欠点は、大口径損失と、支持手段との境界での反射器上の光の損失である。
これらの欠点を克服するための試みが米国特許7810956(B2)に記載されているサーチライト型の別の公知の白色光源で行われた。
図配置およびこのような装置の動作原理を示す図7は、米国特許第7,810,956(B2)において特許請求されている本発明の実施形態のいずれかに記載のサーチランプの断面図である。光源730はファスナー734と付加的な熱ヒートシンク736上に配置されている。図7に示すように、熱ヒートシンク736は、ひれを付けることができる。光源730によって放射され、光源730の周囲のミラー732に反射される光は、光板738に照射される。波長変換層742は、光源730から分離され、光源730からの光を受光できるように配置されている。付加的な熱ヒートシンク744は、変換層742を冷却すること。収集光740は光を平行にする。光源730として、短波光、例えば、青色又は紫外光を発生するLEDを使用する。光源730は、追加ファスナー734上に配置され、付加的な熱ヒートシンク736に取り付ける。光学プレート738は、収集光学系740に光を向けるように形成する。例えば、側部748は、傾斜した又は全内部反射の収集光学系740に光を向けるように傾斜をつける。
このシステムの欠点は、大口径損失、及びその効率を排除する光源、鏡、および変換層を有する光板の境界における光の損失である。さらに、平行にする光学系からの出射光光線がかなり細く、ハロゲンランプを使用したとしても、出射された光線の十分な開口角を有する小さな波形率の標準ランプの代替として使用する照明機としては許容できないことである。
ここに提案する発明は、リモート変換器付きの白色LED光源の最大効率を提供し、高い色均一性とレンダリングと同様に、照明装置のフォームファクタが小さく、光ビームの幅の広い開口角を提供するという目的に基づいている。
ここに示す発明が提案する発光機は、1つまたは複数のLEDを持つ一次放射源、そのLEDが接続された平坦な周辺有する熱除去基盤、LEDに対向する光反射面を有するリフレクタおよび一次放射を二次放射線変換、LEDとリフレクタの間に取り付けられた変換層で構成される。対象問題は、光放射連結するための熱除去基盤、端が熱除去基盤上に設置されたLEDに接近した開口部を有することにより解決され、変換層の特定の表面はLEDの照射を受け、LEDの照射を受ける変換層の反射板表面は、一次放射源と開口部とに対向する凹面を有する凹形状をしている。
図である。 白色LED光源を示している。 図である。 米国特許6,600,175(B1)を示す図である。 米国特許US7,618,157(B1)に記載の技術の構成を概略的に示す図である。 側光放射連結照明システムの記載の実施形態の一つの断面図である。 装置の動作原理を示す図である。 照明装置の断面を概略的に示す図である。 図である。 付加リフレクタを備えた照明装置の実施形態の具体的な詳細な模式図である。 付加リフレクタを有する照明装置の別の特定の実施形態を示す図である。 図である。
本発明の開示内容は提案された照明装置の断面を概略的に示す図8で説明する。
照明器は、1または複数のLED1を有する一次放射源、絞り3および複数のLED1が接続され表面4が取り付けられた熱除去基部2、LEDに対向する光反射面6を有するリフレクタ、一次放射8を二次放射線9に変換し、LED1に対向する凹面10を有している変換層7と、光反射面6と対向する凸面11で構成され、変換層7は、複数の発光ダイオード2と反射面6との間に配置される
照明機能は下記のように機能する。LED1の一次放射線8は、変換層7の表面10に到達し、表面10から部分的に反射され、熱除去基盤2の開口部3を通って出て、フォトルミネセンス燐光体粒子に部分的に反射され、変換層7で浪費され、変換層7における二次放射線9への物質変換で部分的に吸収される。同時に、光反射面06に到達した一次放射8の一部は、変換層7に反射し返され、再び、変換層7の光輝性蛍光体による二次放射線9への変換を行う変換層7の材料によって部分的に吸収される。この場合には、一次放射8の特定の部分は、照明装置の開口部3を介して変換層へと出て行き、二次放射線9と混合して白色放射線を形成するが、スペクトル分布は変換層の材料、主に組成、光輝性蛍光体の分散と変換層の厚さといったの特性によって決定づけられる。
