JP5530432B2 - Mems装置を作成するための方法 - Google Patents

Mems装置を作成するための方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5530432B2
JP5530432B2 JP2011517119A JP2011517119A JP5530432B2 JP 5530432 B2 JP5530432 B2 JP 5530432B2 JP 2011517119 A JP2011517119 A JP 2011517119A JP 2011517119 A JP2011517119 A JP 2011517119A JP 5530432 B2 JP5530432 B2 JP 5530432B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
covering layer
container
mst
coating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011517119A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011527241A5 (ja
JP2011527241A (ja
Inventor
パール,ボルフガング
ファイエルターク,グレゴール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Publication of JP2011527241A publication Critical patent/JP2011527241A/ja
Publication of JP2011527241A5 publication Critical patent/JP2011527241A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5530432B2 publication Critical patent/JP5530432B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00309Processes for packaging MEMS devices suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00047Cavities
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0257Microphones or microspeakers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0264Pressure sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10158Shape being other than a cuboid at the passive surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146Mixed devices
    • H01L2924/1461MEMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Description

有利な被覆層を有する封入された電気機械的部品を作成するための方法、およびそのような被覆層を有する電気機械的部品について記載する。本件において、電気機械的部品という用語は、マイクロエレクトロニクス、マイクロメカニクス、マイクロ流体工学およびマイクロオプティクスからの組合された要素を有する部品を包含するものとも意図される。このような部品は、一般にMEMS(マイクロエレクトロメカニカルシステム)もしくはMOEMS(マイクロオプトエレクトロメカニカルシステム)とも称される、または単にMST(マイクロシステム技術)部品とも称される。一例は、粘度センサーである。MST装置は、機能的ユニットとしてMST部品を有する有用な装置であると理解される。
達成されるべき1つの目的は、このようなMST部品の作成のための効率的な方法の特定と、その結果得られる、MST部品を有する装置とにある。
キャリヤ基板、たとえば少なくとも1つの電気的部品、好ましくはMST部品を収容するための容器が提供される方法が提案される。容器は、当初は一方側に向かって開かれており、MST部品が容器開口部と少なくともほぼ面一に配置されるようにMST部品を収容し、容器開口部に面するMST部品の端部側は、容器開口部と少なくともほぼ面一である。MST部品の上記端部側は、以下で上部側とも称される。
MST部品に加えて、容器は、さらなる相互接続された部品、特に受動的部品、増幅器、および/またはASICを含むことができる。
MST部品が中に配置された容器は、少なくとも1つの層を含む覆いまたは被覆層で閉じられる。覆いは以下で被覆層と称され、被覆層自体を複数の副層に分割することができる、またはすでに分割されている。
被覆層は、容器端縁をMST部品の上部側に接続する。被覆層の弾性に依存して、MST部品は、容器端縁とほぼ面一に配置されることが好ましい。この場合、被覆層は、MST部品を容器端縁に安定した態様で接続することを可能にする弾性を有することが好ましい。この場合、部品を容器端縁に当接する態様で面一に配置するのを省くことが有利に可能である。
