CN103348476B - 带有光致发光转换器的白光led光源 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及以半导体发光二极管为基础的带有荧光粉‑转换器的白光光源。发明实质：本发明的灯具包含一个散热底座、LED、一个辐射转换器和一个光反射器，其中，散热底座上有孔，以方便辐射输出，LED固定在孔的四周，辐射转换器是由凹陷的荧光粉层构成，并位于远离LED的方向，光反射器带有凹陷的反光面，其把反射的光反射到LED和辐射输出孔。LED的初始辐射投射到转换器的表面，被反射的初始辐射和荧光材料的再辐射混合形成白光，然后从散热底座上的孔输出。转换器表面和反射器表面如呈轴对称形状的图形，例如旋转椭球面，尤其是的球面或者抛物面，被与散热底座上孔平行的平面截断，主轴与散热底座上孔的平面垂直。为了更好地排热，辐射转换器的凸面和反射器的凹陷面要有很好的热接触，反射器的外表面可以是有散热片的散热器的形状，其与散热底座相连接。

Description

带有光致发光转换器的白光LED光源
本发明涉及电工技术和电子学，具体地，本发明涉及以半导体发光二极管为基础的光源，更具体地，本发明涉及以半导体发光二极管为基础的带有荧光粉-转换器的白光光源。
得益于有关高效率发光二极管，特别是有关氮化铟InGaN异质结的最新研究成果，固态照明技术开始占据白光市场，其效率也是在所有为人所知的白光光源中最高的。LED被广泛地用于线性照明设备和路灯中，在这些线性照明设备和路灯中灯具相对来说比较大，使用能够快速产生热效应的LED，并很好地布局这些LED的位置，可以有效输出热量。由于现在大力提倡节能，研制外形小巧但是具有高光通量的LED灯来替代传统的白炽灯和卤素灯，是现在最迫切的科技问题，但是由于LED灯的容积有限，会限制电子控制装置（驱动器）的放置，并且其热输出表面相对较小，这些都为研制外形小巧的LED灯增加了困难。白光LED通常包括覆盖YAG:Ce荧光粉的蓝光LED。当每瓦中有550-700毫瓦被分配给加热装置时，大功率（1瓦特或以上）蓝光LED的效率为30-45%。除此之外，当荧光粉把蓝光转换为黄光时白光LED中接近20%的光能量都被用来加热荧光粉了。这些技术特征表明，当温度为25-125°C时，蓝光LED的辐射率会下降接近7%，同时在同样的温度下，白光LED功率会下降接近20%。由此可见，大功率白光LED在散热和光通量方面有很大的局限。
本发明的目的在于，研制一种外形小巧的白光LED灯，以解决上述现有标准灯具的技术缺陷并替代现有的标准灯具。
本发明白光LED灯的基础是LED芯片。所获得的白光部分是由组合在一起的LED芯片发出的不同颜色的光（例如蓝光、绿光和红光或者蓝光和橙色光）混合所得。
但是最近几年，人们逐渐倾向使用这类白光LED光源，其带有荧光粉-转换器，当吸收LED芯片辐射出的蓝光或者紫外光时，其能辐射出黄光或者橙色光（红光）。请参考图1，图1为这种类型白光光源示意图。
该白光光源包含LED芯片和一个辐射转换环境，芯片能发出短波辐射，该短波辐射辐射到辐射转换器上，辐射转换器被短波辐射激发发出波长较长的长波辐射。在具体的光合成过程中，包裹在有机或无机荧光粉里的芯片辐射出的单色蓝光或者紫外光会转化成白光。
图2是以带有荧光粉-转换器的发光二极管为基础的著名白光光源设备，该白光光源在美国专利US6351069中有过描述。
白光光源110包含LED氮化物芯片112，该芯片被激发时能发射出初始蓝光。芯片112放置在反射器114巢内的导线框里，用电线和导体116、118连接起来。导体116和118向芯片112传送电力。芯片112被透明树脂层120覆盖，树脂内包含用来转换辐射波长的转换材料122用于形成120的转换材料，可以根据再辐射的光谱分布随意的选择。芯片112和透明树脂层120被透镜124罩住。透镜124通常由透明的环氧树脂或者硅树脂做成。在本发明中往芯片112上施加电压，芯片上表面会发射出初始辐射。部分初始辐射被120中的转换材料122吸收。然后转换材料122会在初始辐射基础上发出再辐射，也就是说对辐射进行转换，使其变成具有较长峰值波长的光。初始辐射中另一部分没有被吸收的辐射通过转换层和再辐射混合。透镜124把没被吸收的初始辐射和再辐射一起输出，如图所示，箭头126表示输出的光。因此，输出的光是混合的，其包括由芯片112辐射出的初始辐射和转换层120辐射出的再辐射。可以选择用只让小部分初始辐射或不让初始辐射逸出的材料做转换材料，当发出紫外光初始辐射的芯片和一个或者多个发出可见再辐射的转换材料放置在一起时。
在上述提到的著名光源中，荧光粉层形成于发光二极管的表面，其有以下缺陷：由于受到穿过荧光粉层时光传播角的影响，光的波长会发生很大的变化，因此当荧光粉和发光二极管的表面发生直接的光热接触时，很难达到光颜色的均匀性；除此之外，当发光二极管发热时，很高的温度会使荧光粉的色坐标发生变化或者让其色衰。
为了克服上述缺陷，我们提议这样一类白光光源中，在该类白光光源中，波长转换器远离发光二极管，其原理如图3所示。
按照该原理所制成的发光设备，曾经有人做过描述，例如美国专利US6600175（B1），如图4所示。
