JP2001313999A - ダイアフラムユニットの製造方法 - Google Patents
ダイアフラムユニットの製造方法Info
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚数μｍを実現でき、しかも所定のテンシ
ョンが付与された振動膜を有するダイアフラムユニット
を効率よく製造する。 【解決手段】 音圧などの外的エネルギーによって振動
する振動板をマウント枠に取り付けてなるダイアフラム
ユニットを製造するにあたって、基板１の一方の面に、
金属膜２と樹脂皮膜３とを積層してなる複合膜４を形成
した後、複合膜４の一部分を自由振動領域（面）とする
ため、その自由振動領域に対応する基板１の所定部分
を、同基板１の他方の面側からその全厚み分を除去して
穴６を開け、基板１の残部をマウント枠１ａとして、複
合膜４を振動可能に支持する。
ョンが付与された振動膜を有するダイアフラムユニット
を効率よく製造する。 【解決手段】 音圧などの外的エネルギーによって振動
する振動板をマウント枠に取り付けてなるダイアフラム
ユニットを製造するにあたって、基板１の一方の面に、
金属膜２と樹脂皮膜３とを積層してなる複合膜４を形成
した後、複合膜４の一部分を自由振動領域（面）とする
ため、その自由振動領域に対応する基板１の所定部分
を、同基板１の他方の面側からその全厚み分を除去して
穴６を開け、基板１の残部をマウント枠１ａとして、複
合膜４を振動可能に支持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロフォンや
圧力計もしくは加速度計などに適用されるダイアフラム
ユニットに関し、さらに詳しく言えば、数μｍオーダー
のきわめて薄い振動膜を有するダイアフラムユニットの
製造方法に関するものである。
圧力計もしくは加速度計などに適用されるダイアフラム
ユニットに関し、さらに詳しく言えば、数μｍオーダー
のきわめて薄い振動膜を有するダイアフラムユニットの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイアフラムユニットとは、マウント枠
（リング状の支持枠）に振動板を自由振動可能に取り付
けたもので、通常、その振動板には、アルミニウム、チ
タン、金などの金属箔またはマイラーやプラスチックフ
ィルムが用いられている。
（リング状の支持枠）に振動板を自由振動可能に取り付
けたもので、通常、その振動板には、アルミニウム、チ
タン、金などの金属箔またはマイラーやプラスチックフ
ィルムが用いられている。
【０００３】コンデンサマイクロフォンにおいては、振
動板は背面電極に対向するように配置され、その膜変位
量が静電容量変化として電気的に検出される。光ピック
アップの場合には、振動板は光反射板として発光素子お
よび受光素子と組み合わせられ、その膜変位量が反射光
量に変換され、受光素子にて検出される。
動板は背面電極に対向するように配置され、その膜変位
量が静電容量変化として電気的に検出される。光ピック
アップの場合には、振動板は光反射板として発光素子お
よび受光素子と組み合わせられ、その膜変位量が反射光
量に変換され、受光素子にて検出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、マイクロフ
ォン用の振動膜について言えば、音声だけの数ＫＨｚか
ら音楽のように人間の可聴帯域である２０ＫＨｚくらい
までの周波数帯域が必要とされる。
ォン用の振動膜について言えば、音声だけの数ＫＨｚか
ら音楽のように人間の可聴帯域である２０ＫＨｚくらい
までの周波数帯域が必要とされる。
【０００５】この周波数応答性を実現するためには厚み
をきわめて薄く、例えば１μｍから数μｍ程度までの薄
い膜厚を安定に作り、かつ、所定のテンションをもって
マウント枠に張ることが要求される。
をきわめて薄く、例えば１μｍから数μｍ程度までの薄
い膜厚を安定に作り、かつ、所定のテンションをもって
マウント枠に張ることが要求される。
【０００６】しかしながら、既存の振動膜の厚さを薄く
していくと、マウント枠に張る際の作業性が極端に悪く
なり、振動膜として所定のテンション（張力）をもって
張ることが困難となる。特に、エレクトレット膜の場合
には、その帯電電荷により振動板が背面電極に接触して
しまうおそれが生ずる。
していくと、マウント枠に張る際の作業性が極端に悪く
