JP5516426B2 - 研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
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Description
そこで、あらかじめ溝が形成された絶縁膜上に銅合金薄膜を堆積して埋め込み、溝部以外の銅合金薄膜をCMPにより除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシン法が、銅合金配線の微細加工に主として採用されている(特許文献1参照。)。
上記無機酸は、銅膜の表面粗さをさらに低減することができる点で、硫酸及びリン酸から選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、硫酸及びリン酸を含むことがより好ましく、硫酸及びリン酸からなることがさらに好ましい。
上記アミノ酸のpKa1は、研磨剤のpHを1.5〜4に調整しやすい点で、2〜3であることが好ましい。
上記砥粒は、特に研磨特性に優れることから、平均粒径100nm以下のコロイダルシリカ及び/又はコロイダルアルミナであることが好ましい。
上記酸化剤は、研磨促進作用が特に高いことから、過酸化水素、過硫酸及び過硫酸塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸化剤であることが好ましい。
本実施形態の研磨剤においては、pHを調整するために、アルカリ成分をpH調整剤として添加することができる。このようなアルカリ成分としては例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。もちろん、pH調整剤を添加せずとも研磨剤のpHが1.5〜4の範囲にある場合には、pH調整剤の添加は必須ではない。
上記有機酸は、カルボキシル基を2つ以上含み、かつ、pKa1が3以下である有機酸である。このような有機酸は、上記のpH範囲において効率的に銅イオンとキレート化することにより、研磨速度向上に有効であると考えられる。
上記無機酸としては、公知のものを特に制限なく使用することができ、具体的には例えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、リン酸等が挙げられる。中でも、CMPによる研磨速度向上効果が大きく、銅膜の表面粗さを低減できるという点で、硫酸、リン酸、又は硫酸とリン酸の混合物が好ましい。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
上記アミノ酸は、pHを調整し、かつ銅を溶解させる目的で使用されるものである。このようなアミノ酸としては、わずかでも水に溶解するものであれば特に制限はなく、具体的には例えば、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シシチン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、ヒスチジン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
上記保護膜形成剤とは、銅表面に対して保護膜を形成する作用を有する物質をいう。ただし、上述のように保護膜形成剤は、研磨進行時に除去される「反応層」を構成していると考えられ、必ずしも銅が研磨されるのを防ぐための「保護膜」を形成するわけではない。
上記砥粒としては、特に制限はなく、具体的には例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、炭化珪素等の無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物砥粒を挙げることができる。中でも、研磨剤中での分散安定性が良く、CMPにより発生する研磨傷(スクラッチ)の発生数が少ない点で、シリカ及びアルミナが好ましく、粒径の制御が容易であり、研磨特性により優れる点で、コロイダルシリカ、コロイダルアルミナがより好ましい。コロイダルシリカは、例えばシリコンアルコキシドの加水分解又は珪酸ナトリウムのイオン交換により製造することができ、コロイダルアルミナは、例えば硝酸アルミニウムの加水分解により製造することができる。
上記酸化剤としては、銅に対する酸化作用を有するものであれば特に制限なく使用することができ、具体的には例えば、過酸化水素(H2O2)、過硫酸、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸カリウム等が挙げられ、その中でも過酸化水素、過硫酸、過硫酸塩が好ましい。これらの酸化剤は単独で又は二種類以上組み合わせて使用することができる。
本発明の研磨剤は、無機酸を含むpH緩衝溶液である。無機酸は一般に強酸であり、多量に添加するとpHが低下してしまいpH1.5〜4の範囲に調整するのは困難である。そこで無機酸にアミノ酸を添加することにより、研磨剤をpH1.5〜4のpH緩衝溶液とすることができる。
本発明の研磨方法は、基板上に、銅を含む金属膜を積層する積層ステップと、上記本発明の研磨剤を用いて銅を含む金属膜を研磨し、当該金属膜の一部を除去する研磨ステップ、を有することを特徴とする。
実施例1
濃度96%の硫酸10g、濃度85%のリン酸10g、グリシン50g、ベンゾトリアゾール(BTA)10g、シュウ酸10g、及びテトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した平均粒径70nmのコロイダルシリカ(固形分20%)50gを水550gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させた。さらに25%のアンモニア水溶液を添加して液のpHを2.6に調整した後、純水をさらに加えて全量を700gとした。これに、過酸化水素水(試薬特級、30%水溶液)300gを加えて、全量1000gの研磨剤1を得た。
シュウ酸の代わりにマロン酸を10g添加した以外は実施例1と同様にして研磨剤2を作製した。
実施例3
シュウ酸の代わりにマレイン酸を10g添加した以外は実施例1と同様にして研磨剤3を作製した。
実施例4
グリシンの代わりにアラニンを50g添加した以外は実施例1と同様にして研磨剤4を作製した。
実施例5