这类白光光源包括外壳207，并且有内部容积，外壳由透明介质211做成。介质211可以由任何合适的透光材料做成，例如透明的聚合物或者玻璃。由介质211所包覆的内部容积里设置有芯片213，芯片位于底座214上。第一电触点216、第二电触点217分别与芯片213上的辐射部分218与底部219相连，其中218是通过导体212和第一电触点216相连的。做成透光介质211的材料是荧光或者磷光成分，或者是它们的混合物，换句话说，是能把发光二极管213中辐射部分218所发辐射转换成白光的荧光介质。荧光粉分布于做成外壳207的介质211内或者以薄膜209的形式覆在外壳207的内壁上。或者荧光粉可以涂覆在外壳的外壁上，如果外壳在自然的状态下使用（例如，在外表层不会受到磨损和破坏的状态下）的话外表层也可以处于很好的工作状态。荧光粉可以分布在聚合物或者玻璃熔体内，然后由此形成外壳，以保障外壳成分的均匀性和光从其表面输出。
在美国专利US7618157B1中描述了著名的带筒状转换器的白光LED灯具。其装置示意图如图5所示。灯具310包括一长条形的吸热部件312，许多发光二极管314，这些发光二极管顺着吸热部件长的一边依次安装在吸热部件上，灯具还包括半球形灯罩316，其位于312上314的上方，在半球形灯罩316剖面弧形的部位、与发光二极管314相反的方向含有能被发光二极管发出的光激发的荧光粉。吸热部件312由导热材料做成，例如铝。半球形的灯罩316由玻璃或者塑料等类型的透明材料做成。荧光粉320可以当作覆盖层附在半球形灯罩的内壁上或者将荧光粉放入作为覆盖层的材料中。灯罩上不含荧光粉的平滑的部分326位于吸热部件312上LED的两侧，其具有内部反射面328，例如铝覆盖层，其能反射发光二极管314投射到其上的光，将其反射到半球形灯罩上的部分位置318上。
转换层可以是荧光材料，量子点材料或者是这些材料的混合，甚至还可以是透明的基质材料，在该材料中含有磷或者量子点材料。
众所周知，包含荧光粉粉末的转换层可以渗透、吸收、反射和散射投在其上的光。当转换层散射光的时候，它还同时可以渗透、吸收和反射部分被其散射的光。
上述发明的缺陷在于，被发光二极管辐射所激发的荧光粉颗粒的辐射及发光二极管的反射，都不可避免地被荧光粉层和灯具内部的元件部分吸收，从而导致白光光源效率的降低。
Yamada[1]和Narendran[2]确定了YAG:Ce荧光粉转换层来回传播的辐射比例，该荧光粉能被波长为470nm左右的蓝光激发，然后转换成长波波段的黄光辐射。Narendran证实，有60%的被转换层发射并反射的光都会投射到激发光源并且大部分都会在发光二极管内部消失[2]。试验过程中证实[3]，即使当折射系数为1.8，密度为8mg/cm2的YAG:Ce荧光粉与折射系数为1.6的环氧树脂混合能得到稳定白光，蓝光和黄光辐射中反射回来的辐射份额和发射出的辐射份额也分别为53%和47%，相应的，单对黄光辐射来说，份额分别为55%和45%。
根据上述原因，在其他条件一样的情况下，也可以得到在光通量和效率上有明显优势的带辐射转换器的白光LED光源，直接被LED辐射反射的由荧光粉表面辐射出的辐射投向带有辐射转换器的LED光源上的光输出孔。
类似的技术解决方案在美国专利US7293908B2中有过描述，专利中的一个实施例要求保护一种能够从侧面输出辐射的照面系统，根据该专利，照明系统包括远离发光二极管的转换层，其位于光反射器上。
该专利所描述之照明设备和本发明是最接近的，因此我们选择该专利之照明设备为本发明的原型。
根据该美国专利，从侧面输出辐射的白光光源的工作原理如图6所示。图6以剖面图的形式向我们展示了其所要保护的实施例之一；从侧面输出辐射的照明系统。
从侧面输出辐射的照明系统包括发光二极管402，第一反射器404，第二反射器406，光输出孔412，转换层602，附加的透明覆盖层408和支撑工具，支撑工具用来支撑第一反射器406和第二反射器404，并将其分离。支撑工具包括平滑透明的元件502，侧面的支架504和底座506。侧面的支架504首选透明的或者具有反射功能的材料。第一反射器404固定在底座506上，第二反射器406固定在平滑透明的元件502上。转换层602位于第二反射器406的表面，并且至少能将发光二极管402发出的部分初始辐射转换成不同于初始辐射波长的长波辐射。
我们把光束414、415、416作为例子来说明从侧面输出辐射的照明系统的工作原理。初始光束414从发光二极管402射出，投向402的光输出表面。初始光束414穿过402的光输出表面，投向透明覆盖层408。初始光束414穿过透明覆盖层408，投向转换层602，转换层将初始光束414转换成与其不同的第二光束415。第二光束可以从波长转换点发射到任何方向。第二光束415穿过透明覆盖层408和光输出孔412投向第一反射器404。第二光束416被第一反射器404反射后投向平滑透明的元件502。第二光束416穿过502从该照明系统中输出。
该系统的缺陷在于光输出孔处的光损失，支撑工具边缘的光损失和往反射器上投射的光损失。
美国专利US7810956B2中所描述的另一种探照灯类型的著名白光光源试图克服这些缺陷。
