JP5515258B2 - 圧力センサチップおよび圧力センサ - Google Patents

Description

本発明は、圧力検出部が形成されたダイアフラムを有する圧力センサチップおよび圧力センサに関するものである。

従来より、圧力検出部が形成されたダイアフラムを有する圧力センサチップとして、例えば、下記特許文献１に開示される圧力センサのセンサチップがある。このセンサチップは、受圧面にて受けた圧力に応じた電気信号を出力するセンサであり、当該センサチップは、その受圧面を配線基板（被取付部材）の一面と対向させた状態でバンプを介して当該配線基板にフリップチップ接合されている。

そして、配線基板としてセンサチップの線膨張係数に近いセラミック基板を採用することにより、当該配線基板等の被取付部材からセンサチップに伝達される熱変形等の外乱応力に起因するノイズを低減している。

また、下記特許文献２に開示される圧力センサチップでは、当該圧力センサチップと基板（被取付部材）との接続部位をダイアフラムおよびピエゾ抵抗等のセンシング部から離間させることにより、センシング部に伝達される外乱応力を抑制している。

また、圧力センサ以外の技術として、下記特許文献３に開示される加速度計センサや、
下記特許文献４に開示される加速度センサや、下記特許文献５に開示されるホール素子では、センシング部を片持ち梁状に形成される部位に設け、この片持ち梁状部位のたわみ等により加速度などの物理量を検出している。そして、センシング部を片持ち梁状部位に形成して外乱応力が伝達される部位の断面積を小さくすることにより、センシング部に伝達される外乱応力を抑制している。
特開２００６−１７７９２５号公報 特開２００５−２４９７９５号公報 特開２００５−２６８７５８号公報 特開２００２−００５７６３号公報（第６頁、図１０） 特開平０９−０９７８９５号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示されるセンサチップでは、センサチップの線膨張係数に近いセラミック基板等の被取付部材を用いても、材料の違いによる僅かな差によりセンサチップに伝達される外乱応力に起因するノイズが生じ、センサの高精度化の妨げとなってしまう。

また、上記特許文献２に開示される圧力センサチップでは、圧力センサチップと基板との接続部位をセンシング部から離間させることにより、基板に固定されない圧力センサチップの部位が振動しやすくなり、圧力センサチップが破損する可能性がある。

また、上記特許文献３〜５に開示される片持ち梁状部位に単に圧力検出部を設けた場合、圧力は面に対して垂直に作用するため、片持ち梁状部位の一側面と他側面との間で圧力が相殺されて圧力を検出するためのたわみを生じさせることができないという問題がある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、被取付部材からダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制し得る圧力センサチップおよび圧力センサを提供することにある。

上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の圧力センサチップでは、取付面を介して被取付部材に取り付けられる基板であって当該基板の表面のうち前記取付面とは反対の面である反取付面に開口部が形成される基板と、前記開口部の開口側面から当該開口部内に片持ち梁状に突出して支持される梁部と、前記梁部内に密閉状態で形成された圧力基準室の圧力と被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラムと、前記ダイアフラム上に設けられ当該ダイアフラムの変位に応じた信号を出力する圧力検出部と、を備える圧力センサチップであって、前記開口部は、前記取付面まで貫通して形成され、前記梁部は、前記開口側面から片持ち梁状に離間して突出する２つの突出部のそれぞれの端部を連結した連結部から前記両突出部間に配置されるように片持ち梁状に突出して形成されることを技術的特徴とする。

請求項１の発明では、圧力センサチップは、基板の反取付面に形成される開口部の開口側面から当該開口部内に片持ち梁状に突出して支持される梁部を備えている。この梁部内には、密閉状態である圧力基準室が形成されるとともに、この圧力基準室の圧力と圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラムと、このダイアフラム上に設けられ当該ダイアフラムの変位に応じた信号を出力する圧力検出部とが形成されている。

このように、梁部は、開口部の開口側面から当該開口部内に片持ち梁状に突出して支持されることによりその支持部位の断面積を小さくしているので、被取付部材から取付面を介して梁部に伝達される外乱応力を抑制することができる。そして、この梁部内に、ダイアフラムおよび圧力検出部が設けられているので、被取付部材からダイアフラムに伝達される外乱応力に起因するノイズを低減することができる。

特に、ダイアフラムは、梁部内に密閉状態で形成された圧力基準室の圧力と被測定圧力との圧力差に応じて変位するので、梁部がたわむ必要もない。
したがって、被取付部材からダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制することができる。

特に、開口部は、取付面まで貫通して形成されている。これにより、取付面と被取付部材との接触面積が小さくなるので、被取付部材から取付面を介して伝達される外乱応力を抑制することができる。
また、梁部は、開口側面から片持ち梁状に離間して突出する２つの突出部のそれぞれの端部を連結した連結部から両突出部間に配置されるように片持ち梁状に突出して形成されている。これにより、開口側面からダイアフラムまでの距離が長くなるので、ダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制することができる。
請求項２の発明では、梁部は、開口側面から片持ち梁状に突出して当該梁部の周囲を複数回囲むように形成される支持部の端部から片持ち梁状に突出して形成されている。このように開口側面からダイアフラムまでの距離を長くしても、ダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制することができる。

請求項３の発明では、開口側面にて支持される梁部の支持部位は、基板および被取付部材間を封止するアンダーフィル等の封止材の収縮率が被取付部材の収縮率よりも大きい場合には基板の反取付面の中央に近接するように設置されている。封止材の収縮率が被取付部材の収縮率よりも大きい場合、この封止材の収縮により圧力センサチップに圧縮応力が生じる可能性がある。この場合、梁部の支持部位を、基板の反取付面の中央に近接させて設置することにより、封止材の収縮に起因するノイズを抑制することができる。

請求項４の発明では、開口側面からの梁部の突出方向の長さを当該梁部が開口側面にて支持される面に沿う長さに対して長くするとともに、当該開口側面からダイアフラムおよび圧力検出部を離間させる。これにより、開口側面からダイアフラムまでの距離が長くなるので、ダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制することができる。特に、梁部の突出方向の長さを適切に設計することにより、共振による梁部の破損も防止することができる。

請求項５の発明では、圧力検出部は、その歪を検出する方向が梁部の突出方向に対して直交するようにダイアフラム上に設けられている。梁部の突出方向は当該梁部に反りが生じやすい方向であり、この突出方向と比較して梁部の突出方向に直交する方向は当該梁部に反りが生じにくい方向である。そこで、圧力検出部を、その歪を検出する方向が梁部の突出方向に対して直交するようにダイアフラム上に設けることにより、梁部の反りや梁部の振動に起因するノイズを抑制することができる。

請求項６の発明では、ダイアフラムは、圧力基準室に対して取付面側に配置されている。これにより、ダイアフラムは開口部内にて開口底面等に対向するように配置されることとなるので、圧力媒体に含まれる異物のうち開口部と梁部との間の隙間よりも大きな異物の開口部内への進入が防止されることから、異物の衝突によるダイアフラムの破損の可能性を低減させることができる。

請求項７の発明では、圧力検出部は、ダイアフラムに対して圧力基準室側に配置されている。これにより、圧力検出部がダイアフラムよりも梁部内に設けられることとなるので、当該圧力検出部やこの圧力検出部からの信号を出力するための導電部を腐食等から保護する必要をなくすことができる。

請求項８の発明では、圧力検出部は、ダイアフラムに対して反圧力基準室側に配置されている。このように、圧力検出部が梁部の表面に設けられることとなるので、当該圧力検出部からの信号を出力するための導電部と被取付部材側の導電部との接続を、貫通電極等の製造コストの高い接続方法に代えて、ワイヤボンディング等の製造コストの低い接続方法で接続することができる。

請求項９の発明では、梁部のうち圧力基準室に対して反ダイアフラム側は、ポーラス構造（多孔質構造）である。これにより、梁部には局所的に非連続な多孔質領域を設けることができるので、ダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、ポーラス構造の部位では密度が小さくなるため共振周波数を大きくすることができ、共振による梁部の破損を防止することができる。

請求項１０の発明では、開口側面にて支持される梁部の支持部位の少なくとも一部は、ポーラス構造（多孔質構造）である。これにより、梁部の支持部位の少なくとも一部には局所的に非連続な多孔質領域を設けることができるので、支持部位を介するダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、ポーラス構造の部位では密度が小さくなるため共振周波数を大きくすることができ、共振による梁部の破損を防止することができる。

請求項１１の発明では、圧力センサは、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の圧力センサチップを用いている。これにより、圧力センサチップが取り付けられた被取付部材から当該圧力センサチップのダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制することができる等の、請求項１〜１０の各発明による作用・効果を享受した圧力センサを実現することができる。

以下、本発明に係る圧力センサチップおよびその製造方法並びに圧力センサの各実施形態について図を参照して説明する。
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態を図１を参照して説明する。図１は、本発明に係るセンサチップ４０を採用する圧力センサ１０の全体概略断面図である。
圧力センサ１０は、たとえば自動車に搭載され、燃料圧力、エンジンや駆動系の潤滑用オイル圧、あるいはエアコンの冷媒圧、さらには排気ガス圧等の圧力媒体の被測定圧力を検出する圧力センサ等に適用できる。

図１に示すように、圧力センサ１０は、主に、被測定圧力に応じた電気信号を出力するセンサチップ４０と、このセンサチップ４０が一端部側に設けられるコネクタケース２０と、センサチップ４０を覆うようにコネクタケース２０に取り付けられてセンサチップ４０に圧力を導入するための圧力導入孔３２が形成されるハウジング３０と、を備えている。

コネクタケース２０は、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂を型成形することにより略円柱状に形成されている。このコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａの下端面中央にはハウジング側開口部２１が形成されている。このハウジング側開口部２１に設けられる凹部２１ａには、圧力検出素子としてのセンサチップ４０が配設されている。

また、図１に示すように、コネクタケース２０には、センサチップ４０と外部の回路等とを電気的に接続するための複数個の金属製棒状のターミナル（コネクタピン）２２が設けられている。凹部２１ａに設けられるターミナル２２の一側端部は、センサチップ４０の各貫通電極４８と電気的に接続されており、それによって、センサチップ４０は、ターミナル２２を介して外部と電気的に接続可能になっている。当該ターミナル２２は、黄銅にＮｉメッキ等のメッキ処理を施した材料よりなり、インサート成形によりコネクタケース２０と一体に成形されてコネクタケース２０内にて保持されている。