蛍光体は通常、希土類元素(ランタノイド)のイオン、あるいは、クロム、チタン、バナジウム、コバルト、ネオジムのイオンを塗布した光学用無機材料である。ランタニド元素は、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムである。光無機材料としては(これらに限定されないが)、サファイア (Al)、ガリウム砒素(GaAs)、酸化ベリリウムアルミニウム(BeAl)、フッ化マグネシウム(MgF)、リン化インジウム(InP)、リン化ガリウム(GaP)、イットリウムアルミニウムガーネット(YAGまたはYl512)、テルビウム含有ガーネット、イットリウム−アルミニウム−ランタノイド酸化物化合物、イットリウム化合物、ランタニド・アルミニウム・ガリウム酸化物、酸化イットリウム(Y)、カルシウム又はストロンチウム又はバリウムハロリン酸塩(Ca,Sr,Ba)(PO(Cl,F)、CeMgAl1119化合物、リン酸ランタン(LaPO)、ランタノイド五塩基剤((lanthanide) (Mg,Zn) B10)、BaMgAl1017化合物、SrGa化合物、化合物((Sr,Мg,Ca,Ba)(Ga,Аl,In)、亜鉛化合物、チッ化ケイ酸塩である。
250nm以下またはこれに近い波長の紫外線で励起することができるいくつかの典型的な光ルミネセンス蛍光体がある。型的な赤色発光ルミネセンス蛍光体は、Y :Eu +3 である。典型的な黄色発光ルミネセンス蛍光体は、YAG:C +3 である。典型的な緑色発光ルミネセンス蛍光体には、CeMgAl11 b<3+>、(ランタノイド)PO:C +3、T およびGdMgB10:C +3、T を含む典型的な青色発光ルミネセンス蛍光体は、BaMgAl 10 17 :Eu +2 および(Sr、Ba、Ca) (PO Cl:Eu +2 である。400〜450nmまたはそれに近い波長域を有する、より長いでの起LEDに対して典型的な光無機材料としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG又はYAl12)、テルビウム含有ガーネット、酸化イットリウム(Y)、YVO SrGa、(SR、Мg、C、B(Ga、Al、In) 、SrSおよび窒化ケイ酸塩を含む400〜450nmの波長域での励起LEDに対する典型的な発光ルミネセンス蛍光体としては、YAG:Ce +3 YAG:Ho +3 YAG:Pr+3、SrGa:E +2、SrGa:C +3 、SrS:Eu +2 およびEu +2 をドープした窒化ケイ酸塩を含む。量子ドット材料は、約30ナノメートル未満の無機半導体微粒子である。典型的な量子ドット材料が挙げられる(これらに限定されない)のCdS粒子、CdSeの、ZnSeの、InAsを、GaAs及びGaN系を含む。量子ドット材料は、粒子サイズ、粒子の表面特性、及び無機半導体材料に依存して異なる波長を有する光を再放出し、1つの波長の光を吸収することができる。
変換層は、蛍光体材料又は量子ドット材料の種類及びフォトルミネセンス蛍光体材料と量子ドット材料の混合物の両方を含むことができる。それは白色光(高演色)の広いスペクトル範囲を有することが望ましい場合、そのような材料の複数の混合物を使用することが適当である。高演色で温白色光を得るための典型的な取り組みの一つは黄色と赤色変換光ルミネセント蛍光体の混合物の放射線でInGaNのレッドの混合放射である。変換層は、波長の長いLEDが発する光によって放出された光を吸収する複数の光燐光体を含むことができる例えば、青色LEDのために、変換層は、単一のフォトルミネッセンス発光する蛍光体と黄色光、又は赤色及び緑色の光を発光する複数のフォトルミネセント蛍光体を含むことができる。紫外LEDについては、変換層は、青色光と黄色光、又は青色、緑色、赤色光を発する蛍光を発するフォトルミネッセンス光ルミネセント燐光体を含むことができる。フォトルミネセンス蛍光体は、色座標およびイルミネータからの混合光の出射のレンダリングを制御するために、付加的な色を発することを添加することができる。
透明なホスト材料は、ポリマーと無機材料を含むことができる。ポリマー材料は(しかし、これには限定されない)、アクリレート、ポリカーボネート、フルオロアクリレート、パーフルオロアクリル酸塩、フルオロリン酸ポリマー、フルオロシリコン、フルオロポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロシリコン、ゾル−ゲル、エポキシ樹脂、熱可塑性樹脂、熱収縮プラスチックとシリコンを含む。含フッ素ポリマーは、波長範囲の光のその低吸収による、400nmおよび赤外線の波長より長い700nmより短い波長の紫外域で、特に便利されている。典型的な無機材料は、二酸化ケイ素、光学ガラスやガラスカルコゲニドを含む。(しかし、これらに限定されていない)