なり、振動膜として所定のテンション（張力）をもって
張ることが困難となる。特に、エレクトレット膜の場合
には、その帯電電荷により振動板が背面電極に接触して
しまうおそれが生ずる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、膜厚数
μｍを実現でき、しかも所定のテンションが付与された
振動膜を有するダイアフラムユニットを効率よく製造す
ることができる。
μｍを実現でき、しかも所定のテンションが付与された
振動膜を有するダイアフラムユニットを効率よく製造す
ることができる。
【０００８】すなわち、本発明は、音圧などの外的エネ
ルギーによって振動する振動板をマウント枠に取り付け
てなるダイアフラムユニットを製造するにあたって、基
板の一方の面に、金属膜と樹脂皮膜とを積層してなる複
合膜を形成した後、上記複合膜の一部分を自由振動領域
（面）とするため、その自由振動領域に対応する上記基
板の所定部分を、同基板の他方の面側からその全厚み分
を除去し、上記基板の残部を上記マウント枠として上記
複合膜を振動可能に支持することを特徴としている。
ルギーによって振動する振動板をマウント枠に取り付け
てなるダイアフラムユニットを製造するにあたって、基
板の一方の面に、金属膜と樹脂皮膜とを積層してなる複
合膜を形成した後、上記複合膜の一部分を自由振動領域
（面）とするため、その自由振動領域に対応する上記基
板の所定部分を、同基板の他方の面側からその全厚み分
を除去し、上記基板の残部を上記マウント枠として上記
複合膜を振動可能に支持することを特徴としている。
【０００９】このように、基板上に複合膜を形成した
後、その基板の所定部分をエッチングなどで除去するこ
とにより、きわめて薄い振動膜をマウント枠に装着して
なるダイアフラムユニットが得られる。この方法によれ
ば、振動膜の単体をマウント枠に張設する作業が不要で
あるため生産効率がよい。また、マザー基板から多数個
取りも可能であるため量産化も図れる。
後、その基板の所定部分をエッチングなどで除去するこ
とにより、きわめて薄い振動膜をマウント枠に装着して
なるダイアフラムユニットが得られる。この方法によれ
ば、振動膜の単体をマウント枠に張設する作業が不要で
あるため生産効率がよい。また、マザー基板から多数個
取りも可能であるため量産化も図れる。
【００１０】基板には、シリコン、ガラスもしくは金属
のいずれかが用いられてよいが、複合膜が設けられる一
方の面は、より平滑な複合膜を得る上で、表面粗さが１
００Å以下、好ましくは数１０Å以下の鏡面に仕上げら
れていることが好ましい。
のいずれかが用いられてよいが、複合膜が設けられる一
方の面は、より平滑な複合膜を得る上で、表面粗さが１
００Å以下、好ましくは数１０Å以下の鏡面に仕上げら
れていることが好ましい。
【００１１】なお、この基板によるマウント枠は、振動
板と背面電極もしくは振動板と光センサ基板との間のス
ペーサとして機能するため、その厚さは５００〜２００
０μｍの範囲内から選択されることが好ましい。
板と背面電極もしくは振動板と光センサ基板との間のス
ペーサとして機能するため、その厚さは５００〜２００
０μｍの範囲内から選択されることが好ましい。
【００１２】金属膜に関して、本発明には、箔状に形成
されたものを基板上に貼り付ける態様も含まれるが、好
ましくは蒸着法、スパッタ法もしくは金属メッキによ
り、膜厚０．０５〜１μｍとして基板上に直接形成され
ることが好ましい。金属膜の材質は、基板との密着性な
どを考慮すれば、Ｎｉ，Ｃｒなどが選択される。
されたものを基板上に貼り付ける態様も含まれるが、好
ましくは蒸着法、スパッタ法もしくは金属メッキによ
り、膜厚０．０５〜１μｍとして基板上に直接形成され
ることが好ましい。金属膜の材質は、基板との密着性な
どを考慮すれば、Ｎｉ，Ｃｒなどが選択される。
【００１３】また、樹脂皮膜に関しても、本発明には、
フィルム状に形成されたものを金属膜上に貼り付ける態
様も含まれるが、スピンコート法などにより、金属膜上
において成膜され、その厚さが膜厚０．５〜３μｍであ
ることが好ましい。
フィルム状に形成されたものを金属膜上に貼り付ける態
様も含まれるが、スピンコート法などにより、金属膜上
において成膜され、その厚さが膜厚０．５〜３μｍであ
ることが好ましい。
【００１４】本発明において、マウント枠に対する複合
膜の固定方法には、いくつかの方法がある。その一つ