図１に示すように、コネクタケース２０の反ハウジング側端部２０ｂには、反ハウジング側開口部２３が形成されており、この反ハウジング側開口部２３内にターミナル２２の他側端部が突出した形で露出している。

このようにコネクタケース２０の反ハウジング側開口部２３に露出するターミナル２２の他側端部は、例えば、ワイヤハーネス等の図略の外部配線部材を介して外部回路（車両のＥＣＵ等）に電気的に接続されるようになっている。

ハウジング３０には、コネクタケース側端部３０ａ（図１中の上方端部）に開口部３１が形成されるとともに、反コネクタケース側端部３０ｂ（図１中の下方端部）に外部から圧力媒体が導入される圧力導入孔３２が形成されている。

上記圧力媒体は、例えば、上記したエアコンの冷媒、ガソリンなどのエンジンの燃料、エンジンや駆動系の潤滑用オイル、あるいは排気ガス等である。このハウジング３０は、たとえばステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料をプレスや切削加工などにより成形して構成される。

ハウジング３０の反コネクタケース側端部３０ｂの外面には、圧力センサ１０を自動車の適所、たとえば、エアコンの冷媒配管や自動車の燃料配管などの箇所に固定するためのネジ部３３が形成されている。

ハウジング３０は、その開口部３１にコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａを挿入してコネクタケース側端部３０ａをハウジング側端部２０ａにかしめることで、コネクタケース２０のハウジング側開口部２１を覆うようにコネクタケース２０に組み付けられる。

図１に示すように、コネクタケース２０のハウジング側開口部２１近傍には、環状の溝（Ｏリング溝）２４が形成され、この溝２４内には、コネクタケース２０とハウジング３０との間を気密に封止するためのＯリング２５が配設されている。このＯリング２５は、たとえばシリコンゴム等の弾性材料よりなる。

次に、センサチップ４０の構造について図２を用いて詳細に説明する。図２（Ａ）は、第１実施形態に係るセンサチップ４０の平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す２Ｂ−２Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、センサチップ４０は、基板４１の取付面４０ａにてコネクタケース２０の凹部２１ａに配設されており、この取付面４０ａの反対の面である反取付面４０ｂには矩形状の開口部４２が形成されている。そして、この開口部４２には、その開口側面４２ａから当該開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３が形成されている。

梁部４３内には、密閉状態で形成された圧力基準室４４が形成されており、この圧力基準室４４と反取付面４０ｂとの間が薄肉に形成されている。これにより、圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５が当該圧力基準室４４の反取付面４０ｂ側に設けられることとなる。

このダイアフラム４５上の圧力基準室４４側には、このダイアフラム４５の変位に応じた信号を出力する４つの圧力検出部４６が設けられている。各圧力検出部４６には、各圧力検出部４６およびダイアフラム４５よりブリッジ回路を構成するように、当該各圧力検出部４６と同一平面状に設けられる４つの導電部４７の一側端部がそれぞれ電気的に接続されている。各導電部４７の他側端部には、基板４１を貫通する４つの貫通電極４８がそれぞれ電気的に接続されている。

センサチップ４０は、各貫通電極４８がバンプ２６を介してコネクタケース２０のターミナル２２の一側端部に電気的に接続されるとともに各バンプ接合部および取付面４０ａが電気的に絶縁性を有した封止材であるアンダーフィル２７により封止されることにより、コネクタケース２０に取り付けられている。

このように構成されるセンサチップ４０は、圧力基準室４４の基準圧力と上記圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じてダイアフラム４５が変位したとき、この変位に応じた信号を圧力検出信号として各圧力検出部４６から各導電部４７および各貫通電極４８を介して出力する。

次に、本第１実施形態に係る圧力センサ１０の製造方法について、その一具体例を述べる。
ターミナル２２がインサート成形されたコネクタケース２０を用意する。次に、センサチップ４０の各貫通電極４８を、コネクタケース２０のハウジング側開口部２１内のターミナル２２にバンプ２６を介して電気的に接続する。そして、各バンプ接合部および取付面４０ａをアンダーフィル２７により封止する。なお、センサチップ４０の製造方法については、後述する。

続いて、ハウジング３０を用意し、Ｏリング２５を介してハウジング３０の開口部３１をコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａに嵌合させる。次に、ハウジング３０のコネクタケース側端部３０ａをコネクタケース２０のハウジング側端部２０ａにかしめることにより、ハウジング３０とコネクタケース２０と一体化する。

こうして、コネクタケース２０とハウジング３０との組合せ固定がなされ、図１に示す圧力センサ１０が完成する。

次に、上述したセンサチップ４０を製造方法の工程を図３（Ａ）〜（Ｆ）を用いて詳細に説明する。図３（Ａ）〜（Ｆ）は、第１実施形態におけるセンサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図３（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、公知の半導体プロセスにより圧力検出部４６および導電部４７を形成する（第１工程）。

次に、図３（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に凹部４４ａを形成するとともに、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１の全面に犠牲層４９を形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを犠牲層４９を介して貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図３（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図３（Ｄ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第４工程）。

次に、図３（Ｅ）に示すように、ダイアフラム４５の周囲の第１基板４１ａおよび第２基板４１ｂの一部を残して他部に第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から犠牲層４９に達するトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図２（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する（第５工程）。

次に、図３（Ｆ）に示すように、トレンチ４２ｂ近傍の犠牲層４９を除去することによりトレンチ４２ｂと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と犠牲層４９の残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成する。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第６工程）。

こうして、図２（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ４０が完成する。なお、第１基板４１ａ、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃは、図２（Ａ），（Ｂ）に示す基板４１に相当する。また、第３基板４１ｃの下側面４１ｃ２および第１基板４１ａの上側面４１ａ２は、図２（Ａ），（Ｂ）に示す取付面４０ａおよび反取付面４０ｂに相当する。

以上説明したように、本第１実施形態に係るセンサチップ４０は、基板４１の反取付面４０ｂに形成される開口部４２の開口側面４２ａから当該開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を備えている。この梁部４３内には、密閉状態である圧力基準室４４が形成されるとともに、この圧力基準室４４の圧力と圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラム４５と、このダイアフラム４５上に設けられ当該ダイアフラム４５の変位に応じた信号を出力する圧力検出部４６とが形成されている。

このように、梁部４３は、開口部４２の開口側面４２ａから当該開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持されることによりその支持部位の断面積を小さくしているので、コネクタケース２０から取付面４０ａを介して梁部４３に伝達される外乱応力を抑制することができる。そして、この梁部４３内に、ダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられているので、コネクタケース２０からダイアフラム４５に伝達される外乱応力に起因するノイズを低減することができる。

特に、ダイアフラム４５は、梁部４３内に密閉状態で形成された圧力基準室４４の圧力と被測定圧力との圧力差に応じて変位するので、梁部４３がたわむ必要もない。
したがって、コネクタケース２０からダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。

また、本第１実施形態に係るセンサチップ４０では、圧力検出部４６は、ダイアフラム４５に対して圧力基準室４４側に配置されている。これにより、圧力検出部４６が梁部４３内に設けられることとなるので、当該圧力検出部４６や導電部４７を腐食等から保護する必要をなくすことができる。

また、本第１実施形態に係るセンサチップ４０の製造方法では、センサチップ４０は、上述した第１工程〜第６工程により製造されている。すなわち、第１工程により、圧力検出部４６を第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に形成する。そして、第２工程により、凹部４４ａが上側面４１ｂ_１に形成される第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と犠牲層４９が上側面４１ｃ_１に形成される第３基板４１ｃの当該上側面４１ｃ_１とを犠牲層４９を介して貼り合せる。そして、第３工程により、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する。そして、第４工程により、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨することにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する。そして、第５工程により、ダイアフラム４５の周囲の第１基板４１ａおよび第２基板４１ｂの一部を残して他部に第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から犠牲層４９に達するトレンチ４２ｂを形成する。そして、第６工程により、トレンチ４２ｂ近傍の犠牲層４９を除去することによりトレンチ４２ｂと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と犠牲層４９の残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３であってダイアフラム４５および圧力検出部４６を有する梁部４３を形成する。

このように製造されるセンサチップ４０を第３基板４１ｃの下側面４１ｃ_２である取付面４０ａを介して被取付部材であるコネクタケース２０に取り付けるとき、梁部４３は、開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持されることによりその支持部位の断面積を小さくしているので、コネクタケース２０から取付面４０ａを介して梁部４３に伝達される外乱応力を抑制することができる。そして、この梁部４３内に、ダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられているので、コネクタケース２０からダイアフラム４５に伝達される外乱応力に起因するノイズを低減することができる。

特に、犠牲層４９の膜厚を調整することで梁部４３と開口部４２の開口底面４２ｃとの間の空間の大きさを容易に変更することができる。また、犠牲層４９はその製法上膜厚が均一になりやすいので、梁部４３と開口部４２の開口底面４２ｃとの間の空間の大きさにばらつきが生じることもない。さらに、第２基板４１ｂの厚さを変更することにより、梁部４３の厚さを容易に変更することができる。

また、本第１実施形態に係るセンサチップ４０を採用する圧力センサ１０では、センサチップ４０が取り付けられた被取付部材であるコネクタケース２０から当該センサチップ４０のダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる等の、上述した各発明および後述する各発明による作用・効果を享受した圧力センサを実現することができる。

図４（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態の第１の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。
第１実施形態の第１の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法として、図４（Ａ）〜（Ｅ）に示す製造方法によりセンサチップ４０を製造してもよい。以下、第１実施形態の第１の変形例におけるセンサチップ４０を製造方法の工程を図４（Ａ）〜（Ｅ）を用いて詳細に説明する。

まず、図４（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上述のごとく圧力検出部４６および導電部４７を形成するとともに当該圧力検出部４６の周囲の一部を除いて他部に上側面４１ａ_２から下側面４１ａ_１まで第１基板４１ａを貫通する第１トレンチ４２ｄを形成する（第１工程）。この第１トレンチ４２ｄと後述する第２トレンチ４２ｅとが連通して形成されるトレンチは、上述したトレンチ４２ｂに相当する。

次に、図４（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に凹部４４ａを形成するとともに凹部４４ａの周囲であって第１トレンチ４２ｄに連通可能に上側面４１ｂ_１から下側面４１ｂ_２まで貫通する第２トレンチ４２ｅを形成する。そして、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１の全面に犠牲層４９を形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを犠牲層４９を介して貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図４（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるとともに第１トレンチ４２ｄと第２トレンチ４２ｅとを連通させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図４（Ｄ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第４工程）。