さらなる方法工程において、被覆層には少なくとも1つの切抜部が設けられ、切抜部は、内側領域および外側領域の両方がMST部品に接続されるように、被覆層を内側領域および外側領域に分割する。切抜部は、内側領域を完全に取囲む。切抜部は、被覆層の層厚全体にわたって延在すること、または上記の層厚の何分の一かに相当する深さまでのみ形成することができる。
さらなる方法工程において、外側領域が接着したままの状態で、被覆層の内側領域が剥離されるかまたは引離される。この場合、被覆層の内側領域は、たとえば、上に積層されていた剥離膜によって引離すことができ、被覆層の外側領域上の剥離膜の接着強度を低下させることができ、これは、剥離膜として使用することができる特定の膜の場合には、たとえばUV照射によって実現することができる。目標とされる態様で、照射された領域のみが低下した接着強度を得るように、被覆層の外側領域上において剥離膜を選択的に照射することができる。
UV放射による剥離膜の照射の代りに、剥離膜の下側、つまり被覆層に面する側に、異なる接着強度を有する接着剤を設けることができ、被覆層の外側領域を被覆する剥離膜の外側領域において、剥離膜の内側領域よりも接着強度が低い接着剤が使用される。接着剤は、外側領域に接着剤がほとんどないまたはまったくないように選択的に塗布することもできる。
当該方法の一実施例によれば、被覆層は、MST部品および容器に接着接合され、たとえば自己接着性の被覆層が使用される。被覆層は、本来粘着性を有するものとして実施することができる、または、上記被覆層に接着性もしくは接着面を付与する接着膜を設けることができる。
被覆層は、好ましくはキャリヤ層を有し、そこに他の層を塗布することができる。たとえば重合体層がキャリヤ層として好適である。
被覆層は、好ましくは20〜100μmの厚さを有する。被覆層の任意に存在する接着膜は、たとえば10〜25μmの厚さを有することができる。
当該方法の一実施例によれば、容器が閉じられる前に、被覆層に接着剤が塗布される。
当該方法の一実施例によれば、接着剤は、構造化された様式で、つまり幾何学的なパターンで容器端縁とMST部品とに塗布される。好ましくは、接着効果は、塗布中もしくは積層中に、圧力および/または熱によって硬化される。この場合、ホットメルト接着剤もしくはいわゆる「B段階」材料を使用することが可能であり、その接着効果を圧力および/または熱によって発現させることができる。
さらなる方法工程において、MST部品の上部側に沿って、および任意に容器の端縁上にも、いずれの場合にも連続的な切抜部が被覆層に作成され、切抜部は、MST部品の上部側を形成する構造よりも、または容器の上方に面する端縁よりも狭い。切抜部は、いずれの場合にも狭いトレンチとして実現し、かつ被覆層の内側領域を取囲むことができる。
追加的にまたは代替的に、切抜部は穿孔として実現することができる、もしくは穿孔された領域を有することができ、穿孔穴の間の距離は、好ましくは被覆層の厚さ未満である。したがって、望ましくない断裂が特に外側領域において発生しないように、後の方法工程において内側領域を正確に分離することができる。このような穿孔は、さらなる金属被覆が被覆層に塗布されない用途に好適である。さもなければ、追加的な方法工程において上記の金属被覆を同様に分離し、それによって内部領域と外側領域とを電気的に分離しなければならないことになる。
一実施例によれば、切抜部は、レーザ波長、焦点直径、電力、パルス周波数、および走査パラメータの好適な選択が与えられたとすると、容器と特にMST部品の上部側とに対する衝撃が好ましくは回避されるように、レーザアブレーションによって作成される。
切抜部は、被覆層のフォトリソグラフィ処理によって作成することができ、フォトリソグラフィ技術で処理可能であり、かつ特に感光性の材料、好ましくはポジ型またはネガ型フォトレジストを含む被覆層が使用される。後の方法工程において、被覆層は、走査露光もしくはマスク露光およびその後の現像によって構造化され、溶媒の使用によって切抜部が洗い流されるか、または露光されたもしくは露光されていない領域において被覆層が溶解される。
当該方法の一実施例によれば、一方法工程において、被覆層と、切抜部によって部分的に露出しているMST部品および/または容器端縁の上部側が、導電特性を得るように処理される。これはたとえば、スパッタリングによる金属層の塗布または黒鉛の静電スパッタリングによって達成される。この場合、切抜部、または切抜部によって露出しているMST部品のおよび容器の上部側の領域に導電層を設けることができる。
被覆層の電気的特性は種層の形態で存在することができ、種層という用語は、さらなる電気めっきを可能にする導電層であると理解される。
好ましくは、導電層において、たとえば種層においてさらなる切抜部が作成され、上記さらなる切抜部は、MST部品の上部側にまで導かれる。これは、被覆層の、後で分離される内側領域が電気めっきを受けないように、被覆層の内部領域および外側領域の電気的分離または絶縁を有利にもたらす。
好ましくは、金属層は、種層上に電解的に堆積される。その結果、好ましくは閉じられた導電層が作成され、容器内に配置された電気およびMST部品が電磁放射に対してよりいっそう保護されるという効果を有する。さらなる利点は、結果として得られる被覆層の機械的強化材であり、MST部品が環境的作用に対してよりいっそう保護される。さらなる利点は、容器とMST部品とに対する被覆層外側端縁の追加的な接着であり、これは電気めっきの結果として得られる。種層または導電層は、容器端縁上にすでに存在し、ひいては電気接地端子に接続することができる金属被覆とも接することができる。したがって、種層を接地電位に置くことができる。