は、マウント枠側に複合膜を係止するためのアンカー用
凹部を形成する方法である。
膜の固定方法には、いくつかの方法がある。その一つ
は、マウント枠側に複合膜を係止するためのアンカー用
凹部を形成する方法である。
【００１５】別の方法として、複合膜上からイオンを打
ち込んで、複合膜をマウント枠に固定してもよい。ま
た、高温雰囲気下で複合膜上から加圧して、同複合膜を
マウント枠に固定する方法も、本発明に含まれる。
ち込んで、複合膜をマウント枠に固定してもよい。ま
た、高温雰囲気下で複合膜上から加圧して、同複合膜を
マウント枠に固定する方法も、本発明に含まれる。
【００１６】本発明によるダイアフラムユニットは、例
えば光センサ基板と組み合わされることにより、そのユ
ニット内にマウント枠により囲まれたキャビティが形成
されることになるが、そのキャビティが密閉状態である
と、振動膜の自由振動が阻害される。
えば光センサ基板と組み合わされることにより、そのユ
ニット内にマウント枠により囲まれたキャビティが形成
されることになるが、そのキャビティが密閉状態である
と、振動膜の自由振動が阻害される。
【００１７】これを防止するため、光センサ基板と組み
合わされる場合には、外乱光がキャビティ内に入らない
ようにするため、マウント枠の他方の面、すなわち光セ
ンサ基板との接合面に迷路状の外光非透過性の空気流通
溝を形成することが好ましい。なお、コンデンサマイク
ロフォンの場合には、光の影響を受けないため、空気流
通溝は直線的であってもよい。
合わされる場合には、外乱光がキャビティ内に入らない
ようにするため、マウント枠の他方の面、すなわち光セ
ンサ基板との接合面に迷路状の外光非透過性の空気流通
溝を形成することが好ましい。なお、コンデンサマイク
ロフォンの場合には、光の影響を受けないため、空気流
通溝は直線的であってもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明を図面に示されてい
る実施例により説明する。図１（ａ）〜（ｃ）には、本
発明によるダイアフラムユニットの製造方法の好ましい
実施例が工程順に図解されている。
る実施例により説明する。図１（ａ）〜（ｃ）には、本
発明によるダイアフラムユニットの製造方法の好ましい
実施例が工程順に図解されている。
【００１９】これによると、まず図１（ａ）のように、
基板１の一方の面（上面）に金属膜２が形成される。基
板１は、シリコン基板、ガラス基板、金属基板のいずれ
であってもよいが、その材質に関わらず、金属膜２が形
成される少なくとも一方の面は、表面粗さが１００Å以
下に鏡面化され、また、その基板厚さは５００〜２００
０μｍ厚であることが好ましい。
基板１の一方の面（上面）に金属膜２が形成される。基
板１は、シリコン基板、ガラス基板、金属基板のいずれ
であってもよいが、その材質に関わらず、金属膜２が形
成される少なくとも一方の面は、表面粗さが１００Å以
下に鏡面化され、また、その基板厚さは５００〜２００
０μｍ厚であることが好ましい。
【００２０】この実施例において、基板１には例えば厚
さ２ｍｍの３インチウェハーサイズのものが用いられて
おり、図１（ｃ）に示されているように、このウェハー
から一度に複数のダイアフラムユニット５を得るように
している。
さ２ｍｍの３インチウェハーサイズのものが用いられて
おり、図１（ｃ）に示されているように、このウェハー
から一度に複数のダイアフラムユニット５を得るように
している。
【００２１】金属膜２は、基板１に対する密着性からし
てＮｉやＣｒなどが好ましく採用される。金属膜２は、
蒸着法、スパッタ法もしくは金属メッキにより形成され
るが、その膜厚は音響的な特性要因である機械的インピ
ーダンスや電気的インピーダンスなどを加味して０．０
５〜１μｍの範囲内から選択されるとよい。なお、金属
膜２は１層に限られない。例えば、Ｎｉ膜の上にさらに
Ａｕなどを成膜して２層構成としてもよい。
てＮｉやＣｒなどが好ましく採用される。金属膜２は、
蒸着法、スパッタ法もしくは金属メッキにより形成され
るが、その膜厚は音響的な特性要因である機械的インピ
ーダンスや電気的インピーダンスなどを加味して０．０
５〜１μｍの範囲内から選択されるとよい。なお、金属
膜２は１層に限られない。例えば、Ｎｉ膜の上にさらに
Ａｕなどを成膜して２層構成としてもよい。
【００２２】次に、図１（ｂ）に示されているように、
金属膜２上に例えばスピンコート法により樹脂皮膜３が
