JP5535570B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、固体撮像装置の製造技術に関し、特に、フレキシブル配線基板に撮像素子を搭載した固体撮像装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。

固体撮像装置は、映像からの光信号を画素の配列により電気信号に変換する光電変換装置である。固体撮像装置の基板の主面には、撮像素子がその受光面を上に向けた状態で搭載されている。

特開２００５−７２２５８号公報（特許文献１）には、配線基板に光センサ用の半導体チップを搭載してワイヤボンディングしたカメラモジュールに関する技術が記載されている。

特開２００５−２０５３２号公報（特許文献２）には、フレキシブル基板に光学チップを搭載した光モジュールに関する技術が記載されている。

特開２００５−７２２５８号公報 特開２００５−２０５３２号公報

本発明者の検討によれば、次のことが分かった。

携帯電話には、前記特許文献１のような固体撮像装置（カメラモジュール）が搭載されているが、近年では、携帯電話の小型化（薄型化）に伴い、搭載される固体撮像装置に対しても薄型化の要求がある。

薄型化を実現するためには、前記特許文献１のように、ガラスエポキシ系樹脂からなる配線基板に固体撮像素子（センサチップ）を搭載し、この配線基板の接続端子にフィルム状の基板（フレキシブル基板）を接続する構造ではなく、前記特許文献２のように、フィルム状の基板（フィルムキャリアテープ）に直接、フリップチップ実装することが有効とされている。

そこで、本願発明者は、固体撮像素子（センサチップ）をフリップチップ実装した固体撮像装置について検討した。

その結果、前記特許文献２のように、電極を介してフィルム状の基板と固体撮像素子とを電気的に接続する構成だけでは、固体撮像素子の実装強度が不十分であることが分かった。

そこで、本願発明者は、固体撮像素子と基板との間に封止材を配置し、フリップチップ実装する際の熱によりこの封止材を硬化させることで、固体撮像素子の実装強度を向上させた。

ここで、固体撮像素子の電極パッドのレイアウトは、固体撮像素子の各辺に沿ってほぼ等ピッチ（均等）に配置されているものもあれば、そうでないものもある。今回、本願発明者が使用した固体撮像素子の電極パッドのレイアウトは、等ピッチに配置されていないもの、言い換えると、固体撮像素子の辺に沿って電極パッドが形成（配列）されていない部分を有するものであり、このような固体撮像素子を使用したことで、新たに以下の問題が発生した。

すなわち、フリップチップ実装するときの熱の影響により、固体撮像素子の電極パッドが形成（配列）されていない部分において、フィルム状の基板の一部が撓む現象が生じた（後述の図４５参照）。そして、フィルム状の基板の一部が撓むことで固体撮像素子と基板との距離（間隔）が近づいたことにより、固体撮像素子と基板との間に配置された、硬化前の封止材の一部が固体撮像素子と基板との間から周囲に流出した。封止材の一部が流出すると、固体撮像素子のセンサ面（受光部）が流出した封止材の一部で覆われる虞があり、固体撮像装置の信頼性が低下するため、何らかの対策が必要である。

本発明の目的は、固体撮像装置の信頼性を向上できる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

代表的な実施の形態による固体撮像装置の製造方法は、開口部と前記開口部の周囲に形成された複数のボンディングリードとを下面に有する配線基板を用意し、前記配線基板の前記下面のセンサチップ搭載予定領域の一部に第１封止材を供給してから、複数のバンプ電極ＢＰとセンサ面とを表面に有するセンサチップを、前記開口部から前記センサ面が露出されるように、前記配線基板２の下面にフリップチップ実装する。そして、前記センサチップは、前記表面の外周部において前記複数のバンプ電極が配列した第１領域と前記バンプ電極が配列していない第２領域とを有しており、前記配線基板の前記下面に前記第１封止材を供給する際に、後で前記センサチップを搭載したときに前記第１領域と平面的に重なる領域に前記第１封止材を供給し、前記第２領域と平面的に重なる領域には前記第１封止材を供給しないようにするものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

代表的な実施の形態によれば、固体撮像装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの正面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの側面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールのレンズユニットを取り付けていない状態を示す正面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールのレンズユニットを取り付けていない状態を示す側面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールのレンズユニットを取り付けていない状態を示す下面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールのレンズユニットを取り付けていない状態を示す断面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールのレンズユニットを取り付けていない状態を示す断面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールのレンズユニットを取り付けていない状態を示す下面透視図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造工程を示す製造プロセスフロー図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造に用いる配線基板の上面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造に用いる配線基板の下面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造に用いる配線基板の要部平面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造に用いる配線基板の断面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造に用いる配線基板の断面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造に用いる配線基板の断面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造工程中の上面図である。 図１６と同じカメラモジュールの製造工程中の下面図である。 図１６と同じカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図１６に続くカメラモジュールの製造工程中の要部平面図である。 図１９において、封止材を透視し、封止材の位置を点線で示した要部平面図である。 図１９と同じカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図１９と同じカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図１９と同じカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造に用いるセンサチップの平面図である。 図１９に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図２５に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図２６と同じカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図２６と同じカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図２６と同じカメラモジュールの製造工程中の要部平面図である。 図２６に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図３０に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 配線基板の上面に塗布する樹脂カバー接着用の接着材の塗布領域を示す上面図である。 図３１に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図３３に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図３４と同じカメラモジュールの製造工程中の要部平面図である。 図３５において、封止材が供給されている平面領域を示す要部平面図である。 図３４に続くカメラモジュールの製造工程中の下面図である。 図３７に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 センサチップの平面図である。 センサチップのフリップ実装工程の説明図である。 センサチップのフリップ実装工程の説明図である。 センサチップのフリップ実装工程の説明図である。 センサチップのフリップ実装工程の説明図である。 比較例のセンサチップのフリップ実装工程の説明図である。 比較例のセンサチップのフリップ実装工程の説明図である。 センサチップの変形例を示す平面図である。 図３９に示されるセンサチップを使用した場合の封止材の供給領域の説明図である。 図３９に示されるセンサチップを使用した場合の封止材の供給領域の説明図である。 図４６に示されるセンサチップを使用した場合の封止材の供給領域の説明図である。 図４６に示されるセンサチップを使用した場合の封止材の供給領域の説明図である。 本発明の他の実施の形態であるカメラモジュールの製造工程を示す製造プロセスフロー図である。 本発明の一実施の形態であるカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図５２に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図５３に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 図５４に続くカメラモジュールの製造工程中の断面図である。 加熱工程の説明図である。 加熱工程の説明図である。 本発明の他の実施の形態で用いられるセンサチップの平面図である。 本発明の他の実施の形態で用いられる配線基板の要部平面図である。 図５９の配線基板における封止材の供給領域を示す説明図である。 図５８のセンサチップが図５９の配線基板にフリップチップ実装された状態を示す要部平面図である。 図６１のＡ１−Ａ１線の断面図である。 図６１のＡ２−Ａ２線の断面図である。 図６１のＡ３−Ａ３線の断面図である。 配線基板の変形例を示す上面図である。 配線基板の変形例を示す上面図である。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。

（実施の形態１）
本実施の形態の固体撮像装置およびその製造工程を図面を参照して説明する。本実施の形態の固体撮像装置は、例えば携帯電話、デジタルカメラ、ＴＶ電話、ＰＣカメラ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants：携帯情報端末）、光学マウス、ドアホン、監視カメラ、指紋認識装置または玩具などの画像入力部に使用されるカメラモジュールである。

＜固体撮像装置（カメラモジュール）の構造について＞
図１は、本発明の一実施の形態である固体撮像装置、例えばカメラモジュール（固体撮像装置）ＭＪ１の正面図であり、図２はカメラモジュールＭＪ１の側面図である。図３は、レンズユニット６を取り付けていない状態のカメラモジュールＭＪ１（以下ではレンズユニット６を取り付けていない状態のカメラモジュールＭＪ１をカメラモジュールＭＪ１ａと称するものとする）の正面図である。また、図４はカメラモジュールＭＪ１ａの側面図であり、図５はカメラモジュールＭＪ１ａの下面（底面）図であり、図６および図７はカメラモジュールＭＪ１ａの断面図（側面断面図）であり、図８は、カメラモジュールＭＪ１ａの下面透視図である。なお、図６は、図５および図８のＡ１−Ａ１線の位置での断面図に対応し、図７は、図５および図８のＢ１−Ｂ１線の位置での断面図に対応するが、図５および図８は下面側が示され、図６および図７は、下面側が下を向き、上面側が上を向いた状態が示されている。また、図８は、図５の下面図において、樹脂カバー７を透視した状態が示されるとともに、センサチップ３で隠れている配線基板２の開口部ＯＰ１の位置を点線で示してある。

図１〜図８に示されるように、本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１は、配線基板２と、配線基板２の下面２ｂに搭載されたセンサチップ３と、配線基板２の上面２ａに搭載された電子部品４と、配線基板２の上面２ａに配置されてセンサチップ３のセンサ面ＳＥと電子部品４を覆う樹脂カバー５と、樹脂カバー５上に配置されたレンズユニット６と、配線基板２の下面２ｂに配置されてセンサチップ３を覆う樹脂カバー７とを有している。

配線基板（フレキシブル配線基板）２は、互いに反対側に位置する２つの主面である上面（主面、表面、レンズ搭載面）２ａと下面（裏面、センサチップ搭載面）２ｂとを有しており、上面２ａ側が、レンズ（レンズはレンズユニット６に内蔵されている）搭載側の主面（レンズ搭載面）となり、下面２ｂ側が、センサチップ搭載側の主面（センサチップ搭載面）となっている。

配線基板２は、フィルム状の配線基板であり、所謂フレキシブル配線基板（フレキシブル基板）である。具体的には、配線基板２は、屈曲性に優れた可撓性のベース基板（ベースフィルム、基材層、絶縁性フィルム）１１に配線パターン（導体パターン）を形成したものである。ベース基板１１は、例えばポリイミドやポリエステルなどからなり、絶縁性を有している。配線基板２を構成する配線パターン（導体パターン）は、配線基板２の上面２ａに対応するベース基板１１の上面上と、配線基板２の下面２ｂに対応するベース基板１１の下面上とに形成されており、例えば、ベース基板１１に接着材などで接着された導体箔（好ましくは銅箔）により形成されている。配線基板２の下面２ｂに形成されている後述の端子９，１３や、この端子９に一体的に接続された配線（配線パターン）ＷＰ１は、配線基板２の下面２ｂ（すなわちベース基板１１の下面）に形成された配線パターン（導体パターン）によって形成されている。また、配線基板２の上面２ａに形成されている後述の端子１０やこの端子１０に一体的に接続された配線パターンは、配線基板２の上面２ａ（すなわちベース基板１１の上面）に形成された配線パターン（導体パターン）によって形成されている。図７には、配線基板２の配線パターンのうち、配線基板２の下面２ｂに形成された配線ＷＰ１の一部が図示されているが、図５では、簡略化のために、配線ＷＰ１の図示は省略してある。

配線基板２の上面２ａ側の配線パターンと下面２ｂ側の配線パターンとは、ベース基板１１に形成されたビア（図示せず）を介して必要に応じて電気的に接続されている。ここでビアとは、配線基板２を構成するベース基板１１に形成された孔（貫通孔）であるが、孔の側壁上に導体膜が形成されているか、あるいは孔内が導体膜で埋められており、孔に、この導体膜を含めたものをビア（またはビアホール）と呼ぶものとする。従って、ベース基板１１に形成されたビアは、そのベース基板１１の上下両面の配線パターンの間を、ビアを構成する孔の側壁上または孔内の導体膜を介して電気的に接続するように機能することができる。

配線基板２において、センサチップ３が搭載された領域（チップ搭載領域）の中央部には、センサチップ３の平面寸法（面積）よりも小さな平面寸法（面積）を有する開口部（貫通孔、孔）ＯＰ１が形成されている。すなわち、配線基板２の開口部ＯＰ１は、配線基板２の下面２ｂ上に配置されたセンサチップ３に平面的に内包されるように形成されている。この開口部ＯＰ１は、配線基板２の下面２ｂから上面２ａまで（下面２ｂから上面２ａに向かって）貫通しており、センサチップ３の表面３ａのセンサ面（センサアレイ領域、受光素子領域）ＳＥを開口部ＯＰ１から露出させている。センサチップ３の平面形状は四角形であり、より特定的には矩形（長方形）である。このため、センサチップ３の形状に合わせて、開口部ＯＰ１の平面形状も矩形（長方形）であることが好ましい。

センサチップ（撮像素子、固体撮像素子、半導体撮像素子）３は、光センサ用の半導体チップであり、例えばＣＭＯＳイメージセンサ回路などのセンサ回路（受光素子回路）が形成されており、センサ回路が形成された側の主面である表面（受光面、受光素子形成面）３ａと、表面３ａとは反対側の主面である裏面とを有している。そして、センサチップ３の表面３ａが配線基板２に対向する側となるように、配線基板２の下面２ｂ上にセンサチップ３がフリップチップ実装されている。

センサチップ３に形成されたＣＭＯＳイメージセンサ回路は、半導体装置の製造工程で標準的に使用されるＣＭＯＳプロセスにより形成されており、センサアレイ（受光素子領域）を有している。センサチップ３の表面３ａの中央領域には、受光部として、センサアレイが形成された領域であるセンサ面（受光部、センサアレイ領域）ＳＥが配置されており、このセンサ面ＳＥは、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出されている。すなわち、配線基板２の開口部ＯＰ１は、配線基板２の下面２ｂ上に配置されたセンサチップ３に平面的に内包され、センサチップ３の表面３ａにおけるセンサ面ＳＥは、配線基板２の開口部ＯＰ１に平面的に内包されている。

レンズユニット６内のレンズ（図示省略）により集光された光が、ＩＲフィルタ（ＩＲガラスフィルタ）８を経由して、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出されているセンサチップ３の表面３ａのセンサ面ＳＥに入射されるように構成されている。センサチップ３のセンサ面ＳＥには、複数の受光素子がセンサチップ３の主面に沿って縦横方向に規則的に並んで配置されており、個々の受光素子は、ＣＭＯＳイメージセンサ回路の画素を形成する部分であり、入射された光信号を電気信号に変換する光電変換機能を有している。この受光素子としては、例えばフォトダイオードまたはフォトトランジスタが使用されている。また、センサチップ３は、センサ面ＳＥで得られた電気信号を処理するアナログ回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路なども有している。

センサチップ３の表面３ａにおけるセンサ面ＳＥの周囲には、すなわちセンサチップ３の表面３ａの外周（外周領域、周辺部、周縁部）には、その外周に沿って複数の電極パッド（ボンディングパッド、パッド電極）ＰＤが形成されている。この電極パッドＰＤは、センサチップ３のＣＭＯＳイメージセンサ回路の引出電極である。そして、センサチップ３の表面３ａにおいて、複数の電極パッドＰＤ上に複数のバンプ電極ＢＰがそれぞれ形成されており、これら複数のバンプ電極ＢＰが、配線基板２の下面２ｂの複数の端子（ボンディングリード、電極、導電性ランド）９にそれぞれ機械的かつ電気的に接続されている。

配線基板２の下面２ｂの各端子９は、配線基板２の下面２ｂ（すなわちベース基板１１の下面）に形成された上記配線パターン（導体パターン）の一部によって形成されている。配線基板２の下面２ｂにおいて、これら複数の端子９は、開口部ＯＰ１の周囲に配置（形成）されている。これらの端子９は、バンプ電極ＢＰ接続用の端子であり、ボンディングリードとみなすこともできる。