当該方法の一実施例によれば、互いに沿って位置する複数の容器が同時に設けられ、以下でパネルと称される。この場合、被覆層は、複数の容器、およびその中に配置されたMST部品の上に塗布される。この場合、パネルは、いずれかの所望の態様で、MST部品を含む個々の装置に、および/または複数の関連付けられたもしくは相互作用するMST部品からなる配列に、個別切断することができる。
さらに、容器は好ましくは、MST部品と接する導電体トラックを収容し、被覆層は、これらの導体トラック構造を外部の環境的影響から有利に保護する。容器が電気的絶縁様式で実現される場合は、導体トラック間の電気的相互作用を最小化することができる。
容器が、容器内の導電体トラック構造またはMST部品を外部に接触接続するめっきスルーホールを有していれば好都合である。
好ましくは、容器は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、二酸化チタン、ガラスセラミック、窒化アルミニウム、ガラス、プラスチック、特に、好ましくは鉱物もしくは他の充填剤を有する高融点熱可塑性プラスチックまたはエポキシドベースの熱硬化性プラスチックから選択される少なくとも1つの材料を含む。
MST部品として、マイクロホン、ラウドスピーカ、圧力センサ、および/または大気のパラメータを測定するためのセンサを使用する、または容器に挿入することができる。
対費用効果が高く効率的な作成に加えて、当該方法は、製造処理中に物理的および化学的作用からMST部品が保護されるという利点をもたらす。
この文書の文脈で説明される方法によって直接作成可能なMST部品を含む装置が追加的に特定される。
作成方法とは無関係に、さらに、MST部品および特に電気機械変換器を含み、一方側が開いた容器を有する装置が特定され、MST部品が上記容器内に配置されている。容器において、容器の内側とMST部品との間に空洞が設けられる。覆い、または被覆層を含む覆いが空洞を被覆し、MST部品を容器に接続し、MST部品の一領域は、容器開口部に面する上部側において被覆層から解放されている。
空洞は、好ましくは、封入されたMST部品の一例としてラウドスピーカによって外側に発することができる音波の発生、伝播および共振に役立つ。MST部品は、たとえば、マイクロホンまたは圧力センサでもあり得る。この場合、測定される音波もしくは圧力変動は、容器の開いている側における被覆層から解放されている領域を、内側から外側に、またはその逆に通過することができる。しかし空洞は、たとえば圧力が蓄積することができ、その後MST部品によって測定することができるチャンバとしても機能することができる。絶対圧センサの場合には、空洞は基準圧力として機能することができる。マイクロホンの場合には、「音響後方体積空間(acoustic back volume)」について言及する。
好ましくは、被覆層は複数の層を含み、1つの層は好ましくは金属層である。この場合、金属層は種層上に堆積させることができる。金属層は、好ましくは、MST部品の上部側と容器のフレームの上部側とに直接接続される。被覆層のさらなる層は、好ましくは、重合体を含むキャリヤ膜であり、その上に金属層またはさらなる層を塗布することができる。
容器、マイクロホン、被覆層、および電気機械変換器のさらなる構成部分も、この文書で説明される少なくとも1つの例にしたがって実現することができる。
説明される方法および物は、以下の例示的な実施例および図に基づいてより詳細に説明されるであろう。
MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 MST部品を含む装置の作成の異なる工程を示す図である。 完成した装置、特に電気機械変換器の実例を示す図である。
図1は、MST装置1の断面図を模式的に示し、MST部品3として、射出成形されているか、または好ましくは多層様式に積層されているカップ状容器2の内側底部2a上の中心に、MEMSチップ、この場合はマイクロホンが配置される。カップ状容器3は、環状の外形または多角形の外形を有することができる。容器の外形は、特定の形態に限定されない。下側において、マイクロホン3は、容器の内側底部2aからもマイクロホンに電気的接触を行うことを可能にするはんだボール3aまたはフリップチップ接触接続部3aを有する。マイクロホン3は、好ましくは中空の円筒形フレーム要素3bを有し、内側底部に面するフレーム要素3bの端部に膜3cが配置される。これは、たとえば圧電効果によって、音圧に支配されるたわみを電気信号に変換することができる。
同様に、移動可能な膜に沿って第2の硬い膜を配置することが可能である。その場合、膜のたわみが2つの膜の間に可変静電容量を生じさせ、次いで電圧信号に変換することができる。
いずれにせよ、ここでは、最終処理工程(図9参照)で露出された開口部10が音声入口として機能し、閉鎖された後方体積空間1aは基準圧力として機能する。
空洞1aは、マイクロホン3のフレーム要素3bの最も外側の側面、膜3cの下側、および容器3の内壁の間に設けられる。上記のように、空洞1aは基準圧力として機能する。
好ましくは導電体トラック(図示せず)が容器2の内側底部2a上に塗布され、上記導電体トラックは、マイクロホン3に電気的に接触し、たとえば銅を含む。導電体トラックは、容器の底部に存在するめっきスルーホール(図示せず)によって、外部にマイクロホンを電気接続することができる。