图7是这种探照灯的剖面图，其是根据美国专利US7810956B2中的一个实施例做成的，剖面图展示了这种设备的设计和工作原理。光源730被安装在支撑734和附加的散热器736上。散热器736是可以有散热片的，如图7所示。光源730所发射的光被环绕光源730的镜片732所反射，然后投射到光板738上。波长转换层742与光源730是分开的，其要安装在能够吸收来自光源730所发射的光的位置。附加的散热器744可使转换层742冷却。集成光学仪器740可以使光变成一条直线。能发出短波光，例如蓝光或者紫外光的发光二极管可以作为光源730。730可安装在附加的支撑734上并与附加的散热器736相连。光板738要安装在可以向集成光学仪器740投射光的位置。例如，748的侧面可以被倾斜或弯曲，以使其内部反射的光能投射到集成光学仪器740上。
该系统存在光损失的缺陷，如孔径出的光损失，光板边缘的光损失，这些都降低了该系统的效率。除此之外，传统的外形小巧的灯具都有很宽的辐射出光角度，但是该系统的灯从准直光学系统辐射出的光束很窄，因此不适合用类似的灯具来替代传统的外形小巧的灯具，甚至是卤素灯。
本发明有以下几个目的：保证带有转换器的白光LED光源最大的发光效率；保证光颜色高度的均匀性；在灯具外形小巧的情况下保证宽的出光角度。
所提议的灯具，包括初始辐射光源、四周光滑的散热底座、朝向LED的带有光反射表面的反射器、能把初始辐射转换成再辐射的转换层，其中初始光源由1个或多个LED组成，LED固定在散热底座上，转换层位于LED和反射器之间。要想达到本发明的目的，我们提议，用于辐射输出的散热底座上需要留有孔径，底座上靠近孔径边缘的位置安装上LED，LED发出的光辐射到转换层的表面上，光反射器表面是凹形，把凹处对向初始辐射光源和孔径。
图8是本发明的剖面图，以示意图的形式展示了本发明的实质。
灯具包括初始辐射光源、散热底座2、反射器5、转换层7，其中，初始辐射光源由1个或多个LED1构成，散热底座上带有孔径3和表面4，底座表面上固定有LED1，反射器带有朝向LED的凹形的光反射面6，转换层7可以把初始辐射8转换成再辐射9，7带有朝向LED1的凹面10，朝向光反射面6的第二凸面11，并且转换层7位于LED2和反射器表面6之间。
本发明的工作原理如下。发光二极管1的初始辐射8投射到转换层7的表面10上，并部分地被10反射，反射的光进入散热底座2的孔径3上，部分地被荧光粉颗粒表面反射后散射到转换层7上，散射的光部分地被7吸收并转换成再辐射9，部分初始辐射8投射到光反射表面6上，6将其反射到转换层7上，初始辐射再次被转换层7吸收形成再辐射9。初始辐射8部分从转换层射出投向灯具上的孔径3，与再辐射9混合，形成白光辐射。辐射的分布是由做成转换层的材料的特性决定，首先是由其成分、荧光粉的分散性和转换层的厚度决定。
无机光学材料通常是荧光粉，其由稀土元素（镧系元素）或者铬、钛、钒、钴或者钕等元素合成。镧系元素为：镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥。无机光学材料包括（但是不局限于）：蓝宝石（Al2O3）、砷化镓（GaAs）、铍铝氧化物（BeAl2O4）、氟化镁（MgF2）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）、钇铝石榴石（YAG或Y3A15O12）、含有石榴石的铽、钇-铝-镧氧化物、钇-铝-镧-镓氧化物混合物、氧化钇（Y2O3）、卤磷酸钙或卤磷酸锶或卤磷酸钡（Ca,Sr,Ba）5（PO4）3（Cl,F）、CeMgAl11O19、磷酸镧（LaPO4）、镧-五硼酸（镧系元素）（Мr,ZnB5O10）、BaMgAl10O17、SrGa2S4、化合物（Sr,Mg,Ca,Ba）（Ga,Al,In）2S4、SRS、ZnS和硅酸氮。
还有一些比较常见的荧光粉，其可以被波长为250nm左右的紫外线辐射激发。常见的红光荧光粉-Y2O3:Eu+3。常见的黄光荧光粉-YAG:Ce+3。常见的绿光荧光粉:CeMgAl11O19:Tb<3+>、(lanthanide)PO4:Ce+3，Tb+3和GdMgB5O10:Ce+3，Tb+3。常见的蓝光荧光粉-BaMgAl10O17:Eu+2和(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu+2。对激发波长在400-450nm左右的LED来说，比较常见的无机光学材料包括钇铝石榴石(YAG或者Y3Al5O12)，含铽石榴石，氧化钇(Y2O3)、YVO4、SrGa2S4、(Sr、Mg、Ca、Ba)(Ga、Al、In)2S4、SrS和硅酸氮。激发波长在400-450nm之间的常见LED用荧光粉包括YAG:Ce+3、YAG:Ho+3、YAG:Pr+3、SrGa2S4:Eu+2、SrGa2S4:Ce+3、SrS:Eu+2和硅酸氮。
量子点材料-无机半导体微粒尺寸在30nm左右。常用的量子点材料包括（但是不局限于所列）CdS、CdSe,、ZnSe、InAs,、GaAs和GaN等微粒。量子点材料可吸收只有单一波长的光然后再将其转换成不同的波长，当然这取决于微粒的尺寸，微粒表面的特性和半导体无机材料的特性。
转换层可以是单一的荧光粉或者量子点材料，也可以是荧光粉和量子点材料的混合物。
使用混合物是有一定作用的，如果想让所发射出的高显色性的白光辐射有最宽的光谱带的话。得到具有高显色指数的白光的一种方法是，让InGaN LED的辐射和荧光粉转换层的黄光和红光混合。转换层可以含有几种能吸收LED光并且能辐射出波长更长的光的荧光粉。例如，对于蓝光LED来说，转换层可以只含有一种能发出黄光的荧光粉，或者含有几种能辐射出蓝-黄光的荧光粉或者能辐射出蓝、黄和红光的荧光粉。也可以加入一些能辐射出其他光的荧光粉，以控制灯具发出的混合光的色坐标和显色指数。