配線基板２の上面２ａに単数または複数の電子部品４が搭載（実装）されているが、この電子部品４は、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）などのような不揮発性メモリ回路が形成されたメモリチップ（メモリ用の半導体チップ）や、チップ抵抗やチップコンデンサなどの受動部品（チップ部品）である。電子部品４のうち、メモリチップは、半田バンプ（バンプ電極）などを介して配線基板２の上面２ａ上にフリップチップ実装され、チップ抵抗やチップコンデンサなどの受動部品は、配線基板２の上面２ａ上に半田実装されている。すなわち、電子部品４の各電極が、配線基板２の上面２ａの各端子（電極、導電性ランド、ボンディングリード）１０にそれぞれ機械的かつ電気的に接続されている。図６では、電子部品４として、チップ抵抗やチップコンデンサなどの受動部品が半田１４を介して配線基板２の上面２ａの端子１０に接続された状態が示されている。配線基板２の上面２ａには、電子部品４接続用の端子である複数の端子１０が形成されており、各端子１０は、配線基板２の上面２ａ（すなわちベース基板１１の上面）に形成された上記配線パターン（導体パターン）の一部によって形成されている。

樹脂カバー（第１カバー部材、保護部材、鏡筒、枠体）５は、配線基板２の上面２ａに搭載された電子部品４と、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するセンサチップ３の表面３ａ（のセンサ面ＳＥ）とを覆うように、配線基板２の上面２ａに搭載されており、樹脂カバー５の底面が接着材などを介して配線基板２の上面２ａに接着されて固定（固着）されている。電子部品４とセンサチップ３のセンサ面ＳＥとは、樹脂カバー５で覆われるが、樹脂カバー５とは接しておらず、樹脂カバー５の内壁から離間している。樹脂カバー５は、センサチップ３のセンサ面ＳＥ（および電子部品４）を覆って保護するように機能するため、カバー部材または保護部材とみなすことができる。樹脂カバー５は、例えばＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの樹脂材料またはプラスチック材料（絶縁材料）などからなり、ガラス繊維などを含有することもできる。樹脂カバー５の上部（頭部）には、ＩＲフィルタ（ＩＲガラスフィルタ）８が樹脂カバー５の上部の開口を塞ぐように取り付けられている。ＩＲフィルタ８は、可視光を透過し、所定の波長以上の不要な赤外放射を遮断するよう機能することができる。

レンズユニット（レンズブロック、レンズホルダ、レンズ保持部、レンズＡｓｓｙ）６は、内部にレンズ（光学レンズ、図示は省略）を保持または収容しており、樹脂カバー５の上部に配置（連結、装着）されている。これにより、カメラモジュールＭＪ１の外界の光が、レンズユニット６内のレンズにより集光され、ＩＲフィルタ８を通ってセンサチップ３の表面３ａのセンサ面ＳＥに入射（照射）されるようになっている。また、レンズユニット６内にレンズの可動機構を設けて、ズーム機能を持たせることもできる。

また、センサチップ３の表面３ａのセンサ面ＳＥは、センサチップ３の表面３ａと配線基板２の下面２ｂとの間の封止材１２と、配線基板２の上面２ａに搭載された樹脂カバー５（およびその上部のＩＲフィルタ８）とによって外部から遮蔽されているため、センサチップ３の表面３ａのセンサ面ＳＥを保護し、センサチップ３のセンサ面ＳＥを防塵することができる。

配線基板２の下面２ｂにおいて、センサチップ３や樹脂カバー７を搭載している側とは反対側の端部近傍には、カメラモジュールＭＪ１の外部端子（外部接続端子）として機能するコネクタ（コネクタ部）ＣＮＴが設けられている。コネクタＣＮＴは、カメラモジュールＭＪ１（が内蔵する回路）を外部機器に電気的に接続するための外部端子として機能する。具体的には、配線基板２の下面２ｂにおいて、センサチップ３や樹脂カバー７を搭載している側とは反対側の端部近傍には、複数の端子（外部端子、外部接続端子）１３が配置されており、コネクタＣＮＴは、これら複数の端子１３に電気的に接続されている。配線基板２の下面２ｂの各端子１３は、配線基板２の下面２ｂ（すなわちベース基板１１の下面）に形成された上記配線パターン（導体パターン）の一部によって形成されている。コネクタＣＮＴは複数の端子を有しており、コネクタＣＮＴの各端子は、配線基板２の各端子１３に電気的に接続され、更に、配線基板２の配線パターン（配線ＷＰ１や端子９，１０や配線基板２のビアを含む）を通じてカメラモジュールＭＪ１内の回路（センサチップ３や電子部品４の各電極）と電気的に接続されている。すなわち、配線基板２の下面２ｂに設けられた複数の端子９と、配線基板２の上面２ａに設けられた複数の端子１０と、コネクタＣＮＴとは、配線基板２の配線（下面２ｂに形成された配線および上面２ａに形成された配線）やビアを介して、電気的に接続されている。他の形態として、コネクタＣＮＴを、配線基板２の上面２ａにおいて、樹脂カバー５を搭載している側とは反対側の端部近傍に設けることもできる。

配線基板２の下面２ｂ上に、センサチップ３を覆うように、樹脂カバー（第２カバー部材、保護部材）７が搭載されている。この樹脂カバー７は、例えばＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの樹脂材料またはプラスチック材料（絶縁材料）などからなり、センサチップ３を覆うように、配線基板２の下面２ｂに接着材などで接着されている（貼り付けられている）。樹脂カバー７によってセンサチップ３を保護することができる。配線基板２の上面２ａ側の樹脂カバー５は、その内壁がセンサチップ３から離間していたが、配線基板２の下面２ｂ側の樹脂カバー７は、その内壁をセンサチップ３に近接させることができる（接していてもよい）。樹脂カバー７は、センサチップ３を覆って保護するように機能するため、カバー部材または保護部材とみなすことができる。

センサチップ３は配線基板２の下面２ｂにフリップチップ実装（フリップチップ接続）されている。すなわち、センサチップ３の表面３ａに設けられた複数のバンプ電極ＢＰが、配線基板２の下面２ｂの複数の端子９にそれぞれ接続されている。そして、センサチップ３の表面３ａの外周部（外周領域、周辺部、周縁部）と、それに対向する部分の配線基板２の下面２ｂとの間には、封止材１２が充填されている。封止材１２は、絶縁性を有している。封止材１２は、樹脂材料からなり、より特定的には、熱硬化性樹脂が硬化したものである。この封止材１２によってセンサチップ３の表面３ａの外周部と配線基板２の下面２ｂとの間の隙間が埋められることで、配線基板２の下面２ｂ側のセンサチップ３外部空間から、センサチップ３の表面３ａのセンサ面ＳＥが遮蔽されているため、センサチップ３の表面３ａのセンサ面ＳＥを防塵することができる。封止材１２は、後述の封止材１２ａと封止材１２ｂとによって形成されている。すなわち、封止材１２には、後述の封止材１２ａで形成されている部分と後述の封止材１２ｂで形成されている部分とがある。

センサチップ３のセンサ面ＳＥに塵などの異物が付着すると、撮影し表示した画像中に不良を発生させてしまうため、センサチップ３のセンサ面ＳＥに塵などの異物が付着するのを防止することは極めて重要である。本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１では、センサチップ３の表面３ａのセンサ面ＳＥは、センサチップ３の表面３ａ、封止材１２、配線基板２、樹脂カバー５およびＩＲフィルタ８で囲まれた遮蔽空間内に配置されているため、その遮蔽空間外部から塵などの異物が侵入してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに異物が付着するのを的確に防止することができる。

＜固体撮像装置（カメラモジュール）の製造工程について＞
次に、本実施の形態の固体撮像装置（ここではカメラモジュールＭＪ１）の製造工程について説明する。

図９は、本実施の形態の固体撮像装置、ここではカメラモジュールＭＪ１の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図１０は、カメラモジュールＭＪ１の製造に用いる配線基板２の上面図であり、図１１は、その下面図であり、図１２は、その要部平面図（部分拡大下面図）、図１３〜図１５は、その断面図である。図１０〜図１２のＡ１−Ａ１線の断面が図１３（Ａ１−Ａ１断面図）にほぼ対応し、図１２のＡ２−Ａ２線の断面が図１４（Ａ２−Ａ２断面図）にほぼ対応し、図１２のＡ３−Ａ３線の断面が図１５（Ａ３−Ａ３断面図）にほぼ対応している。なお、図１０は配線基板２の上面２ａ側が示され、図１１および図１２は配線基板２の下面２ｂ側が示され、図１３〜図１５は、配線基板２の下面２ｂ側が上を向き、上面２ａ側が下を向いた状態が示されている。また、図１１の点線で囲まれた領域ＲＧ１の拡大図が図１２に対応するが、図１２は、図１１の領域ＲＧ１を反時計回りに９０°回転させて図示してあることに注意すべきである。なお、図１０〜図１２において、Ｘ方向とＹ方向とは、互いに直交する方向であり、Ｘ方向が配線基板２の長辺方向（長手方向）であり、Ｙ方向が配線基板２の短辺方向（短手方向）であり、これは他の平面図でも同様である。

カメラモジュールＭＪ１を製造するには、まず、図１０〜図１５に示されるような配線基板２を用意する（図９のステップＳ１）。配線基板２は、上述のようにフレキシブル配線基板である。配線基板２の基本的な構成は上述したので、ここでは重複する説明については省略する。

図１１および図１２に示されるように、配線基板２の下面２ｂにおいて、開口部ＯＰ１の周囲には、後でセンサチップ３のバンプ電極ＢＰを接続すべき複数の端子９が配列している。また、図１０に示されるように、配線基板２の上面２ａにおいて、電子部品４の搭載予定領域には、後で電子部品４の電極を接続すべき複数の端子１０が設けられている。なお、配線基板２の下面２ｂにおいて、複数の端子９のそれぞれに配線ＷＰ１が一体的に接続されているが、図１１の下面図では、簡略化のために、複数の端子９のうちの一部の端子９に接続された配線ＷＰ１のみが図示され、また、図１２〜図１５では、配線ＷＰ１の図示は省略している。

図１０〜図１５のような配線基板２を用意（準備）した後、図１６〜図１８に示されるように、配線基板２に電子部品４とコネクタＣＮＴを実装（搭載）する（図９のステップＳ２）。

図１６（上面図）、図１７（下面図）および図１８（Ａ１−Ａ１断面図）は、上記図１０、図１１および図１３にそれぞれ対応する上面図、下面図および断面図であり、ステップＳ２が行われた段階（状態）が示されている。

ステップＳ２における電子部品４の実装工程を具体的に説明すると、配線基板２の上面２ａを上方に向けた状態で、電子部品４のうちの受動部品（チップ抵抗やチップコンデンサなど）が接続される端子１０に半田印刷などで半田１４（半田ペーストなど）を供給してから、その上に受動部品を搭載する。また、電子部品４のうちのメモリチップのような半導体チップは、その半導体チップの半田バンプ（バンプ電極）が端子１０に対向するように配線基板２の上面２ａ上に配置する。そして、半田リフロー処理（熱処理）を行うことで、受動部品の電極を半田を介して配線基板２の上面２ａの端子１０に接合して電気的に接続し、また、メモリチップのような半導体チップの半田バンプを配線基板２の上面２ａの端子１０に接合して電気的に接続する。

また、コネクタＣＮＴは、配線基板２の下面２ｂに取り付け、配線基板２の上面２ａにおけるコネクタＣＮＴを接続すべき複数の端子１３にコネクタＣＮＴ（の複数の端子）を電気的に接続する。

ステップＳ２において、配線基板２の上面２ａ上に電子部品４が実装され、配線基板２の下面２ｂ上にコネクタＣＮＴが実装されるが、電子部品４の実装とコネクタＣＮＴの実装は、どちらを先に行うこともできる。

このようにして、配線基板２の上面２ａに電子部品４が実装されて、各電子部品４の各電極が配線基板２の上面２ａの各端子１０に電気的に接続され、また、配線基板２の下面２ｂにコネクタＣＮＴが実装（搭載）されて、コネクタＣＮＴの各端子が、それに接続すべき配線基板２の各端子１３に電気的に接続される。

次に、配線基板２の下面２ｂに封止材（第１封止材）１２ａを供給（塗布、配置）する（図９のステップＳ３）。

図１９および図２０は、上記図１２に対応する要部平面図（部分拡大下面図）であり、図１９には、ステップＳ３で封止材１２ａが供給された段階（状態）が示され、図２０は、図１９において、封止材１２ａを透視し、封止材１２ａの位置（外形位置）を点線で示したものである。図１９は、平面図であるが、図面を見やすくするために、封止材１２ａにハッチングを付してある。また、図２１（Ａ１−Ａ１断面図）、図２２（Ａ２−Ａ２断面図）および図２３（Ａ３−Ａ３断面図）は、上記図１３、図１４および図１５にそれぞれ対応する断面図であり、ステップＳ３で封止材１２ａが供給された段階（状態）が示されている。

ステップＳ３の封止材１２ａの供給工程においては、配線基板２の下面２ｂが上方を向いた状態とし、配線基板２の下面２ｂにおいて、開口部ＯＰ１の周囲で、後でセンサチップ３が搭載されたときにそのセンサチップ３の表面３ａと対向する領域に、封止材１２ａを供給する。より特定的には、配線基板２の下面２ｂにおいて、後で搭載されるセンサチップ３のバンプ電極ＢＰに接続されるべき端子９が配列している領域またはその近傍領域に、封止材１２ａを供給する。

ステップＳ３で供給される封止材１２ａは、絶縁性の樹脂材料からなるが、好ましくは熱硬化性樹脂材料からなり、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができる。ステップＳ３の段階では、封止材１２ａは、まだ硬化しておらず、ペースト状である。このため、ステップＳ３で供給される封止材１２ａとして、ＮＣＰ（ノンコンダクティブペースト）を好適に用いることができる。ステップＳ３において、封止材１２ａは、例えば、ディスペンス法という手法を用いて配線基板２の下面２ｂ上に供給することができる。

次に、配線基板２の下面２ｂにセンサチップ３を搭載する（図９のステップＳ４）。

図２４は、ステップＳ４で配線基板２へ搭載する前のセンサチップ３の平面図であり、センサチップ３の表面３ａが示されている。図２５（Ａ１−Ａ１断面）および図２６（Ａ１−Ａ１断面図）は、上記図１３に対応する断面図であり、図２７（Ａ２−Ａ２断面図）および図２８（Ａ３−Ａ３断面図）は、上記図１４および図１５にそれぞれ対応する断面図である。図２５には、ステップＳ４でセンサチップ３を配線基板２の下面２ｂに搭載する途中の段階（状態）が示され、図２６〜図２８には、ステップＳ４でセンサチップ３が配線基板２の下面２ｂに搭載（フリップチップ実装）された段階（状態）が示されている。図２９（要部平面図）は、上記図１２に対応する要部平面図（部分拡大下面図）であり、ステップＳ４でセンサチップ３が配線基板２の下面２ｂに搭載（フリップチップ実装）された段階（状態）が示されている。なお、図２４においても、理解を簡単にするために、ステップＳ４でセンサチップ３を配線基板２の下面２ｂにフリップチップ実装したときに、上記Ａ１−Ａ１線、Ａ２−Ａ２線およびＡ３−Ａ３線に重なる位置に、Ａ１−Ａ１線、Ａ２−Ａ２線およびＡ３-Ａ３線の位置を示す一点鎖線を入れてある。また、図２９においては、理解を簡単にするために、センサチップ３の下に位置する（隠れている）配線基板２の開口部ＯＰ１の位置を二点鎖線で示し、センサチップ３の下に位置する（隠れている）バンプ電極ＢＰを点線で示してある。

図２４に示されるように、配線基板２の下面２ｂに搭載するセンサチップ３の表面３ａには、受光部である上記センサ面ＳＥが形成されており、センサ面ＳＥの周囲、すなわちセンサチップ３の表面３ａの外周（外周領域、周辺部、周縁部）には、複数の電極パッドＰＤが形成されており、この複数の電極パッドＰＤ上に複数のバンプ電極ＢＰがそれぞれ形成されている。なお、図２４では、各バンプ電極ＢＰの直下に各電極パッドＰＤが配置されているため、電極パッドＰＤの符号は省略してある。各バンプ電極ＢＰは、好ましくは金バンプ（金からなるバンプ電極）である。バンプ電極ＢＰはスタッドバンプ（より好ましくは金のスタッドバンプ）であることが好ましいため、センサチップ３を準備（製造）する際には、電極パッドＰＤ上にスタッドバンプ法でバンプ電極ＢＰを形成することが好ましい。センサチップ３におけるバンプ電極ＢＰは、ステップＳ４で配線基板２の下面２ｂにセンサチップ３を搭載（フリップチップ実装）する前に形成しておく。スタッドバンプ法では、ボンディングワイヤを溶融して金属（好ましくは金）のボールを形成し、これをセンサチップ３の電極パッドＰＤに接合することで、スタッドバンプ（バンプ電極ＢＰ）を形成することができる。