次に、図４（Ｅ）に示すように、第２トレンチ４２ｅ近傍の犠牲層４９を除去することにより第１トレンチ４２ｄおよび第２トレンチ４２ｅと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と犠牲層４９の残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成する。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第５工程）。
こうして、図２（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ４０が完成する。

上述のごとく開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成するとともにこの梁部４３内にダイアフラム４５および圧力検出部４６を設けるようにセンサチップ４０を製造してもよい。特に、第１基板４１ａと第２基板４１ｂとを貼り合わせる前に両基板４１ａ，４１ｂに第１トレンチ４２ｄおよび第２トレンチ４２ｅを形成するので、両基板４１ａ，４１ｂを貼り合わせた後にトレンチ４２ｂを形成する場合と比較してトレンチの深さが短くなるので、トレンチエッチング時間を短縮することができる。

図５（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態の第２の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。
第１実施形態の第２の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法として、図５（Ａ）〜（Ｅ）に示す製造方法によりセンサチップ４０を製造してもよい。以下、第１実施形態の第２の変形例におけるセンサチップ４０を製造方法の工程を図５（Ａ）〜（Ｅ）を用いて詳細に説明する。

まず、図５（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上述のごとく圧力検出部４６および導電部４７を形成する。（第１工程）。

次に、図５（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に第１凹部４４ａを形成する。そして、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１に第１凹部４４ａより開口面積が大きな第２凹部４２ｆを形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを、第１凹部４４ａと第２凹部４２ｆとを近接させるように貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図５（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と第１凹部４４ａとを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、第１凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図５（Ｄ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第４工程）。

次に、図５（Ｅ）に示すように、ダイアフラム４５の周囲の第１基板４１ａおよび第２基板４１ｂの一部を残して他部に第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から第２凹部４２ｆに達するトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図２（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する。これにより、トレンチ４２ｂと第２凹部４２ｆとにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３が形成される。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第５工程）。
こうして、図２（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ４０が完成する。

上述のごとく開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成するとともにこの梁部４３内にダイアフラム４５および圧力検出部４６を設けるようにセンサチップ４０を製造してもよい。特に、第２凹部４２ｆの厚さを調整することで梁部４３と開口部４２の開口底面４２ｃとの間の空間の大きさを容易に変更することができる。さらに、第２基板４１ｂの厚さを変更することにより、梁部４３の厚さを容易に変更することができる。

図６（Ａ）〜（Ｄ）は、第１実施形態の第３の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。
第１実施形態の第３の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法として、図６（Ａ）〜（Ｄ）に示す製造方法によりセンサチップ４０を製造してもよい。以下、第１実施形態の第３の変形例におけるセンサチップ４０を製造方法の工程を図６（Ａ）〜（Ｄ）を用いて詳細に説明する。

まず、図６（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上述のごとく圧力検出部４６および導電部４７を形成するとともに当該圧力検出部４６の周囲の一部を除いて他部に上側面４１ａ_２から下側面４１ａ_１まで第１基板４１ａを貫通する第１トレンチ４２ｄを形成する。（第１工程）。この第１トレンチ４２ｄと後述する第２トレンチ４２ｅとが連通して形成されるトレンチは、上述したトレンチ４２ｂに相当する。

次に、図６（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に第１凹部４４ａを形成するとともに凹部４４ａの周囲であって第１トレンチ４２ｄに連通可能に上側面４１ｂ_１から下側面４１ｂ_２まで貫通する第２トレンチ４２ｅを形成する。そして、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１に第１凹部４４ａより開口面積が大きな第２凹部４２ｆを形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを、第１凹部４４ａと第２凹部４２ｆとを近接させるように貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図６（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と第１凹部４４ａとを近接させるとともに第１トレンチ４２ｄと第２トレンチ４２ｅとを連通させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、第１凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図６（Ｄ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成することにより、第１トレンチ４２ｄおよび第２トレンチ４２ｅと第２凹部４２ｆとにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成する。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第４工程）。
こうして、図２（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ４０が完成する。

上述のごとく開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成するとともにこの梁部４３内にダイアフラム４５および圧力検出部４６を設けるようにセンサチップ４０を製造してもよい。特に、第２凹部４２ｆの厚さを調整することで梁部４３と開口部４２の開口底面４２ｃとの間の空間の大きさを容易に変更することができる。また、第２基板４１ｂの厚さを変更することにより、梁部４３の厚さを容易に変更することができる。さらに、第１基板４１ａと第２基板４１ｂとを貼り合わせる前に両基板４１ａ，４１ｂに第１トレンチ４２ｄおよび第２トレンチ４２ｅを形成するので、両基板４１ａ，４１ｂを貼り合わせた後にトレンチ４２ｂを形成する場合と比較してトレンチの深さが短くなるので、トレンチエッチング時間を短縮することができる。

図７（Ａ）〜（Ｆ）は、第１実施形態の第４の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。
第１実施形態の第４の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法として、図７（Ａ）〜（Ｆ）に示す製造方法によりセンサチップ４０を製造してもよい。以下、第１実施形態の第４の変形例におけるセンサチップ４０を製造方法の工程を図７（Ａ）〜（Ｆ）を用いて詳細に説明する。

まず、図７（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上述のごとく圧力検出部４６および導電部４７を形成する。（第１工程）。

次に、図７（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂを用意し、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に凹部４４ａを形成する。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する。そして、凹部４４ａと圧力検出部４６とを近接させるように第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを貼り合せることにより、凹部４４ａと第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第２工程）。

次に、図７（Ｃ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第３工程）。

次に、図７（Ｄ）に示すように、ダイアフラム４５の周囲の第１基板４１ａおよび第２基板４１ｂの一部を残して他部に第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から第２基板４１ｂを貫通しない深さのトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図２（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する（第４工程）。

次に、図７（Ｅ）に示すように、トレンチ４２ｂの側面に保護膜４２ｇを形成する（第５工程）。

次に、図７（Ｆ）に示すように、トレンチ４２ｂの端部近傍の第２基板４１ｂを等方性エッチングにより除去することでトレンチ４２ｂと第２基板４１ｂの等方性エッチングによる残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３が形成される。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第６工程）。
こうして、図２（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ４０が完成する。

上述のごとく開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成するとともにこの梁部４３内にダイアフラム４５および圧力検出部４６を設けるようにセンサチップ４０を製造してもよい。特に、トレンチ４２ｂの深さを調整して等方性エッチングの開始地点を制御することにより、梁部４３の厚さを容易に変更することができる。

図８（Ａ）〜（Ｆ）は、第１実施形態の第５の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法の工程を示す説明図である。
第１実施形態の第５の変形例におけるセンサチップ４０の製造方法として、図８（Ａ）〜（Ｆ）に示す製造方法によりセンサチップ４０を製造してもよい。以下、第１実施形態の第５の変形例におけるセンサチップ４０を製造方法の工程を図８（Ａ）〜（Ｆ）を用いて詳細に説明する。

まず、図８（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上述のごとく圧力検出部４６および導電部４７を形成するとともに当該圧力検出部４６の周囲の一部を除いて他部に上側面４１ａ_２から下側面４１ａ_１まで第１基板４１ａを貫通する第１トレンチ４２ｄを形成する。（第１工程）。この第１トレンチ４２ｄと後述する第２トレンチ４２ｅとが連通して形成されるトレンチは、上述したトレンチ４２ｂに相当する。

次に、図８（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂを用意し、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に凹部４４ａを形成するとともに凹部４４ａの周囲であって第１トレンチ４２ｄに連通可能に上側面４１ｂ_１から当該第２基板４１ｂを貫通しないように第２トレンチ４２ｅを形成する。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図８（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるとともに第１トレンチ４２ｄと第２トレンチ４２ｅとを連通させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図８（Ｄ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第４工程）。

次に、図８（Ｅ）に示すように、第１トレンチ４２ｄと第２トレンチ４２ｅの側面に保護膜４２ｇを形成する（第５工程）。

次に、図８（Ｆ）に示すように、第２トレンチ４２ｅの端部近傍の第２基板４１ｂを等方性エッチングにより除去することで第１トレンチ４２ｄと第２トレンチ４２ｅと第２基板４１ｂの等方性エッチングによる残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３が形成される。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第６工程）。
こうして、図２（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ４０が完成する。

上述のごとく開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成するとともにこの梁部４３内にダイアフラム４５および圧力検出部４６を設けるようにセンサチップ４０を製造してもよい。特に、第２トレンチ４２ｅの深さを調整して等方性エッチングの開始地点を制御することにより、梁部４３の厚さを容易に変更することができる。さらに、第１基板４１ａと第２基板４１ｂとを貼り合わせる前に両基板４１ａ，４１ｂに第１トレンチ４２ｄおよび第２トレンチ４２ｅを形成するので、両基板４１ａ，４１ｂを貼り合わせた後にトレンチ４２ｂを形成する場合と比較してトレンチの深さが短くなるので、トレンチエッチング時間を短縮することができる。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を図９を参照して説明する。図９（Ａ）は、第２実施形態に係るセンサチップ５０の平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示す９Ｂ−９Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第２実施形態に係るセンサチップ５０では、圧力検出部４６は、ダイアフラム４５に対して反圧力基準室側に配置されている点が、上記第１実施形態にて述べたセンサチップ４０と主に異なる。したがって、第１実施形態のセンサチップ４０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

以下、センサチップ５０を製造方法の工程を図１０（Ａ）〜（Ｅ）を用いて詳細に説明する。図１０（Ａ）〜（Ｅ）は、第２実施形態におけるセンサチップ５０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図１０（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの上側面４１ａ_２に、上記第１実施形態と同様に圧力検出部４６および導電部４７を形成するとともに当該第１基板４１ａの下側面４１ａ_１を研磨する。（第１工程）。

次に、図１０（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ１に凹部４４ａを形成するとともに、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１の全面に犠牲層４９を形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを犠牲層４９を介して貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図１０（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成するとともにこの圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第３工程）。

次に、図１０（Ｄ）に示すように、ダイアフラム４５の周囲の第１基板４１ａおよび第２基板４１ｂの一部を残して他部に第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から犠牲層４９に達するトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図９（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する（第４工程）。