成膜される。樹脂材料に特に限定はないが、耐熱性のあ
る樹脂が好ましく採用される。また、樹脂皮膜３の好ま
しい膜厚は０．５〜３μｍであるが、金属膜２と樹脂皮
膜３の複合膜４の総厚さが数μｍ以内に収まるようにす
るとよい。樹脂皮膜３も１層に限られるものではなく、
２層構成としてもよい。
金属膜２上に例えばスピンコート法により樹脂皮膜３が
成膜される。樹脂材料に特に限定はないが、耐熱性のあ
る樹脂が好ましく採用される。また、樹脂皮膜３の好ま
しい膜厚は０．５〜３μｍであるが、金属膜２と樹脂皮
膜３の複合膜４の総厚さが数μｍ以内に収まるようにす
るとよい。樹脂皮膜３も１層に限られるものではなく、
２層構成としてもよい。
【００２３】この複合膜４に対して、使用温度範囲内で
所定のテンションを持たせるには、樹脂皮膜３について
は、例えば２００℃以上の高温で成膜されるとよい。こ
の樹脂皮膜３を成膜する目的は、金属膜２の破裂を防止
するとともに、金属膜２にマイクロクラックが発生して
も、膜振動の強度を柔軟に確保し、また、光総量を確保
すること、さらには外乱光成分の光混入をその鏡面で防
止することにある。
所定のテンションを持たせるには、樹脂皮膜３について
は、例えば２００℃以上の高温で成膜されるとよい。こ
の樹脂皮膜３を成膜する目的は、金属膜２の破裂を防止
するとともに、金属膜２にマイクロクラックが発生して
も、膜振動の強度を柔軟に確保し、また、光総量を確保
すること、さらには外乱光成分の光混入をその鏡面で防
止することにある。
【００２４】しかる後、図１（ｃ）に示されているよう
に、各ダイアフラムユニット５ごとに、複合膜４の自由
振動領域を得るため、基板１の他方の面側（裏面側）か
ら、その各中央部分の基板全厚を除去して穴６を開け
る。この穴６により、マイクロフォンの場合には音響空
間が提供され、光センサの場合には光キャビティが提供
される。
に、各ダイアフラムユニット５ごとに、複合膜４の自由
振動領域を得るため、基板１の他方の面側（裏面側）か
ら、その各中央部分の基板全厚を除去して穴６を開け
る。この穴６により、マイクロフォンの場合には音響空
間が提供され、光センサの場合には光キャビティが提供
される。
【００２５】なお、この穴開けは、基板１がシリコン系
ならば異方性エッチングにより行なわれ、ガラス系の場
合にはフッ酸処理が採用される。鏡面化された基板１の
表面に成膜された金属膜２の表面は基板１の鏡面が転写
されており、この穴開け工程によって鏡面の金属膜２を
得ることができる。特に、光センサの場合、鏡面反射を
可能として、その感度を高めるのにきわめて有用であ
る。
ならば異方性エッチングにより行なわれ、ガラス系の場
合にはフッ酸処理が採用される。鏡面化された基板１の
表面に成膜された金属膜２の表面は基板１の鏡面が転写
されており、この穴開け工程によって鏡面の金属膜２を
得ることができる。特に、光センサの場合、鏡面反射を
可能として、その感度を高めるのにきわめて有用であ
る。
【００２６】そして、洗浄工程を経てダイシングが行な
われ、基板１から各ダイアフラムユニット５が切り出さ
れる。なお、各素材自身にアニールをかけて、環境変化
に対して変形、変質しないようにし、また、衝撃に耐え
られるようにすることが好ましい。
われ、基板１から各ダイアフラムユニット５が切り出さ
れる。なお、各素材自身にアニールをかけて、環境変化
に対して変形、変質しないようにし、また、衝撃に耐え
られるようにすることが好ましい。
【００２７】図２に、このダイアフラムユニット５を光
センサ基板７と組み合わせて光センサとした例を示す。
１ａは複合膜（振動膜）４を支持した状態で基板１から
切り出されたマウント枠である。光センサ基板７には、
発光素子７ａと受光素子７ｂとが設けられており、複合
膜４の金属膜２が光反射膜として作用する。すなわち、
この光センサにおいては、複合膜４の振動が受光素子７
ｂの受光量変化として捉えられる。
センサ基板７と組み合わせて光センサとした例を示す。
１ａは複合膜（振動膜）４を支持した状態で基板１から
切り出されたマウント枠である。光センサ基板７には、
発光素子７ａと受光素子７ｂとが設けられており、複合
膜４の金属膜２が光反射膜として作用する。すなわち、
この光センサにおいては、複合膜４の振動が受光素子７
ｂの受光量変化として捉えられる。
【００２８】図３に、このダイアフラムユニット５を背
面電極８と組み合わせてコンデンサマイクロフォンのマ
イクロフォンユニットとした例を示す。この場合には、
複合膜４の金属膜２は背面電極８とともにコンデンサを
形成する対向電極として機能し、複合膜４の振動が静電
容量変化として捉えられる。
面電極８と組み合わせてコンデンサマイクロフォンのマ
イクロフォンユニットとした例を示す。この場合には、
複合膜４の金属膜２は背面電極８とともにコンデンサを
形成する対向電極として機能し、複合膜４の振動が静電
容量変化として捉えられる。
【００２９】また、図２，図３の組み合わせ例におい
て、ダイアフラムユニット５の内部（光キャビティもし
くは音響空間）は密閉状態となるため、複合膜４の自由
振動が阻害されるおそれがある。
て、ダイアフラムユニット５の内部（光キャビティもし
くは音響空間）は密閉状態となるため、複合膜４の自由
振動が阻害されるおそれがある。
【００３０】これを防止するため、図４に示されている
ように、この実施例においては、マウント枠１ａの他方
の面側、すなわち光センサ基板７もしくは背面電極８と
の接合面側に空気流通溝１１を形成するようにしてい
る。
ように、この実施例においては、マウント枠１ａの他方
の面側、すなわち光センサ基板７もしくは背面電極８と
の接合面側に空気流通溝１１を形成するようにしてい
る。
【００３１】なお、光センサ基板７と組み合わされる場
合には、外乱光がその光キャビティ内に入らないように
するため、空気流通溝１１を例えばＳ字曲線などの迷路
状とすることが好ましい。コンデンサマイクロフォンの
場合には、光の影響を受けないため、空気流通溝１１は
直線的であってもよい。
合には、外乱光がその光キャビティ内に入らないように
するため、空気流通溝１１を例えばＳ字曲線などの迷路
状とすることが好ましい。コンデンサマイクロフォンの
場合には、光の影響を受けないため、空気流通溝１１は
直線的であってもよい。
【００３２】空気流通溝１１が複合膜４によって塞がれ
ない深さを有している場合には、空気流通溝１１をマウ
ント枠１ａの一方の面側、すなわち複合膜４の形成面側
に設けてもよい。
ない深さを有している場合には、空気流通溝１１をマウ
ント枠１ａの一方の面側、すなわち複合膜４の形成面側
に設けてもよい。
【００３３】上記したように、基板１上に金属膜２を蒸
着法、スパッタ法もしくは金属メッキによりマウント枠
１ａ上に直接成膜することにより、ある程度の固定力が
得られるが、次に、温度や衝撃もしくは振動などによっ
て、複合膜４にだれがより生じないようにするためのマ
ウント枠１ａに対する複合膜４の固定方法について説明
する。
着法、スパッタ法もしくは金属メッキによりマウント枠
１ａ上に直接成膜することにより、ある程度の固定力が
得られるが、次に、温度や衝撃もしくは振動などによっ
て、複合膜４にだれがより生じないようにするためのマ
ウント枠１ａに対する複合膜４の固定方法について説明
する。
【００３４】まず、第１の例として図５に誇張して示さ
れているように、マウント枠１ａにアンカー用凹部１２
を形成し、この凹部１２内に金属膜２の一部分を埋め込
む。この場合、金属膜２を形成した後、ヒータバーなど
により金属膜２をマウント枠１ａに圧着してもよい。
れているように、マウント枠１ａにアンカー用凹部１２
を形成し、この凹部１２内に金属膜２の一部分を埋め込
む。この場合、金属膜２を形成した後、ヒータバーなど
により金属膜２をマウント枠１ａに圧着してもよい。
【００３５】第２の例としては、図６に示されているよ
うに、好ましくはマウント枠１ａの外周端側に、中央部
側から見て下り勾配となる傾斜面１３を形成し、その上
に複合膜４を成膜する。この場合、その上から傾斜面１
３に向けてイオンを打ち込んでもよい。また、接着剤に
よって固定してもよいし、静電吸着法もしくは真空吸着
法なども適用可能である。
うに、好ましくはマウント枠１ａの外周端側に、中央部
側から見て下り勾配となる傾斜面１３を形成し、その上
に複合膜４を成膜する。この場合、その上から傾斜面１
３に向けてイオンを打ち込んでもよい。また、接着剤に
よって固定してもよいし、静電吸着法もしくは真空吸着
法なども適用可能である。
【００３６】また、第３の例として図７に示されている
ように、基板１からダイアフラムユニット５を切り出し
た後、その複合膜４の裾部周辺に、別の金属として例え
ばチタンや銅などを接着やスパッタ法などにより取り付
けてフランジ部４ａを形成し、このフランジ部４ａを接