容器2は、好ましくは電気的に高い絶縁特性を有するセラミックで構成されるか、または含む。
容器またはキャリヤ基板は、セラミック主成分、すなわちHTCC(High Temperature Cofired Ceramics(高温同時焼成セラミックス))もしくはLTCC(Low Temperature Cofired Ceramics(低温同時焼成セラミックス))、または、たとえばエポキシド、フェノール、ポリイミド、ビスマレイミド−トリアジン誘導体、シアン酸エステル、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)などに基づく有機主成分を含むことができる。この場合、たとえば石英もしくはセラミック粒子、ガラス繊維もしくはガラス膜などの無機充填剤、またはその他にたとえばアラミドなどの有機繊維強化材を使用することが可能である。さらに、容器は、たとえばポリエーテルイミド、ポリアリールエーテルケトン、ポリスルフホン、硫化ポリフェニレン、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリフタルアミド、もしくはポリブチレンテレフタレートなどの高温熱可塑性プラスチック、特にMID処理(モールド相互接続デバイス(Molded Interconnect Device))の高温熱可塑性プラスチックを含むかまたはこれらで構成することができる。ガラスまたはシリコンがさらに好適である。
受動的部品または能動的部品を追加的に容器2内に配置することができ、少なくともその部品の一部分は、MST部品3に、またはマイクロホン3にまで接続することができる。マイクロホン3として実現されるMEMSチップ3の場合には、これらの追加的な部品(図示せず)は、たとえば、増幅器またはAD変換器およびEMI(電磁界干渉)およびESD(静電放電)に対する保護のための装置を含む。
図2は、図1にかかるMST装置1を示し、その上に被覆層4が追加的に積層される。被覆層4は、空洞1aとMST部品3の上部側との両方にまたがり、封入する。
被覆層4は、自己接着性の重合体または接着性のコーティングを有する金属膜として実現することができる。この図において、MST部品の上部側は、容器と面一に配置される。
図3は、MST装置、ここでは電気機械変換器を示し、たとえばレーザアブレーションによって被覆層4に切抜部4aが作成されている。切抜部4aは、MST部品3の上部側において延び、切抜部4aと容器2の外壁との間の被覆層の第1の外側部分、第2の内側部分は、被覆層4が後で所望とされないMST部品3の上部側を当初は被覆する。この場合、被覆層4の内側部分は、この図に示されるマイクロホン3の音響フロントを被覆する。切抜部4aは、好ましくは、MST部品3の上部側の領域を露出させる。
図4は、図3と比較すると、追加的な、少なくとも部分的に導電性を有する層5を示し、被覆層4上と、切抜部4aによって露出されているMST部品の領域上とに塗布される。少なくとも部分的に導電性を有する層5は、好ましくは種層5である。金属層5は、好ましくは、およそ100nmの厚さでスパッタリングによって塗布されるチタン、またはおよそ200nmの厚さでスパッタリングによって塗布される銅を含む。
図5は、図4と比較して拡幅された切抜部4aを示す。切抜部は、種層の内側領域が種層の外側領域から電気的に絶縁されるように、種層5を分断する。種層の外側領域は、MST部品3の上部側上に重なるように、被覆層4の外側領域を被覆する。被覆層4の内側領域、およびMST部品3に接着する区域は、拡張された切抜部4aによって寸法が縮小される。これは、被覆層4の内側領域が後でMST部品3からより容易に取外すことができることを意味する。好ましくは、この場合の被覆層4の内側領域は、MST部品3の上部側の内側端縁にほんのわずかに重なる。対照的に、MST部品3の上部側への種層5の重なりは回避されることが好ましい。
図6は電気めっきされたMST部品1を示し、金属層6は、種層5上に電解的に堆積され、切抜部4aによって露出されているMST部品3の上部側の一部分を被覆する。これにより、被覆層4の外側領域がMST部品3上により堅く機械的結合することになり、力を著しく消費せずにMST部品3から被覆層4の外側領域を取外すことはできない。この場合、金属層は、被覆層の外側領域のみを被覆する。被覆層4の外側領域とMST部品との間の接着が強化されるだけでなく、電解的に塗布される金属層6によって、被覆層全体も機械的に強化される。金属層6はさらに、容器内に配置されている部品を外部で作用する電磁界干渉から保護する電磁遮蔽構造として機能するという利点を有する。電解的に塗布される金属層6は、好ましくは部分的な層で構成され、特に、種層と合わせて典型的に10〜100μm以上の合計厚さを有するCuおよびNiからなる。
図7は、図6と比較して、電気機械変換器上に積層された追加的な剥離膜7、たとえばいわゆる「UV剥離テープ」を示す。剥離膜は、上記の記載部分の記載にしたがって、UV光に敏感な材料を含むかまたはUV光に敏感な材料で構成される。剥離膜は、当初は被覆層4の上部側全体に均一に接着する。
図8は剥離膜7の露光を示し、内側領域はその接着を維持しつつ、フォトマスク8によって構造化された態様で被覆層4の外側領域において、UV光9によって剥離膜の接着強度を低下させる。
図9は、被覆層4の内側領域が剥離膜7によって選択的に取外された後のMST装置を示し、先の図にしたがったUV照射9の後では、被覆層の内側領域は、被覆層の外側領域よりも強く剥離膜に接着する。処理中に開口部10が作成され、上記開口部により、MST部品3の部品構造、たとえば図1の膜3cへの自由なアクセスが可能となる。