次に、図１０（Ｅ）に示すように、トレンチ４２ｂ近傍の犠牲層４９を除去することによりトレンチ４２ｂと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と犠牲層４９の残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成する。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第５工程）。
こうして、図９（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ５０が完成する。

以上説明したように、本第２実施形態に係るセンサチップ５０では、圧力検出部４６は、ダイアフラム４５に対して反圧力基準室側に配置されている。このようにしても、コネクタケース２０からダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、圧力検出部４６が梁部４３の表面である第１基板４１ａの上側面４１ａ_２に設けられることとなるので、当該圧力検出部４６からの信号を出力するための各導電部４７とコネクタケース２０の各ターミナル２２との接続を、貫通電極４８等の製造コストの高い接続方法に代えて、ワイヤ２２ａを利用したワイヤボンディング等の製造コストの低い接続方法で接続することができる。

また、本第２実施形態に係るセンサチップ５０の製造方法では、センサチップ４０は、上述した第１工程〜第５工程により製造されている。このように、第１基板４１ａの下側面４１ａ_１および第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１には、圧力検出部４６や導電部４７が含まれないため、第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１との貼り合わせが容易になる。

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を図１１を参照して説明する。図１１（Ａ）は、第３実施形態に係るセンサチップ６０の平面図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示す１１Ｂ−１１Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第３実施形態に係るセンサチップ６０では、ダイアフラム４５は、圧力基準室４４に対して取付面４０ａ側に配置されている点が、上記第１実施形態にて述べたセンサチップ４０と異なる。したがって、第１実施形態のセンサチップ４０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

以下、センサチップ６０を製造方法の工程を図１２（Ａ）〜（Ｆ）を用いて詳細に説明する。図１２（Ａ）〜（Ｆ）は、第３実施形態におけるセンサチップ６０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図１２（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に凹部４４ａを形成する（第１工程）。

次に、図１２（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１の全面に犠牲層４９を形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを犠牲層４９を介して貼り合せる（第２工程）。

次に、図１２（Ｃ）に示すように、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１を研磨して当該第２基板４１ｂの厚さを薄くする。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に形成される導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する。そして、研磨後の上側面４１ｂ_１に圧力検出部４６および導電部４７を形成する（第３工程）。

次に、図１２（Ｄ）に示すように、凹部４４ａと圧力検出部４６とを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより凹部４４ａと第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第４工程）。

次に、図１２（Ｅ）に示すように、圧力検出部４６の周囲の第１基板４１ａおよび第２基板４１ｂの一部を残して他部に第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から犠牲層４９に達するトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図１１（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する（第５工程）。

次に、図１２（Ｆ）に示すように、トレンチ４２ｂ近傍の犠牲層４９を除去することにより、圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成するとともにトレンチ４２ｂと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と犠牲層４９の残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成する。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第６工程）。
こうして、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ６０が完成する。

以上説明したように、本第３実施形態に係るセンサチップ６０では、ダイアフラム４５は、圧力基準室４４に対して取付面４０ａ側に配置されている。このようにしても、コネクタケース２０からダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、ダイアフラム４５は開口部４２内にて開口底面４２ｃ等に対向するように配置されることとなるので、圧力媒体に含まれる異物のうち開口部４２と梁部４３との間の隙間よりも大きな異物の開口部内への進入が防止されることから、異物の衝突によるダイアフラム４５の破損の可能性を低減させることができる。

また、本第３実施形態に係るセンサチップ６０の製造方法では、センサチップ６０は、上述した第１工程〜第６工程により製造されている。このように、第２基板４１ｂと第３基板４１ｃとを貼り合わせた状態で第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１を研磨するため、剛性が高まり、薄い基板を研磨する場合と比較して研磨が容易になる。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を図１３を参照して説明する。図１３（Ａ）は、第４実施形態に係るセンサチップ７０の平面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）に示す１３Ｂ−１３Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第４実施形態に係るセンサチップ７０は、開口部７２が取付面４０ａまで矩形状に貫通するように形成されている点が、上記第１実施形態にて述べたセンサチップ４０と異なる。したがって、第１実施形態のセンサチップ４０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

以下、センサチップ７０を製造方法の工程を図１４（Ａ）〜（Ｅ）を用いて詳細に説明する。図１４（Ａ）〜（Ｅ）は、第４実施形態におけるセンサチップ７０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図１４（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上記第１実施形態と同様に圧力検出部４６および導電部４７を形成する。（第１工程）。

次に、図１４（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に凹部４４ａを形成する。そして、第３基板４１ｃに凹部４４ａより開口面積が大きな矩形状の貫通部７２ａを形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを、凹部４４ａと貫通部７２ａとを近接させるように貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図１４（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図１４（Ｄ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第４工程）。

次に、図１４（Ｅ）に示すように、ダイアフラム４５の周囲の第１基板４１ａおよび第２基板４１ｂの一部を残して他部に第１基板４１ａの上側面４１ａ２から貫通部７２ａに達するトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図１３（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する。これにより、トレンチ４２ｂと貫通部７２ａとにより形成される開口部７２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３が形成される。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第５工程）。
こうして、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ７０が完成する。

以上説明したように、本第４実施形態に係るセンサチップ７０は、開口部７２は、取付面４０ａまで貫通して形成されている。このようにしても、コネクタケース２０からダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、取付面４０ａと被取付部材であるコネクタケース２０との接触面積が小さくなるので、コネクタケース２０から取付面４０ａを介して伝達される外乱応力を抑制することができる。なお、貫通部７２ａは、矩形状に形成されることに限らず、例えば、円形状に形成されてもよい。

また、本第４実施形態に係るセンサチップ７０の製造方法では、センサチップ４０は、上述した第１工程〜第５工程により製造されている。特に、貫通部７２ａを第３基板４１ｃの両側面４１ｃ_１，４１ｃ_２からトレンチエッチングを施して形成することにより、トレンチエッチング時間を短縮することができる。なお、貫通部７２ａを切削等の機械加工により形成してもよい。

［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態を図１５を参照して説明する。図１５（Ａ）は、第５実施形態に係るセンサチップ８０の平面図であり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示す１５Ｂ−１５Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第５実施形態に係るセンサチップ８０は、梁部４３がその取付面４０ａ側の面（以下、底面４３ａともいう）の一側端部にて開口部４２の開口底面４２ｃから突出する凸状支持部８１により片持ち梁状に支持されている点が、上記第１実施形態にて述べたセンサチップ４０と異なる。したがって、第１実施形態のセンサチップ４０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

以下、センサチップ８０を製造方法の工程を図１６（Ａ）〜（Ｄ）および図１７（Ｅ）〜（Ｈ）を用いて詳細に説明する。図１６（Ａ）〜（Ｄ）および図１７（Ｅ）〜（Ｈ）は、第５実施形態におけるセンサチップ８０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図１６（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、圧力検出部４６および導電部４７を形成する（第１工程）。

次に、図１６（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂを用意し、この第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に凹部４４ａを形成する（第２工程）。

次に、図１６（Ｃ）に示すように、凹部４４ａの開口面積よりも表面積を大きくした第１犠牲層４９ａとその周囲に当該第１犠牲層４９ａよりも除去速度の遅い第２犠牲層４９ｂとを第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１に形成する（第３工程）。

次に、図１６（Ｄ）に示すように、凹部４４ａと第１犠牲層４９ａを近接させるように第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを第１犠牲層４９ａおよび第２犠牲層４９ｂを介して貼り合せる。そして、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき導電部４７に接続可能な部位であって、後述する凸状支持部８１を貫通可能な部位に貫通電極４８を形成する（第４工程）。

次に、図１７（Ｅ）に示すように、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第５工程）。

次に、図１７（Ｆ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第６工程）。

次に、図１７（Ｇ）に示すように、第１犠牲層４９ａおよび一部の第２犠牲層４９ｂを囲むように第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１に達するトレンチ４２ｂを形成する（第７工程）。

次に、図１７（Ｈ）に示すように、第１犠牲層４９ａおよび第２犠牲層４９ｂの除去速度の差を利用してトレンチ４２ｂに囲まれる第１犠牲層４９ａを全て除去するとともに第２犠牲層４９ｂを一部除去することによりトレンチ４２ｂと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とにより形成される開口部４２内にてその開口底面４２ｃに形成される第２犠牲層４９ｂの残部である凸状支持部８１により片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成する。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第８工程）。
こうして、図１５（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ８０が完成する。

以上説明したように、本第５実施形態に係るセンサチップ８０は、梁部４３は、その底面４３ａの一側端部にて開口部４２の開口底面４２ｃから突出する凸状支持部８１により片持ち梁状に支持されている。このようにしても、コネクタケース２０からダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、ダイアフラム４５を反取付面４０ｂ側に設ける場合、このダイアフラム４５と凸状支持部８１とが離間されることとなるので、被取付部材であるコネクタケース２０からダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。

また、圧力検出部４６からの信号を出力するための貫通電極４８を取付面４０ａから凸状支持部８１を挿通するように設けることにより、凸状支持部８１の機械的特性を貫通電極４８の機械的特性に近づけることができ、衝撃や振動による凸状支持部８１の破損を防止することができる。なお、凸状支持部８１は、貫通電極４８のみで構成されてもよい。

さらに、梁部４３は、凸状支持部８１により取付面４０ａに対して垂直方向に支持されることとなるので、コネクタケース２０から取付面４０ａを介して伝達される外乱応力のうち取付面４０ａに対して平行方向の外乱応力の伝達を確実に抑制することができる。

［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態を図１８を参照して説明する。図１８（Ａ）は、第６実施形態に係るセンサチップ９０の平面図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）に示す１８Ｂ−１８Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第６実施形態に係るセンサチップ９０は、基板９１の取付面４０ａにてコネクタケース２０の凹部２１ａに配設されている。そして、この取付面４０ａの外縁に連なる基板９１の側面４０ｃには、外方へ片持ち梁状に突出して支持される梁部４３が形成されている。梁部４３内には、上記第１実施形態にて述べた圧力基準室４４、ダイアフラム４５および各圧力検出部４６が形成されている。各圧力検出部４６には各導電部４７の一側端部がそれぞれ電気的に接続されるとともに、各導電部４７の他側端部には、基板４１を貫通する４つの貫通電極４８がそれぞれ電気的に接続されている。

次に、上述したセンサチップ９０を製造方法の工程を図１９（Ａ）〜（Ｄ）および図２０（Ｅ）〜（Ｇ）を用いて詳細に説明する。図１９（Ａ）〜（Ｄ）および図２０（Ｅ）〜（Ｇ）は、第６実施形態におけるセンサチップ９０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図１９（Ａ）に示すように、第１基板９１ａを用意し、この第１基板９１ａの下側面９１ａ_１に、複数の圧力検出部４６および導電部４７を当該第１基板９１ａの長手方向へ等間隔に離間して形成する（第１工程）。

次に、図１９（Ｂ）に示すように、第２基板９１ｂおよび第３基板９１ｃを用意する。そして、第２基板９１ｂの上側面９１ｂ_１に各圧力検出部４６の離間距離と等しい距離にて長手方向へ等間隔に離間して凹部４４ａを複数形成するとともに、第３基板９１ｃの上側面９１ｃ_１の全面に犠牲層９９を形成する。そして、第２基板９１ｂの下側面９１ｂ_２と第３基板９１ｃの上側面９１ｃ_１とを犠牲層９９を介して貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板９１ｂの上側面９１ｂ_１と第１基板９１ａの下側面９１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、各導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を複数形成する（第２工程）。

次に、図１９（Ｃ）に示すように、各圧力検出部４６と各凹部４４ａとをそれぞれ近接させるように第１基板９１ａの下側面９１ａ_１と第２基板９１ｂの上側面９１ｂ_１とを貼り合わせることにより、各凹部４４ａと下側面９１ａ_１とでもって複数の圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図１９（Ｄ）に示すように、第１基板９１ａの上側面９１ａ_２を研磨して各圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成する複数のダイアフラム４５を形成する（第４工程）。

次に、図２０（Ｅ）に示すように、各ダイアフラム４５近傍にて第１基板９１ａの短手方向に延びかつ第１基板９１ａの上側面９１ａ_２から犠牲層９９に達する深溝部９２をハーフカット等により各圧力検出部４６の離間距離と等しい距離にて長手方向へ等間隔に離間して複数形成する（第５工程）。

次に、図２０（Ｆ）に示すように、各深溝部９２近傍の犠牲層９９を除去することにより深溝部９２と第３基板９１ｃの上側面９１ｃ_１と犠牲層９９の残部とにより形成される片持ち梁状に突出して支持される複数の梁部４３をそれぞれ形成する。各梁部４３には、ダイアフラム４５および圧力検出部４６がそれぞれ設けられることとなる（第６工程）。

次に、図２０（Ｇ）に示すように、第７工程により、各深溝部９２を貫通するように第３基板９１ｃを複数箇所切断することにより図１８（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ９０を複数得る（第７工程）。

以上説明したように、本第６実施形態に係るセンサチップ９０では、梁部４３は、基板９１の側面９０ｃから外方へ片持ち梁状に突出して支持されることによりその支持部位の断面積を小さくしているので、コネクタケース２０から取付面９０ａを介して梁部４３に伝達される外乱応力を抑制することができる。そして、この梁部４３内に、ダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられているので、コネクタケース２０からダイアフラム４５に伝達される外乱応力に起因するノイズを低減することができる。特に、ダイアフラム４５は、梁部４３内に密閉状態で形成された圧力基準室４４の圧力と被測定圧力との圧力差に応じて変位するので、梁部がたわむ必要もない。

また、本第６実施形態に係るセンサチップ９０の製造方法のように、片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成するとともにこの梁部４３内にダイアフラム４５および圧力検出部４６を設けるようにセンサチップ９０を複数製造してもよい。特に、ハーフカット等の加工により深溝部９２を形成することができるので、犠牲層９９を削除するためのトレンチエッチングが不要となり製造工程を簡素化することができる。

図２１（Ａ）〜（Ｅ）は、第６実施形態の第１の変形例におけるセンサチップ９０の製造方法の工程を示す説明図である。
第６実施形態の第１の変形例におけるセンサチップ９０の製造方法として、図２１（Ａ）〜（Ｅ）に示す製造方法によりセンサチップ９０を製造してもよい。以下、第６実施形態の第１の変形例におけるセンサチップ９０を製造方法の工程を図２１（Ａ）〜（Ｅ）を用いて詳細に説明する。

まず、図２１（Ａ）に示すように、第１基板９１ａを用意し、この第１基板９１ａの下側面９１ａ_１に、上述のごとく圧力検出部４６および導電部４７を形成する。（第１工程）。

次に、図２１（Ｂ）に示すように、第２基板９１ｂおよび第３基板９１ｃを用意する。そして、第２基板９１ｂの上側面９１ｂ_１に第１凹部４４ａを形成する。そして、第３基板９１ｃの上側面９１ｃ_１に第１凹部４４ａより開口面積が大きな断面凹状の浅溝部９２ａを形成する。そして、第２基板９１ｂの下側面９１ｂ_２と第３基板９１ｃの上側面９１ｃ_１とを、第１凹部４４ａと浅溝部９２ａとを近接させるように貼り合せる。そして、浅溝部９２ａを貫通しない部位であって、第２基板９１ｂの上側面９１ｂ_１と第１基板９１ａの下側面９１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第２工程）。

次に、図２１（Ｃ）に示すように、圧力検出部４６と第１凹部４４ａとを近接させるように第１基板９１ａの下側面９１ａ_１と第２基板９１ｂの上側面９１ｂ_１とを貼り合わせることにより、第１凹部４４ａと下側面９１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第３工程）。

次に、図２１（Ｄ）に示すように、第１基板９１ａの上側面９１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第４工程）。

次に、図２１（Ｅ）に示すように、ダイアフラム４５近傍にて浅溝部９２ａをその延在方向に分断するように第１基板９１ａ、第２基板９１ｂおよび第３基板９１ｃを切断することにより片持ち梁状に突出して支持される梁部４３が形成される。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第５工程）。
こうして、図１８（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ９０が完成する。

上述のごとく片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成するとともにこの梁部４３内にダイアフラム４５および圧力検出部４６を設けるようにセンサチップ９０を製造してもよい。これにより、上記第６実施形態に係る発明による作用・効果に加えて、上記第６実施形態におけるハーフカット等の加工による深溝部９２を形成する工程（上記第６実施形態における第５工程）をなくすことができる。

［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態を図２２を参照して説明する。図２２（Ａ）は、第７実施形態に係るセンサチップ１００の平面図であり、図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）に示す２２Ｂ−２２Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第７実施形態に係るセンサチップ１００は、基板１０１の取付面１００ａにてコネクタケース２０の凹部２１ａに配設されている。そして、この取付面１００ａの外縁に連なる基板１０１の側面１００ｃのうち隣接する２つの側面から互いに平行にそれぞれ外方へ片持ち梁状に突出する第１梁状突出部１０３ａおよび第２梁状突出部１０３ｂと両梁状突出部１０３ａ，１０３ｂにより、支持部位１０３ｄ，１０３ｅ（図２２、図２３中の二点鎖線部位参照）にて支持される第３梁状突出部１０３ｃとからなる梁部１０３が設けられている。この梁部１０３の第３梁状突出部１０３ｃ内には、上記第１実施形態にて述べた圧力基準室４４、ダイアフラム４５および各圧力検出部４６が形成されている。各圧力検出部４６には各導電部４７の一側端部がそれぞれ電気的に接続されるとともに、各導電部４７の他側端部には、基板４１を貫通する４つの貫通電極４８がそれぞれ電気的に接続されている。

次に、上述したセンサチップ１００を製造方法の工程を図２３（Ａ）〜（Ｄ）を用いて詳細に説明する。図２３（Ａ）〜（Ｄ）は、第７実施形態におけるセンサチップ１００の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図２３（Ａ）に示すように、第１基板１０１ａを用意し、この第１基板１０１ａの下側面１０１ａ_１に、上述のごとく圧力検出部４６および導電部４７を形成する。（第１工程）。

次に、図２３（Ｂ）に示すように、第２基板１０１ｂを用意し、第２基板１０１ｂの上側面１０１ｂ_１に凹部４４ａを形成する。そして、後述する梁部１０３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板１０１ｂの上側面１０１ｂ_１と第１基板１０１ａの下側面１０１ａ_１とを後述するように貼り合せたとき、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する。そして、凹部４４ａと圧力検出部４６とを近接させるように第２基板１０１ｂの上側面１０１ｂ_１と第１基板１０１ａの下側面１０１ａ_１とを貼り合せることにより、凹部４４ａと第１基板１０１ａの下側面１０１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第２工程）。

次に、図２３（Ｃ）に示すように、第１基板１０１ａの上側面１０１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第３工程）。

次に、図２３（Ｄ）に示すように、第１の刃部１１１および第２の刃部１１２を有するバイト１１０を用いて、第１の刃部１１１でもって、ダイアフラム４５近傍の第１基板１０１ａおよび第２基板１０１ｂを切断する。これと同時に、第２の刃部１１２でもって、第２基板１０１ｂのうち圧力基準室４４よりも当該第２基板１０１ｂの下側面１０１ｂ_２側の部位を第１基板１０１ａの上側面１０１ａ_２から見てＬ字状に削り取ることにより隣接する２つの削取面１００ｃから互いに平行にそれぞれ外方へ片持ち梁状に突出する第１梁状突出部１０３ａおよび第２梁状突出部１０３ｂと両梁状突出部１０３ａ，１０３ｂにより支持される第３梁状突出部１０３ｃとからなる梁部１０３を形成する。この梁部１０３の第３梁状突出部１０３ｃには、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第４工程）。

こうして、図２２（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ１００が完成する。なお、第１基板１０１ａ、第２基板１０１ｂおよび第３基板１０１ｃは、図２２（Ａ），（Ｂ）に示す基板１０１に相当する。

以上説明したように、本第７実施形態に係るセンサチップ１００では、第３梁状突出部１０３ｃは第１梁状突出部１０３ａおよび第２梁状突出部１０３ｂの双方により支持されているので、第１梁状突出部１０３ａによる第３梁状突出部１０３ｃの支持部位１０３ｄと第２梁状突出部１０３ｂによる第３梁状突出部１０３ｃの支持部位１０３ｅとが交差する。

これにより、第３梁状突出部１０３ｃは、交差する両支持部位１０３ｄ，１０３ｅにより支持されることとなるので、断面積が等しい１つの支持部位により支持される場合と比較して、支持強度を増加させることができる。

また、本第７実施形態に係るセンサチップ１００の製造方法では、センサチップ４０は、上述した第１工程〜第４工程により製造されている。このように、梁部１０３の形成時に薬液やガスを用いるエッチングを実施することなく、バイト１１０により機械加工を施して梁部を形成することができる。特に、切断（ダイシング）と同時に梁部１０３を形成することができるので、製造工程を簡素化することができる。