センサチップ３を準備（用意）するのは、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程の前であればよく、ステップＳ４の前であれば、ステップＳ１の前、ステップＳ１と同時、ステップＳ１の後、ステップＳ２の前、ステップＳ２と同時、ステップＳ２の後、ステップＳ３の前、ステップＳ３と同時、ステップＳ３の後のいずれとすることもできる。

ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程では、センサチップ３が配線基板２の下面２ｂにフリップチップ実装される。具体的に説明すると、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程では、図２５に示されるように、配線基板２の下面２ｂが上方を向いた状態とし、センサチップ３の裏面（表面３ａとは反対側の主面）が上方を向き、センサチップ３の表面３ａが下方、すなわち配線基板２の下面２ｂ側を向いて配線基板２の下面２ｂに対向するように、フェイスダウンでセンサチップ３を配線基板２の下面２ｂに配置（搭載）する。この際、センサチップ３をボンディングツール（後述のボンディングツール４２に対応）などで加熱しながら、センサチップ３の複数のバンプ電極ＢＰが配線基板２の下面２ｂの複数の端子９にそれぞれ対向しかつセンサチップ３のセンサ面ＳＥが配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するように、配線基板２の下面２ｂにセンサチップ３を配置（搭載）し、更に配線基板２側にセンサチップ３を押し付ける（加圧する、荷重をかける）。これにより、センサチップ３とともに加熱された各バンプ電極ＢＰが配線基板２の各端子９に押し付けられ、センサチップ３の複数のバンプ電極ＢＰが配線基板２の下面２ｂの複数の端子９にそれぞれ熱圧着されることで、図２６〜図２８に示されるように、センサチップ３の各バンプ電極ＢＰが配線基板２の下面２ｂの各端子９に機械的かつ電気的に接続される。

また、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程の前にステップＳ３で封止材１２ａを供給していたため、配線基板２の下面２ｂの端子９上や端子９の周囲に封止材１２ａが存在する状態で、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程を行うことになる。しかしながら、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程では、センサチップ３に荷重をかけてセンサチップ３の各バンプ電極ＢＰを配線基板２の下面２ｂの端子９に押し付けるため、バンプ電極ＢＰは封止材１２ａを押し退けて配線基板２の下面２ｂの端子９に接触して圧着（熱圧着）される。このため、バンプ電極ＢＰと端子９との間には封止材１２ａが介在せずにバンプ電極ＢＰと端子９と電気的に接続されることになり、また、バンプ電極ＢＰと端子９との接続部の周囲（すなわちバンプ電極ＢＰの周囲）は、封止材１２ａで囲まれた状態となる。そして、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程では、バンプ電極ＢＰを端子９に熱圧着するためにセンサチップ３を加熱しているため、この加熱により、熱硬化性樹脂からなる封止材１２ａを硬化させることができる。このときのセンサチップ３の加熱温度は２００〜２５０℃程度、例えば２３０℃程度とすることができる。

このように、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程により、センサチップ３が配線基板２の下面２ｂにフリップチップ実装されて、センサチップ３の各バンプ電極ＢＰが配線基板２の下面２ｂの各端子９に機械的かつ電気的に接続されるとともに、各バンプ電極ＢＰ（バンプ電極ＢＰと端子９との接続部）が、その周囲を硬化した封止材１２ａで囲まれて保護される。

一般的な半導体チップは、平面形状が矩形であり、矩形の四辺全体に沿って（但し矩形の４つの角部を除いて）、ボンディングパッドあるいはバンプ電極がほぼ等ピッチ（均等）に配列している。しかしながら、本実施の形態で用いるセンサチップ３は、センサチップ３の表面３ａにおいて、外周の四辺全体（全辺）に沿ってバンプ電極ＢＰが等ピッチ（均等）に配列したものではない。すなわち、本実施の形態で用いるセンサチップ３は、センサチップ３の表面３ａの外周部において（但し矩形の４つの角部を除いて）、外周の辺に沿ってバンプ電極ＢＰが配列した部分（第１領域３１に対応）と、外周の辺に沿ってバンプ電極ＢＰが配列していない部分（第２領域３２に対応）との両方を有するものである。図２４の場合には、センサチップ３の表面３ａの四辺（すなわち辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４）のうち、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰがほぼ等ピッチ（均等）に配列しているが、辺ＳＤ４に沿ってはバンプ電極ＢＰが配列していない。

ステップＳ４でセンサチップ３がフリップチップ実装されると、センサチップ３の各バンプ電極ＢＰが配線基板２の下面２ｂの各端子９に接続される。このため、配線基板２の下面２ｂのセンサチップ３搭載予定位置における端子９（センサチップ３のバンプ電極ＢＰが接続されるべき端子９）の配列の仕方と、センサチップ３におけるバンプ電極ＢＰの配列の仕方とは同じである。このため、図２４のように複数のバンプ電極ＢＰがセンサチップ３の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿って配列しているが、センサチップ３の辺ＳＤ４に沿っては配列していない場合には、図１２に示されるように、配線基板２の開口部の四辺（すなわちＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３，ＳＤ１４）のうち、辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３に沿って複数の端子９が配列しているが、辺ＳＤ１４に沿っては端子９が配列していない。

ここで、センサチップ３を構成する四辺において、辺ＳＤ１と辺ＳＤ３とは互いに対向する（平行な）辺であり、辺ＳＤ２と辺ＳＤ４とは互いに対向する（平行な）辺であり、辺ＳＤ１，ＳＤ３と辺ＳＤ２，ＳＤ４とは互いに交差（直交）する辺である。また、配線基板２の開口部ＯＰ１を構成する四辺において、辺ＳＤ１１と辺ＳＤ１３とは互いに対向する（平行な）辺であり、辺ＳＤ１２と辺ＳＤ１４とは互いに対向する（平行な）辺であり、辺ＳＤ１１，ＳＤ１３と辺ＳＤ１２，ＳＤ１４とは互いに交差（直交）する辺である。また、配線基板２の開口部ＯＰ１を構成する四辺（すなわちＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３，ＳＤ１４）のうち、配線基板２の下面２ｂにおいてコネクタＣＮＴが配置されている位置（領域）から最も遠くに位置する辺が辺ＳＤ１４であり、コネクタＣＮＴが配置されている位置（領域）から最も近くに位置する辺が辺ＳＤ１２である。

そして、ステップＳ４で配線基板２の下面２ｂにセンサチップ３をフリップチップ実装した際には、開口部ＯＰ１の四辺のうち、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１１がセンサチップ３の辺ＳＤ１に略平行でかつ近接する辺となり、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２がセンサチップ３の辺ＳＤ２に略平行でかつ近接する辺となる。また、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１３がセンサチップ３の辺ＳＤ３に略平行でかつ近接する辺となり、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４がセンサチップ３の辺ＳＤ４に略平行でかつ近接する辺となる。

センサチップ３において、バンプ電極ＢＰが辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿って配列し、辺ＳＤ４に沿って配列していないのは、配線基板２の下面２ｂにおいて、バンプ電極ＢＰ接続用の端子９が、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３に沿って配列しているが、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４に沿っては配列していないためである。そして、図１１および図１２に示されるように、配線基板２の下面２ｂにおいて、バンプ電極ＢＰ接続用の端子９が、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３に沿って配列しているが、辺ＳＤ１４に沿って配列していないのは、開口部ＯＰ１の周囲に配置された複数の端子９とコネクタＣＮＴ（コネクタＣＮＴに接続される複数の端子１３）とを接続する複数の配線ＷＰ１のそれぞれの長さを短くするためである。配線基板２の下面２ｂにおいて、開口部ＯＰ１の四辺のうち、コネクタＣＮＴ（端子１３）から最も遠くに位置する辺ＳＤ１４側に端子９を配列させず、コネクタＣＮＴ（端子１３）に近い辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３に沿って複数の端子９を配列させることで、開口部ＯＰ１の周囲に配置された端子９とコネクタＣＮＴ（端子１３）とを接続する配線（上記配線ＷＰ１に対応）の長さを短くすることができる。また、この配線を引き回すための領域を低減できるため、配線基板２の平面寸法（面積）を縮小することが可能になる。

ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程の後、配線基板２の上面２ａ上に、樹脂カバー５を接着（搭載、貼り付け）して固定する（図９のステップＳ５）。

図３０（Ａ１−Ａ１断面）および図３１（Ａ１−Ａ１断面図）は、上記図１３に対応する断面図であり、図３２（上面図）は上記図１０に対応する下面図(平面図)である。図３０には、ステップＳ５で配線基板２の上面２ａに樹脂カバー５を接着する前の段階（状態）が示され、図３１には、ステップＳ５で配線基板２の上面２ａに樹脂カバー５が接着された段階（状態）が示されている。また、図３２には、ステップＳ５で配線基板２の上面２ａに塗布する樹脂カバー５接着用の接着材２１の塗布領域をハッチングを付して示してある。

ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程では、図３０に示されるように、配線基板２の上面２ａが上方を向いた状態としてから、図３１に示されるように、既にＩＲフィルタ８が取り付けられている樹脂カバー５を、接着材（図３２に示される接着材２１に対応）を介して配線基板２の上面２ａ上に搭載してから、硬化用の熱処理などによってその接着材を硬化させることで、樹脂カバー５を配線基板２の上面２ａに接着して固定する。樹脂カバー５の接着に用いる接着材２１は、熱硬化型の樹脂接着材（熱硬化性樹脂）などを用いることができ、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂接着材を用いることができる。この接着材２１は、図３２に示され、図３１では簡略化のために図示が省略されているが、実際には、図３１において、樹脂カバー５の底面と配線基板２の上面２ａとの間に接着材２１が薄く介在している。また、ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程では、樹脂カバー５の接着面（樹脂カバー５の底部の配線基板２に接着する面）に接着材２１を塗布するか、あるいは、図３２に示されるように配線基板２の上面２ａにおける樹脂カバー５の接着予定領域（より特定的には開口部ＯＰ１の周囲）に接着材２１を塗布するかしてから、樹脂カバー５を配線基板２の上面２ａ上に搭載し、その後、その接着材２１を硬化すればよい。この接着材２１を塗布する際には、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するセンサチップ３の表面３ａ（特にセンサ面ＳＥ）に付着しないようにする。

また、ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程では、樹脂カバー５は、配線基板２の上面２ａに搭載された電子部品４と、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するセンサチップ３の表面３ａ（のセンサ面ＳＥ）とを覆うように、配線基板２の上面２ａに搭載されて固定（接着）される。電子部品４とセンサチップ３のセンサ面ＳＥとは、配線基板２の上面２ａに固定された樹脂カバー５で覆われた状態となるが、樹脂カバー５とは接しておらず、樹脂カバー５の内壁から離間している。

ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程の後、配線基板２の下面２ｂとセンサチップ３（の表面３ａ）との間に封止材（第２封止材）１２ｂを供給（注入）する（図９のステップＳ６）。

図３３（Ａ３−Ａ３断面）および図３４（Ａ３−Ａ３断面）は、上記図１５に対応する断面図であり、図３５（要部平面図）および図３６（要部平面図）は、上記図１２に対応する要部平面図（部分拡大下面図）である。図３３には、ステップＳ６で封止材１２ｂを供給する前の段階（状態）が示され、図３４には、ステップＳ６で封止材１２ｂが供給された段階（状態）が示されている。また、図３５には、ステップＳ６で封止材１２ｂが供給された段階（状態）が示され、図３６には、図３５において、封止材１２ａが供給されている平面領域と封止材１２ｂが供給されている平面領域とにそれぞれハッチングを付したものである。なお、図３５および図３６においては、理解を簡単にするために、配線基板２の開口部ＯＰ１の位置を二点鎖線で示し、バンプ電極ＢＰを点線で示してある。また、図３５のＡ３−Ａ３線の断面が図３４にほぼ対応している。

このステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程においては、図３３に示されるように、配線基板２の下面２ｂが上方を向いた状態とした状態としてから、図３４に示されるように、配線基板２の下面２ｂとセンサチップ３の表面３ａとの間に、封止材１２ｂが注入される。ステップＳ６においては、例えば、センサチップ３の近傍（ここではセンサチップ３のバンプ電極ＢＰが配列していない辺ＳＤ１４に沿った領域）に封止材１２ｂを塗布することで、毛細管現象を利用して、配線基板２の下面２ｂとセンサチップ３の表面３ａとの間に封止材１２ｂを注入することができる。

ステップＳ６で供給される封止材１２ｂは、絶縁性の樹脂材料からなるが、好ましくは熱硬化性樹脂材料からなり、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができる。ステップＳ６の段階では、封止材１２ｂは、まだ硬化しておらず、ペースト状である。このため、ステップＳ６で供給される封止材１２ｂとして、ＮＣＰ（ノンコンダクティブペースト）を好適に用いることができる。

本実施の形態では、ステップＳ６で供給する封止材１２ｂとしては、上記ステップＳ３で供給する封止材１２ａとして使用する熱硬化樹脂よりも、硬化温度が低い熱硬化性樹脂を使用すれば、より好ましい。

本実施の形態では、上記ステップＳ３で供給された封止材１２ａは、センサチップ３のバンプ電極ＢＰと配線基板２の下面２ｂの端子９との接合を保護または保持し、バンプ電極ＢＰと端子９との接合強度を高めるように機能する。このため、センサチップ３の表面３ａと、これに対向する配線基板２の下面２ｂとの間において、バンプ電極ＢＰが配列している領域には、封止材１２ａが充填されて、バンプ電極ＢＰが封止材１２ａで囲まれた状態にする必要がある。しかしながら、バンプ電極ＢＰが配列していない領域には、封止材１２ａは充填されていなため、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程では、センサチップ３の表面３ａと、これに対向する配線基板２の下面２ｂとの間において、バンプ電極ＢＰが配列しておらず、かつ封止材１２ａが充填されていない領域に、封止材１２ｂを注入（充填）するのである。これについては、後でより詳細に説明する。

ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程の後、熱処理を行って封止材１２ｂを硬化する（図９のステップＳ７）。

このステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程では、配線基板２および封止材１２ｂが加熱されることで、熱硬化性樹脂材料からなる封止材１２ｂが硬化される。上記ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程（フリップチップ実装工程）で硬化した封止材１２aと、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程で硬化した封止材１２ｂとを合わせたものが、上記封止材１２となる。

また、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程では、センサチップ３の表面３ａと配線基板２の下面２ｂとの間に、外部から封止材１２ｂを注入（充填）するため、封止材１２ａに比べて、封止材１２ｂは、センサチップ３の外側へのはみ出し量（幅）が大きくなる。本実施の形態では、センサチップ３の辺ＳＤ１１〜ＳＤ１４のうち、ステップＳ６で封止材１２ｂを供給するのは、バンプ電極ＢＰが配列していない辺ＳＤ１４である。このため、製造されたカメラモジュールＭＪ１（ＭＪ１ａ）においては、図３５および図３６からも明らかなように、センサチップ３の各辺ＳＤ１１〜ＳＤ１４辺から上記封止材１２（１２ａ，１２ｂ）がはみ出している量（幅）は、バンプ電極ＢＰが配列している辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３よりも、バンプ電極ＢＰが配列していない辺ＳＤ１４の方が大きく（多く）なる。

ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程の後、配線基板２の下面２ｂ上に、センサチップ３を覆うように、樹脂カバー７を接着（搭載、貼り付け）して固定する（図９のステップＳ８）。

図３７（下面図）は上記図１１に対応する下面図(平面図)であり、図３８（Ａ１−Ａ１断面図）は、上記図１３に対応する断面図である。図３７には、ステップＳ８で配線基板２の下面２ｂに塗布する樹脂カバー７接着用の接着材２２の塗布領域をハッチングを付して示してある。また、図３８には、ステップＳ８で配線基板２の下面２ｂに樹脂カバー７が接着された段階（状態）が示されている。なお、図３７では、上記図１１に示されている配線ＷＰ１および端子１３については、図面の簡略化のために図示を省略している。

ステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程では、図３７に示されるように、配線基板２の下面２ｂが上方を向いた状態とし、配線基板２の下面２ｂにおいて、センサチップ３の周囲に接着材を塗布（供給）してから、その上に樹脂カバー７を搭載（配置）し、硬化用の熱処理などによって接着材を硬化させることで、図３８に示されるように、樹脂カバー７を配線基板２の下面２ｂに接着する。樹脂カバー７の接着に用いる接着材は、熱硬化型の樹脂接着材（熱硬化性樹脂）などを用いることができ、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂接着材を用いることができる。この接着材２２は、図３７に示され、図３８では簡略化のために図示が省略されているが、実際には、図３８において、樹脂カバー７の底面と配線基板２の下面２ｂとの間に接着材２２が薄く介在している。樹脂カバー７によってセンサチップ３が覆われることで、センサチップ３を保護することができる。

また、ステップＳ８で樹脂カバー７の配線基板２への接着に使用する接着材２２として、ステップＳ６で使用する封止材１２ｂと同じ材料（同じ熱硬化性樹脂材料）を使用すれば、より好ましい。そして、上記ステップＳ６で、上述のようにセンサチップ３（の表面３ａ）と配線基板２の下面２ｂとの間に封止材１２ｂを注入すると共に、更に、配線基板２の下面２ｂにおけるセンサチップ３の周囲にも樹脂カバー７接着用の接着材２２として封止材１２ｂと同じもの（材料）を供給（塗布）する。そして、上記ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化用の熱処理を行うことなく、上記ステップＳ８で、配線基板２の下面２ｂ上に、センサチップ３を覆うように、樹脂カバー７を搭載（配置）し、その後、硬化用の熱処理を行って、センサチップ３と配線基板２の下面２ｂとの間に注入された封止材１２ｂと、樹脂カバー７を接着するための接着材２２（封止材１２ｂと同材料の接着材）との両方を硬化する。このようにすることで、カメラモジュールＭＪ１の製造工程を簡略化することができる。このことは、後述の実施の形態２においても同様である。

ステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程までを行うことで、レンズユニット６を取り付けていない状態のカメラモジュールＭＪ１ａが完成する。

ステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程を行った後、樹脂カバー５の上部に上記レンズユニット６を取り付ける（図９のステップＳ９）。上記図１および図２は、ステップＳ９でレンズユニット６を取り付けた状態に対応する。

ステップＳ９のレンズユニット６の取り付け工程では、例えば、樹脂カバー５の上部のレンズユニット６の取り付け予定領域に接着材を塗布（供給）してから、その上にレンズユニット６を配置し、硬化用の熱処理などによって接着材を硬化させることで、樹脂カバー５の上部にレンズユニット６を固定することができる。レンズユニット６取り付け用の接着材を樹脂カバー５に塗布する際には、樹脂カバー５に取り付けられているＩＲフィルタ８に接着材が付着しないようにする。レンズユニット６の取り付けに用いる接着材は、熱硬化型の樹脂接着材（熱硬化性樹脂）などを用いることができ、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂接着材を用いることができる。

このようにして、上記図１〜図８を参照して説明したような本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１が製造される（組み立てられる）。また、レンズユニット６を取り付けていない状態のカメラモジュールＭＪ１ａを顧客側に出荷し、顧客側でカメラモジュールＭＪ１ａにレンズユニット６の取り付ける（すなわちステップＳ９のレンズユニット６の取り付け工程を顧客側で行う）ことで、カメラモジュールＭＪ１を完成させることもできる。このため、レンズユニット６を取り付けた状態のカメラモジュールＭＪ１と、レンズユニット６を取り付けていない状態のカメラモジュールＭＪ１ａとのいずれについても、固体撮像装置とみなすことができる。

＜本実施の形態の特徴について＞
次に、本実施の形態の特徴について、より詳細に説明する。

本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１では、センサチップ３を搭載する配線基板２として、ガラスエポキシ樹脂基板のような固いリジッド基板ではなく、薄く、柔軟性があり、屈曲性に優れ、可撓性のフレキシブル配線基板（フレキシブル基板）を用いている。そして、このフレキシブル配線基板である配線基板２にセンサチップをワイヤボンディング接続ではなく、フリップチップ接続している。これにより、カメラモジュールＭＪ１の薄型化や小型化を図ることができ、ひいては、カメラモジュールＭＪ１が搭載される電子装置の薄型化や小型化を図ることができる。

このように、センサチップ３は配線基板２にフリップチップ実装するが、センサチップ３のセンサ面ＳＥへの光の入射を可能とするために、配線基板２の下面２ｂのチップ搭載予定領域（上記ステップ４でセンサチップ３が搭載（配置）される領域）には、センサチップ３のセンサ面ＳＥを露出可能な開口部ＯＰ１が予め設けられている。このため、上記ステップＳ４で配線基板２の下面２ｂのチップ搭載予定領域にセンサチップ３を搭載（フリップチップ実装）すると、センサチップ３のセンサ面ＳＥが配線基板２の開口部ＯＰ１から露出されるため、センサチップ３のセンサ面ＳＥの上方からこのセンサ面ＳＥへの光の入射が可能となる。これにより、カメラモジュールＭＪ１の固体撮像装置としての機能を得ることができる。

しかしながら、センサチップ３を配線基板２にフリップチップ実装して、センサチップ３の各バンプ電極ＢＰとそれに接続すべき配線基板２の各端子９とを単に接続するだけでは、センサチップ３の実装強度が不十分であることが、本発明者の検討により分かった。これは、配線基板２はフレキシブル配線基板であるために変形しやすく（撓みやすく）、センサチップ３のフリップチップ実装後に配線基板２が変形する（撓む）と、センサチップ３の各バンプ電極ＢＰと配線基板２の各端子９との間の接続部に負荷がかかることが、その理由の一つである。センサチップ３の実装強度が不十分であると、カメラモジュール（固体撮像装置）の製造歩留まりを低下させ、また、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を低下させる可能性がある。

そこで、本実施の形態では、センサチップ３と配線基板２との間に封止材１２ａを配置し、センサチップ３をフリップチップ実装する際の熱によりこの封止材１２ａを硬化させることで、センサチップ３の実装強度を向上させている。

すなわち、本実施の形態では、上記ステップＳ３で、配線基板２の下面２ｂのチップ搭載予定領域の一部に封止材１２ａを供給（塗布、配置）してから、上記ステップＳ４で、センサチップ３を配線基板２の下面２ｂのチップ搭載予定領域に搭載している。そして、配線基板２の下面２ｂにおいて、上記ステップＳ３で封止材１２ａを供給する領域は、上記ステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに、センサチップ３の表面３ａにおける複数のバンプ電極ＢＰが配列した領域と平面的に重なる領域である。

このため、ステップＳ４で配線基板２の下面２ｂにセンサチップ３搭載してセンサチップ３の複数のバンプ電極ＢＰを配線基板２の下面２ｂの複数の端子９にそれぞれ接続（熱圧着）すると、配線基板２の下面２ｂの各端子９に接続された各バンプ電極ＢＰは、封止材１２ａで周囲を囲まれることになる。そして、この封止材１２ａが硬化することで、配線基板２の下面２ｂの各端子９に接続された各バンプ電極ＢＰは、硬化した封止材１２ａで囲まれた状態となる。これにより、センサチップ３の各バンプ電極ＢＰと配線基板２の各端子９との間の接続部を、硬化した封止材１２ａで保護または補強することができるため、センサチップ３の実装強度を向上させることができる。

また、センサチップ３のバンプ電極ＢＰは、上記ステップＳ４では、センサチップ３を加熱しながら配線基板２の下面２ｂのチップ搭載予定領域に搭載し、センサチップ３の複数のバンプ電極ＢＰを配線基板２の下面２ｂの複数の端子９にそれぞれ熱圧着する。そして、封止材１２ａを熱硬化性樹脂で構成し、ステップＳ４において、バンプ電極ＢＰを端子９に熱圧着するための加熱（センサチップ３の加熱）によって封止材１２ａも加熱して硬化させることができる。すなわち、ステップＳ４での加熱（センサチップ３の加熱）は、バンプ電極ＢＰを端子９に接続（熱圧着）するための加熱（加熱処理、加熱工程）と、封止材１２ａを硬化するための加熱（加熱処理、加熱工程）とを兼ねたものとなる。このため、カメラモジュールＭＪ１の製造工程を簡略化することもできる。また、ステップＳ４での加熱により、バンプ電極ＢＰを端子９に接続（熱圧着）するともに、封止材１２ａを硬化させれば、ステップＳ４で配線基板２の下面２ｂの端子９にバンプ電極ＢＰを接続（熱圧着）してから、このバンプ電極ＢＰの周りの封止材１２ａを速やかに硬化させることができるため、端子９とバンプ電極ＢＰとの接続部を、硬化した封止材１２ａですぐに保護または補強することができる。

また、ステップＳ４において、封止材１２ａが硬化するのに要する時間は、センサチップ３のバンプ電極ＢＰが配線基板２の端子９に接続（熱圧着）されるのに要する時間よりも長い。このため、ステップＳ４において、先に封止材１２ａが硬化してバンプ電極ＢＰが端子９に接続（熱圧着）されるのを阻害することはない。すなわち、ステップＳ４では、センサチップ３のバンプ電極ＢＰが、軟らかい状態の封止材１２ａを押し退けて、配線基板２の下面２ｂの端子９に押し付けられて熱圧着され、この熱圧着が完了してから例えば数秒程度（一例として５秒程度）後に封止材１２ａの硬化が完了する。このため、ステップＳ４では、バンプ電極ＢＰを端子９の熱圧着した後も、封止材１２ａの硬化が完了するまで（例えば数秒程度）、加熱（センサチップ３の加熱とそれに伴う封止材１２ａの加熱）を継続することが好ましい。

しかしながら、センサチップ３におけるバンプ電極ＢＰのレイアウト（配列）によっては、新たな課題が生じうることが、本発明者の検討により分かった。

センサチップの表面におけるバンプ電極の配列の仕方には、外周の四辺に沿ってバンプ電極が等ピッチに均等に配列したものがある。しかしながら、センサチップを搭載する配線基板のレイアウト（配線基板自身の形状やそこに形成する配線パターンのレイアウトなど）や、配線基板に搭載するセンサチップ以外の電子部品の配置の仕方などによっては、センサチップの表面において、バンプ電極を外周の四辺に沿って等ピッチに配列させたものではない方が、有利な場合がある。

上述したように、本実施の形態で使用するセンサチップ３は、センサチップ３の表面３ａにおいて、外周の四辺全体に沿ってバンプ電極ＢＰが等ピッチ（均等）に配列したものではない。すなわち、センサチップ３は、その表面３ａの外周部（周辺部）において、複数のバンプ電極ＢＰが配列した第１領域３１とバンプ電極ＢＰが配列していない第２領域３２とを有している。図３９は、本実施の形態で使用するセンサチップ３の平面図（上面図）であり、センサチップ３の表面３ａが示されているが、第１領域３１を一点鎖線で示し、第２領域３２を二点鎖線で示してある。

図３９の場合には、センサチップ３の表面３ａの辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のうち、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰが配列しているが、辺ＳＤ４に沿ってはバンプ電極ＢＰが配列していないため、センサチップ３の表面３ａの外周部において、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿った領域が第１領域３１であり、辺ＳＤ４に沿った領域が第２領域３２である。

バンプ電極ＢＰのこのような配列を有したセンサチップ３をフレキシブル配線基板（配線基板２がこれに相当する）にフリップ実装する場合には、図４０〜図４３に示されるような現象が発生する。図４０〜図４３は、センサチップ３を加熱しながら配線基板２に押し付けてフリップチップ実装している状態を示す説明図（断面図）であり、図４０および図４２は、上記図２９のＡ２−Ａ２線に対応する位置での断面図に対応し、図４１および図４３は、上記図２９のＡ３−Ａ３線に対応する位置での断面図に対応する。図４０と図４１とは同じ時点(タイミング)に対応し、図４２と図４３とは同じ時点（タイミング）に対応する。

上記ステップＳ４でセンサチップ３をフリップチップ接続する際には、図４０および図４１に示されるように、配線基板２の上面２ａがステージ（ボンディングステージ）４１に対向し、配線基板２の下面２ｂが上方を向くように、配線基板２をステージ４１上に配置する。なお、図示はしないけれども、ステージ４１上に配線基板２を配置したときに、配線基板２の上面２ａに実装していた電子部品４が、ステージ４１の窪み（凹部）内に配置されるようにすれば、ステージ４１上への配線基板２の配置に電子部品４が邪魔になるのを防止することができる。

そして、ボンディングツール４２などでセンサチップ３を加熱しながら、図４１および図４２に示されるように、配線基板２側にセンサチップ３を押し付けることで、センサチップ３とともに加熱された各バンプ電極ＢＰが配線基板２の各端子９に押し付けられ、センサチップ３の複数のバンプ電極ＢＰが配線基板２の下面２ｂの複数の端子９にそれぞれ熱圧着される。

このように、センサチップ３の各バンプ電極ＢＰを配線基板２の各端子９に接続（熱圧着）するために、センサチップ３を加熱するが、この加熱により配線基板２も加熱される。配線基板２も加熱されるのは、センサチップ３からバンプ電極ＢＰを経由して配線基板２に熱伝導するためである。配線基板２は柔軟性があり、可撓性を有するフレキシブル配線基板であるため、この加熱により、配線基板２が撓んでしまう可能性がある。しかしながら、バンプ電極ＢＰは、センサチップ３と配線基板２との間の間隔を一定に保つように作用するため、配線基板２のうち、センサチップ３のバンプ電極ＢＰが接続された領域およびその近傍では、配線基板２の撓みが、バンプ電極ＢＰによって抑制または防止される。このため、センサチップ３の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿った領域では、図３９に示されるようにバンプ電極ＢＰが配列しているため、配線基板２の撓みが抑制または防止される。一方、バンプ電極ＢＰが配列していないセンサチップ３の辺ＳＤ４に沿った領域（すなわちＡ３−Ａ３線に沿った領域）では、図４３に示されるように、センサチップ３と配線基板２との間にバンプ電極ＢＰが無いことから、バンプ電極ＢＰによる配線基板２の撓み抑止効果を得られず、配線基板２が撓んでしまう可能性がある。

図４４および図４５は、比較例の製造工程を示す断面図であり、上記図４１および図４３にそれぞれ対応する断面図であるが、封止材１２ａの供給領域が、本実施の形態とは異なっている。すなわち、上記図４１および図４３の場合は、本実施の形態のように、バンプ電極ＢＰが配列していないセンサチップ３の辺ＳＤ４に沿った領域（すなわちＡ３−Ａ３線に沿った領域）には、封止材１２ａが供給されていなかった。それに対して、図４４および図４５の場合は、本実施の形態とは異なり、バンプ電極ＢＰが配列していないセンサチップ３の辺ＳＤ４に沿った領域（すなわちＡ３−Ａ３線に沿った領域）にも封止材１２ａを供給していた場合に対応する。

図４４に示されるように、バンプ電極ＢＰが配列していないセンサチップ３の辺ＳＤ４に沿った領域にも封止材１２ａを供給していた場合にも、図４５に示されるように、センサチップ３をフリップチップ接続する際の加熱で配線基板２も加熱されて、バンプ電極ＢＰが配列していないセンサチップ３の辺ＳＤ４に沿った領域で配線基板２が撓んでしまう可能性がある。バンプ電極ＢＰが配列していないセンサチップ３の辺ＳＤ４に沿った領域にも封止材１２ａを供給していた場合には、配線基板２が撓むと、配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が近づき、それによって、配線基板２とセンサチップ３との間に配置されている硬化前の封止材１２ａの一部が押し出されて、配線基板２とセンサチップ３との間から周囲に流出してしまう。封止材１２ａの一部が配線基板２とセンサチップ３との間から周囲に流出すると、センサチップ３のセンサ面ＳＥが、流出した封止材１２ａの一部で覆われる虞がある。これは、カメラモジュール（固体撮像装置）の製造歩留まりを低下させ、また、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を低下させてしまう。センサチップ３のセンサ面ＳＥは、受光部であるため、封止材１２ａなどの異物が付着するのを防止することが重要である。