記載した方法は、好ましくは、封入されたMST部品を有するMST装置と、特に、以下でパネルと称する単一基板上の電磁変換器との作成に採用することができる。電気機械変換器、または対応する他のMST装置は、ある量で合わせて作成し、次いで個別切断することができる。個別切断は、高速で分離させる鋸切断、またはたとえば打抜きもしくはフライス加工などの代替的な方法によって行うことができる。上記のMST部品の保護に加えて、この作成方法および後の個別切断のさらなる利点は、個別切断前にMST装置を試験することができる点にあり、個別切断後よりも、取扱いが著しく簡単かつ効率的である。さらに、当該方法は、任意に水性環境を含む全域堆積法を優美かつ経済的に実行することを可能とし、実際にこれらの条件に敏感なMST部品の部品構造が顕著に保護される。結局、感光性の部品構造は、その後、内側領域の除去によって再び露出される。
参照符号リスト
1 MST装置(電気機械変換器)、1a 空洞、2 容器、2a 容器の内側底部、3 電気機械部品(MST部品)、3a はんだボール、3b フレーム要素、3c 膜、4 被覆層、4a 被覆層の切抜部、5 種層、6 金属層、7 剥離膜、8 フォトマスク、9 UV光、10 開口部。

Claims (14)

  1. MEMS部品(3)を封入するための方法であって、
    前記MEMS部品(3)は容器(2)内に配置され、
    前記容器は被覆層(4)で閉じられ、
    前記被覆層(4)には、リング状のくぼみに閉じられた少なくとも1つの切抜部(4a)が設けられ、切抜部は、内側領域および外側領域の両方が、前記MEMS部品(3)の、前記被覆層に面する上部側に接続されるように、前記被覆層を内側領域および外側領域に分割し、
    前記外側領域が接着したままの状態で、前記内側領域が剥離される、方法。
  2. 前記被覆層(4)は、前記MEMS部品(3)および前記容器(2)の上部側に接着接合される、請求項1に記載の方法。
  3. 自己接着性の被覆層(4)が使用される、請求項2に記載の方法。
  4. 前記容器(2)が前記被覆層で閉じられる前に、被覆層(4)と前記容器(2)の端縁との間、および前記被覆層(4)と前記部品の(3)の上部側との間の接続領域に接着剤が塗布される、請求項2に記載の方法。
  5. 前記被覆層にさらなる切抜部が作成され、前記容器の上部側の一領域が露出される、請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記切抜部(4a)は、レーザアブレーションによって前記被覆層(4)に作成される、請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記被覆層(4)は、フォトリソグラフィ処理によって処理可能な材料を含み、マスク露光または走査露光および現像によって構造化される、請求項1〜6のうちいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記被覆層(4)および前記切抜部(4a)は、部分的に金属層(5)で被覆される、請求項1〜7のうちいずれか1項に記載の方法。
  9. 複数の容器(2)を含むパネルが設けられ、少なくとも1つのMEMS部品(3)が前記容器の各々に配置され、前記被覆層(4)は、前記パネルの複数の容器上に塗布される、請求項1〜8のうちいずれか1項に記載の方法。
  10. 前記被覆層(4)の内側領域は、上に積層されていた剥離膜(7)によって引離される、請求項1〜9のうちいずれか1項に記載の方法。
  11. 前記剥離膜(7)は、前記被覆層(4)の内部領域および外側領域上の全域にわたって塗布され、前記被覆層(4)の外側領域上の前記剥離膜(7)の接着強度をUV照射(9)によって低下させる、請求項10に記載の方法。
  12. 前記被覆層(4)の前記外側領域上の前記剥離膜(7)が照射される、請求項11に記載の方法。
  13. マイクロホンが前記MEMS部品(3)として使用される、請求項1〜12のうちいずれか1項に記載の方法。
  14. 域にわたって金属層(5)を前記被覆層(4)上に作成した後、前記金属層(5)および下地である前記被覆層が少なくとも部分的に開口される、請求項1〜13のうちいずれか1項に記載の方法。
JP2011517119A 2008-07-09 2009-07-06 Mems装置を作成するための方法 Expired - Fee Related JP5530432B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008032319A DE102008032319B4 (de) 2008-07-09 2008-07-09 Verfahren zur Herstellung eines MST Bauteils
DE102008032319.5 2008-07-09
PCT/EP2009/058520 WO2010003925A2 (de) 2008-07-09 2009-07-06 Verfahren zur herstellung eines mst bauteils und mst bauteil

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011527241A JP2011527241A (ja) 2011-10-27