主要的透明的材料可以是无机聚合物材料。聚合物材料可以是（但不局限于）：acrylics、polycarbonate、fluoroakrilaty、perfluoroakrilaty、fluorofosfinatnyepolymers、fluorosilikony、fluoropoliimidy、politetrafluoretilen、fluorosilikony、sol-gels、epoxy resins、thermoplastics、shrink plastics and silicones。在波长小于400nm的紫外线波段和波长大于700nm的红外线波段含氟聚合物是最适用的，因为含氟聚合物在这些波段的光吸收率很低。常见的无机材料有（但不局限于）：二氧化硅、光学玻璃和硫属化合物玻璃。
荧光粉转换层可以用喷镀、涂抹、沉淀或者从荧光粉悬浮液电离子透入法等方法依次覆盖在光反射器的表面作为覆盖层。但是用荧光粉覆盖反射器会出现一定的问题，问题之一是怎么样才能把荧光粉转换层均匀地涂到反射器上，尤其是当反射器的表面不平滑，例如，其表面是圆筒形或半球形。在使用喷镀、涂抹和沉淀的方法时，要使用悬浮液，以使荧光粉颗粒可以涂覆在底座上。能否覆盖地均匀在很大程度上取决于悬浮液的粘性，荧光粉颗粒在悬浮液里的浓度以及周围的环境因素，例如，周围的温度和湿度。在覆盖层变干之前由于悬浮液的流动导致的覆盖层的破坏，每天覆盖层厚度会发生变化，这些都是用荧光粉覆盖光反射器时会出现的问题。
在某些情况下更倾向于把荧光粉放入做覆盖层的材料中，例如透明的聚碳酸酯型透明塑料、PET、聚丙烯、聚乙烯、挤压形成的丙烯腈长丝。转换层可预先做成薄片，然后再通过热处理铸造成所需的形状。在成形之前可以往其中一块薄片的表面上用真空喷涂的方法铸上一层由铝或银做成的光反射层。
预先铸在散热片反射表面的转换层，可以粘在散热片的表面，例如使用有机硅胶黏剂，可用其将多个转换层粘合再一起，并且将离散热片近的转换层和散热片表面粘合在一起。含胶层可以很薄，例如，比转换层薄，这样对转换层排除的热量不会产生大的热阻。
在灯具的实施例之一中使用了多层光致发光薄片做转换器，薄片被粘在铜的或黄铜的柱形的反射器上，反射器上有一层薄铝（0.5微米），这是使用真空热喷涂的方法将铝层铸到反射器上的。
含有荧光粉、表面活性物质(表面活性剂)和聚合物的悬浮液要在有机溶剂中制备。悬浮液然后通过挤压或者浇铸成一定的形状，或者浇在平滑的底座上，例如玻璃上，从而形成薄片，然后对薄片进行干燥。得到的薄片要与临时的底座分离然后使用溶剂或者氰基丙烯酸酯胶固定在反射器上，被薄片覆盖的反射器要在480度的温度下加热，在这个过程中聚合物会烧尽，只剩下荧光粉覆盖层。
在具体的实施例中，悬浮液里荧光粉(Y,Gd,Ce)3Al5O12是以钇-钆-铈为基质的，二氯甲烷中聚碳酸酯溶液中的悬浮液可以用挤压的方法得到厚度不同的薄片，如图9所示。转换层需要有足够的厚度以保证所得到的混合白光的色坐标达到所需的值。使用荧光粉时的光学散射过程决定了转换层的厚度，厚度一般在5-500微米不等，一般情况下在100-250微米之间。
把形成的片状转换层用湿润的醋酸乙烯酯固定在筒形的转换器上，用一定形状的阳模给片状的转换层施压。醋酸乙烯酯可以让转换层软化，以使气泡从转换层下方挤出，从而保证转换层能完全粘在反射器上。反射器的结构不复杂，可以用透明有机硅聚合物和荧光粉的混合物覆盖，然后使其燃烧，在燃烧的过程中有机硅聚合物不会分离。但是必须牢记的是，能把蓝光转换成橙-红光的荧光粉，当将其在空气中加热到480°C时，其会发生色衰，直到完全不适用。在这种情况下我们要使用其它的燃烧温度低的聚合物。在一些实施例中燃烧温度在260-540°C。
光致发光转换层的外表面可以额外地覆盖一层透明的保护层，以防止转换层内进入湿气或者氧气，因为一些类型的荧光粉，例如硫化物荧光粉很容易因为潮湿而遭到破坏。保护层可以用能阻挡水或者氧气的任何透明的材料做成，例如，无机材料-二氧化硅、氧化硅或者氧化铝，甚至还可以用有机化合物材料或者是有机化合物和无机化合物的混合材料做成。我们更倾向于用二氧化硅或者氧化硅作保护层。
保护层可以作为荧光粉颗粒边缘与空气之间的光透镜，以减少LED的初始辐射和荧光粉颗粒在一定区域的再辐射，减少辐射到荧光粉颗粒上的荧光粉自身辐射的光损失，从而提高灯具的发光效率。
可以使用加工荧光粉颗粒的方法将保护层覆到光致发光转换层外表面，例如，在荧光粉颗粒表面形成一层厚度为50-100nm的硅酸锌薄膜以防止荧光粉颗粒边缘的反射。
在必要条件条件下，孔径可以用透明的窗口密封，以保护转换层不受湿气或者是氧气的影响，灯具的内部可以用惰性气体填充或者压出其内部的气体。
转换器7的表面10和反射器5的表面6可以是轴对称的球状，或者是轴对称的椭圆、抛物面或者是圆柱体，其被散热底座2的外表面截断，而且LED1位于靠近所指的散热底座2与转换器7的表面10的交叉线上的位置，并沿着交叉线分布。
转换器的表面10形状的最优化和LED的位置及辐射方向的最优化有助于改善光的均匀性和从灯具发出的辐射的角度的分配，LED从不同的角度把辐射投射到转换器的表面10上，转换器7内部反射的辐射从孔径口流出。