それに対して、本実施の形態では、上記ステップＳ３で配線基板２の下面２ｂのチップ搭載予定領域に封止材１２ａを供給する際に、その後のステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給し、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給しないようにしている。上記図２４および図３９の場合には、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰが配列しているが、辺ＳＤ４に沿ってはバンプ電極ＢＰが配列していないため、センサチップ３の表面３ａの外周部において、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿った領域が第１領域３１であり、辺ＳＤ４に沿った領域が第２領域３２である。

このため、ステップＳ４でセンサチップ３を配線基板２に搭載すると、センサチップ３の表面３ａの第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と配線基板２の下面２ｂとの間には、封止材１２ａが配置された状態となるが、バンプ電極ＢＰがセンサチップ３と配線基板２との間の間隔を一定に保つように作用するため、この領域（第１領域３１と平面的に重なる領域）では配線基板２がほとんど撓まない。従って、センサチップ３の表面３ａの第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と配線基板２の下面２ｂとの間に封止材１２ａが存在しても、バンプ電極ＢＰによって配線基板２の撓みが防止されるため、この封止材１２ａがセンサチップ３のセンサ面ＳＥに流出して付着するのを防止できる。

一方、ステップＳ４でセンサチップ３を配線基板２に搭載すると、センサチップ３の表面３ａの第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と配線基板２の下面２ｂとの間にはバンプ電極ＢＰが配列してないため、この領域（第２領域３２と平面的に重なる領域）では配線基板２が撓みやすく、この配線基板２の撓みによって配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が近づきやすい。この領域（第２領域３２と平面的に重なる領域）に封止材１２ａがあると、その封止材１２ａが押し出されて、センサチップ３のセンサ面ＳＥに付着する虞がある。本実施の形態では、この現象を防止するために、上記ステップＳ３の封止材１２ａの供給工程では、その後のステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給しないようにしている。このため、ステップＳ４でセンサチップ３を配線基板２に搭載すると、センサチップ３の表面３ａの第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と配線基板２の下面２ｂとの間には、封止材１２ａがほとんど存在しないため、バンプ電極ＢＰが配列していないことでたとえこの領域（第２領域３２と平面的に重なる領域）の配線基板２が撓んだとしても、周囲に押しだされる封止材１２ａ自体が無い。従って、センサチップ３の表面３ａの第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と配線基板２の下面２ｂとの間から周囲に封止材１２ａが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに流出して付着するのを防止できる。

このように、配線基板２の下面２ｂにおいて、ステップＳ４で配線基板２の撓みが生じにくい領域（第１領域３１と平面的に重なる領域）にはステップＳ３で封止材１２ａを供給するが、ステップＳ４で配線基板２の撓みが生じやすい領域（第２領域３２と平面的に重なる領域）にはステップＳ３で封止材１２ａを供給しないようにする。これにより、封止材１２ａの不要な流出を防止して、センサチップ３のセンサ面ＳＥへの封止材１２ａの付着を防止できる。従って、カメラモジュール（固体撮像装置）の製造歩留まりを向上させることができ、また、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を向上させることができる。また、封止材１２ａは、バンプ電極ＢＰと配線基板２の端子９との接続部を保護し、センサチップ３の実装強度を向上させるために設けているが、この機能は、ステップＳ３で配線基板２の下面２ｂに封止材１２ａを供給する際に、その後のステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給することで、得ることができる。

なお、本実施の形態では、ステップＳ３で配線基板２の下面２ｂに封止材１２ａを供給する際に、その後のステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給し、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給しないようにすることが重要である。しかしながら、ステップＳ４でセンサチップ３を搭載する際には、センサチップ３のバンプ電極ＢＰや表面３ａに押されて封止材１２ａが若干移動する場合もあり得る。このため、ステップＳ４でセンサチップ３のフリップチップ実装が完了して封止材１２ａが硬化した段階で、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域の一部に、封止材１２ａの一部が存在する場合もあり得る。このような場合であっても、ステップＳ４で配線基板２の撓みが生じやすい領域（第２領域３２と平面的に重なる領域）の大部分には封止材１２ａが存在しないので、封止材１２ａの不要な流出を抑制または防止して、センサチップ３のセンサ面ＳＥへの封止材１２ａの付着を抑制または防止できるという効果を得ることができる。

封止材１２ａは、センサチップ３の実装強度を向上させる機能を有している。封止材によってセンサチップ３の実装強度を向上するという目的では、センサチップ３の表面３ａの第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と配線基板２の下面２ｂとの間に、封止材が配置されていなくともよい。しかしながら、センサチップ３のセンサ面ＳＥは、可能な限り異物の付着を防止する必要がある。

このため、本実施の形態では、ステップＳ４でセンサチップ３を配線基板２にフリップチップ実装した後に、上記ステップＳ６で、配線基板２の下面２ｂとセンサチップ３（の表面３ａ）との間に追加の封止材１２ｂを供給（注入）することが好ましい。ステップＳ６で封止材１２ｂを供給する際には、センサチップ３の表面３ａと配線基板２の下面２ｂとの間において、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域に封止材１２ｂを供給（注入）し、この封止材１２ｂをステップＳ７で硬化させる。

これにより、センサチップ３の表面３ａの外周部と配線基板２の下面２ｂとの間において、バンプ電極ＢＰが配列している領域（第１領域３１と平面的に重なる領域）には、封止材１２ａが配置（充填）され、バンプ電極ＢＰが配列していない領域（第２領域３２と平面的に重なる領域）には、封止材１２ｂが配置（充填）された状態となる。すなわち、センサチップ３の表面３ａの外周部と配線基板２の下面２ｂとの間が、封止材１２ａ，１２ｂによって封止（接着）され、平面的に見ると、硬化した封止材１２ａ，１２ｂの配置領域が、配線基板２の下面２ｂにおいて開口部ＯＰ１を囲んだ状態となる。このため、配線基板２の下面２ｂ側からの異物（例えば塵など）が、センサチップ３の表面３ａ（の外周部）と配線基板２の下面２ｂとの間の隙間（封止材１２ａ，１２ｂによってこの隙間が塞がれている）からセンサチップ３のセンサ面ＳＥ側に侵入してセンサ面ＳＥに付着するのを防止することができる。従って、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を、より向上させることができる。

また、本実施の形態では、ステップＳ６，Ｓ７で封止材１２ｂの供給および硬化を行っているが、次の２つの点（第１の点および第２の点）で、封止材１２ｂを硬化する際の加熱による配線基板２の撓みを抑制または防止し、それによって、封止材１２ｂがセンサチップ３のセンサ面ＳＥに流出して付着するのを防止している。

すなわち、第１の点として、ステップＳ５で、配線基板２の上面２ａ上に、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するセンサチップ３のセンサ面ＳＥを覆うように、樹脂カバー（枠体）５を固定した後に、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程とステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程とを行うことである。また、第２の点として、封止材１２ｂを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ７における加熱温度）を、封止材１２ａを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ４における加熱温度）よりも低くすることである。これら第１の点および第２の点により、封止材１２ｂを硬化する際の配線基板２の撓みが防止される理由について説明する。

まず、上記第１の点について説明する。本実施の形態では、上記ステップＳ５で、配線基板２の上面２ａ上に、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するセンサチップ３のセンサ面ＳＥを覆うように、樹脂カバー（枠体）５を接着して固定する。配線基板２の上面２ａに電子部品４を実装している場合には、センサチップ３のセンサ面ＳＥだけでなく、この電子部品４も樹脂カバー（枠体）５で覆うようにすることが好ましい。この樹脂カバー（枠体）５は、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するセンサチップ３のセンサ面ＳＥを保護し、また、配線基板２の上面２ａに実装された電子部品４を保護する機能を有している。そして、ステップＳ５で配線基板２の上面２ａ上に樹脂カバー（枠体）５を固定した後に、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程を行う。このため、ステップＳ６で配線基板２の下面２ｂとセンサチップ３（の表面３ａ）との間に供給（注入）された封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、配線基板２が加熱されたとしても、センサチップ３搭載領域とその近傍の配線基板２は、樹脂カバー（枠体）５によって保持されるため、撓みにくくなっている。すなわち、上記ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程に比べて、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程では、センサチップ３搭載領域とその近傍の配線基板２は、樹脂カバー（枠体）５によって保持される分、撓みにくいのである。配線基板２の上面２ａに樹脂カバー（枠体）５が固定されていることにより配線基板２が撓みにくくなっていることで、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、センサチップ３の表面３ａの第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と配線基板２の下面２ｂとの間から周囲に封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止できる。一方、封止材１２ａは、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する前に（すなわち上記ステップＳ４で）既に硬化しているため、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、封止材１２ａが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着することはない。

このように、本実施の形態では、ステップＳ５で配線基板２の上面２ａ上に樹脂カバー（枠体）５を固定した後に、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程とステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程とを行うことで、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに流出して付着するのを抑制または防止することができる。

次に、第２の点について説明する。本実施の形態では、封止材１２ｂを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ７における加熱温度）を、封止材１２ａを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ４における加熱温度）よりも低くしている。配線基板２が加熱された場合には、加熱温度が高くなるほど、配線基板２の撓み量は大きくなる傾向にある。このため、封止材の加熱に伴う配線基板２の撓み量を抑制するには、加熱温度を低くすることが有効である。しかしながら、上記ステップＳ４では、センサチップ３をフリップチップ実装する（バンプ電極ＢＰを端子９に接続する）ためにセンサチップ３を加熱しているため、センサチップ３のフリップチップ接続を確実に行う（バンプ電極ＢＰを端子９に確実に接続する）ためには、フリップチップ実装に最適な加熱温度を考慮し、加熱温度をある程度高くする必要がある。

一方、ステップＳ７での加熱は、封止材１２ｂの硬化（あるいは封止材１２ｂの硬化に加えて、樹脂カバー７を接着するための接着材２２の硬化も）のために行うので、フリップチップ実装に最適な温度を考慮する必要は無く、封止材１２ｂを硬化可能な温度に設定すればよい。このため、本実施の形態では、封止材１２ｂを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ７における加熱温度）を、封止材１２ａを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ４における加熱温度）よりも低くすることができる。これにより、上記ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程に比べて、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程では、加熱温度が低い分、配線基板２は撓みにくいのである。ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程では、加熱温度を低くしたことにより配線基板２が撓みにくくなっていることで、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、センサチップ３の表面３ａの第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と配線基板２の下面２ｂとの間から周囲に封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止できる。一方、封止材１２ａは、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する前に（すなわち上記ステップＳ４で）既に硬化しているため、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、封止材１２ａが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着することはない。また、封止材１２ｂを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ７における加熱温度）を、封止材１２ａを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ４における加熱温度）よりも低くできるように、ステップＳ６で供給する封止材１２ｂに、ステップＳ３で供給する封止材１２ａよりも、硬化温度（封止材を硬化させるのに必要な加熱温度）が低い封止材を使用することが好ましい。すなわち、ステップＳ３で供給される封止材１２ａの硬化温度（封止材１２ａを硬化させるのに必要な加熱温度）は、ステップＳ６で供給される封止材１２ｂの硬化温度（封止材１２ｂを硬化させるのに必要な加熱温度）よりも低いことが好ましいのである。

一例をあげれば、封止材１２ａを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ４における加熱温度）を２３０℃程度とし、その加熱時間（封止材１２ａの加熱時間）を５秒程度とし、一方、封止材１２ｂを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ７における加熱温度）を８０℃程度とし、その加熱時間（封止材１２ｂの加熱時間）を３０分程度とすることができる。

このように、本実施の形態では、封止材１２ｂを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ７における加熱温度）を、封止材１２ａを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ４における加熱温度）よりも低くしたことで、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに流出して付着するのを抑制または防止することができる。

本実施の形態では、ステップＳ３での封止材１２ａの供給領域を上述のように制御することで、ステップＳ４で封止材１２ａが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止でき、また、上記第１の点および第２の点により、ステップＳ７で封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止できる。これにより、センサチップ３のセンサ面ＳＥに封止材１２ａ，１２ｂのような異物が付着するのを抑制または防止できるため、カメラモジュール（固体撮像装置）の製造歩留まりを向上させることができ、また、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、上記第１の点と第２の点との両方により、ステップＳ７で封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止することができる。しかしながら、上記第１の点と第２の点との両方を満たすことが最も好ましいが、上記第１の点と第２の点とのうちの一方のみを満たす場合であっても、上記第１の点と第２の点との両方を満たさない場合に比べると、封止材１２ｂの硬化時の加熱による配線基板２の撓みを抑制でき、それによって、封止材１２ｂがセンサチップ３のセンサ面ＳＥに流出して付着するのを抑制することができる。すなわち、封止材１２ｂがセンサチップ３のセンサ面ＳＥに流出して付着するのを防止する効果は、上記第１の点と第２の点との両方を満たす場合に最も大きくなるが、上記第１の点と第２の点とのうちの一方のみを満たす場合であっても得ることができる。

図４６は、センサチップ３の変形例を示す平面図（上面図）であり、センサチップ３の表面３ａが示されており、上記図３９に対応するものである。上記図３９と同様に、図４６においても、第１領域３１を一点鎖線で示し、第２領域３２を二点鎖線で示してある。なお、図４６に示される変形例のセンサチップ３を、以下ではセンサチップ３ｂと称することとする。

上記図３９に示されるセンサチップ３と図４６に示されるセンサチップ３ｂとは、センサチップ３，３ｂの表面３ａにおいて、外周の四辺全体に沿ってバンプ電極ＢＰが等ピッチ（均等）に配列したものではなく、その表面３ａの外周部（周辺部）において、複数のバンプ電極ＢＰが配列した第１領域３１とバンプ電極ＢＰが配列していない第２領域３２とを有している。

しかしながら、図３９に示されるセンサチップ３の場合には、センサチップ３の表面３ａの辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のうち、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰが配列しているが、辺ＳＤ４に沿ってはバンプ電極ＢＰが配列していないため、センサチップ３の表面３ａの外周部において、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿った領域が第１領域３１であり、辺ＳＤ４に沿った領域が第２領域３２であった。それに対して、図４６に示されるセンサチップ３ｂの場合には、センサチップ３ｂの表面３ａの辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のうち、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰが配列しており、辺ＳＤ４に沿っては、バンプ電極ＢＰが配列している部分（辺ＳＤ４の端部領域）と配列していない部分（辺ＳＤ４の中央領域）とがある。このため、図４６に示されるセンサチップ３ｂの場合には、センサチップ３ｂの表面３ａの外周部において、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿った領域の全部と辺ＳＤ４に沿った領域の一部（端部領域）とが第１領域３１であり、辺ＳＤ４に沿った領域の他部（中央領域）が第２領域３２である。

このようなセンサチップ３ｂも、本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１の製造工程に使用することができる。

図４７および図４８は、図３９に示されるセンサチップ３を使用した場合の封止材１２ａ，１２ｂの供給領域の説明図（平面図）であり、図４９および図５０は、図４６に示されるセンサチップ３ｂを使用した場合の封止材１２ａ，１２ｂの供給領域の説明図（平面図）である。図４７は、配線基板２の下面２ｂに図３９のセンサチップ３をフリップチップ実装した場合の、センサチップ３の外形を二点鎖線で示し、配線基板２の開口部ＯＰ１を点線で示し、バンプ電極ＢＰを実線で示したものであり、図４８は、図４７において、封止材１２ａが供給される平面領域と封止材１２ｂが供給される平面領域とにそれぞれハッチングを付したものである。図４９は、配線基板２の下面２ｂに図４６のセンサチップ３ｂをフリップチップ実装した場合の、センサチップ３ｂの外形を二点鎖線で示し、配線基板２の開口部ＯＰ１を点線で示し、バンプ電極ＢＰを実線で示したものであり、図５０は、図４９において、封止材１２ａが供給される平面領域と封止材１２ｂが供給される平面領域とにそれぞれハッチングを付したものである。