JP2011527241A5 JP2011527241A5 (ja) 2012-04-05
JP5530432B2 true JP5530432B2 (ja) 2014-06-25

Family

ID=41412672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011517119A Expired - Fee Related JP5530432B2 (ja) 2008-07-09 2009-07-06 Mems装置を作成するための方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9051174B2 (ja)
JP (1) JP5530432B2 (ja)
DE (1) DE102008032319B4 (ja)
GB (1) GB2475186B (ja)
WO (1) WO2010003925A2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8542850B2 (en) * 2007-09-12 2013-09-24 Epcos Pte Ltd Miniature microphone assembly with hydrophobic surface coating
DE102007058951B4 (de) * 2007-12-07 2020-03-26 Snaptrack, Inc. MEMS Package
DE102010006132B4 (de) 2010-01-29 2013-05-08 Epcos Ag Miniaturisiertes elektrisches Bauelement mit einem Stapel aus einem MEMS und einem ASIC
DE102012101505B4 (de) * 2012-02-24 2016-03-03 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Sensors
JP2013211505A (ja) * 2012-03-02 2013-10-10 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
US8987871B2 (en) * 2012-05-31 2015-03-24 Stmicroelectronics Pte Ltd. Cap for a microelectromechanical system device with electromagnetic shielding, and method of manufacture
TWI606731B (zh) 2012-09-10 2017-11-21 博世股份有限公司 麥克風封裝件及製造麥克風封裝件之方法
DE102014106818B3 (de) * 2014-05-14 2015-11-12 Epcos Ag Mikrofon
US10575374B2 (en) * 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0510838A (ja) 1991-07-08 1993-01-19 Mitsubishi Electric Corp 圧力検出装置
JPH11230846A (ja) 1998-02-09 1999-08-27 Denso Corp 半導体力学量センサの製造方法
US7166910B2 (en) * 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US6781231B2 (en) * 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
DE10342981B4 (de) * 2003-09-17 2007-05-24 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Verfahren zum selektiven Aufbringen einer Folie auf definierte Bereiche eines Wafers
WO2005086532A2 (en) * 2004-03-01 2005-09-15 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
KR20060127166A (ko) * 2004-03-09 2006-12-11 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 일렉트릿 컨덴서 마이크로폰
US7202552B2 (en) * 2005-07-15 2007-04-10 Silicon Matrix Pte. Ltd. MEMS package using flexible substrates, and method thereof
DE102005053765B4 (de) * 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
US7936062B2 (en) * 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