変換層の光ルミネセント蛍光体は、例えば、液体中の光輝性蛍光体懸濁液から、粉砕し、ペースト化し、堆積し、又は電気内方浸透を行うことにより、光リフレクタへのコーティングとしてコンフォーマルに適用され得る。光輝性コーティング蛍光体反射板に関連する問題の一つは、リフレクタが円筒形または半球形、例えば非平面表面を有する場合は特に、リフレクタ上に均一な再現性のコーティングを適用している液体懸濁液を粉砕し、貼り付け、蒸着法が適用されるときに、基板にフォトルミネセント蛍光体粒子を適用するために使用される。コーティングの均一性が大幅に懸濁液の粘度、懸濁液中の粒子濃度、及び、周囲温度および湿度などの環境要因に依存する。塗布乾燥前の懸濁液に流れによる欠陥、およびコーティング厚さの変化は、通常の日常の問題として分類される。
場合によっては、フォトルミネセンス蛍光体を、押し出しによって成形されたポリカーボネート、PET、ポリプロピレン、ポリエチレン、アクリルなどの例えば透明プラスチックのコーティング材料に添加することが好ましいこの場合には、変換層は、熱シートにあらかじめ製造され、次いで、所望の形状に成形されうる。成形する前に、例えばアルミニウムや銀からなる光反射コーティングは、真空蒸着によってシートの片面に塗布することができる。コンフォーマルとなるように予め形成された放熱器の反射面の変換層は、例えば、変換層と放熱器の反射面の間に位置するシリコン系粘着剤によって反射面に結合することができる。この場合には、接着剤層は薄くすることができ、例えば、変換層よりも薄くすることができ、変換層から熱を除去するに際して、大きな熱抵抗を維持することができない。
イルミネータの具体的な実施形態の一つにおいて、予め形成されたシートを真空熱蒸着によって適用されるアルミニウムの薄層(0.5ミクロン)で銅または黄銅円筒形リフレクタに貼り付けされ、使用されている有機溶媒は、光輝性蛍光体、界面活性剤(界面活性剤)、ポリマーの懸濁液を調製するために使用される次いで懸濁液を押し出し又は金型鋳造によりシート状に成形することができ、またはそれは、平坦な基板上に、例えばガラス基板上にがれ、その乾燥される。得られたシートは、仮基板から分離され、リフレクタに取り付けられ、溶媒またはシアノアクリレート接着剤を使用することができ。シートで被覆されたリフレクタは480℃に加熱し、ポリマーマトリックスは光輝性蛍光体コーティングを残し、焼失されている。
図9に示すように特定の実施例では、厚さが異なるシートは、イットリウム・ガドリニウム・セリウムアルミニウムガーネット(Y、Gdの、Ceの)塩化メチレン中のポリカーボネート溶液中の3Al12をもとにして実験フォトルミネセント蛍光体粒子の懸濁液から押出成形により形成した。変換層は、イルミネータ開口から混合された白色光の出射の必要な色座標値を達成するのに十分な厚さでなければならない。有効厚さは、光散乱使用されるフォトルミネセンス燐光体の処理と範囲に基づいて定義され、例えば、5〜500μmで、最も頻繁には100〜250μmである。
ソプロパノールリフレクタを湿らせ、所望の形状の雄型を用いてシートを加圧することによって、シートを、円筒状のリフレクタに固定した。溶媒は、シートを軟化及び反射シートへの完全な密着性を確保するために、その下から気泡を絞り出すことができる。コーティングされたリフレクタはポリマーを燃焼するために480℃の空気中でアニールされ、その結果、光ルミネセンス蛍光体で覆われた円筒形の反射鏡となる。さほど複雑ではない形状の反射体は、透明なシリコンバインダーと光ルミネセント蛍光体との混合物で被覆することができ、次いで、この混合物がアニールされる。この場合には、シリコンバインダーはアニールによって除去されない。空気中で480℃に加熱された後、青い光を橙色から赤色に変換するフォトルミネセンス蛍光体は、完全な無駄になるまで分解されてしまう可能性がある事を考えるべきである
この場合には、より低い燃焼温度を有する他のポリマーを使用しなければならない。