図３９のセンサチップ３と図４６のセンサチップ３ｂのいずれを用いる場合でも、本実施の形態では、ステップＳ３で配線基板２の下面２ｂに封止材１２ａを供給する際に、その後のステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給し、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給しない。そして、ステップＳ６で封止材１２ｂを供給する際には、センサチップ３の表面３ａと配線基板２の下面２ｂとの間において、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域に封止材１２ｂを供給（注入）する。

このため、図３９のセンサチップ３を使用した場合には、図４７および図４８からも分かるように、センサチップ３の表面３ａと配線基板２の下面２ｂとの間において、センサチップ３の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿う領域には封止材１２ａが供給されており、辺ＳＤ４に沿う領域には封止材１２ｂが供給されている。

一方、図４６のセンサチップ３を使用した場合には、図４９および図５０からも分かるように、センサチップ３の表面３ａと配線基板２の下面２ｂとの間において、センサチップ３の辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿う領域には封止材１２ａが供給されている。そして、辺ＳＤ４に沿う領域においては、バンプ電極ＢＰが配置（配列）されている部分（辺ＳＤ４の端部領域）には封止材１２ａが供給され、バンプ電極ＢＰが配置（配列）されていない部分（辺ＳＤ４の中央領域）には封止材１２ｂが供給されている。このようにすることで、図４６のセンサチップ３ｂを使用した場合にも、上述したようにセンサチップ３のセンサ面ＳＥに封止材１２ａ，１２ｂのような異物が付着するのを抑制または防止する効果を得ることができる。従って、カメラモジュール（固体撮像装置）の製造歩留まりを向上させることができ、また、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を向上させる効果を得ることができる。

また、センサチップ３の更に他の変形例として、センサチップ３の表面３ａの四辺（辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４）のうちの対向する二辺に沿ってバンプ電極ＢＰを配列させ、他の二辺に沿ってはバンプ電極ＢＰを配列させない場合も、本実施の形態を適用できる。すなわち、センサチップ３の表面３ａにおいて、辺ＳＤ１，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰを配列させかつ辺ＳＤ２，ＳＤ４に沿ってはバンプ電極ＢＰを配列させない場合と、辺ＳＤ２，ＳＤ４に沿ってバンプ電極ＢＰを配列させかつ辺ＳＤ１，ＳＤ３に沿ってはバンプ電極ＢＰを配列させない場合とにも、本実施の形態を適用できるのである。この場合、センサチップ３の表面３ａにおいて、辺ＳＤ１，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰが配列しているが、辺ＳＤ２，ＳＤ４に沿ってはバンプ電極ＢＰが配列していない場合には、センサチップ３の表面３ａの外周部において、辺ＳＤ１，ＳＤ３に沿った領域が第１領域３１となり、辺ＳＤ２，ＳＤ４に沿った領域が第２領域３２となる。また、センサチップ３の表面３ａにおいて、辺ＳＤ２，ＳＤ４に沿ってバンプ電極ＢＰが配列しているが、辺ＳＤ１，ＳＤ３に沿ってはバンプ電極ＢＰが配列していない場合には、センサチップ３の表面３ａの外周部において、辺ＳＤ２，ＳＤ４に沿った領域が第１領域３１となり、辺ＳＤ１，ＳＤ３に沿った領域が第２領域３２となる。

従って、本実施の形態では、センサチップ３の表面３ａにおいて、その表面３ａを形成する四角形の四辺（ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４）のうち、少なくとも一辺にはバンプ電極ＢＰが形成（配列）されておらず、残りの辺に沿って複数のバンプ電極ＢＰが形成（配列）されたセンサチップ３を使用することができる。この場合、第２領域３２は、バンプ電極ＢＰが形成されいない前記少なくとも一辺（上記図３９の場合は辺ＳＤ４）に沿った領域に対応し、第１領域３１は、複数のバンプ電極ＢＰが形成された前記残りの辺（上記図３９の場合は辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３）に沿った領域に対応する。

また、本実施の形態では、センサチップ３の表面３ａにおいて、その表面３ａを形成する四角形の四辺（ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４）のうち、少なくとも一辺（上記図４６の場合は辺ＳＤ４）に沿って、バンプ電極ＢＰが形成（配列）された第１領域３１と、バンプ電極ＢＰが形成（配列）されていない第２領域３２とが存在しているセンサチップ３を使用することもできる。

また、本実施の形態では、ステップＳ３において、封止材１２ａを配線基板２の下面２ｂ上に供給（塗布）したが、他の形態として、封止材１２ａを、配線基板２側ではなく、センサチップ３の表面３ａ上に供給（塗布）することもできる。この場合、センサチップ３の表面３ａの外周部（周辺部）において、第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）に封止材１２ａを供給（塗布）し、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）には封止材１２ａが供給（塗布）されないようにする。この際、センサチップ３のセンサ面ＳＥには封止材１２ａが付着しないようにする。このように封止材１２ａが供給（塗布）されたセンサチップ３を上記ステップＳ４で配線基板２の下面２ｂにフリップチップ実装する。このような場合においても、配線基板２の撓みに起因してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに封止材１２ａ，１２ｂのような異物が付着するのを抑制または防止する効果を得ることができる。但し、ステップＳ３では、封止材１２ａをセンサチップ３の表面３ａ側に供給（塗布）する場合よりも、本実施の形態のように封止材１２ａを配線基板２の下面２ｂ側に供給（塗布）する場合の方が、封止材１２ａ供給（塗布）時のセンサチップ３のセンサ面ＳＥへの封止材１２ａの付着をより確実に防止できるため、より好ましい。

（実施の形態２）
本実施の形態の固体撮像装置（ここではカメラモジュールＭＪ１）の製造工程について説明する。

図５１は、本実施の形態の固体撮像装置、ここではカメラモジュールＭＪ１の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。

本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１（固体撮像装置）の製造工程は、ステップＳ４（センサチップ３の搭載工程）までは、上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明を省略し、ステップＳ４を行った後の工程について説明する。

上記実施の形態１と同様にして上記ステップＳ４（センサチップ３の搭載工程）までの工程を行った後、上記実施の形態１では上記ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程を行うが、本実施の形態では、上記ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程を行うことなく、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程を行う。図５２（Ａ３−Ａ３断面）および図５３（Ａ３−Ａ３断面）は、上記図３３および図３４にそれぞれ対応する断面図（Ａ３−Ａ３断面）であり、図５２には、ステップＳ６で封止材１２ｂを供給する前の段階（状態）が示され、図５３には、ステップＳ６で封止材１２ｂが供給された段階（状態）が示されている。

本実施の形態で行うステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程は、図５２および図５３からも分かるように、配線基板２の上面２ａに樹脂カバー５が搭載されていない状態で行うが、それ以外は、上記実施の形態１で行うステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程とほぼ同様であるため、ここではその具体的な説明は省略する。

本実施の形態では、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程の後、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程を行う。

本実施の形態で行うステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程は、配線基板２の上面２ａに樹脂カバー５が搭載されていない状態で行うこと以外は、上記実施の形態１で行うステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程とほぼ同様であるため、ここではその具体的な説明は省略する。

本実施の形態では、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程の後、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程を行う。図５４（Ａ１−Ａ１断面）は、上記図３８に対応する断面図（Ａ１−Ａ１断面）であり、図５４には、ステップＳ８で配線基板２の下面２ｂに樹脂カバー７が接着された段階（状態）が示されている。

本実施の形態で行うステップＳ８ａの樹脂カバーの接着工程は、図５４からも分かるように、配線基板２の上面２ａに樹脂カバー５が搭載されていない状態で行うが、それ以外は、上記実施の形態１で行うステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程とほぼ同様であるため、ここではその具体的な説明は省略する。

本実施の形態では、ステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程の後、ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程を行う。図５５（Ａ１−Ａ１断面）は、上記図５４と同じ断面領域（Ａ１−Ａ１断面）が示されているが、図５５には、ステップＳ５で配線基板２の上面２ａに樹脂カバー５が接着された段階（状態）が示されている。

本実施の形態で行うステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程は、図５５からも分かるように、ステップＳ６〜Ｓ８（封止材１２ｂの供給および硬化と配線基板２の下面２ｂへの樹脂カバー７の接着）が行われた後に行われるが、それ以外は、上記実施の形態１で行うステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程とほぼ同様であるため、ここではその具体的な説明は省略する。

本実施の形態では、ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程を行った後、ステップＳ９のレンズユニット６の取り付け工程を行う。

本実施の形態で行うステップＳ９のレンズユニット６の取り付け工程は、上記実施の形態１で行うステップＳ９のレンズユニット６の取り付け工程とほぼ同様であるため、ここではその具体的な説明は省略する。

このようにして、本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１が製造される（組み立てられる）。製造されたカメラモジュールＭＪ１の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明は省略する。

次に、本実施の形態の特徴について、より詳細に説明する。

本実施の形態では、上記実施の形態１とは異なり、ステップＳ５で、配線基板２の上面２ａ上に、配線基板２の開口部ＯＰ１から露出するセンサチップ３のセンサ面ＳＥを覆うように、樹脂カバー（枠体）５を固定する前に、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程とステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程とを行っている。すなわち、本実施の形態では、上記実施の形態１で説明した第１の点は満たしていない。

しなしながら、本実施の形態では、封止材１２ｂを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ７における加熱温度）を、封止材１２ａを硬化するための加熱温度（すなわちステップＳ４における加熱温度）よりも低くしている。すなわち、上記実施の形態１で説明した第２の点を満たしている。これにより、上記実施の形態１でも説明したように、ステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程に比べて、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程では、加熱温度が低い分、配線基板２が撓みにくくなっていることで、封止材１２ｂをステップＳ７で硬化する際に、封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止できる。

従って、本実施の形態では、ステップＳ３での封止材１２ａの供給領域を上記実施の形態１で説明したように制御することで、ステップＳ４で封止材１２ａが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止でき、また、上記第２の点により、ステップＳ７で封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを抑制または防止できる。これにより、センサチップ３のセンサ面ＳＥに封止材１２ａ，１２ｂのような異物が付着するのを抑制または防止できるため、カメラモジュール（固体撮像装置）の製造歩留まりを向上させることができ、また、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、上記ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程を行う前に、ステップＳ６，Ｓ７の封止材１２ｂの供給工程および硬化工程を行っているため、配線基板２が樹脂カバー５によって保持されていない状態で、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化のための加熱を行う。このため、本実施の形態では、次のように、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化のための加熱を行うことが好ましい。図５６および図５７は、本実施の形態の加熱工程（封止材１２ｂの硬化工程）の説明図（断面図）であり、図５６は上記Ａ１−Ａ１線の位置での断面図に対応し、図５７は上記Ａ３−Ａ３線の位置での断面図に対応する。

すなわち、ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程では、図５６および図５７に示されるように、センサチップ３がフリップチップ実装された配線基板２を、加熱用のステージ（加熱台、加熱用治具）５１上に配置する。そして、ステージ５１上に配置された配線基板２を封止材１２ｂとともに加熱することで、封止材１２ｂを硬化する。この配線基板２（および封止材１２ｂ）の加熱は、例えば、センサチップ３がフリップチップ実装された配線基板２をステージ５１ごと加熱炉に通すことで行ったり、あるいは、ステージ５１自身に加熱機構を設けて（内蔵させて）ステージ５１を加熱することで行うことができる。

なお、センサチップ３がフリップチップ実装された配線基板２をステージ５１上に配置する際には、配線基板２の下面２ｂ側が上方を向き、配線基板２の上面２ａ側がステージ５１に対向するようにする。この際、図５６および図５７に示されるように、配線基板２のチップ搭載領域（センサチップ３が搭載されている領域）の上面２ａが、ステージ５１に保持されない（ステージ５１に接しない）ようにしておくことが好ましい。これは、ステージ５１の上面に予め窪み部（凹部）５２を設けておき、この窪み部５２上に配線基板２のチップ搭載領域（センサチップ３が搭載されている領域）が位置するように、ステージ５１上に配線基板２（センサチップ３がフリップチップ実装された配線基板２）を配置することで、実現できる。また、図５６に示されるように、ステージ５１上に配線基板２を配置したときに、配線基板２の上面２ａに実装していた電子部品４が、ステージ５１の他の窪み（凹部）５３内に配置されるようにすれば、ステージ５１上への配線基板２の配置に電子部品４が邪魔になるのを防止できる。

図５６および図５７の場合とは異なり、配線基板２のチップ搭載領域の上面２ａが、ステージ５１に保持されている（ステージ５１に接している）状態で封止材１２ｂを硬化するための加熱を行った場合には、この加熱により配線基板２が撓もうとすると、配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が遠ざかる方向（図５７の矢印５４の方向）への撓みはステージ５１によって規制（制限）される。このため、配線基板２は、前記距離（間隔）が近づく方向（図５７の矢印５４とは反対方向）へ撓みやすい。

しかしながら、図５６および図５７に示されるように、配線基板２のチップ搭載領域（センサチップ３が搭載されている領域）の上面２ａが、ステージ５１に保持されない（ステージ５１に接しない）状態としておけば、配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が遠ざかる方向（図５７の矢印５４の方向）への配線基板２の撓みはステージ５１によって規制（制限）されなくなる。すなわち、加熱により配線基板２が撓む場合であっても、配線基板２は、配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が遠ざかる方向（図５７の矢印５４の方向）へも撓むことができるようになる。

このため、図５６および図５７に示されるように、配線基板２のチップ搭載領域の上面２ａがステージ５１に保持されない（ステージ５１に接しない）状態で、封止材１２ｂを硬化するための加熱を行うことで、配線基板２が配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が近づく方向（図５７の矢印５４とは反対方向）へ撓む確率を低減することができる。

配線基板２の撓みにより封止材１２ｂが押し出されて流出する（それによって封止材１２ｂがセンサ面ＳＥに付着する）という問題は、配線基板２が配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が近づく方向（図５７の矢印５４とは反対方向）へ撓んだ場合に生じる問題であり、配線基板２が配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が遠ざかる方向（図５７の矢印５４の方向）に撓んだ場合には発生しない問題である。本実施の形態では、封止材１２ｂを硬化するための加熱を行った際に、配線基板２が配線基板２とセンサチップ３との間の距離（間隔）が近づく方向（図５７の矢印５４とは反対方向）へ撓む確率を低減できた分、ステップＳ７で封止材１２ｂが流出してセンサチップ３のセンサ面ＳＥに付着するのを更に抑制することができる。

（実施の形態３）
図５８は、本実施の形態で使用するセンサチップ３の平面図であり、センサチップ３の表面３ａが示されており、上記図２４に対応するものである。図５８においても、理解を簡単にするために、図５８のセンサチップ３を配線基板２の下面２ｂにフリップチップ実装したときに、上記Ａ１−Ａ１線、Ａ２−Ａ２線およびＡ３−Ａ３線に重なる位置に、Ａ１−Ａ１線、Ａ２−Ａ２線およびＡ３-Ａ３線の位置を示す一点鎖線を入れてある。また、図５８において、バンプ電極ＢＰを白抜きの丸で示し、ダミーのバンプ電極ＢＰ１を黒丸で示してある。また、図５８において、バンプ電極ＢＰが配列している第１領域３１を点線で示し、ダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列している第３領域３３を二点鎖線で示してある。なお、図５８に示される本実施の形態のセンサチップ３を、以下ではセンサチップ３ｃと称することとする。

上記実施の形態１，２で使用したセンサチップ３は、センサチップ３の表面３ａにおいて、外周の四辺全体に沿ってバンプ電極ＢＰが等ピッチ（均等）に配列したものではなく、センサチップ３は、その表面３ａの外周部（周辺部）において、複数のバンプ電極ＢＰが配列した第１領域３１とバンプ電極ＢＰが配列していない第２領域３２とを有していた。例えば、上記図２４および図３９のように、センサチップ３の表面３ａの辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のうち、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰが配列しているが、辺ＳＤ４に沿ってはバンプ電極ＢＰが配列していなかった。