LED芯片，例如旭明光电生产的大功率蓝光LED芯片SL-V-B45AC2或者CREE有限责任公司生产的家用芯片EZBright，其辐射方向示意图有朗伯分布的特征（光线与LED芯片表面的法线锥角为90°）或者锥角被限制在α＜90°以内，例如，当形成于LED芯片表面的辐射输出是量子点阵结构时。
散热底座上LED的位置这样设置比较容易接受，即，LED的辐射方向示意图的对称轴与反射器对称轴呈β≥90°-α/2度角相交。
但是有一小部分LED初始辐射直接在灯具的孔径口的外部传播，为了防止LED辐射直接投射到所用的气体上，散热底座2上可以有一个凸起12，其可屏蔽灯具内初始辐射向外直接的输出，绕过转换器7的表面10。为了使初始辐射得到更充分的利用，上述散热底座上的凸起12可包含一个附加的反射器-平滑的像镜子一样的反射部分13，其可将投射到其上的初始辐射反射到反射器7的表面10上。
图10为包含附加反射器的比较详细的灯具实施例示意图。
该实施例的灯具是对图8的补充，其具有图8上灯具的所有元件，还包括凸起12和反射器13。
图11比较详细地描述了另外一个包含反射器的灯具实施例示意图，图上展示了一个放大后的灯具底座2的剖面图，底座2上固定有LED，图上保存了8上相对应的所有的元件（没有保留比例）。
附加的反射镜是一个倾斜的表面15，其位于LED1的芯片和转换器7之间，反射器可以将LED1的芯片投射到其上的辐射完全反射到转换器7上，使灯具输出的辐射更加均匀。
为了增加转换层对LED光的反射，散热器中光反射器的表面可以是抛光的或者是磨砂的，以使辐射更加均匀，光反射器上还可以覆盖一层有很高光反射系数的覆盖层。光反射器也可以是单独的镜片，其要离散热器远一点，但是要通过导热层与散热器产生热联系。带有高光反射系数的覆盖层由下列材料做成：银、铝、二向色涂层、氧化钛和氧化铝，其中铝要和二向色涂层连接在一起以增加铝的反射系数，氧化钛和氧化铝是用过凝胶法得到的。
在该灯具的实施例中LED1的芯片位于底座2上，朝向芯片表面的法线与反射器6的对称轴是平行的（或者不平行，但是两者之间相交的角度不大），反射器6是厚度为0.15-0.2微米的铝的或者银的反射薄膜，薄膜是用真空热沉积的方法固定到半球形玻璃罩17的内表面上的，反射器是用有弹力的耐热并且导热的混合物18粘到铝制的半球形罩19上的，半球形罩19是LED1芯片的第二个公共电极，与之平行的导线14和聚酰亚胺短线将芯片和半球罩连在一起，短线上喷镀有金属15。为了提高光反射性能，聚酰亚胺短线上喷镀的金属15上要被一层薄铝层覆盖，作为附加的反射器。这样设置LED的位置可使初始辐射不直接投射到人们的眼中。
底座2起第一电极的作用，LED1芯片焊接在其上，散热器22和底座处于电联系和热联系的状态。对半球形罩19的电供给是通过中央圆筒引出装置(图11中没有展示)，该引出装置被焊接在罩19的顶端，其与反射器6的对称轴是同轴的，引出装置通过散热器内表面21上的独立的孔与电源驱动连接在一起，电源驱动位于相应的孔内，形成于散热器的上部（图中未展示）。
半球形罩19是用导热并且耐热的混合物20粘到散热器22的内表面21上的。
半球形罩17可以用导热的陶瓷做成。半球形罩19可以用不锈钢、铜、黄铜、科伐铁镍钴合金或者其它类似的材料做成。
当用科伐铁镍钴合金或者其它类似的有相对好的导热性及相对低的热扩散系数（与用于转换器7的荧光粉的热扩散系数最接近）的合金做半球形罩19时，可以简化灯具的结构，不用使用半球形罩17，以降低成本。这需要用真空热喷镀的方法（或者其它的方法）往半球形罩19的内表面镀一层铝的或者银的反射薄膜，可直接喷镀或者穿过薄膜电介质层，然后用原先描述过的方法使其沉淀成荧光粉层。
当用铝、不锈钢、铜、黄铜或者其它类似的有校稿热扩散系数的材料（与由荧光粉填充的塑料做成的转换器7的热扩散系数相近）做成罩19时，也可以不用罩17就能完成整个灯具的制作。为了达到这一目的，罩19的内表面用真空喷镀的方法镀上一层铝的或者银的反射薄膜，可直接喷镀或者穿过薄膜电介质层，然后将其粘到预先做成的塑料转换器7上。
LED1的芯片和电线接头14可以使用现在已公知的、应用于制作LED组件的技术用混合物23密封。
散热器22可以用任何适宜的材料做成，例如铜或者铝。为了增加散热面，散热器可以是带散热片的，例如，如图12所示。
用图9所示的使用了Semileds公司的型号为SL-V-B35AK的LED芯片的薄片可以做成白色的线性的半圆筒形灯具，发光效率取决于薄片的厚度，为160-200流明/瓦特。
参考文献
1.Yamada,K.,Imai,Y.and Ishii K."Optical Simulation of Light SourceDevices Composed of Blue LEDs and YAG Phosphor,"J.Light&Vis.Env.27(2),70-74(2003)。
2.Narendran,N.,Gu.Y.,Freyssinier,J.,Zhu,Y."Extracting Phosphor-scattered Photons to Improve White LED Efficiency,"Phys.Stat.Sol.(a)202(6),R60-R62(2005)。
3.Zhu Y.,N.Narendran,and Y.Gu。"Investigation of the opticalproperties of YAG:Ce phosphor"。Sixth International Conference on Solid StateLighting.Proceedings of SPIE.6337,63370S(2006)。