DE102006005419B4 (de) * 2006-02-03 2019-05-02 Infineon Technologies Ag Mikroelektromechanisches Halbleiterbauelement mit Hohlraumstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102006017115B4 (de) * 2006-04-10 2008-08-28 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102006046292B9 (de) * 2006-09-29 2014-04-30 Epcos Ag Bauelement mit MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
GB201101277D0 (en) 2011-03-09
DE102008032319A1 (de) 2010-01-14
WO2010003925A3 (de) 2010-05-06
GB2475186A (en) 2011-05-11
US20110180885A1 (en) 2011-07-28
US9051174B2 (en) 2015-06-09
GB2475186B (en) 2012-10-10
JP2011527241A (ja) 2011-10-27
DE102008032319B4 (de) 2012-06-06
WO2010003925A2 (de) 2010-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5530432B2 (ja) Mems装置を作成するための方法
US8169041B2 (en) MEMS package and method for the production thereof
US11197103B2 (en) MEMS devices and processes
JP5054703B2 (ja) Memsマイクロフォン、memsマイクロフォンの製造方法およびmemsマイクロフォンの組み込み方法
JP4981913B2 (ja) Memsマイクロフォンを有する素子、及び前記素子の製造方法
US20130140656A1 (en) MEMS Microphone And Method For Producing The MEMS Microphone
GB2452876A (en) MEMES capacitive microphone
EP3896997B1 (en) Sound producing package structure and method for packaging sound producing package structure
JP2007324162A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3751625B2 (ja) 貫通電極の製造方法
KR20100110371A (ko) Mems 소자, mems 소자를 제조하는 방법 및 mems 소자를 제어하는 방법
TWI279391B (en) Method of manufacturing an electronic device
JP2007000986A (ja) マイクロ構造体
US10097918B2 (en) Chip arrangement and a method for manufacturing the same
US20120235252A1 (en) Manufacturing method for an encapsulated micromechanical component, corresponding micromechanical component, and encapsulation for a micromechanical component
US20140291781A1 (en) Method of packaging a mems transducer device and packaged mems transducer device
US11012790B2 (en) Flipchip package
US11787689B2 (en) MEMS device with particle filter and method of manufacture
WO2020255745A1 (ja) センサー用パッケージ基板及びこれを備えるセンサーモジュール、並びに、センサー用パッケージ基板の製造方法
JP2001313999A (ja) ダイアフラムユニットの製造方法
CN104969572A (zh) Pcb扬声器以及用于在pcb基板上微加工扬声器振膜的方法
WO2021039888A1 (ja) センサー用パッケージ基板及びこれを備えるセンサーモジュール、並びに、センサー用パッケージ基板の製造方法
CN109906506A (zh) 电子部件及其制造方法
JP2008085508A (ja) 音響センサの製造方法
JP2022518945A (ja) キャリア装置およびキャリア装置を生成するための方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131030

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140418

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5530432

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees