JP5544061B2 - 基板支持体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
（技術分野）
本発明の実施形態は、一般的には、高温半導体プロセスシステム（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ）における使用に適しているアルミニウム基板支持体（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｓｕｐｐｏｒｔ）に関する。
本発明の実施形態は、一般的には、高温半導体プロセスシステム（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ）における使用に適しているアルミニウム基板支持体（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｓｕｐｐｏｒｔ）に関する。
（関連技術の説明）
集積回路は、１つのチップ上に数百万個のトランジスタ、キャパシタ、及び抵抗器を含むことのできる複雑なデバイスにまで発展した。チップ設計の発展のためには、より高速な回路と、より高い回路密度とがつねに要求され、従ってますます正確な製造プロセスが求められている。化学気相成長法（ＣＶＤ）は、頻繁に使用される製造プロセスの１つである。
集積回路は、１つのチップ上に数百万個のトランジスタ、キャパシタ、及び抵抗器を含むことのできる複雑なデバイスにまで発展した。チップ設計の発展のためには、より高速な回路と、より高い回路密度とがつねに要求され、従ってますます正確な製造プロセスが求められている。化学気相成長法（ＣＶＤ）は、頻繁に使用される製造プロセスの１つである。
化学気相成長法は、一般的には、半導体ウェハなどの基板上に薄膜を堆積させるために使用される。化学気相成長法は、一般的には、真空チャンバの中に前駆体ガスを導入することによって達成される。前駆体ガスは、一般に、チャンバの上部付近に位置しているシャワーヘッドを通じて導かれる。前駆体ガスは反応して、加熱型（ｈｅａｔｅｄ）基板支持体上に配置されている基板の表面上に、材料の層を形成する。パージガスを支持体における穴を通じて基板の縁部に送り込み、これにより、縁部に基板が堆積する（これに起因してプロセス中に基板が支持体に付着したり剥離することがある）ことを防止する。反応中に生成される揮発性の副生成物は、排出システムを通じてチャンバから排出させる。
化学気相成長法を使用して基板上に形成される頻度の高い材料の１つは、タングステンである。タングステンを形成するために使用できる前駆体ガスとしては、六フッ化タングステン（ＷＦ６）及びシランが挙げられる。シランと六フッ化タングステンが混合すると、「浮遊」タングステン（“ｓｔｒａｙ” ｔｕｎｇｓｔｅｎ）（すなわち基板上に堆積しないタングステン）が、シャワーヘッド及びその他のチャンバの構成要素上に堆積する。浮遊タングステンの膜がシャワーヘッド上に形成され、チャンバの汚染源となることがある。最終的には、シャワーヘッドにおける穴（前駆体ガスがシャワーヘッドを容易に通過できるようにする）が浮遊タングステンによって詰まることがあり、シャワーヘッドを取り外して洗浄又は交換する必要が生じる。化学気相成長法のチャンバは、例えば誘電体材料（ＳｉＯ２など）など他の材料が堆積した後の定期的な洗浄を必要とすることがしばしばある。
シャワーヘッドの定期保守の間隔を延ばすため、一般的にはフッ素ベースの化学物質を使用して浮遊タングステン膜を取り除く（すなわちエッチング除去する）。また、フッ素ベースの化学物質は、反応すると、加熱型支持体（一般にはアルミニウムから作製されている）上にフッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）の層を形成する。フッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）の層は、制御下で均一な状態に存在しているならば、加熱型支持体を保護する犠牲被膜層となる。しかしながら、フッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）の成長が、加熱型支持体の領域によって不均一になる、或いは過度になると、ＡｌＦｘ層に欠陥が生じたり、薄片及び粒子を発生させる起点が選択的に形成されることがあり、これにより粒子の有害な発生源及び汚染源となる。
従来の多くのアルミニウム基板支持体は、鍛造物又は鋳造物である。鍛造工程は制御することが難しく、従って、鍛造された基板支持体は、一般的に幅広い材料特性（幅広い粒径など）を示す。鋳造工程も制御が難しいことがあり、結果として幅広い材料特性（幅広い粒径など）につながりうる。本発明者は、大きな粒径を示す、鍛造による基板支持体及び鋳造による基板支持体では、フッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）の能力特性が低い、すなわち、フッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）膜に大量の欠陥があり、大量の粒子を発生させ、結果として耐用年数が短いことを発見した。従って、付着したフッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）膜の能力特性を高める有利な粒径分布を有する、加熱型のアルミニウム基板支持体を作製することは有益であろう。
更には、基板支持体のヒーター本体及び脚部結合部を、そのようなヒーターを高温で使用できるように構成しなければならない。基板支持体は、４００℃以上４８０℃までの範囲の工程温度にて使用でき、この温度範囲は、推奨されるアルミニウム動作温度（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）を十分に上回っている。溶接割れは、付着したフッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）膜の損傷と、真空漏れの問題を助長することがある。
従って、この技術分野には、化学気相成長法の工程における使用に適している改良された加熱型支持体のニーズが存在している。
従って、この技術分野には、化学気相成長法の工程における使用に適している改良された加熱型支持体のニーズが存在している。
高温の基板プロセスシステムにおける使用に適するアルミニウム加熱型基板支持体と、このような基板支持体を製造する方法とを提供する。いくつかの実施形態においては、加熱型アルミニウム基板支持体は、アルミニウム本体と、本体に埋め込まれている加熱素子と、本体に結合されている脚部とを含むことができる。アルミニウム本体は、約２５０μｍ未満の平均粒径を有する。脚部は、完全溶け込み重ね溶接継手を使用して本体の底部に結合されている。
いくつかの別の実施形態においては、加熱型アルミニウム基板支持体は、埋め込まれている加熱素子を有する鋳造アルミニウム本体を含むことができる。この鋳造アルミニウム本体は、約２５０μｍ未満の平均粒径を達成する粒径改良材料（ｇｒａｉｎ ｅｎｈａｎｃｅｒ）を含んでいる。特定の実施形態においては、この粒径改良材料はチタン（Ｔｉ）である。１つの実施形態においては、約０．０３〜約０．１重量パーセントの粒径改良材料を使用して、約２５０μｍ未満の平均粒径を達成する。脚部は、完全溶け込み重ね溶接継手を使用して本体の底部に結合することができる。
いくつかの別の実施形態においては、加熱型アルミニウム基板支持体は、約２５０μｍ未満の平均粒径を有する圧延鍛造板状素材（ｒｏｌｌｅｄ ｗｒｏｕｇｈｔ ｐｌａｔｅ ｓｔｏｃｋ）から作製されているアルミニウム本体を含むことができる。この本体には、加熱素子が中に機械的に埋め込まれている。
図１は、半導体プロセスシステム（図示していない）において高温で使用するのに適している加熱型アルミニウム基板支持体１００の１つの実施形態を示している。本発明を利用する目的で適合化することのできる１つの好適な半導体プロセスシステムは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社（カリフォルニア州サンタクララ）から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（商標名）ＣＶＤプロセスシステムである。なお、本発明の加熱型アルミニウム基板支持体１００は、別のプロセスシステム（例えば、別の製造業者から入手可能なプロセスシステム）において使用することも考慮されている。
加熱型アルミニウム基板支持体１００は、円盤状の本体１０２と、脚部１０４と、加熱素子１０６とを含んでいる。脚部１０４は、一般的には管状部材であり、本体１０２に結合されている第１の端部１３２と、反対側の第２の端部１３４とを有する。脚部１０４は、第１の端部１３２に配置されている取付けフランジ１３６を含んでおり、この取付けフランジ１３６は、後から更に説明するように、脚部１０４を本体１０２の底面１１２に結合している。脚部１０４は、上側メインシャフト１３８と下側メインシャフト１４０も含んでいる。上側メインシャフト１３８は、下側メインシャフト１４０よりも大きい直径を有する。下側メインシャフト１４０は、上側メインシャフト１３８のほぼ直径まで外側に延在している環状リブ１４２を含んでいる。
脚部１０４の中には２本のセラミックヒーターチューブ１３０が配置されている。これらのチューブ１３０は、第２の端部１３４付近に配置されている脚部１０４の内部フランジ１４４に結合されている。チューブ１３０のそれぞれを貫いて導電性ロッド１４６が配置されており、それぞれのヒーターリード線１０８に結合されている。コネクタピン１４８は、導電性ロッド１４６にろう付けされている、又は他の方法によって導電性ロッド１４６に結合されている。このピン１４８は、加熱素子１０６への電力の結合を容易にするためチューブ１３０よりも突き出している。
本体１０２内へのセンサー（図示していない）の配置を容易にするため、脚部１０４の中にガイドチューブ１５０も設けられている。図１に示した実施形態においては、チューブ１５０は、本体１０２の底面１１２に形成されている止まり穴１５２の中に入っている。
本体１０２は、アルミニウムから作製されており、約２５０μｍ未満の平均粒径を有する。約２５０μｍ未満の平均粒径により、本体１０２を構成しているアルミニウム材料中の不純物が、より均一に分散する。本体１０２のこの粒子サイズにおいては、粒界の表面積が増すことと、粒界に存在している不純物に起因する点欠陥のサイズが制限されることとによって、不純物の分散がより均一なものとなる。
従って、本体１０２は、点欠陥が少なく、より分散しており、従って、従来の支持体と比較して、フッ化アルミニウムＡｌＦｘ膜の欠陥につながる起点が少なく、より分散しており、結果として、粒子の生成量が減少し、支持体の耐用年数が長くなる。この小さな粒子サイズの予測外の恩恵として、本体１０２のいくつかの実施形態を覆っている陽極酸化被膜の均一性（ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｃｙ）、再現性、及び品質が向上する。陽極酸化被膜の均一性及び品質が向上することにより、ヒーターの動作性能が向上する。
約２５０μｍ未満の平均粒径を有する本体１０２は、多数の方法において得ることができるが、例示的な１つの方法について以下に説明する。なお、約２５０μｍ未満の平均粒径は、本発明の恩恵が得られる別の方法によって達成することも考慮されている。本体１０２を鍛造する実施形態においては、鍛造した本体を粒子サイズに基づいて等級分けすることにより、約２５０μｍ未満の平均粒径を有する本体のみを選択し、それらをアルミニウム基板支持体１００に製造する。
いくつかの実施形態においては、約２５０μｍ未満の平均粒径が得られる方法で本体１０２を鋳造する。本体１０２は、所望の粒子サイズを得るため適切な量の粒径改良材料を加えた、実質的に純粋なアルミニウムから鋳造することができる。特定の実施形態においては、粒径改良材料はチタン（Ｔｉ）である。１つの実施形態においては、約０．０３〜約０．１重量パーセントの粒径改良材料（チタン（Ｔｉ）など）を使用して、約２５０μｍ未満の平均粒径を達成することができる。
加熱素子１０６は、本体１０２の中に配置されている、又は埋め込まれている、又はその他の方法で本体１０２に結合されている。加熱素子１０６は、抵抗発熱体、又は熱伝導流体を循環させる導管、又はその他の適切な熱発生器とすることができる。いくつかの実施形態においては、加熱素子１０６は、本体１０２の温度を約４８０℃まで上昇させることができる。
１つの実施形態においては、加熱素子１０６は、本体１０２の底面１１２から延びているリード線１０８を有する抵抗発熱体である。リード線１０８は、発熱体に給電する電源に加熱素子１０６を容易に結合できるように、本体１０２のうち脚部１０４によって囲まれている領域内から出て脚部１０４の中に配線されている。
図１に示した実施形態においては、加熱素子１０６は、本体１０２の中央に配置されている、すなわち、本体１０２の底面１１２及び反対側の上面１１４から実質的に等しい距離にある。なお、加熱素子１０６を別の方向に配置することも考慮されている。
図２に示した本体１０２の断面図を参照すると、加熱素子１０６は、一般的に、リフトピン穴２０４より半径方向外側に配置されている二重の輪２０２として編成されている。加熱素子１０６の中間点２０６は、一般的には、２つの隣接するリフトピン穴２０４から実質的に等しい距離に配置されている。加熱素子１０６は、所定の位置に鋳造する、溝の中に埋め込む、又は別の方法で本体１０２内に配置することができる。
図３は、溝３０４の中に埋め込まれている加熱素子１０６を有する本体３０２の部分断面図を示している。本体３０２は、上述した本体１０２と実質的に類似している。溝３０４は、鋳造時、鍛造時、又はその他の本体形成工程時に、本体３０２に形成することができる。或いは、溝３０４は、本体３０２の凹部（ｂｌａｎｋ）を作製した後、本体３０２に機械加工する、又はそれ以外の方法で形成することができる。
図３に示した実施形態においては、本体３０２は、冷間加工によるアルミニウム板状素材（６０６１−Ｔ６５１鍛造板状素材（ｗｒｏｕｇｈｔ ｔｏｏｌｉｎｇ ｐｌａｔｅ）など）から作製されており、溝３０４が機械加工されている。加熱素子１０６は、一例においては６０６１−Ｔ６５１板状素材によって溝３０４内に配置されており、溝３０４が機械加工されている。溝３０４は、中に加熱素子１０６が収容されるサイズとすることができ、１つの実施形態においては、溝３０４は、加熱素子１０６が溝３０４に圧入される、又はぴったり嵌るようなサイズとすることができる。
加熱素子１０６を溝３０４に収容しておくため、キャップ３０６が溝３０４を閉じている。キャップ３０６は、本体３０２とキャップ３０６との間に漏れのない継手を形成する任意の適切な手法（電子ビーム溶接など）を使用して、本体３０２に溶接することができる。キャップ３０６及び溝３０４の幾何形状により、電子ビーム溶接をキャップ３０６より奥、本体材料の中に完全に溶け込ませて、応力が加わる位置（ｓｔｒｅｓｓ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｐｏｉｎｔ）を、縦方向の溶接に垂直な方向に変化させることができ、これにより漏れの可能性が大幅に減少する。
図３は、本体３０２と脚部１０４との間の溶接も示している。図１に示した本体１０２及び脚部１０４も同様に結合することができる。本体３０２は、脚部１０４の第１の端部１３２に形成されている取付けフランジ１３６を受け入れるように構成されているくぼみ３０８を含んでいる。
取付けフランジ１３６は、脚部１０４の上側メインシャフト１３８から外方に外側フランジ壁３１４まで広がっている傾斜壁３１２を含んでいる。外側フランジ壁３１４は、ほぼ円形であり、傾斜壁３１２とは反対側の、フランジ壁３１４の端部から半径方向外方に延びているリップ３１６を含んでいる。リップ３１６は、くぼみ３０８の側壁３１０にぴったり嵌る、若しくは圧入される、又はその両方となるような寸法を有する。溶接（この実施形態では重ね継手として示してある）は、くぼみ３０８の側壁３１０と脚部１０４のフランジ壁３１４との間に画成されている隙間を満たしている。溶接３２２のうち露出している端部は、溶接後に機械加工していない。更に、溶接３２２は、リップ３１６を超えて、脚部１０４と、本体のくぼみ３０８の底部３１８まで完全に溶け込んでいる（破線３２０によって示してある）、結果として、溶接３２２のうち応力が加わる位置３２４が、脚部１０４の第１の端部１３２の平面に沿った、溶接３２２の側面に位置する。従って、リップ３１６が、脚部１０４と同種の材料における溶接ルート部を形成するための犠牲下地（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ ｂａｃｋｉｎｇ）となり、これにより、基板支持体３０２の平均耐用年数を短縮しうる亀裂先端の形成が排除される。応力が加わる位置３２４を溶接３２２の側面に位置させることにより、溶接３２２の耐用年数が大幅に増大する。本発明の基板支持体は、温度が４００℃以上４８０℃までの用途において使用できるため、溶接３２２の平面と、応力が加わる位置との間の角度的なずれ（この場合には約９０度）による溶接３２２の耐損傷性によって、従来の突合せ継手設計と比較して相当な改良が提供される。
図１に戻り、基板支持体１００の本体１０２は、一般的には、本体１０２の上面１１４の中央に形成されている止まり穴１６０を含んでいる。この穴１６０は、プロセス時に基板が乗るセラミックカバープレート（図示していない）を位置決めする目的に使用されている。これにより、上面１１４が例えば４６μｉｎ〜６２μｉｎ（ＲＭＳ）に粗面化されているとき、セラミックカバープレートと本体１０２との間の良好な熱接触が確保される。
図４は、図２の切断線４−４に沿って切断したときの基板支持体１００の部分断面図であり、本体１０２のリフトピン穴２０４の中に配置されているリフトピンガイド４０２を示している。このガイド４０２は、下端部４０８付近にショルダー部４０６が形成されている管状セラミック本体４０４を有する。ショルダー部４０６は、リフトピン穴２０４に形成されている棚部（ｌｅｄｇｅ）４１０に面している。本体１０２の底面１１２に形成されている環状タブ４１２は、半径方向内方に、ガイド４０２の下端部４０８に押し付けられており、リフトピン穴２０４の中にガイド４０２を固定している。ガイド４０２の上面４１４は、一般的に、本体１０２の上面１１４よりもくぼんでいる。本体１０２の上面１１４には、リフトピン穴２０４と同心の座ぐり穴４１６が設けられており、リフトピン（図示していない）の末端部が表面１１４より下に配置されるときこれを収容する。
上述した微粒子の基板支持体では、特に、４００℃以上４８０℃までの範囲の工程温度（推奨されるアルミニウム動作温度を十分に上回っている）において、従来の粒子の大きな支持体と比較して、フッ化アルミニウム膜のすぐれた能力特性と、長い耐用年数とが実証された。例えば、約５００μｍの平均粒径を有する基板支持体では、約２１０００回のウェハプロセスサイクルの後、フッ化アルミニウム膜の相当な量の欠陥（従って許容されない粒子生成量）を示したが、約１８０μｍの平均粒径を有する基板支持体では、約３３５０００回のウェハプロセスサイクルの後、フッ化アルミニウム膜の欠陥はほとんど示さなかった。
図５は、加熱型基板支持体を作製する方法５００の１つの実施形態の流れ図である。方法５００はステップ５０２から始まり、このステップにおいて、約２５０μｍの平均粒径を有するアルミニウム本体を形成する。
１つの実施形態においては、形成するステップ５０２は、粒径改良材料を用いて本体を鋳造するステップを含むことができる。チタン又はその他の適切な粒径改良材料を使用することができる。１つの実施形態においては、粒径改良材料として約０．０３〜約０．１重量パーセントのチタンを使用する。
別の実施形態においては、形成するステップ５０２は、アルミニウム本体を等級分けし、約２５０μｍの平均粒径を有する本体のみを選択して更に製造するステップを含むことができる。本体は、鍛造、鋳造、又はその他の方法によって製造することができる。１つの実施形態においては、形成される本体は、圧延アルミニウム板である。
形成するステップは、加熱素子を本体内に組み込むステップを含んでいる。本体を鋳造するいくつかの実施形態においては、加熱素子を板の中に鋳造する。本体が、鋳造、鍛造、又は圧延アルミニウム板である別の実施形態においては、本体に形成される溝に加熱素子を配置する。溝は、電子ビーム溶接又はその他の適切な方法を使用してキャップをかぶせることができる。
ステップ５０４において、脚部を本体に溶接する。１つの実施形態においては、溶接部に応力が加わる位置が縦方向の溶接に実質的に垂直であるように、脚部及び本体に完全に溶け込んだ重ね継手を使用して、脚部を本体に溶接する。
オプションのステップ５０６においては、本体、脚部、それらの選択された表面、のうちの１つ以上を表面処理する（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）ことができる。１つの実施形態においては、本体の上面を表面処理する。
オプションのステップ５０６においては、本体、脚部、それらの選択された表面、のうちの１つ以上を表面処理する（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）ことができる。１つの実施形態においては、本体の上面を表面処理する。
オプションのステップ５０８においては、本体のうちの選択された部分を被膜処理することができる。１つの実施形態においては、脚部が無処理のアルミニウム面のままとなるように、脚部をマスキングした状態で本体を陽極酸化する。別の実施形態においては、本体及び脚部をフッ化アルミニウム（ＡｌＦｘ）の層によって処理する（ｓｅａｓｏｎｅｄ）。
このように、熱間プロセス環境において基板の改良されたプロセスを可能とする、加熱型アルミニウム基板支持体と、それを製造する方法とを提供する。基板支持体の本体が微粒子構造であることにより、粒界の表面積が増すことと、粒界に存在している不純物に起因する点欠陥のサイズが制限されることとによって、不純物の分散がより均一なものとなり、この結果として、フッ化アルミニウム膜の損傷や粒子生成の発生原因となる欠陥点（ｄｅｆｅａｔ ｐｏｉｎｔ）が減少する。更に、微粒子の本体は、結果としてすぐれた陽極酸化被膜と、ヒーターの堅牢な動作性能につながり、これは有利な再現可能な基板支持体である。従って、微粒子構造の基板支持体は、従来の設計よりもすぐれたフッ化アルミニウム膜の能力特性と、これに相応する長い耐用年数とを提供する。更には、本発明の脚部と本体との間の改良された溶接継手により、従来の設計よりも溶接部が損傷する可能性が減少し、これにより、本発明の基板支持体の耐用年数が更に延びる。
上記の説明は、本発明のいくつかの実施形態を対象としたものであるが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明のそれ以外の更なる実施形態を案出することができる。本発明の範囲は、特許請求の範囲に基づいて定められる。
本発明の上述した構成を達成し、詳しく理解できるように、上に簡潔に要約した本発明について、添付図面に図解した本発明の実施形態を参照しながら、更に具体的に説明する。
しかしながら、添付図面は本発明の代表的な実施形態を示しているにすぎず、従って、本発明の範囲を制限するものとはみなされず、本発明は、同等の効果を有する他の実施形態を含むことに留意すべきである。更に、１つの実施形態の構成を、更に記載することなく別の実施形態において有利に利用することができる。
Claims (17)
- 半導体プロセスシステムに使用される基板支持体であって、
２５０μｍ未満の平均粒径を有するアルミニウム本体と、
前記本体に埋め込まれている加熱素子と、
完全溶け込み重ね溶接継手によって前記本体の底部に結合されている脚部とを備えている基板支持体。 - 前記加熱素子が前記脚部の中に延びているリード線を更に備えている請求項１に記載の基板支持体。
- 前記本体を貫いて形成されているリフトピン穴に配置されているセラミックガイドを更に備えている請求項１に記載の基板支持体。
- 前記本体が粒径改良材料を更に備えている請求項１に記載の基板支持体。
- 前記本体がチタン粒径改良材料を更に備えている請求項１に記載の基板支持体。
- 前記本体が０．０３〜０．１重量パーセントの間のチタン粒径改良材料を更に備えている請求項１に記載の基板支持体。
- 前記本体が鋳造され又は鍛造される請求項１に記載の基板支持体。
- 半導体プロセスシステムに使用される基板支持体であって、
２５０μｍ未満の平均粒径を有する圧延アルミニウム本体と、
前記本体内に配置されている加熱素子と、
脚部であって、前記脚部の取付フランジの端部に形成され、完全溶け込み重ね溶接継手によって前記本体の底部に結合されている脚部とを備えている基板支持体。 - 前記本体が機械加工されている溝を有する６０６１−Ｔ６５１鍛造板状素材を更に備えており、
前記加熱素子が前記溝に配置されている請求項８に記載の基板支持体。 - 半導体プロセスシステムに使用される基板支持体を製造する方法であって、
２５０μｍ未満の平均粒径を有するアルミニウム本体を選択するステップであって、前記本体が中央の止まり穴を有する上面と、反対側の底面とを有する前記ステップと、
管状の脚部を前記本体の前記底面に形成されているくぼみの中に重ね溶接するステップであって、前記脚部のリップは溶接ルート部を形成するための犠牲下地を形成し、前記本体内に配置されている加熱素子のリード線が前記管の中に延びている前記ステップとを含む方法。 - 前記選択するステップが、
２５０μｍより大きい平均粒径を有する本体を含む、複数の鍛造された本体から、２５０μｍ未満の平均粒径を有する鍛造された本体を選択するステップを更に含む請求項１０に記載の方法。 - 前記本体を鋳造するステップを更に含む請求項１０に記載の方法。
- 鋳造するステップが、
粒径改良材料を含むアルミニウム材料から前記本体を鋳造するステップを更に含む請求項１２に記載の方法。 - 鋳造するステップが、
チタン粒径改良材料を含むアルミニウム材料から前記本体を鋳造するステップを更に含む請求項１２に記載の方法。 - 鋳造するステップが、
０．０３〜０．１重量パーセントの間のチタン粒径改良材料を含むアルミニウム材料から前記本体を鋳造するステップを更に含む請求項１２に記載の方法。 - 前記本体を形成するための圧延アルミニウム板に、前記加熱素子を受け入れるように構成されている溝を形成するステップを更に含む請求項１０に記載の方法。
- 前記本体を形成するための６０６１−Ｔ６５１鍛造アルミニウム板状素材に、前記加熱素子を受け入れるように構成されている溝を形成するステップを更に含む請求項１０に記載の方法。
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