着法によってマウント枠１ａに固定する方法もある。
ように、基板１からダイアフラムユニット５を切り出し
た後、その複合膜４の裾部周辺に、別の金属として例え
ばチタンや銅などを接着やスパッタ法などにより取り付
けてフランジ部４ａを形成し、このフランジ部４ａを接
着法によってマウント枠１ａに固定する方法もある。
【００３７】さらに、第４の例として図８に示されてい
るように、ダイアフラムユニット５の上面に合致する押
圧面を有するヒータブロック２０にて、複合膜４をダイ
アフラムユニット５に加熱圧着することも可能である。
この加熱圧着法は、上記第２の例と同じく基板１の状態
で行なってもよいし、基板１から切り出した後に行なっ
てもよい。
るように、ダイアフラムユニット５の上面に合致する押
圧面を有するヒータブロック２０にて、複合膜４をダイ
アフラムユニット５に加熱圧着することも可能である。
この加熱圧着法は、上記第２の例と同じく基板１の状態
で行なってもよいし、基板１から切り出した後に行なっ
てもよい。
【００３８】上記第２の例ないし第４の例において、傾
斜面１３は複合膜４の固定に有効に作用する。傾斜面１
３の角度は、ダイアフラムユニット５の口径などにより
適宜設定されてよい。本発明によれば、小さいサイズの
もので、例えば高さ１．５ｍｍ，口径２ｍｍ程度のダイ
アフラムユニット５が得られる。
斜面１３は複合膜４の固定に有効に作用する。傾斜面１
３の角度は、ダイアフラムユニット５の口径などにより
適宜設定されてよい。本発明によれば、小さいサイズの
もので、例えば高さ１．５ｍｍ，口径２ｍｍ程度のダイ
アフラムユニット５が得られる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
音圧などの外的エネルギーによって振動する振動板をマ
ウント枠に取り付けてなるダイアフラムユニットを製造
するにあたって、基板の一方の面に、金属膜と樹脂皮膜
とを積層してなる複合膜を形成した後、複合膜の一部分
を自由振動領域（面）とするため、その自由振動領域に
対応する基板の所定部分を、同基板の他方の面側からそ
の全厚み分を除去し、基板の残部をマウント枠として、
複合膜を振動可能に支持するようにしたことにより、膜
厚数μｍを実現でき、しかも所定のテンションが付与さ
れた振動膜を有するダイアフラムユニットを効率よく製
造することができる。
音圧などの外的エネルギーによって振動する振動板をマ
ウント枠に取り付けてなるダイアフラムユニットを製造
するにあたって、基板の一方の面に、金属膜と樹脂皮膜
とを積層してなる複合膜を形成した後、複合膜の一部分
を自由振動領域（面）とするため、その自由振動領域に
対応する基板の所定部分を、同基板の他方の面側からそ
の全厚み分を除去し、基板の残部をマウント枠として、
複合膜を振動可能に支持するようにしたことにより、膜
厚数μｍを実現でき、しかも所定のテンションが付与さ
れた振動膜を有するダイアフラムユニットを効率よく製
造することができる。
【図１】本発明の製造方法を３つの工程に分けて示した
説明図。
説明図。
【図２】本発明によるダイアフラムユニットを光センサ
基板と組み合わせて光センサとした例の断面図。
基板と組み合わせて光センサとした例の断面図。
【図３】本発明によるダイアフラムユニットを背面電極
と組み合わせてマイクロフォンユニットとした例の断面
図。
と組み合わせてマイクロフォンユニットとした例の断面
図。
【図４】上記ダイアフラムユニットの底面側斜視図。
【図５】上記ダイアフラムユニットにおいて、マウント
枠に対する複合膜の第１固定例を示した断面図。
枠に対する複合膜の第１固定例を示した断面図。
【図６】上記ダイアフラムユニットにおいて、マウント
枠に対する複合膜の第２固定例を示した断面図。
枠に対する複合膜の第２固定例を示した断面図。
【図７】上記ダイアフラムユニットにおいて、マウント
枠に対する複合膜の第３固定例を示した断面図。
枠に対する複合膜の第３固定例を示した断面図。
【図８】上記ダイアフラムユニットにおいて、マウント
枠に対する複合膜の第４固定例を示した断面図。
枠に対する複合膜の第４固定例を示した断面図。