［第８実施形態］
次に、本発明の第８実施形態を図３４を参照して説明する。図３４（Ａ）は、第８実施形態に係るセンサチップ１３０の平面図であり、図３４（Ｂ）は、図３４（Ａ）に示す３４Ｂ−３４Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図３４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第８実施形態に係るセンサチップ１３０では、梁部４３のうち圧力基準室４４に対して反ダイアフラム側は、ポーラス構造部（多孔質構造）１３１により構成されている点が、上記第１実施形態にて述べたセンサチップ４０と主に異なる。したがって、第１実施形態のセンサチップ４０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

以下、センサチップ１３０を製造方法の工程を図３５（Ａ）〜（Ｅ）および図３６（Ｆ）〜（Ｉ）を用いて詳細に説明する。図３５（Ａ）〜（Ｅ）および図３６（Ｆ）〜（Ｉ）は、第８実施形態におけるセンサチップ１３０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図３５（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上記第１実施形態と同様に圧力検出部４６および導電部４７を形成し、圧力検出部４６の周囲の一部を除いて他部に上側面４１ａ_２から下側面４１ａ_１まで当該第１基板４１ａを貫通する第１トレンチ１３２を形成した後、上側面４１ａ_２を研磨する（第１工程）。この第１トレンチ１３２は、具体的には、例えば、図３４（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状に形成される。また、上記研磨により、ダイアフラム４５として機能する部位が形成される。また、本第８実施形態に係る第１工程では、上側面４１ａ_２を研磨した後、第１トレンチ１３２を形成してもよい。

次に、図３５（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂを用意し、後述するように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせたときに第１トレンチ１３２に連通可能な第２トレンチ１３３と、この第２トレンチ１３３および第１トレンチ１３２を連通させたとき圧力検出部４６に近接する第３トレンチ１３４と、を第２基板４１ｂに貫通するように形成する（第２工程）。

次に、図３５（Ｃ）に示すように、第１トレンチ１３２と第２トレンチ１３３とを連通させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせて、第３トレンチ１３４と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とにより凹部４４ａを形成する（第３工程）。

次に、図３５（Ｄ）に示すように、第３基板４１ｃを用意し、当該第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１の一部に所定の深さのポーラス構造部（多孔質構造部）１３１を設ける（第４工程）。ポーラス構造部１３１は、例えば、ポーラスシリコンであって、第３基板４１ｃをフッ化水素酸溶液中で陽極化成することにより形成される。

次に、図３５（Ｅ）に示すように、ポーラス構造部１３１と凹部４４ａとを近接させるように第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２とを貼り合わせるときに、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１のうち第２トレンチ１３３内に露出する面とこの露出面に囲まれるポーラス構造部１３１の表面の一部とを除いた面に、後述するエッチング材に対する保護層１３５を設ける（第５工程）。

次に、図３６（Ｆ）に示すように、保護層１３５により保護されていない第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１に対してポーラス構造部１３１の細孔を通過可能なエッチング材を用いたエッチング処理を施すことにより保護層１３５により保護された部位を除くポーラス構造部１３１の周囲に空洞部１３６を形成する（第６工程）。

次に、図３６（Ｇ）に示すように、保護層１３５を除去した後、ポーラス構造部１３１の空隙を閉鎖するために閉鎖膜１３７を設ける。

次に、図３６（Ｈ）に示すように、第２トレンチ１３３および空洞部１３６を連通するように第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａとポーラス構造部１３１とでもって圧力基準室４４を形成するとともに、空洞部１３６と第１トレンチ１３２および第２トレンチ１３３とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を形成する（第７工程）。この梁部４３は、ダイアフラム４５および圧力検出部４６を有し、圧力基準室４４に対して反ダイアフラム側がポーラス構造部１３１で構成されている。

次に、図３６（Ｉ）に示すように、貫通電極４８を導電部４７の所定の部位に接続するように形成する。
こうして、図３４（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ１３０が完成する。

以上説明したように、本第８実施形態に係るセンサチップ１３０では、梁部４３のうち圧力基準室４４に対して反ダイアフラム側は、ポーラス構造部１３１（多孔質構造）である。これにより、梁部４３には局所的に非連続な多孔質領域を設けることができるので、ダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、ポーラス構造部１３１の部位では密度が小さくなるため共振周波数を大きくすることができ、共振による梁部４３の破損を防止することができる。

また、本第８実施形態に係るセンサチップ１３０の製造方法では、センサチップ１３０は、主に上述した第１工程〜第７工程により製造されている。このように、ポーラス構造部１３１の細孔を通過可能なエッチング材を用いるので、ポーラス構造部１３１の周囲、特に裏面を容易にエッチングすることができ、空洞部１３６を確実に形成することができる。

［第９実施形態］
次に、本発明の第９実施形態を図３７を参照して説明する。図３７（Ａ）は、第９実施形態に係るセンサチップ１４０の平面図であり、図３７（Ｂ）は、図３７（Ａ）に示す３７Ｂ−３７Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図３７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第９実施形態に係るセンサチップ１４０では、開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位の一部がポーラス構造（多孔質構造）１４１により構成されている点が、上記第１実施形態にて述べたセンサチップ４０と主に異なる。したがって、第１実施形態のセンサチップ４０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

以下、センサチップ１４０を製造方法の工程を図３８（Ａ）〜（Ｄ）および図３９（Ｅ）〜（Ｇ）を用いて詳細に説明する。図３８（Ａ）〜（Ｄ）および図３９（Ｅ）〜（Ｇ）は、第９実施形態におけるセンサチップ１４０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図３８（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に、上記第１実施形態と同様に圧力検出部４６および導電部４７を形成する（第１工程）。

次に、図３８（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂを用意し、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１に凹部４４ａを形成するとともに、当該凹部４４ａから離間した部位に上記第８実施形態と同様にしてポーラス構造部１４１を設ける（第２工程）。

次に、図３８（Ｃ）に示すように、第３基板４１ｃを用意してこの第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１の全面に犠牲層４９を形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを犠牲層４９を介して貼り合せる。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１と第１基板４１ａの下側面４１ａ_１とを後述するように貼り合せたときに、導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する（第３工程）。

次に、図３８（Ｄ）に示すように、圧力検出部４６と凹部４４ａとを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと下側面４１ａ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第４工程）。

次に、図３９（Ｅ）に示すように、第１基板４１ａの上側面４１ａ_２を研磨して圧力基準室４４の上側を薄肉状にすることにより圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成する（第５工程）。

次に、図３９（Ｆ）に示すように、ポーラス構造部１４１とにより圧力基準室４４を囲うように第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から犠牲層４９に達するトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図３７（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する（第６工程）。

次に、図３９（Ｇ）に示すように、トレンチ４２ｂ近傍の犠牲層４９を除去することにより、トレンチ４２ｂと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と犠牲層４９の残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出してポーラス構造部１４１を含めた支持部位にて支持される梁部４３を形成する（第７工程）。
こうして、図３７（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ１４０が完成する。

以上説明したように、本第９実施形態に係るセンサチップ１４０では、開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位の一部は、ポーラス構造部１４１（多孔質構造）である。これにより、梁部４３の支持部位の一部（第２基板４１ｂの一部により構成される部位）には局所的に非連続な多孔質領域を設けることができるので、当該支持部位を介するダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、ポーラス構造部１４１では密度が小さくなるため共振周波数を大きくすることができ、共振による梁部４３の破損を防止することができる。なお、梁部４３の支持部位は、全てポーラス構造部１４１により構成されてもよい。

また、本第９実施形態に係るセンサチップ１４０の製造方法では、センサチップ１４０は、主に上述した第１工程〜第７工程により製造されている。これにより、梁部４３の支持構成に応じて最適な位置にポーラス構造部１４１を設けることにより、効果的にダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。

［第１０実施形態］
次に、本発明の第１０実施形態を図４０を参照して説明する。図４０（Ａ）は、第１０実施形態に係るセンサチップ１５０の平面図であり、図４０（Ｂ）は、図４０（Ａ）に示す４０Ｂ−４０Ｂ線相当の切断面による断面図である。

図４０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本第１０実施形態に係るセンサチップ１５０では、開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位の一部がポーラス構造（多孔質構造）１５１により構成されている点が、上記第３実施形態にて述べたセンサチップ６０と主に異なる。したがって、第３実施形態のセンサチップ６０と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

以下、センサチップ１５０を製造方法の工程を図４１（Ａ）〜（Ｄ）および図４２（Ｅ）〜（Ｇ）を用いて詳細に説明する。図４１（Ａ）〜（Ｄ）および図４２（Ｅ）〜（Ｇ）は、第１０実施形態におけるセンサチップ１５０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図４１（Ａ）に示すように、第１基板４１ａを用意し、この第１基板４１ａの下側面４１ａ_１に凹部４４ａを形成する（第１工程）。

次に、図４１（Ｂ）に示すように、第２基板４１ｂおよび第３基板４１ｃを用意する。そして、第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１の全面に犠牲層４９を形成する。そして、第２基板４１ｂの下側面４１ｂ_２と第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１とを犠牲層４９を介して貼り合せる（第２工程）。

次に、図４１（Ｃ）に示すように、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１を研磨して当該第２基板４１ｂの厚さを薄くする。そして、後述する梁部４３を構成する部位とは異なる部位であって、第２基板４１ｂの上側面４１ｂ１に形成される導電部４７に接続可能な部位に貫通電極４８を形成する。そして、研磨後の上側面４１ｂ_１に圧力検出部４６および導電部４７を形成する（第３工程）。

次に、図４１（Ｄ）に示すように、凹部４４ａと圧力検出部４６とを近接させるように第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせることにより、凹部４４ａと第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とでもって圧力基準室４４を形成する（第４工程）。

次に、図４２（Ｅ）に示すように、第１基板４１ａのうち凹部４４ａから所定の距離だけ離間した部位に上記第８実施形態と同様にしてポーラス構造部１５１を設ける（第５工程）。

次に、図４２（Ｆ）に示すように、ポーラス構造部１５１とにより圧力基準室４４を囲うように第１基板４１ａの上側面４１ａ_２から犠牲層４９に達するトレンチ４２ｂを形成する。具体的には、例えば、図４０（Ａ）に示す開口部４２のように、反取付面４０ｂ（第１基板４１ａの上側面４１ａ_２）から見てコ字状にトレンチ４２ｂを形成する（第６工程）。