変換層の表面は、透明保護層により追加的に被覆することができ、この保護層は、変換層への水分および/または酸素の進入を防止する。というのも、フォトルミネッセンス、蛍光体の種類によっては、例えば硫化物は、水分攻撃による損傷を受けやすいからである。保護層は、変換層へ水分および/または酸素が浸透するのを防止する任意の透明材料から作ることができ、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸化アルミニウム、および、有機ポリマーまたはポリマーと複数の無機層との組み合わせなどの無機材料からなる
保護層に好適な材料としては、二酸化ケイ素および窒化ケイ素である。
保護層はまた、光ルミネセンス蛍光体のの境界を空気によって光学的にクリアすることができ、かつ、この境界でのLED一次放射線と光ルミネセンス蛍光体の二次放射線の反射を減らすことができ、粒子内の光ルミネセンス蛍光体の自己放射の吸収損失を低減し、これにより、照明装置の効率を高める。保護層はまた、フォトルミネセンス蛍光体粒子の表面仕上げ処理によって適用されることができ、とりわけ、粒子の表面にケイ酸亜鉛のナノサイズ50〜100nmの膜を形成させ、これにより光ルミネセンス蛍光体の粒子の境界をクリアにする
要に応じて、追加的に開口が、光学的に透明な窓で気密を保って密閉されてよく、これにより照明の内部体積を不活性雰囲気で満たすか又は排気することができる一方で、水分および/または酸素から変換層を保護することができる。
変換7の表面10および反射板5の表面6は、例えば、熱除去基部2における開口部3の平面に平行な面によって切断された軸対称の図形(球、楕円、放物面、またはその他)または表面対称図形(例えば、円柱)として形成することができる。こ場合、複数のLED1は、熱除去基部の前記と変換器7の表面10とが交差する、従来のラインに沿って、その近くに位置する変換器の表面10の形状と放射指向ダイアグラムに基づくLEDの位置最適化することにより、開口部から出る前の変換器7の空洞内部で反射された放射線の異なる角度および再分配において、LEDの放射の変換器の表面10への入射角に従って、照明から出てくる色の均一性及び放射の角度分布を向上させることができる。
仕様からわかるように、CREEにより製造された強力な青色LED SL−V−B45AC2またはEZBright1000ファミリーチップのSemiLEDsのチップにおいては、LEDチップの放射指向性図は、ランバー布(LEDチップの表面に対して90°の傾斜角度を有する光円錐)を有することができ、または、例えば、LEDチップの表面上に形成された量子サイズの格子構造を用いて放射が結合されている場合には、度α<90°を有するより狭角の円錐に限定されるこの場合には、LEDは、LEDの放射指向性図の軸が角度β≧90°−α/2で反射鏡の対称軸に交差するように、熱除去基部上に配置することができる。
しかし、LED一次放射線における一定の比較的小さな部分が直接外側に照明開口を伝播し、そしてユーザーがLEDライトに直接アイコンタクトする可能性を避けるために、熱伝導ベース2は、照明の外側へ向かう一次放射の直接覆う突起12を含むことができ、これにより変換7の表面10をバイパスす。LED一次放射のより完全な利用を確保するために、熱伝導ベース2の突起12は、付加リフレクタを有し、この平面ミラー部13は、そこに当たる一次放射を変換器7の表面10へ向ける。付加リフレクタを備えた照明装置の実施形態の具体的な詳細を、模式的に図10に示す。本実施形態の照明装置は、図8に示した要素に加えて、反射コーティング13と突出部12を含み、図8および図と同じように番号が付けられている。付加リフレクタを有する照明装置の別の特定の実施形態、図11に詳細に示され、固定されたLED1を有するベース2の領域における照明装置の拡大断面図8に示しており、対応する構成要素には図8と同様に番号が付されている(正確な縮尺ではない)。付加リフレクタは、LEDチップ1と変換器7の間に位置する傾斜面15(例えば、軸対称形状の変換器の場合には、平面で切断された円錐面がベースを上向きに置く)であり、その反射は、傾斜面に当たるLEDチップ1から放射の一部をほぼ完全に変換器7の反対側へと向け直すことができ、照明から出ていく放射を均質化する。LEDと変換層によって放出される光の反射を増加させるために、放熱器におけるリフレクタの表面は、とりわけ、放射線を均質化するために研磨れ又艶消しされ、高い光学反射を有するコーティングで覆うことができる。リフレクタの表面は、放熱器から離れた別個のミラーとして形成されてもよいが、熱伝導層を介して熱的に接触を維持することができる。反射コーティングのための好適なコーティングおよび材料としては、銀、アルミニウム、ダイクロイックコーティング、アルミニウムの反射率を高めるためにダイクロイックコーティングと組み合されたアルミニウム、および、ゾルゲル法により形成される酸化チタン、酸化アルミニウム等の材料を含む。照明装置にかかる本実施形態では、LEDチップ1が、0.15〜0.2μmの厚さのアルミニウムまたは銀のフィルムとして作られたリフレクタ6の対称軸にLEDチップ1の表面の法線が平行になるようにベース2上に位置する(又は小さい角度をなしている)されており、このフィルムは半球状のガラスキャップ17の内面に真空熱蒸着によって適用され、アルミニウム半球状のキャップ19に弾性耐熱性化合物18により接着され、キャップ19はLEDチップ1のための第2共通電極として機能し、該チップは複数の導体14および金属被膜15を有するポリイミドリボン16を用いて並列に第2共通電極へ接続されている。光反射性を高めるために、ポリイミドリボン上の金属コーティング15は薄いアルミニウム層で被覆され、電気接点であることに加えて付加リフレクタとして機能している。LEDのこのレイアウトによって一次射は、観察者の目に直接入らない。第1の電極がベース2であってLEDチップ1が半田付けされ、放熱器22は、ベース2との電気的及び熱的に接触している。電力は、リフレクタ6の対称軸と軸方向に整列してキャップ19の頂部に溶(又ははんだ付け)を介して接続され、かつ、放熱器22の内面21における電気的に絶縁された貫通孔(不図示)を介して、放熱器本体(不図示)の上部に作られた対応するキャビティ内に位置する供給ドライバに接続されている中央円筒出力(図11では不図示)によってキャップ19(図11には示されていない)に供給される。
半球状のキャップ19は、放熱器22の本体20内面21の耐熱性、熱伝導性化合物と結合している。
半球状のキャップ17は、熱伝導性セラミックからなることができる。半球状のキャップ19は、ステンレス鋼、銅、黄銅、コバール、または同様な材料で作ることができる。
キャップ19、コバール又は比較的良好な熱伝導性と比較的低い熱膨張係数とを有する他の類似の合金で作られており、変換で使用されるフォトルミネッセンス蛍光体の熱膨張係数に最も近い場、照明装置の設計は、単純化され安となり、キャップ17無しで作成されうる。この目的のために、反射用のアルミニウム又は銀のフィルムが、コバールキャップ19の内面に真空熱蒸着(またはその他)によって、直接的に、または、前述の方法のいずれかを用いたフォトルミネセント蛍光体層の堆積に続中間薄膜の誘電体被覆を介して印加される。
キャップ19は、アルミニウムで形成されている場合は、ステンレス鋼、フォトルミネセント蛍光体フィラー、また照明装置と、プラスチック製の変換器7の熱膨張係数に最も近い比較的高い熱膨張係数が銅、黄銅または類似の材料キャップ17なく行うことができる。
この目的のために、キャップ19の内側表面研磨され、および/またはアルミニウムや銀反射膜が、直接的に、または予め形成されたプラスチック変換機7を貼り合わせることに中間体薄膜の誘電体被覆を介して、真空熱蒸着によって適用される。
LEDチップ1とワイヤコンタクト14は、LEDアセンブリの製造に適用される周知の技術を用いた光化合物23で封止することができる。
放熱器22は、例えば銅やアルミニウムなどの任意の適切な材料で作ることができる。放熱器は、図12に示すように、例えば、伝熱面を高めるためにリブすることができるシートです。図9に示しているように、ハンレッドの製、SL−V−B35AK型を用いたLEDチップは、板厚に応じて160〜200ルーメン/Wの効率を達成し、白い線状光源装置半円柱状のサンプルを、製造するために使用された。
参照者
1。山田、K.、今井、Y.、石井K.、”青色LEDとYAG蛍光体で構成光源装置の光学シミュレーション、” J.ライト&ヴィス。 27(2)、70−74(2003)。
2. ナレンドラン、N.、グー。 Phyは”白色LED効率を改善する蛍光散乱光子を抽出” Y.、フレシニャーJ.、朱、Y. 身体的な統計溶媒(a)202(6)、R60−R62(2005)。
3. ジュー Y., N. ナレンドランとY.グー。“YAGの光学的性質の解明:固体照明に関するCe蛍光”第6回国際会議議事録。”SPIEの議事録 6337, 63370S (2006).
リモート光輝は変換機を反映した白色LED光源