Claims (9)

1.一灯具，包含初始辐射光源、散热底座、辐射转换器、光反射器，其中，初始辐射光源由一个或多个LED组成，LED固定在散热底座上，辐射转换器是由一定材料做成的转换层，转换器可以把LED投射到其上的初始辐射转换成再辐射，光反射器可反射投射到其上面的辐射，辐射转换器位于初始辐射光源和反射器之间，与反射器的表面挨着，光反射器与辐射转换器都远离初始辐射光源，该灯具的特征在于，散热底座上有孔以利于辐射输出，辐射转换器的表面被LED辐射，光反射器的表面是凹形的，其朝向散热底座上的孔和LED，LED位于孔的边缘，
其散热底座上有凸起，能屏蔽初始辐射，使其不直接从散热底座上的孔流出，
散热底座上的凸起包含平滑的像镜子一样可反射光的部分，其能将投射到其上的初始辐射投射到与其对置的转换器表面上。
2.如权利要求1所述的灯具，其特征在于，转换器表面和反射器表面呈轴对称形状的图形，被与散热底座上孔平行的平面截断，主轴与散热底座上孔的平面垂直。
3.如权利要求1所述的灯具，其特征在于，转换器表面和反射器表面呈平面对称形状的图形，被与散热底座上孔平行的平面截断，转换器表面和反射器表面带有对称平面，与散热底座上孔的平面垂直。
4.如权利要求1所述的灯具，其特征在于，所指的反射器的表面是外部带有棱角的散热器的内表面。
5.如权利要求2所述的灯具，其特征在于，所指的转换器和反射器的表面都是由多个平滑的磨光面或者弧状物质组成。
6.如权利要求3所述的灯具，其特征在于，初始辐射光源的散热底座是一个带反射器的整体。
7.如权利要求1所述的灯具，其特征在于，凸起的转换器表面与其被初始辐射照射的凹面是相对的，并且凸起的转换器表面与凹陷的反射器表面被透明的光学介质分开。
8.如权利要求3所述的灯具，其特征在于，LED固定在散热底座上，每个LED辐射投射方向示意图的轴都与反射器的对称轴相交，其角度为90度，或者小于90度。
9.如权利要求3所述的灯具，其特征在于，LED固定在散热底座上，每个LED的辐射投射方向示意图的轴与反射器的对称轴都是平行的，在转换器表面和LED之间的散热底座上含有像镜子一样能反射光的倾斜的部分，其能把投射到其上的初始辐射投射到与其对置的转换器表面上。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252338B2 (en) * 2012-04-26 2016-02-02 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
DE112013002990T5 (de) * 2012-06-13 2015-03-19 Innotec Corp. Beleuchtete Zubehöreinheit
RU2536767C2 (ru) * 2012-12-06 2014-12-27 Анатолий Васильевич Вишняков Способ получения модифицированных трехцветных светодиодных источников белого света
US9052088B2 (en) * 2013-09-20 2015-06-09 Whelen Engineering Company, Inc. Tuned composite optical arrangement for LED array
CN103840068B (zh) * 2013-12-31 2017-09-19 杨毅 波长转换装置和发光装置
FR3020115B1 (fr) * 2014-04-16 2019-04-19 Philippe Allart Objet luminescent avec systeme d'amplification de la projection de lumiere sur ledit objet
WO2015179352A1 (en) 2014-05-19 2015-11-26 Whelen Engineering Company, Inc. Warning light with tinted lens
WO2015185469A1 (en) * 2014-06-05 2015-12-10 Koninklijke Philips N.V. Luminescence concentrator with increased efficiency
CN105398376B (zh) * 2014-09-05 2019-10-22 福特全球技术公司 光致发光仓灯
KR101601531B1 (ko) * 2014-11-07 2016-03-10 주식회사 지엘비젼 조명장치
US10139078B2 (en) 2015-02-19 2018-11-27 Whelen Engineering Company, Inc. Compact optical assembly for LED light sources
JP6588727B2 (ja) * 2015-04-27 2019-10-09 シチズン電子株式会社 発光装置