次に、図４２（Ｇ）に示すように、トレンチ４２ｂ近傍の犠牲層４９を除去することにより、圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５を形成するとともに、トレンチ４２ｂと第３基板４１ｃの上側面４１ｃ_１と犠牲層４９の残部とにより形成される開口部４２内に片持ち梁状に突出してポーラス構造部１５１を含めた支持部位にて支持される梁部４３を形成する。この梁部４３には、上述したダイアフラム４５および圧力検出部４６が設けられることとなる（第７工程）。
こうして、図４０（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ１５０が完成する。

以上説明したように、本第１０実施形態に係るセンサチップ１５０では、開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位の一部は、ポーラス構造部１５１（多孔質構造）である。これにより、梁部４３の支持部位の一部（第１基板４１ａの一部により構成される部位）には局所的に非連続な多孔質領域を設けることができるので、当該支持部位を介するダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。さらに、ポーラス構造部１５１では密度が小さくなるため共振周波数を大きくすることができ、共振による梁部４３の破損を防止することができる。なお、梁部４３の支持部位は、全てポーラス構造部１５１により構成されてもよい。

また、本第１０実施形態に係るセンサチップ１５０の製造方法では、センサチップ１５０は、主に上述した第１工程〜第７工程により製造されている。これにより、梁部４３の支持構成に応じて最適な位置にポーラス構造部１５１を設けることにより、効果的にダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。

なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、上記各実施形態と同等の作用・効果が得られる。
（１）上記第１実施形態において、被取付部材であるコネクタケース２０の収縮率が大きい場合には、図２４に示すように、開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位を、基板４１の反取付面４０ｂの外縁に近接するように設置してもよい。

コネクタケース２０が樹脂等の剛性が低く収縮率が大きなもので形成される場合、このコネクタケース２０の収縮によりセンサチップ４０に反りが生じる可能性がある。この場合、梁部４３の支持部位を、コネクタケース２０の収縮率が大きくなるほど基板４１の反取付面４０ｂの外縁に近接させて配置することにより、コネクタケース２０の反りに起因するノイズを抑制することができる。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。

（２）上記第１実施形態において、基板４１およびコネクタケース２０間を封止するアンダーフィル２７等の封止材の収縮率がコネクタケース２０の収縮率よりも大きい場合には、図２５に示すように、開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位を、基板４１の反取付面４０ｂの中央に近接するように設置してもよい。

封止材の収縮率がコネクタケース２０の収縮率よりも大きい場合、この封止材の収縮によりセンサチップ４０に圧縮応力が生じる可能性がある。この場合、梁部４３の支持部位を、基板４１の反取付面４０ｂの中央に近接させて設置することにより、封止材の収縮に起因するノイズを抑制することができる。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。

（３）上記第１実施形態において、図２６に示すように、開口側面４２ａからの梁部４３の突出方向の長さＬ_１を当該梁部４３が開口側面４２ａにて支持される面に沿う長さＬ_２に対して長くするとともに、当該開口側面４２ａからダイアフラム４５および圧力検出部４６を離間させてもよい。

これにより、開口側面４２ａからダイアフラム４５までの距離が長くなるので、ダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。特に、梁部４３の突出方向の長さＬ_１を適切に設計することにより、共振による梁部４３の破損も防止することができる。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。

（４）上記第１実施形態において、図２７に示すように、開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位４３ｂを、その突出方向の断面積が当該梁部４３の他の部位における突出方向の断面積よりも小さくなるように形成してもよい。これにより、コネクタケース２０から取付面４０ａを介して梁部４３に伝達される外乱応力をさらに抑制することができる。

また、梁部４３は、ダイアフラム４５等を含む矩形状部位が支持部位４３ｂにより支持されるように形成されることに限らず、例えば、図２８に示すように、ダイアフラム４５等を含む円形状部位が支持部位４３ｂにより支持されるように形成されてもよい。

また、図２９に示すように、上述した支持部位４３ｂを複数平行に設けてもよい。このようにしても、各支持部位４３ｂの断面積を小さくするとともに梁部４３の支持強度を増加させることができる。特に、各支持部位４３ｂが平行に設けられているので、各支持部位４３ｂに伝達される外乱応力を所定の方向に限定するように抑制することができる。なお、他の各実施形態においても同様の効果がある。

（５）上記第１実施形態において、図３０に示すように、梁部４３を、断面積を小さくした複数の支持部位４３ｃにより支持してもよい。これにより、各支持部位４３ｃの断面積を小さくするとともに梁部４３の支持強度を増加させることができる。また、圧力媒体に含まれる異物の形状に応じて各支持部位４３ｃを配置することにより開口部４２内に異物が詰まることを防止することができる。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。なお、図３０においては、圧力検出部４６、導電部４７および貫通電極４８の記載を省略している。

（６）上記第１実施形態において、図３１に示すように、梁部４３を、開口側面４２ａから片持ち梁状に離間して突出する２つの突出部４３ｄのそれぞれの端部を連結した連結部４３ｅから両突出部間に配置されるように片持ち梁状に突出して形成してもよい。これにより、開口側面４２ａからダイアフラム４５までの距離が長くなるので、ダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。なお、図３１においては、圧力検出部４６、導電部４７および貫通電極４８の記載を省略している。

（７）上記第１実施形態において、図３２に示すように、梁部４３を、開口側面から片持ち梁状に突出して当該梁部の周囲を複数回囲むように形成される支持部４３ｆの端部から片持ち梁状に突出して形成してもよい。このように開口側面４２ａからダイアフラム４５までの距離を長くしても、ダイアフラム４５への外乱応力の伝達を抑制することができる。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。なお、図３２においては、圧力検出部４６、導電部４７および貫通電極４８の記載を省略している。

（８）上記第１実施形態において、図３３に示すように、圧力検出部４６を、その歪を検出する方向が梁部４３の突出方向に対して直交するようにダイアフラム４５上に設けてもよい。梁部４３の突出方向は当該梁部４３に反りが生じやすい方向であり、この突出方向と比較して梁部４３の突出方向に直交する方向は当該梁部４３に反りが生じにくい方向である。そこで、圧力検出部４６を、その歪を検出する方向が梁部４３の突出方向に対して直交するようにダイアフラム４５上に設けることにより、梁部４３の反りや梁部４３の振動に起因するノイズを抑制することができる。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。

（９）圧力センサチップにおいて、圧力検出部４６を反取付面４０ｂではなく基板の側面に設ける場合には、第１１実施形態として図４３（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ１２０を設けてもよい。図４３（Ａ）は、第１１実施形態に係るセンサチップ１２０の断面図であり、図４３（Ｂ）は、圧力検出方向から見たダイアフラム４５と圧力検出部４６との配置関係を示す説明図である。

すなわち、図４３（Ａ）に示すように、センサチップ１２０は、基板１２１の取付面１２０ａにてアンダーフィル２７を介してコネクタケース２０の凹部２１ａに配設されている。この基板１２１は、取付面１２０ａとは反対の面である反取付面１２０ｂに圧力検出部４６から入力される信号を処理する回路部１２２ａ等が設けられる基板本体１２２と、この基板本体１２２の下端部から突出する突出部１２２ｂにより片持ち梁状に支持される梁部１２３とを備えている。なお、梁部１２３は、その下面にてアンダーフィル２７を介さず隙間を設け突出部１２２ｂのみにより支持された状態で、凹部２１ａに配設されてもよい。

梁部１２３内には、密閉状態で形成された圧力基準室４４が形成されており、この圧力基準室４４と圧力検出方向の側面である受圧面１２３ａとの間が薄肉に形成されている。これにより、圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５が当該圧力基準室４４の受圧面１２３ａ側に設けられることとなる。

図４３（Ｂ）に示すように、ダイアフラム４５上の受圧面１２３ａ側には、このダイアフラム４５の変位に応じた信号を出力する４つの圧力検出部４６が設けられている。各圧力検出部４６には、各圧力検出部４６およびダイアフラム４５よりブリッジ回路を構成するように、当該各圧力検出部４６と同一平面状に設けられる４つの導電部４７の一側端部がそれぞれ電気的に接続されている。各導電部４７の他側端部は、対応するワイヤ４７ａを介して回路部１２２ａの所定の電極に電気的に接続されている。

このように構成されるセンサチップ１２０は、圧力基準室４４の基準圧力と上記圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じてダイアフラム４５が変位したとき、この変位に応じた信号を圧力検出信号として圧力検出部４６から導電部４７およびワイヤ４７ａを介して回路部１２２ａに出力する。この出力信号は、回路部１２２ａにより処理されて、ワイヤ２２ａを介してコネクタケース２０のターミナル２２に出力される。なお、回路部１２２ａを設けずに、圧力検出部４６からの信号を処理することなく導電部４７およびワイヤ４７ａ等を介してターミナル２２に出力してもよい。

次に、上述したセンサチップ１２０の製造方法の工程を図４４（Ａ）〜（Ｆ）を用いて詳細に説明する。図４４（Ａ）〜（Ｆ）は、第１１実施形態におけるセンサチップ１２０の製造方法の工程を示す説明図である。

まず、図４４（Ａ）に示すように、基板１２１を用意し、この基板１２１に対して反取付面１２０ｂとなる上面からエッチングにより当該基板１２１を貫通しない深さのトレンチ１２１ａを形成する。

次に、図４４（Ｂ）に示すように、トレンチ１２１ａに研削加工等を施して、トレンチ１２１ａの幅を所定の幅寸法まで大きくするように加工する。

次に、図４４（Ｃ）に示すように、幅を大きくしたトレンチ１２１ａにより形成される空間を利用して、矢印α方向から露光等実施して基板１２１の側面に４つの圧力検出部４６を形成する。具体的には、基板１２１と、各圧力検出部４６を形成するためのマスク（図略）とを傾斜させて、矢印αが垂直方向となる状態にて上記露光を実施する。そして、この圧力検出部４６近傍に圧力基準室４４を形成するための幅の狭いトレンチ１２１ｂを基板１２１の上面から貫通しないように形成する。さらに、トレンチ１２１ｂよりも幅の広いトレンチ１２１ｃを形成することにより、上記突出部１２２ｂが形成され、この突出部１２２ｂにより梁部１２３が基板本体１２２に支持されることとなる。