Claims (13)

  1. 一または複数の発光ダイオードからなる一次放射線源と、
    前記発光ダイオードが固定される表面を有する熱除去基部と、
    表面に当たる前記発光ダイオードの前記一次放射線を二次放射線へ変換する変換材料層として設計された放射線変換器と、
    当たる放射線を反射する表面を有するリフレクタと、
    を備え、
    前記放射線変換器は、前記一次放射線源及び前記反射面近傍の前記リフレクタとの間に位置付られ、
    前記リフレクタ及び前記変換器は、前記一次放射線源から所定の距離で位置しており、
    前記熱除去基部は、放射出力のための開口部を有しており、
    前記発光ダイオードにより照射される前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、凹状を有し、この凹部は前記開口部と前記発光ダイオードに対向し、
    前記発光ダイオードは、前記開口部の周囲の近くに配置され、
    前記一次放射線が照射される前記変換器の凹面の反対側にある、当該変換器の凸面と、前記リフレクタの前記凹面とは、光学的に透明な媒体で区切られている、照明装置。
  2. 一または複数の発光ダイオードからなる一次放射線源と、
    前記発光ダイオードが固定される表面を有する熱除去基部と、
    表面に当たる前記発光ダイオードの前記一次放射線を二次放射線へ変換する変換材料層として設計された放射線変換器と、
    当たる放射線を反射する表面を有するリフレクタと、
    を備え、
    前記放射線変換器は、前記一次放射線源及び前記反射面近傍の前記リフレクタとの間に位置付られ、
    前記リフレクタ及び前記変換器は、前記一次放射線源から所定の距離で位置しており、
    前記熱除去基部は、放射出力のための開口部を有しており、
    前記発光ダイオードにより照射される前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、凹状を有し、この凹部は前記開口部と前記発光ダイオードに対向し、
    前記発光ダイオードは、前記開口部の周囲の近くに配置され、
    前記熱除去基部は、一次放射線が前記開口部へ直接出力されるのを防ぐ突起部を備え、
    前記熱除去基部の前記突起は、そこに当たる前記一次放射線を前記変換器の前記反対側の表面へと導く平坦なミラー部を備える、照明装置。
  3. 一または複数の発光ダイオードからなる一次放射線源と、
    前記発光ダイオードが固定される表面を有する熱除去基部と、
    表面に当たる前記発光ダイオードの前記一次放射線を二次放射線へ変換する変換材料層として設計された放射線変換器と、
    当たる放射線を反射する表面を有するリフレクタと、
    を備え
    前記放射線変換器は、前記一次放射線源及び前記反射面近傍の前記リフレクタとの間に位置付られ、
    前記リフレクタ及び前記変換器は、前記一次放射線源から所定の距離で位置しており、
    前記熱除去基部は、放射出力のための開口部を有しており、
    前記発光ダイオードにより照射される前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、凹状を有し、この凹部は前記開口部と前記発光ダイオードに対向し、
    前記発光ダイオードは、前記開口部の周囲の近くに配置され、
    前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、前記熱除去基部における前記開口部の平面に平行な面によって切断された面対称の図形として形成され、
    前記発光ダイオードは、各発光ダイオードの放射指向性図の軸が、前記発光ダイオードのそれぞれの前記指向性図の半値幅と90°との差と等しいかそれよりも小さな角度で前記リフレクタの対称軸に交差するように、前記熱除去基部に固定される、照明装置。
  4. 一または複数の発光ダイオードからなる一次放射線源と、
    前記発光ダイオードが固定される表面を有する熱除去基部と、
    表面に当たる前記発光ダイオードの前記一次放射線を二次放射線へ変換する変換材料層として設計された放射線変換器と、
    当たる放射線を反射する表面を有するリフレクタと、
    を備え、
    前記放射線変換器は、前記一次放射線源及び前記反射面近傍の前記リフレクタとの間に位置付られ、
    前記リフレクタ及び前記変換器は、前記一次放射線源から所定の距離で位置しており、
    前記熱除去基部は、放射出力のための開口部を有しており、
    前記発光ダイオードにより照射される前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、凹状を有し、この凹部は前記開口部と前記発光ダイオードに対向し、
    前記発光ダイオードは、前記開口部の周囲の近くに配置され、
    前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、前記熱除去基部における前記開口部の平面に平行な面によって切断された面対称の図形として形成され、
    前記発光ダイオードは、各発光ダイオードの放射指向性図の軸が、前記リフレクタの対称軸に対して平行かまたは鋭角をなすように、前記熱除去基部に固定され、
    前記変換器の前記表面と前記発光ダイオードとの間の前記熱除去基部は、そこに当たる一次放射を前記変換器における反対側の表面へと導く傾斜した反射鏡部を備える、照明装置。
  5. 前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、前記熱除去基部における前記開口部の平面に平行な面によって切断された軸対称の図形として形成される、請求項1または2に記載の照明装置。
  6. 前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、前記熱除去基部における前記開口部の前記平面に垂直な主軸を有する球体または放物体として形成される、請求項に記載の照明装置。
  7. 前記図形は、回転楕円体である、請求項に記載の照明装置。
  8. 前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、前記熱除去基部における前記開口部の平面に平行な面によって切断された面対称の図形として形成される、請求項1または2に記載の照明装置。
  9. 前記変換器の前記表面及び前記リフレクタの前記表面は、前記熱除去基部における前記開口部の前記平面に垂直な対称軸を有する、平面で切断された円柱として形成される、請求項3、4、8のいずれか1項に記載の照明装置。
  10. 前記熱除去基部は、一次放射線が前記開口部へ直接出力されるのを防ぐ突起部を備える、請求項1、3、4のいずれか1項に記載の照明装置。
  11. 前記リフレクタの前記表面は、リブ付き外面を有する熱取出放熱器の内面である、請求項1から10のいずれか1項に記載の照明装置。
  12. 前記変換器の前記表面と前記リフレクタの前記表面が複数の平坦なファセットまたはセグメントから構成される、請求項1から11のいずれか1項に記載の照明装置。
  13. 前記一次放射線源の前記熱除去基は、前記リフレクタと一体である、請求項1から12のいずれか1項に記載の照明装置。
JP2013549382A 2011-01-13 2011-12-20 照明装置 Expired - Fee Related JP6045079B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011100487/28A RU2452059C1 (ru) 2011-01-13 2011-01-13 Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером
RU2011100487 2011-01-13
PCT/RU2011/001006 WO2013039418A1 (ru) 2011-01-13 2011-12-20 Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014505982A JP2014505982A (ja) 2014-03-06
JP2014505982A5 JP2014505982A5 (ja) 2016-01-21
JP6045079B2 true JP6045079B2 (ja) 2016-12-14