US10208914B2 (en) 2015-09-09 2019-02-19 Whelen Engineering Company, Inc. Reflector with concentric interrupted reflecting surfaces
RU2630439C2 (ru) * 2015-10-07 2017-09-07 Денис Геннадьевич Дроздов Светодиодный светильник
US10244599B1 (en) 2016-11-10 2019-03-26 Kichler Lighting Llc Warm dim circuit for use with LED lighting fixtures
CN107062014A (zh) * 2017-05-10 2017-08-18 浙江英特来光电科技有限公司 一种具有高光通维持率的led灯丝球泡灯
CN110621477B (zh) * 2017-05-15 2022-03-18 昕诺飞控股有限公司 使用填充有金属涂覆玻璃或云母颗粒的聚合物3d打印反射器以及由此可获得的反射器
US11204152B2 (en) 2019-08-15 2021-12-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination device having reflector with concave and convex symmetrical surfaces
CN113024251A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 上海航空电器有限公司 具有平凹形结构薄膜的高显色性激光照明用荧光陶瓷及其制备方法
US11833261B2 (en) * 2020-12-28 2023-12-05 Leedarson Lighting Co., Ltd. Lighting apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009158422A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Osram Sylvania, Inc. Led lamp with remote phosphor coating and method of making the lamp
CN201513741U (zh) * 2009-07-24 2010-06-23 华南师范大学 一种反射式led照明灯具
CN101881381A (zh) * 2009-05-05 2010-11-10 宁波晶科光电有限公司 白光发光二极管及白光发光二极管灯
WO2010128438A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with phosphor and dichroic filter
CN201636605U (zh) * 2010-03-11 2010-11-17 上海三思电子工程有限公司 一种反光式led照明灯
WO2010143093A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Efficient light emitting device and method for manufacturing such a device

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0845316A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Toshiba Lighting & Technol Corp 反射体及び反射体付光源
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US6149283A (en) * 1998-12-09 2000-11-21 Rensselaer Polytechnic Institute (Rpi) LED lamp with reflector and multicolor adjuster
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP4527230B2 (ja) * 2000-02-28 2010-08-18 三菱電機照明株式会社 面発光ｌｅｄ光源
JP4096598B2 (ja) * 2001-11-06 2008-06-04 株式会社日立製作所 投影装置用光源及びそれを用いた投写型画像ディスプレイ装置
JP2003249103A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Ichikoh Ind Ltd 車両用灯具
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
WO2004019422A1 (en) 2002-08-21 2004-03-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device
EP1540746B1 (en) * 2002-08-30 2009-11-11 Lumination LLC Coated led with improved efficiency