グリシンの代わりにセリンを50g添加した以外は実施例1と同様にして研磨剤5を作製した。
実施例6
添加する硫酸とリン酸の量をそれぞれ5gとした以外は実施例1と同様にして研磨剤6を作製した。
シュウ酸を加えないこと以外は実施例1と同様にして研磨剤X1を作製した。
比較例2
硫酸及びリン酸を加えず、シュウ酸の量を30gとした以外は実施例1と同様にして研磨剤X2を作製した。
比較例3
シュウ酸を加えないことに加えて、硫酸の量を20gに増量した以外は実施例1と同様にして研磨剤X3を作製した。
比較例4
添加する硫酸の量を1g、リン酸の量を5gとした以外は実施例1と同様にして研磨剤X4を作製した。
比較例5
シュウ酸の代わりにリンゴ酸を添加したこと以外は実施例1と同様にして研磨剤X5を作製した。
有機酸及び25%のアンモニア水溶液を添加しないこと以外は実施例1〜6及び比較例1〜5と同様にして、中和滴定量測定用の試験液(試験液1〜6及び試験液X1〜X5)を作成した。それぞれの試験液について、pHメータ(横河電機株式会社製 PH81)を使用し、25℃の恒温水槽中で、水酸化カリウムによる中和滴定等量を測定した。得られた値を表1及び表2に示す。なお比較例2については、シュウ酸及びアンモニア水を添加しない状態でのpHが4.0を超えていたため、中和滴定量を0(mol/kg)とした。
直径8インチ(20.3cm)(φ)サイズのシリコン基板上に厚み20μmの銅膜を製膜した基板(アドバンテック社より購入)を用意した。この基板を使用し、上記研磨剤1〜6及び研磨剤X1〜X5を、研磨装置の定盤に貼り付けた研磨パッドに滴下しながら、CMP研磨を行った。
研磨装置:定盤寸法は直径600mm(φ)、ロータリータイプ
研磨パッド:独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂(IC−1010、ロームアンドハース社製)
研磨圧力:32kPa
定盤/ヘッド回転速度:93/87rpm
研磨剤流量:200ml/min
上述のようにして研磨した基板について、CMPによる銅の研磨速度(以下単に研磨速度という)及び表面粗さを測定した。
研磨速度:基板のCMP前後での膜厚差をシート抵抗変化から換算して求めた。測定装置はナプソン社製抵抗率測定器Model RT−7を用いた。なお、抵抗値としては、ウエハの直径方向77点(エッジから5mm部分除外)の平均値を用いた。
表面粗さ(算術平均粗さRa):研磨後の銅膜表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡:SPA−400,エスアイアイナノテクノロジー社製)で測定した。測定は基板中央部から半径方向に50mm離れた箇所において、5μm×5μmの面積範囲で行った。
実施例1の研磨剤からシュウ酸を除いた組成である比較例1の研磨剤X1は、実施例1と比較して表面粗さは維持したものの、研磨速度は低下した。
実施例1の研磨剤において硫酸及びリン酸をシュウ酸に置き換えた組成である比較例2の研磨剤X2は、実施例1と比較して、表面粗さは維持したものの、研磨速度は大幅に低下した。
実施例1の研磨剤においてシュウ酸を硫酸に置き換えた組成である比較例3の研磨剤X3は、実施例1と比較して、表面粗さも研磨速度も低下した。また、比較例1と比較して、研磨速度は向上しているが4μm/minを下回る程度の速度であった。
また、研磨速度に着目すると、比較例1に対して1wt%のシュウ酸を加えた系である実施例1の研磨剤が6.0μm/minもの研磨速度を達成するのに対し、比較例1に対して1wt%の硫酸を追加した比較例3の研磨剤では、研磨速度が3.7μm/minにとどまることから、無機酸と有機酸を組み合わせることが研磨速度向上に有効であることが確認できる。
一方、無機酸の種類、無機酸と有機酸の量は実施例1と同じであるが、有機酸のpKaが3を上回る比較例5の研磨剤X5は、実施例1と比較して表面粗さは維持したものの、研磨速度は低下した。
Claims (11)
- 無機酸、アミノ酸、保護膜形成剤、砥粒、酸化剤、有機酸及び水を含む組成物を、pHが1.5〜4となるように調整してなる銅研磨用研磨剤であって、
前記無機酸は硫酸及びリン酸を含み、
前記有機酸を除く前記組成物のpHを4まで増加させるために要する水酸化カリウムの量が、前記有機酸を除く前記組成物1kg当たり0.10mol以上であり、
前記有機酸はカルボキシル基を2つ以上含み、かつ、第1酸解離定数の逆数の対数(pKa1)が3以下である研磨剤。 - 前記有機酸はシュウ酸、マレイン酸及びマロン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種の有機酸である、請求項1記載の研磨剤。
- 前記無機酸は硫酸及びリン酸からなる、請求項1又は2記載の研磨剤。
- 前記アミノ酸のpKa1は2〜3である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記保護膜形成剤が、ベンゾトリアゾール及びその誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種の保護膜形成剤である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記砥粒は、平均粒径100nm以下のコロイダルシリカ及び/又はコロイダルアルミナである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 前記酸化剤は、過酸化水素、過硫酸及び過硫酸塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸化剤である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の研磨剤。
- 基板上に、銅を含む金属膜を積層する積層ステップと、請求項1〜7のいずれか一項に記載の研磨剤を用いて銅を含む金属膜を研磨し、当該金属膜の一部を除去する研磨ステップと、を有することを特徴とする研磨方法。
- 前記金属膜の最大厚みが5μm以上である、請求項8記載の研磨方法。
- 前記金属膜の最大厚みが10μm以上である、請求項8記載の研磨方法。
- 前記研磨ステップにおける前記金属膜を研磨する際の研磨速度が5μm/min以上である、請求項8記載の研磨方法。
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