それに対して、本実施の形態で使用するセンサチップ３ｃは、上記実施の形態１，２で使用するセンサチップ３において、上記第１領域３１に配列したバンプ電極ＢＰはそのままとし、上記第２領域３２にダミーのバンプ電極ＢＰ１を配列させているのである。従って、本実施の形態で使用するセンサチップ３ｃは、その表面３ａの外周部（周辺部）において、複数のバンプ電極ＢＰが配列した第１領域３１と複数のダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列している第３領域３３とを有しており、この第３領域３３が上記実施の形態１，２の第２領域３２に相当する。ここで、上記実施の形態１，２のセンサチップ３の表面３ａにおける第２領域３２の配置位置と本実施の形態のセンサチップ３ｃの表面３ａにおける第３領域３３の配置位置とは同じであるが、上記第２領域３２にはバンプ電極ＢＰもダミーのバンプ電極ＢＰ１も配列していないのに対して、第３領域３３には、ダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列しているのである。

従って、本実施の形態で使用するセンサチップ３ｃでは、センサチップ３ｃの表面３ａにおいて、外周の四辺（すなわち辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４）全体に沿ってバンプ電極ＢＰ，ＢＰ１が等ピッチ（均等）に配列している。例えば、図５８のように、センサチップ３ｃの表面３ａの辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４のうち、辺ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３に沿ってバンプ電極ＢＰが配列し、辺ＳＤ４に沿ってダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列している。

各バンプ電極ＢＰは、電気的に必要なバンプ電極であり、センサチップ３ｃ内に形成されている回路（半導体集積回路）と電気的に接続されている。一方、ダミーのバンプ電極ＢＰ１は、電気的に必要なバンプ電極ではなく（すなわち電気的には不要なバンプ電極であり）、配線基板２（２ｄ）とセンサチップ３ｃとの間の距離（間隔）を一定に保つために設けたものである。このため、ダミーのバンプ電極ＢＰ１は、センサチップ３ｃ内に形成されている回路（半導体集積回路）とは電気的に接続されていなくともよい。カメラモジュールＭＪ１において、センサチップ３ｃのダミーのバンプ電極ＢＰ１には、信号（電気信号）は入力も出力もされない。センサチップ３ｃにおいて、ダミーのバンプ電極ＢＰ１は、バンプ電極ＢＰと同様の手法で同工程で形成することができる。ダミーのバンプ電極ＢＰ１を設けたこと以外は、本実施の形態で使用するセンサチップ３ｃは、上記実施の形態１で使用するセンサチップ３とほぼ同様の構成を有している。

図５９は、本実施の形態で用いる配線基板２の要部平面図（部分拡大下面図）であり、配線基板２の下面２ｂ側が示され、上記実施の形態１の図１２に対応するものである。図５９において、バンプ電極ＢＰが接続される端子９を白抜きの丸で示し、ダミーのバンプ電極ＢＰ１が接続される端子９ａを黒丸で示してある。なお、図５９に示される本実施の形態の配線基板２を、以下では配線基板２ｃと称することとする。

図５９に示されるように、配線基板２ｃの下面２ｂには、センサチップ３ｃを搭載したときにセンサチップ３ｃの複数のバンプＢＰ，ＢＰ１をそれぞれ接続するために複数の端子（ボンディングリード、電極、導電性ランド）９，９ａが、センサチップ３ｃのバンプ電極ＢＰ，ＢＰ１に対応する位置に配置されている。このうち、端子９は、センサチップ３ｃのバンプ電極ＢＰを接続するための端子９であり、端子９ａは、センサチップ３ｃのダミーのバンプ電極ＢＰ１を接続するための端子９ａである。配線基板２ｃにおいて、端子９は、電気的に必要な端子であり、上記コネクタＣＮＴ（が接続された端子１３）や上記電子部品４（が接続された端子１０）と、配線基板２ｃの配線パターン（やビア）を介して電気的に接続されている。一方、端子９ａは、電気的に必要な端子ではなく、ダミーのバンプ電極ＢＰ１を接続可能とするために設けられたものであり、上記コネクタＣＮＴ（コネクタＣＮＴが接続された端子１３）や上記電子部品４（電子部品４が接続された端子１０）とは電気的に接続されていない。このため、各端子９ａは、配線基板２ｃの配線パターンに接続されていない孤立パターンとされている。従って、端子９ａは、ダミーの端子（ダミーのバンプ電極ＢＰ１を接続するために設けるが、電気的には不要な端子）とみなすこともできる。端子９ａを設けたこと以外は、本実施の形態で使用する配線基板２ｃは、上記実施の形態１で使用する配線基板２とほぼ同様の構成を有している。

また、本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１は、センサチップ３ｃ（３）におけるバンプ電極ＢＰ，ＢＰ１の配列と、配線基板２ｃ（２）における端子９，９ａの配列以外については、上記実施の形態１におけるカメラモジュールＭＪ１とほぼ同様の構成を有しているので、ここではその説明を省略する。

本実施の形態のカメラモジュールＭＪ１の製造工程は、次のように行うことができる。

まず、上記実施の形態１と同様に上記ステップＳ２（電子部品４の実装工程）までの工程を行う。それから、ステップＳ３の封止材１２ａの供給工程を行う。本実施の形態と上記実施の形態１との相違点について、以下に説明する。

図６０は、本実施の形態におけるステップＳ３の封止材１２ａの供給工程での封止材１２ａの供給（塗布）領域を示す説明図（平面図）であり、図５９において、ステップＳ３で封止材１２ａが供給（塗布）される領域をハッチングを付して示したものである。

本実施の形態におけるステップＳ３の封止材１２ａの供給工程と上記実施の形態１におけるステップＳ３の封止材１２ａの供給工程とでは、配線基板２（２ｃ）の下面２ｂにおける封止材１２ａの供給領域（塗布領域、供給位置、塗布位置）が異なっている。

すなわち、上記実施の形態１では、ステップＳ３の配線基板２の下面２ｂのセンサチップ搭載予定領域への封止材１２ａの供給工程では、ステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域に封止材１２ａを供給するが、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給しないようにしている。それに対して、本実施の形態では、ステップＳ３の配線基板２ｃの下面２ｂのセンサチップ搭載予定領域への封止材１２ａの供給工程では、ステップＳ４でセンサチップ３ｃを搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域と第３領域３３（ダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列した領域）と平面的に重なる領域とに封止材１２ａを供給する。換言すれば、本実施の形態では、ステップＳ３の配線基板２ｃの下面２ｂのチップ搭載予定領域（センサチップ３ｃの搭載予定領域）への封止材１２ａの供給工程では、ステップＳ４でセンサチップ３ｃを搭載したときにセンサチップ３ｃの表面３ａの外周領域（第１領域３１と第３領域３３とを足した領域）と平面的に重なる領域に封止材１２ａを供給するのである。このため、本実施の形態のステップＳ３の封止材１２ａの供給工程では、図６０に示されるように、配線基板２ｃの下面２ｂ上において、開口部ＯＰ１を囲むように、封止材１２ａが供給（塗布、配置）されることになる。そして、本実施の形態では、ステップＳ４でセンサチップ３ｃのフリップチップ実装を行うと、センサチップ３ｃの表面３ａの外周領域（第１領域３１と第３領域３３とを足した領域）全体と、配線基板２ｃの下面２ｂとの間に、硬化した封止材１２ａが充填（配置）された状態となる。

なお、上記実施の形態１では、配線基板２の下面２ｂにおいて、ステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域には、バンプ電極ＢＰを接続すべき端子９が配列しているが、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域には端子９は配列していなかった。一方、本実施の形態では、配線基板２ｃの下面２ｂにおいて、ステップＳ４でセンサチップ３ｃを搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域には、バンプ電極ＢＰを接続すべき端子９が配列しており、また、第３領域３３（ダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列した領域）と平面的に重なる領域には、ダミーのバンプ電極ＢＰ１を接続すべき端子９ａが配列している。このため、本実施の形態のステップＳ３の封止材１２ａの供給工程では、図６０に示されるように、配線基板２ｃの下面２ｂにおいて、後で搭載されるセンサチップ３ｃのバンプ電極ＢＰに接続されるべき端子９が配列している領域またはその近傍領域と、後で搭載されるセンサチップ３ｃのダミーのバンプ電極ＢＰ１に接続されるべき端子９ａが配列している領域またはその近傍領域とに、封止材１２ａが供給されることになる。

封止材１２ａの供給位置以外については、本実施の形態のステップＳ３の封止材１２ａの供給工程は、上記実施の形態１の封止材１２ａの供給工程とほぼ同様に行うことができる。

ステップＳ３の封止材１２ａの供給工程の後、本実施の形態でもステップＳ４のセンサチップ３ｃの搭載工程（フリップチップ実装工程）を行う。

図６１は、ステップＳ４でセンサチップ３ｃが配線基板２ｃの下面２ｂに搭載（フリップチップ実装）された段階（状態）を示す要部平面図（部分拡大下面図）であり、配線基板２ｃの下面２ｂ側が示され、上記図２９に対応するものである。図６２（Ａ１−Ａ１断面）、図６３（Ａ２−Ａ２断面図）および図６４（Ａ３−Ａ３断面図）は、ステップＳ４でセンサチップ３ｃが配線基板２ｃの下面２ｂに搭載（フリップチップ実装）された段階（状態）を示す断面図であり、それぞれ上記図２６、図２７および図２８にそれぞれ対応するものである。このため、図６１のＡ１−Ａ１線の断面図が図６２にほぼ対応し、図６１のＡ２−Ａ２線の断面図が図６３にほぼ対応し、図６１のＡ３−Ａ３線の断面図が図６４にほぼ対応している。また、図６１においては、理解を簡単にするために、センサチップ３ｃの下に位置する（隠れている）配線基板２ｃの開口部ＯＰ１の位置を二点鎖線で示し、センサチップ３ｃの下に位置する（隠れている）バンプ電極ＢＰ，ＢＰ１を点線で示してある。

図６１〜図６４からも分かるように、本実施の形態におけるステップＳ４のセンサチップ３ｃの搭載工程は、センサチップ３ｃの各バンプ電極ＢＰが配線基板２ｃの各端子９に接続（熱圧着）されるだけでなく、センサチップ３ｃのダミーの各バンプ電極ＢＰ１が配線基板２ｃの各端子９ａに接続（熱圧着）される点が上記実施の形態１のステップＳ４のセンサチップ３の搭載工程と異なっている。それ以外については、本実施の形態におけるステップＳ４のセンサチップ３ｃの搭載（フリップチップ実装）工程は、上記実施の形態１のステップＳ４のセンサチップ３の搭載（フリップチップ実装）工程とほぼ同様に行うことができる。

本実施の形態では、ステップＳ４のセンサチップ３ｃの搭載工程よりも後の工程は、上記ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程と上記ステップＳ７の封止材１２ｂの硬化工程を行わないこと以外は、上記実施の形態１または上記実施の形態２と同様である。すなわち、本実施の形態では、ステップＳ４のセンサチップ３ｃの搭載工程の後、上記ステップＳ６，Ｓ７の封止材１２ｂの供給工程および硬化工程を行うことなく、上記ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程、上記ステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程、および上記ステップＳ９のレンズユニット６の取り付け工程を順に行う。あるいは、本実施の形態では、ステップＳ４のセンサチップ３ｃの搭載工程の後、上記ステップＳ６，Ｓ７の封止材１２ｂの供給工程および硬化工程を行うことなく、上記ステップＳ８の樹脂カバー７の接着工程、上記ステップＳ５の樹脂カバー５の接着工程、および上記ステップＳ９のレンズユニット６の取り付け工程を順に行うこともできる。

上記実施の形態１，２では、センサチップ３が、その表面３ａの外周部（周辺部）において、複数のバンプ電極ＢＰが配列した第１領域３１とバンプ電極ＢＰが配列していない第２領域３２との両者を有していた。このため、第２領域３２と平面的に重なる領域では、バンプ電極ＢＰが無いことで配線基板２が撓みやすいので、配線基板２の撓みに起因する不具合を防止するために、上記実施の形態１，２では、上述したような様々な工夫を行っていた。

それに対して、本実施の形態では、センサチップ３ｃは、その表面３ａの外周部（周辺部）において、複数のバンプ電極ＢＰが配列した第１領域３１と複数のダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列した第３領域３３とを有しており、センサチップ３ｃの表面３ａにおいて、外周の四辺全体に沿ってバンプ電極ＢＰ，ＢＰ１が等ピッチ（均等）に配列している。すなわち、本実施の形態で使用するセンサチップ３ｃは、その表面３ａの外周部（周辺部）において、複数のバンプ電極ＢＰが配列した第１領域３１と複数のダミーのバンプ電極ＢＰ１が配列した第３領域３３とを有しているが、バンプ電極ＢＰとダミーのバンプ電極ＢＰ１のいずれも配列していない上記第２領域３２に相当する領域は有していないのである。

このため、本実施の形態では、ステップＳ４でセンサチップ３ｃを配線基板２ｃの下面２ｂにフリップチップ実装すると、バンプ電極ＢＰとダミーのバンプ電極ＢＰ１の両方が、センサチップ３ｃと配線基板２ｃとの間の距離（間隔）を一定に保つように作用する。このため、配線基板２ｃのうち、センサチップ３ｃのバンプ電極ＢＰが接続された領域およびその近傍とセンサチップ３ｃのダミーのバンプ電極ＢＰ１が接続された領域およびその近傍とでは、配線基板２ｃの撓みが防止（制限）される。これにより、ステップＳ４のセンサチップ３ｃの搭載工程において、上記図４３や図４５で説明したような配線基板２ｃの撓みは、バンプ電極ＢＰおよびダミーのバンプ電極ＢＰ１によって防止（制限）されるため、配線基板２ｃとセンサチップ３ｃとの間に配置されている硬化前の封止材１２ａが配線基板２ｃの撓みによって押し出されて流出する（センサチップ３ｃのセンサ面ＳＥに付着する）現象を防止することができる。従って、カメラモジュール（固体撮像装置）の製造歩留まりを向上させることができ、また、製造されたカメラモジュール（固体撮像装置）の信頼性を向上させることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態１〜３で使用する配線基板２の変形例について説明する。図６５は、配線基板２の変形例を示す上面図であり、図６６は、その下面図であり上記実施の形態１の図１０および図１１にそれぞれ対応するものである。図６５では、後でコネクタＣＮＴが実装される領域を点線で示してある。また、配線基板２ｄ（２）の下面２ｂにおいて、複数の端子９のそれぞれに配線ＷＰ１が一体的に接続されているが、図６６の下面図では、簡略化のために、複数の端子９のうちの一部の端子９に接続された配線ＷＰ１のみが図示されている。なお、図６５および図６６に示される本実施の形態の配線基板２を、以下では配線基板２ｄと称することとする。

図６５および図６６に示される変形例の配線基板２（すなわち配線基板２ｄ）は、以下の点で、上記実施の形態１の上記図１０および図１１に示される配線基板２と異なっている。

すなわち、上記実施の形態１で使用した配線基板２は、その下面２ｂにおいて、センサチップ３のバンプ電極ＢＰを接続するための端子９が、開口部ＯＰ１の周囲に配列しているが、矩形（長方形）状の開口部ＯＰ１の四辺（すなわち辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３，ＳＤ１４）のうち、辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３に沿って端子９が配列しているが、辺ＳＤ１４に沿っては端子９が配列していない。ここで、端子９が配列していない開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４は、開口部ＯＰ１の四辺（すなわち辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３，ＳＤ１４）のうち、配線基板２の下面２ｂにおいてコネクタＣＮＴ（あるいはコネクタＣＮＴが接続される端子１３）が配置されている領域から最も遠くに位置する辺である。

上記図１０および図１１に示される配線基板２とは異なり、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４側に端子９を設けた場合には、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４側の端子９をコネクタＣＮＴ（あるいはコネクタＣＮＴが接続される端子１３）に電気的に接続するには、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４側の端子９とコネクタＣＮＴ（端子１３）とを接続する配線（上記配線ＷＰ１に対応）が長くなってしまう。また、この配線を引き回すための領域を確保する必要があるため、配線基板の平面寸法（面積）が大きくなってしまう。