US6841804B1 (en) * 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
JP2006059625A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明装置、ペンダント照明器具および街路灯
DE102005028456A1 (de) * 2005-06-17 2006-12-28 Schott Ag Metallreflektor und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
JP4492472B2 (ja) * 2005-07-26 2010-06-30 パナソニック電工株式会社 照明器具
US7293908B2 (en) * 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
TWI331815B (en) * 2006-03-17 2010-10-11 Seoul Semiconductor Co Ltd Side-view light emitting diode package having a reflector
EP2021688B1 (en) * 2006-05-05 2016-04-27 Cree, Inc. Lighting device
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
JP4726872B2 (ja) * 2006-09-27 2011-07-20 シーシーエス株式会社 反射型照明装置
JP4689579B2 (ja) * 2006-10-25 2011-05-25 シャープ株式会社 発光装置
US8596841B2 (en) * 2006-12-19 2013-12-03 Koito Manufacturing Co., Ltd. Vehicle lamp
JP5030661B2 (ja) * 2007-05-16 2012-09-19 シャープ株式会社 照明装置
JP5291094B2 (ja) * 2007-05-24 2013-09-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色可変照明システム
US7810956B2 (en) 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
US7618157B1 (en) 2008-06-25 2009-11-17 Osram Sylvania Inc. Tubular blue LED lamp with remote phosphor
JP2010176926A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Ichikoh Ind Ltd 車両用灯具
RU93132U1 (ru) * 2009-06-15 2010-04-20 Че-Каи ЧЕН Лампа
EP2524165B1 (en) * 2010-01-15 2020-04-15 Express Imaging Systems, LLC Apparatus, method to change light source color temperature with reduced optical filtering losses
CN101806404A (zh) * 2010-02-12 2010-08-18 李骋翔 一种高效率柔性面光源

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009158422A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Osram Sylvania, Inc. Led lamp with remote phosphor coating and method of making the lamp
CN101881381A (zh) * 2009-05-05 2010-11-10 宁波晶科光电有限公司 白光发光二极管及白光发光二极管灯
WO2010128438A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with phosphor and dichroic filter
WO2010143093A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Efficient light emitting device and method for manufacturing such a device
CN201513741U (zh) * 2009-07-24 2010-06-23 华南师范大学 一种反射式led照明灯具
CN201636605U (zh) * 2010-03-11 2010-11-17 上海三思电子工程有限公司 一种反光式led照明灯

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