次に、図４４（Ｄ）に示すように、基板１２１の全面に堆積層１２４を堆積させる。このとき、トレンチ１２１ｂは、幅が狭いため、堆積層１２４ａにより密閉状態となって圧力基準室４４が形成されるとともに、圧力基準室４４の周壁の一部を構成するダイアフラム４５が形成される。一方、トレンチ１２１ｃは、幅が広いため、トレンチ１２１ｂのように密閉状態となることもない。

次に、図４４（Ｅ）に示すように、各圧力検出部４６に接続される各導電部４７を形成するとともに、基板本体１２２に回路部１２２ａを形成する。

次に、図４４（Ｆ）に示すように、幅を広げたトレンチ１２１ａ部分を切断するとともに各導電部４７をワイヤ４７ａにより回路部１２２ａに接続することにより、図４３（Ａ），（Ｂ）に示すセンサチップ１２０が完成する。

以上説明したように、本第１１実施形態に係るセンサチップ１２０では、ダイアフラム４５および圧力検出部４６等のセンシング部と回路部１２２ａとを同一のセンサチップに形成することができるので、センサチップの小型化を図ることができる。また、梁部１２３が取付面１２０ａに対して垂直方向に突き出すため、センサチップの反りによって引き起こされるセンシング部での応力の発生を抑制することができる。

また、本第１１実施形態に係るセンサチップ１２０では、基板１２１の側面である受圧面１２３ａに上述のように露光して圧力検出部４６を形成するので、この側面にて導電部４７等の配線の形成が可能となり、デバイスとしての集約度を向上させることができる。

（１０）上記第８実施形態にて述べたポーラス構造部１３１を、他の実施形態（第５，１１実施形態を除く）における梁部４３のうちの圧力基準室４４に対する反ダイアフラム側に適用しても上記第８実施形態による効果を得ることができる。

（１１）上記第９実施形態にて述べたポーラス構造部１４１を、他の実施形態（第５，１１実施形態を除く）における開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位の一部に適用しても上記第８実施形態による効果を得ることができる。また、上記第１０実施形態にて述べたポーラス構造部１５１を、他の実施形態（第５，１１実施形態を除く）における開口側面４２ａにて支持される梁部４３の支持部位の一部に適用しても上記第１０実施形態による効果を得ることができる。

（１２）上記第１実施形態において、貫通電極４８を形成（図３（Ｂ）参照）した後に第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせる（図３（Ｃ）参照）ことに限らず、貼り合わせ作業を容易にするために第１基板４１ａの下側面４１ａ_１と第２基板４１ｂの上側面４１ｂ_１とを貼り合わせた後に貫通電極４８を形成してもよい。また、他の各実施形態においても同様の効果がある。

本発明の製造方法により製造された圧力センサの全体概略断面図である。 図２（Ａ）は、第１実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す２Ｂ−２Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図３（Ａ）〜（Ｆ）は、第１実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図４（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態の第１の変形例におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図５（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態の第２の変形例におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図６（Ａ）〜（Ｄ）は、第１実施形態の第３の変形例におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図７（Ａ）〜（Ｆ）は、第１実施形態の第４の変形例におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図８（Ａ）〜（Ｆ）は、第１実施形態の第５の変形例におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図９（Ａ）は、第２実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示す９Ｂ−９Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図１０（Ａ）〜（Ｅ）は、第２実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図１１（Ａ）は、第３実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示す１１Ｂ−１１Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図１２（Ａ）〜（Ｆ）は、第３実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図１３（Ａ）は、第４実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）に示す１３Ｂ−１３Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図１４（Ａ）〜（Ｅ）は、第４実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図１５（Ａ）は、第５実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示す１５Ｂ−１５Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図１６（Ａ）〜（Ｄ）は、第５実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図１７（Ｅ）〜（Ｈ）は、第５実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図１８（Ａ）は、第６実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）に示す１８Ｂ−１８Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図１９（Ａ）〜（Ｄ）は、第６実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図２０（Ｅ）〜（Ｇ）は、第６実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図２１（Ａ）〜（Ｅ）は、第６実施形態の第１の変形例におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 図２２（Ａ）は、第７実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）に示す２２Ｂ−２２Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図２３（Ａ）〜（Ｄ）は、第７実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。 梁部の支持部位を基板の反取付面の外縁に近接させたセンサチップの平面図である。 梁部の支持部位を基板の反取付面の中央に近接させたセンサチップの平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 梁部の変形例を示す平面図である。 図３４（Ａ）は、第８実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図３４（Ｂ）は、図３４（Ａ）に示す３４Ｂ−３４Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図３５（Ａ）〜（Ｅ）は、第８実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図３６（Ｆ）〜（Ｉ）は、第８実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図３７（Ａ）は、第９実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図３７（Ｂ）は、図３７（Ａ）に示す３７Ｂ−３７Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図３８（Ａ）〜（Ｄ）は、第９実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図３９（Ｅ）〜（Ｇ）は、第９実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図４０（Ａ）は、第１０実施形態に係るセンサチップの平面図であり、図４０（Ｂ）は、図４０（Ａ）に示す４０Ｂ−４０Ｂ線相当の切断面による断面図である。 図４１（Ａ）〜（Ｄ）は、第１０実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図４２（Ｅ）〜（Ｇ）は、第１０実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程の一部を示す説明図である。 図４３（Ａ）は、第１１実施形態に係るセンサチップの断面図であり、図４３（Ｂ）は、圧力検出方向から見たダイアフラムと圧力検出部との配置関係を示す説明図である。 図４４（Ａ）〜（Ｆ）は、第１１実施形態におけるセンサチップの製造方法の工程を示す説明図である。

符号の説明

１０…圧力センサ（半導体装置）
２０…コネクタケース（被取付部材）
２７…アンダーフィル（封止材）
４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，１３０，１４０，１５０…センサチップ（圧力センサチップ）
４０ａ，９０ａ…取付面
４０ｂ…反取付面
４０ｃ…側面
４１，９１，１０１…基板
４１ａ，９１ａ，１０１ａ…第１基板
４１ｂ，９１ｂ，１０１ｂ…第２基板
４１ｃ，９１ｃ…第３基板
４１ａ_１，９１ａ_１，１０１ａ_１…下側面
４１ａ_２，９１ａ_２，１０１ａ_２…上側面
４１ｂ_１，９１ｂ_１，１０１ｂ_１…上側面
４１ｂ_２，９１ｂ_２，１０１ｂ_２…下側面
４１ｃ_１，９１ｃ_１…上側面
４１ｃ_２，９１ｃ_２…下側面
４２…開口部
４２ａ…開口側面
４２ｂ，４２ｄ，４２ｅ…トレンチ
４２ｃ…開口底面
４２ｆ…第２凹部
４２ｇ…保護膜
４３，１０３…梁部
４３ａ…底面
４３ｂ，４３ｃ…支持部位
４３ｄ…突出部
４３ｅ…連結部
４３ｆ…支持部
４４…圧力基準室
４４ａ…凹部
４５…ダイアフラム
４６…圧力検出部
４７…導電部
４８…貫通電極
４９，９９…犠牲層
４９ａ…第１犠牲層
４９ｂ…第２犠牲層
７２…開口部
７２ａ…貫通部
８１…凸状支持部
９０ｃ…側面
９２…深溝部
９２ａ…浅溝部
１０３ａ…第１梁状突出部
１０３ｂ…第２梁状突出部
１０３ｃ…第３梁状突出部
１０３ｄ，１０３ｅ…支持部位
１１０…バイト
１１１…第１の刃部
１１２…第２の刃部
１３１，１４１，１５１…ポーラス構造部

Claims (11)

1. 取付面を介して被取付部材に取り付けられる基板であって当該基板の表面のうち前記取付面とは反対の面である反取付面に開口部が形成される基板と、
   前記開口部の開口側面から当該開口部内に片持ち梁状に突出して支持される梁部と、
   前記梁部内に密閉状態で形成された圧力基準室の圧力と被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラムと、
   前記ダイアフラム上に設けられ当該ダイアフラムの変位に応じた信号を出力する圧力検出部と、
   を備える圧力センサチップであって、
   前記開口部は、前記取付面まで貫通して形成され、
   前記梁部は、前記開口側面から片持ち梁状に離間して突出する２つの突出部のそれぞれの端部を連結した連結部から前記両突出部間に配置されるように片持ち梁状に突出して形成されることを特徴とする圧力センサチップ。
2. 取付面を介して被取付部材に取り付けられる基板であって当該基板の表面のうち前記取付面とは反対の面である反取付面に開口部が形成される基板と、
   前記開口部の開口側面から当該開口部内に片持ち梁状に突出して支持される梁部と、
   前記梁部内に密閉状態で形成された圧力基準室の圧力と被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラムと、
   前記ダイアフラム上に設けられ当該ダイアフラムの変位に応じた信号を出力する圧力検出部と、
   を備える圧力センサチップであって、
   前記開口部は、前記取付面まで貫通して形成され、
   前記梁部は、前記開口側面から片持ち梁状に突出して当該梁部の周囲を複数回囲むように形成される支持部の端部から片持ち梁状に突出して形成されることを特徴とする圧力センサチップ。
3. 前記基板および前記被取付部材間を封止する封止材を備え、
   前記開口側面にて支持される前記梁部の支持部位は、前記封止材の収縮率が前記被取付部材の収縮率よりも大きい場合には前記基板の前記反取付面の中央に近接するように設置されることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサチップ。
4. 前記開口側面からの前記梁部の突出方向の長さを当該梁部が前記開口側面にて支持される面に沿う長さに対して長くするとともに、当該開口側面から前記ダイアフラムおよび前記圧力検出部を離間させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧力センサチップ。
5. 前記圧力検出部は、その歪を検出する方向が前記梁部の突出方向に対して直交するように前記ダイアフラム上に設けられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧力センサチップ。
6. 前記ダイアフラムは、前記圧力基準室に対して前記取付面側に配置されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧力センサチップ。
7. 前記圧力検出部は、前記ダイアフラムに対して圧力基準室側に配置されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧力センサチップ。
8. 前記圧力検出部は、前記ダイアフラムに対して反圧力基準室側に配置されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧力センサチップ。
9. 前記梁部のうち前記圧力基準室に対して反ダイアフラム側は、ポーラス構造であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の圧力センサチップ。
10. 前記開口側面にて支持される前記梁部の支持部位の少なくとも一部は、ポーラス構造であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の圧力センサチップ。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の圧力センサチップを用いたことを特徴とする圧力センサ。

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