１ 基板 １ａ マウント枠 ２ 金属膜 ３ 樹脂皮膜 ４ 複合膜（振動膜） ５ ダイアフラムユニット ６ 穴（音響空間，光キャビティ） ７ 光センサ基板 ８ 背面電極 １１ 空気流通溝 １２ アンカー用凹部 １３ 傾斜面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｌ 9/12 Ｇ０１Ｌ 9/12 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD01 DD04 DD07 EE25 EE31 FF43 FF49 GG01 GG11 GG25 4K029 AA02 AA06 AA09 BA07 BA12 BD00 CA01 CA05 4M112 AA01 CA01 DA04 DA16 EA03 5D016 AA01 BA06 DA02 EC01 EC22 HA07 JA13 JA16 5D021 CC05
Claims (8)
- 【請求項１】 音圧などの外的エネルギーによって振動
する振動板をマウント枠に取り付けてなるダイアフラム
ユニットの製造方法において、 基板の一方の面に、金属膜と樹脂皮膜とを積層してなる
複合膜を形成した後、上記複合膜の一部分を自由振動領
域とするため、その自由振動領域に対応する上記基板の
所定部分を、同基板の他方の面側からその全厚み分を除
去し、上記基板の残部を上記マウント枠として上記複合
膜を振動可能に支持することを特徴とするダイアフラム
ユニットの製造方法。 - 【請求項２】 上記基板が、シリコン、ガラスもしくは
金属のいずれか一つの材料からなり、少なくとも上記一
方の面が鏡面に仕上げられている請求項１に記載のダイ
アフラムユニットの製造方法。 - 【請求項３】 上記基板の基板厚が５００〜２０００μ
ｍであり、上記一方の面の表面粗さが１００Å以下であ
る請求項１または２に記載のダイアフラムユニットの製
造方法。 - 【請求項４】 上記金属膜が、蒸着法、スパッタ法もし
くは金属メッキにより上記基板上において形成され、そ
の膜厚が０．０５〜１μｍである請求項１，２または３
に記載のダイアフラムユニットの製造方法。 - 【請求項５】 上記樹脂皮膜が、上記金属膜上において
成膜され、その厚さが０．５〜３μｍである請求項１な
いし４のいずれか１項に記載のダイアフラムユニットの
製造方法。 - 【請求項６】 上記基板の上記マウント枠となるべき部
分に、上記複合膜を係止するためのアンカー用凹部を形
成する請求項１ないし５のいずれか１項に記載のダイア
フラムユニットの製造方法。 - 【請求項７】 高温雰囲気下で上記複合膜上から加圧し
て、同複合膜を上記マウント枠に固定する請求項１ない
し６のいずれか１項に記載のダイアフラムユニットの製
造方法。 - 【請求項８】 上記マウント枠の他方の面に、外光非透
過性の空気流通溝を形成する請求項１ないし７のいずれ
か１項に記載のダイアフラムユニットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000130059A JP2001313999A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ダイアフラムユニットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000130059A JP2001313999A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ダイアフラムユニットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001313999A true JP2001313999A (ja) | 2001-11-09 |
Family
ID=18639226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000130059A Withdrawn JP2001313999A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | ダイアフラムユニットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001313999A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2000
- 2000-04-28 JP JP2000130059A patent/JP2001313999A/ja not_active Withdrawn
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