これに対して、上記実施の形態１で使用した上記図１０および図１１に示される配線基板２のように、開口部ＯＰ１の四辺のうち、コネクタＣＮＴ（端子１３）から最も遠くに位置する辺ＳＤ１４側には端子９を配列させないようにすることで、開口部ＯＰ１の周囲に配置された端子９とコネクタＣＮＴ（の端子）とを接続する配線（上記配線ＷＰ１に対応）の長さを短くすることができる。また、この配線を引き回すための領域を低減できるため、配線基板２の平面寸法（面積）を縮小することが可能になる。

一方、図６５および図６６に示される配線基板２ｄでは、その下面２ｂにおいて、センサチップ３のバンプ電極ＢＰを接続するための端子９が、開口部ＯＰ１の周囲に配列しているが、矩形（長方形）状の開口部ＯＰ１の四辺（すなわち辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３，ＳＤ１４）のうち、辺ＳＤ１１，ＳＤ１３，ＳＤ１４に沿って端子９が配列しているが、辺ＳＤ１２に沿っては端子９が配列していない。ここで、端子９が配列していない開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２は、開口部ＯＰ１の四辺（すなわち辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３，ＳＤ１４）のうち、配線基板２ｄの下面２ｂにおいてコネクタＣＮＴと平面的に重なる領域から最も近くに位置する辺である。

図６５および図６６に示される配線基板２ｄは、チップ搭載領域（センサチップ３を搭載する領域）に設けた開口部ＯＰ１以外に、更に、開口部（貫通孔、孔）ＯＰ２も有している。この開口部ＯＰ２は、配線基板２ｄの下面２ｂから上面２ａまで貫通している。この開口部ＯＰ２は、配線基板２ｄを折り曲げやすくするために設けられており、例えば、カメラモジュールＭＪ１において、配線基板２ｄを折り曲げる際の折り曲げ予定位置に配置することができる。配線基板２ｄにおいて、開口部ＯＰ２は、センサチップ３のセンサ面ＳＥを露出させるための開口部ＯＰ１が配置されている領域と、後でコネクタＣＮＴが配置される領域との間に、配置されている。このため、開口部ＯＰ１の四辺（すなわち辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３，ＳＤ１４）のうち、配線基板２ｄの下面２ｂにおいて開口部ＯＰ２に対向し、開口部ＯＰ２から最も近くに位置する辺は、辺ＳＤ１２である。

図６５および図６６に示される配線基板２ｄでは、開口部ＯＰ１以外の開口部ＯＰ２が設けられているため、開口部ＯＰ１の周囲に配列させた端子９とコネクタＣＮＴ（の端子）とを接続するための配線ＷＰ１は、配線基板２ｄにおいて、開口部ＯＰ２を避けて引き回す必要がある。このため、図６５および図６６に示される配線基板２ｄのように、開口部ＯＰ１の四辺のうち、配線基板２ｄの下面２ｂにおいて開口部ＯＰ２に対向しかつ開口部ＯＰ２から最も近くに位置する辺ＳＤ１２側には端子９を配列させないようにすることで、開口部ＯＰ１の周囲に配置された端子９とコネクタＣＮＴ（コネクタＣＮＴ接続用の端子１３）とを接続する配線ＷＰ１を、開口部ＯＰ２を避けて引き回しやすくなる。このため、配線基板２ｄにおける配線パターンの設計が容易になる。

また、図６５および図６６に示される配線基板２ｄでは、配線基板２ｄの幅（配線基板２ｄの短辺方向であるＹ方向の寸法）を局所的に狭くしたくびれ部６１を設けており、くびれ部６１に沿って配線基板２ｄを折り曲げやすくしている。配線基板２ｄのくびれ部６１は、カメラモジュールＭＪ１において、配線基板２ｄを折り曲げる際の折り曲げ予定位置に設けることができる。配線基板２ｄに開口部ＯＰ２およびくびれ部６１を設けることで、カメラモジュールＭＪ１において、配線基板２ｄを、開口部ＯＰ２に沿った位置と、くびれ部６１に沿った位置との両方で、容易に折り曲げることが可能になる。

また、図６５および図６６に示される配線基板２ｄでは、電子部品４が実装される領域を、幅方向（配線基板２ｄの短辺方向）に広くし、そこに電子部品４実装用の端子１０を集約して配置し、後で電子部品４を実装するようにしている。これにより、配線基板２ｄに電子部品４を実装しやすくなる。

また、図６５および図６６に示される配線基板２ｄでは、コネクタＣＮＴは配線基板２ｄの上面２ａ側に実装するため、コネクタＣＮＴ接続用の複数の端子１３は、配線基板２ｄの上面２ａに形成している。

配線基板２ｄの他の構成は、上記実施の形態１で使用する配線基板２とほぼ同様である。

このような、図６５および図６６に示される配線基板２ｄを用いてカメラモジュールＭＪ１を製造することができ、その場合にも、上記実施の形態１〜３で説明したカメラモジュールＭＪ１の製造工程と基本的に同様の製造工程を行うことができる。

以下では、図６５および図６６に示される配線基板２ｄを用いてカメラモジュールＭＪ１を製造する場合と、上記実施の形態１で使用した上記図１０および図１１の配線基板２を用いてカメラモジュールＭＪ１を製造する場合との相違点について説明する。

すなわち、上記図１０および図１１の配線基板２と図６５および図６６の配線基板２ｄとでは、開口部ＯＰ１の四辺における端子９の配列する辺が相違していることに伴い、上記ステップＳ３，Ｓ６で封止材１２ａ，１２ｂを供給する位置が異なっている。

ステップＳ３の封止材１２ａの供給工程において、ステップＳ４でセンサチップ３を搭載したときに第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域に封止材１２ａを供給するが、第２領域３１（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域には封止材１２ａを供給しないことは、上記実施の形態１，２と本実施の形態とで共通である。上記実施の形態１の上記図１０および図１１の配線基板２を使用した場合には、第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域は、配線基板２の下面２ｂにおいて開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３に沿った領域であり、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域は、配線基板２の下面２ｂにおいて開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４に沿った領域である。このため、上記実施の形態１の上記図１０および図１１の配線基板２を使用した場合には、ステップ３の封止材１２ａの供給工程では、配線基板２の下面２ｂにおいて、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１１，ＳＤ１２，ＳＤ１３に沿った領域に封止材１２ａを供給（塗布）し、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４に沿った領域には封止材１２ａを供給（塗布）しない。一方、図６５および図６６の配線基板２ｄを使用した場合には、第１領域３１（バンプ電極ＢＰが配列した領域）と平面的に重なる領域は、配線基板２ｄの下面２ｂにおいて開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１１，ＳＤ１３，ＳＤ１４に沿った領域であり、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域は、配線基板２ｄの下面２ｂにおいて開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２に沿った領域である。このため、図６５および図６６の配線基板２ｄを使用した場合には、ステップ３の封止材１２ａの供給工程では、配線基板２ｄの下面２ｂにおいて、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１１，ＳＤ１３，ＳＤ１４に沿った領域に封止材１２ａを供給（塗布）し、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２に沿った領域には封止材１２ａを供給（塗布）しない。

また、ステップＳ６の封止材１２ｂの供給工程で、センサチップ３の表面３ａと配線基板２，２ｄの下面２ｂとの間において、第２領域３２（バンプ電極ＢＰが配列していない領域）と平面的に重なる領域に封止材１２ｂを供給（注入）することは、上記実施の形態１，２と本実施の形態とで共通である。このため、上記実施の形態１の上記図１０および図１１の配線基板２を使用した場合には、ステップ６の封止材１２ｂの供給工程では、センサチップ３の表面３ａと配線基板２ｄの下面２ｂとの間において、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１４に沿った領域に封止材１２ｂを供給（注入）する。一方、図６５および図６６の配線基板２ｄを使用した場合には、ステップ６の封止材１２ｂの供給工程では、センサチップ３の表面３ａと配線基板２ｄの下面２ｂとの間において、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２に沿った領域に封止材１２ｂを供給（注入）すればよい。

図６５および図６６に示される配線基板２ｄを用いてカメラモジュールＭＪ１を製造する場合においても、上記実施の形態１〜３と基本的に同様の製造工程を行うことで、ほぼ同様の効果を得ることができる。

更に、本実施の形態では、以下のような効果も得られる。

すなわち、本実施の形態で用いられる配線基板２ｄにおいては、図６６に示されるように、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２の近傍に、配線ＷＰ１の一部である配線ＷＰ１ａが配置されている（延在している）。このような場合には、ステップＳ４でセンサチップ３をフリップチップ実装する際に、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２に沿った領域では、バンプ電極ＢＰが無いことから配線基板２ｄが撓みやすいが、配線基板２ｄが撓むと、センサチップ３が配線基板２ｄの配線ＷＰ１ａに接触してしまう可能性がある。上記図４５のように配線基板２ｄが撓んだ部分（ここでは辺ＳＤ１２に沿った領域）に封止材１２ａがもしも存在すると、配線基板２ｄが撓んだ状態のまま封止材１２ａが硬化してしまい、センサチップ３と配線基板２ｄの配線ＷＰ１ａとが接触してショートした状態が固定され、電気的な不良となり、カメラモジュールの製造歩留まりを低下させてしまう。

それに対して、本実施の形態では、上記実施の形態１，２と同様に、配線基板２ｄの下面２ｂにおいて、ステップＳ４で配線基板２ｄの撓みが生じやすい領域（第２領域３２と平面的に重なる領域、ここでは辺ＳＤ１２に沿った領域）にはステップＳ３で封止材１２ａを供給しないようにしている。このため、ステップＳ４でセンサチップ３をフリップチップ実装する際に、開口部ＯＰ１の辺ＳＤ１２に沿った領域で、バンプ電極ＢＰが無いことから配線基板２ｄが撓んだとしても、配線基板２ｄが撓んだ部分（ここでは辺ＳＤ１２に沿った領域）には封止材１２ａが無いので、ステップＳ４のフリップチップ実装工程の終了後には、撓んでいた配線基板２ｄは元に戻ることができる。そして、本実施の形態でも、上記実施の形態１，２と同様の理由により、封止材１２ｂの硬化時には配線基板２ｄの撓みを抑制または防止できる。従って、本実施の形態では、センサチップ３と配線基板２ｄの配線ＷＰ１ａとが接触してショートした状態が固定されて電気的な不良となるのを防止できる効果を得ることができ、カメラモジュールの製造歩留まりを向上させることができる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

本発明は、固体撮像装置およびその製造技術に適用して有効である。

２，２ｃ，２ｄ 配線基板
２ａ 上面
２ｂ 下面
３，３ｂ，３ｃ センサチップ
３ａ 表面
４ 電子部品
５ 樹脂カバー
６ レンズユニット
７ 樹脂カバー
８ ＩＲフィルタ
９，９ａ 端子
１０ 端子
１１ ベース基板
１２，１２ａ，１２ｂ 封止材
１３ 端子
１４ 半田
２１，２２ 接着材
３１ 第１領域
３２ 第２領域
４１ ステージ
４２ ボンディングツール
５１ ステージ
５２，５３ 窪み
６１ くびれ部
ＢＰ バンプ電極
ＢＰ１ バンプ電極（ダミーのバンプ電極）
ＣＮＴ コネクタ
ＭＪ１，ＭＪ１ａ カメラモジュール
ＯＰ１ 開口部
ＰＤ 電極パッド
ＳＥ センサ面
ＷＰ１，ＷＰ１ａ 配線

Claims (13)

1. （ａ）上面、前記上面とは反対側の下面、前記下面のチップ搭載予定領域に形成された開口部、および前記下面において前記開口部の周囲に形成された複数のボンディングリードを有する配線基板を用意する工程、
   （ｂ）主面、前記主面に形成されたセンサ面、前記主面において前記センサ面の周囲に形成された複数のバンプ電極、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記主面の外周部において前記複数のバンプ電極が配列した第１領域と前記バンプ電極が配列していない第２領域とを有するセンサチップを用意する工程、
   （ｃ）前記配線基板の前記下面上の前記センサチップを搭載したときに前記第１領域と平面的に重なる領域に第１封止材を供給する工程、
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記センサチップの前記主面が前記配線基板の前記下面に対向し、前記センサチップの前記複数のバンプ電極が前記配線基板の前記複数のボンディングリードとそれぞれ対向し、前記センサチップの前記センサ面が前記開口部から露出するように、前記センサチップを前記配線基板の前記チップ搭載予定領域に搭載し、前記センサチップを第１の温度で加熱しながら前記複数のバンプ電極を前記配線基板の前記複数のボンディングリードにそれぞれ熱圧着すると共に、前記第１封止材を硬化させる工程、
   （ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記配線基板の前記上面上の前記開口部の周辺に接着材を供給し、前記配線基板の前記開口部から露出する前記センサチップの前記センサ面を覆うように、第１カバー部材を、前記接着材を介して、固定する工程、
   （ｆ）前記センサチップの前記主面と前記配線基板の前記下面との間において、前記第２領域と平面的に重なる領域に第２封止材を供給する工程、
   （ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第２封止材を第２の温度で加熱することで硬化させる工程、を有し、
   前記（ｆ）工程を前記（ｅ）工程の後に行うことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
2. 請求項１記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記配線基板は、フレキシブル配線基板であることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
3. 請求項１または２記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記第１封止材および前記第２封止材は、熱硬化性樹脂からなることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
4. 請求項１から請求項３の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記（ａ）工程の前記配線基板は前記上面上の前記開口部の周囲に形成された複数の端子を有し、
   （ｈ）前記（ａ）工程の後で、前記（ｃ）工程の前に、
   （ｈ１）複数の電極を有する電子部品を用意する工程、
   （ｈ２）前記複数の端子に半田を供給する工程、
   （ｈ３）前記複数の端子に前記複数の電極のそれぞれを、前記半田を介して、搭載する工程、
   （ｈ４）前記（ｈ３）工程の後、加熱により前記半田を溶融し前記複数の端子と前記複数の電極を電気的に接続する熱処理工程、
   を含む、電子部品の実装工程、を更に有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
5. 請求項１から請求項４の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記（ｄ）工程で前記複数のボンディングリードにそれぞれ熱圧着された前記複数のバンプ電極は、硬化した前記第１封止材で周囲を囲まれることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
6. 請求項１から請求項５の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記（ｇ）工程における前記第２封止材を加熱する前記第２の温度は、前記（ｄ）工程で前記センサチップを加熱する前記第１の温度よりも低いことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
7. 請求項１から請求項６の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記（ｆ）工程で供給される前記第２封止材の硬化温度は、前記（ｃ）工程で供給される前記第１封止材の硬化温度よりも低いことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
8. 請求項４記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記センサチップの前記センサ面と前記電子部品は、前記（ｅ）工程で前記配線基板の前記上面に固定された前記第１カバー部材の内壁から離間していることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
9. 請求項８記載の固体撮像装置の製造方法において、
   前記第１カバー部材の上部には、ＩＲフィルタが取り付けられていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
10. 請求項１から請求項４の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記センサチップの前記複数のバンプ電極のそれぞれは、金のスタッドバンプであることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
11. 請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記（ａ）工程で用意された前記配線基板は、前記複数のボンディングリードのそれぞれと複数の配線を介してそれぞれ電気的に接続された複数の外部端子を有していることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
12. 請求項１から請求項４の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程で用意された前記センサチップの前記主面は四辺を有する四角形であり、
    前記センサチップの前記主面において、前記四辺のうち、少なくとも一辺には前記バンプ電極が形成されておらず、残りの辺に沿って前記複数のバンプ電極が形成されており、
    前記第１領域は、前記少なくとも一辺に沿った領域に対応し、前記第２領域は、前記残りの辺に沿った領域に対応することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
13. 請求項１から請求項４の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
    前記（ｂ）工程で用意された前記センサチップの前記主面は四辺を有する四角形であり、
    前記センサチップの前記主面において、前記四辺のうちの少なくとも一辺に沿って、前記バンプ電極が配列した前記第１領域と、前記バンプ電極が配列していない前記第２領域とが存在していることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

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