Family

ID=46231808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013549382A Expired - Fee Related JP6045079B2 (ja) 2011-01-13 2011-12-20 照明装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9136444B2 (ja)
EP (1) EP2665099A4 (ja)
JP (1) JP6045079B2 (ja)
KR (1) KR20140053837A (ja)
CN (1) CN103348476B (ja)
CA (1) CA2824309A1 (ja)
RU (1) RU2452059C1 (ja)
WO (1) WO2013039418A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252338B2 (en) * 2012-04-26 2016-02-02 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
US20130335994A1 (en) * 2012-06-13 2013-12-19 Innotec Corp. Illuminated accessory unit
RU2536767C2 (ru) * 2012-12-06 2014-12-27 Анатолий Васильевич Вишняков Способ получения модифицированных трехцветных светодиодных источников белого света
US9052088B2 (en) * 2013-09-20 2015-06-09 Whelen Engineering Company, Inc. Tuned composite optical arrangement for LED array
CN103840068B (zh) * 2013-12-31 2017-09-19 杨毅 波长转换装置和发光装置
FR3020115B1 (fr) * 2014-04-16 2019-04-19 Philippe Allart Objet luminescent avec systeme d'amplification de la projection de lumiere sur ledit objet
MX359451B (es) 2014-05-19 2018-09-27 Whelen Eng Luz de advertencia con lente tintado.
WO2015185469A1 (en) 2014-06-05 2015-12-10 Koninklijke Philips N.V. Luminescence concentrator with increased efficiency
CN105398376B (zh) * 2014-09-05 2019-10-22 福特全球技术公司 光致发光仓灯
KR101601531B1 (ko) * 2014-11-07 2016-03-10 주식회사 지엘비젼 조명장치
US10139078B2 (en) 2015-02-19 2018-11-27 Whelen Engineering Company, Inc. Compact optical assembly for LED light sources
JP6588727B2 (ja) * 2015-04-27 2019-10-09 シチズン電子株式会社 発光装置
US10208914B2 (en) 2015-09-09 2019-02-19 Whelen Engineering Company, Inc. Reflector with concentric interrupted reflecting surfaces
RU2630439C2 (ru) * 2015-10-07 2017-09-07 Денис Геннадьевич Дроздов Светодиодный светильник
US10244599B1 (en) 2016-11-10 2019-03-26 Kichler Lighting Llc Warm dim circuit for use with LED lighting fixtures
CN107062014A (zh) * 2017-05-10 2017-08-18 浙江英特来光电科技有限公司 一种具有高光通维持率的led灯丝球泡灯
JP7262400B2 (ja) * 2017-05-15 2023-04-21 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 金属コーティングされたガラス又は雲母粒子が充填されたポリマーを用いる反射器の3d印刷、及びそれにより得られる反射器
US11204152B2 (en) 2019-08-15 2021-12-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination device having reflector with concave and convex symmetrical surfaces
CN113024251A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 上海航空电器有限公司 具有平凹形结构薄膜的高显色性激光照明用荧光陶瓷及其制备方法
US11833261B2 (en) * 2020-12-28 2023-12-05 Leedarson Lighting Co., Ltd. Lighting apparatus

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0845316A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Toshiba Lighting & Technol Corp 反射体及び反射体付光源
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US6149283A (en) * 1998-12-09 2000-11-21 Rensselaer Polytechnic Institute (Rpi) LED lamp with reflector and multicolor adjuster
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP4527230B2 (ja) * 2000-02-28 2010-08-18 三菱電機照明株式会社 面発光led光源
JP4096598B2 (ja) * 2001-11-06 2008-06-04 株式会社日立製作所 投影装置用光源及びそれを用いた投写型画像ディスプレイ装置
JP2003249103A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Ichikoh Ind Ltd 車両用灯具
JP2004047748A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
WO2004019422A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device
DE60330023D1 (de) * 2002-08-30 2009-12-24 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
US6841804B1 (en) * 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
JP2006059625A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led照明装置、ペンダント照明器具および街路灯
DE102005028456A1 (de) * 2005-06-17 2006-12-28 Schott Ag Metallreflektor und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
JP4492472B2 (ja) * 2005-07-26 2010-06-30 パナソニック電工株式会社 照明器具
US7293908B2 (en) * 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
WO2007108616A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side-view light emitting diode package having a reflector
WO2007130536A2 (en) * 2006-05-05 2007-11-15 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
JP4726872B2 (ja) * 2006-09-27 2011-07-20 シーシーエス株式会社 反射型照明装置
JP4689579B2 (ja) * 2006-10-25 2011-05-25 シャープ株式会社 発光装置
DE102007061304B4 (de) * 2006-12-19 2010-09-02 Koito Manufacturing Co., Ltd. Fahrzeugleuchte
JP5030661B2 (ja) * 2007-05-16 2012-09-19 シャープ株式会社 照明装置
EP2153114B1 (en) * 2007-05-24 2014-06-25 Koninklijke Philips N.V. Color-tunable illumination system
US7810956B2 (en) 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
US7618157B1 (en) 2008-06-25 2009-11-17 Osram Sylvania Inc. Tubular blue LED lamp with remote phosphor
EP2289116A1 (en) * 2008-06-26 2011-03-02 Osram-Sylvania Inc. Led lamp with remote phosphor coating and method of making the lamp
JP2010176926A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Ichikoh Ind Ltd 車両用灯具
CN101881381B (zh) * 2009-05-05 2012-09-05 宁波晶科光电有限公司 白光发光二极管及白光发光二极管灯
KR20120030409A (ko) * 2009-05-07 2012-03-28 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 형광체 및 이색성 필터를 구비한 조명 디바이스
KR101749220B1 (ko) * 2009-06-04 2017-06-20 코닌클리케 필립스 엔.브이. 효율적인 광 방출 디바이스 및 그러한 디바이스의 제조 방법
RU93132U1 (ru) * 2009-06-15 2010-04-20 Че-Каи ЧЕН Лампа
CN201513741U (zh) * 2009-07-24 2010-06-23 华南师范大学 一种反射式led照明灯具
US8378563B2 (en) * 2010-01-15 2013-02-19 Express Imaging Systems, Llc Apparatus, method to change light source color temperature with reduced optical filtering losses
CN101806404A (zh) * 2010-02-12 2010-08-18 李骋翔 一种高效率柔性面光源
CN201636605U (zh) * 2010-03-11 2010-11-17 上海三思电子工程有限公司 一种反光式led照明灯

Also Published As

Publication number Publication date
CA2824309A1 (en) 2013-03-21
EP2665099A1 (en) 2013-11-20
WO2013039418A1 (ru) 2013-03-21
CN103348476B (zh) 2016-12-28
US9136444B2 (en) 2015-09-15
EP2665099A4 (en) 2017-11-22
JP2014505982A (ja) 2014-03-06
CN103348476A (zh) 2013-10-09
RU2452059C1 (ru) 2012-05-27
KR20140053837A (ko) 2014-05-08
US20130306998A1 (en) 2013-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6045079B2 (ja) 照明装置
JP2014505982A5 (ja)
JP6126624B2 (ja) 離れたフォトルミネセンス変換器を組み合わせた白色led光源
JP5946228B2 (ja) 離れたフォトルミネセンス変換器を備える白色led光源
JP6312596B2 (ja) 固体発光デバイス及びランプのためのフォトルミネセンス波長変換コンポーネント
US9546765B2 (en) Diffuser component having scattering particles
US8610341B2 (en) Wavelength conversion component
KR102114607B1 (ko) 레이저 광원장치
US8614539B2 (en) Wavelength conversion component with scattering particles
US20140218940A1 (en) Wavelength conversion component with a diffusing layer
RU2475887C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным отражательным многослойным фотолюминесцентным конвертером
US9753357B2 (en) Compact solid-state camera flash

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131112

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20141015

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150728

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150729

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20151027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160223

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160520

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161018

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6045079

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees