JP5511204B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
この半導体記憶装置は、例えば、シリアル入出力インタフェースを有するROM、フラッシュメモリ等のメモリLSIチップにより構成されている。
図6に示す従来の半導体記憶装置では、データ入力パッド5やデータ出力パッド6が、メモリセルアレイ2を跨いだ2辺へ配置されている。メモリ読み出し時間は、図示しない入出力制御回路とデータ入力パッド5及びデータ出力パッド6等との間の配線距離(即ち、配線抵抗による信号遅延時間)で決まるため、この配線距離が遠い場合、要求されるメモリ読み出し性能を満足できない。
また、本発明の半導体記憶装置は、対向する第1辺及び第2辺を有する基板と、前記第1辺側に配置された1つ又は複数の入力パッドと、前記第2辺側に配置された1つ又は複数の出力パッドと、前記入力パッドと前記出力パッドとの間に配置され、前記第1辺及び前記第2辺に対して直交する方向に、対向する第3辺及び第4辺を有するデータ記憶用のメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの前記第3辺側又は前記第4辺側に配置され、第1配線を介して前記入力パッドに接続され、第2配線を介して前記出力パッドに接続され、前記第1配線及び前記第2配線を経由した前記メモリセルアレイに対するデータの入出力を制御する入出力制御回路と、前記第1辺側に配置され、且つ前記入出力制御回路に対して配線により接続され、前記入出力制御回路に対して制御信号を入力する制御入力パッドと、前記第2辺側において前記制御入力パッドと対向する位置に配置され、且つ前記入出力制御回路に対して配線により接続され、前記入出力制御回路に対してクロック信号を入力するクロック入力パッドと、を備え、前記入出力制御回路は、前記制御入力パッドと前記クロック入力パッドとに挟まれた位置に配置されていることを特徴とするものである。
図1は、本発明の実施例1における半導体記憶装置を示す模式的な平面図である。
図1には示されていないが、アドレスデコーダ18とメモリセルアレイ17との間には、ロウ(行)デコーダ18a及びカラム(列)デコーダ18bが接続されている。ロウデコーダ18aは、アドレスデコーダ18の解読結果に基づき、メモリセルアレイ17のロウ方向のメモリセルを選択する回路である。カラムデコーダ18bは、アドレスデコーダ18の解読結果に基づき、メモリセルアレイ17のカラム方向のメモリセルを選択する回路である。
図1及び図2に示す半導体記憶装置について、データ読み出し動作(1)と、ホールド命令の動作(2)とを説明する。
図3は、図1及び図2の半導体記憶装置におけるデータ読み出し動作を示すタイミングチャートである。
図4は、図1及び図2の半導体記憶装置におけるホールド命令の動作を示すタイミングチャートである。
本実施例1によれば、次の(a)〜(c)のような効果がある。
図5は、本発明の実施例2における半導体記憶装置を示す模式的な平面図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
例えば、データ読み出し動作において、シリアルデータDinがデータ入力パッド11に入力されると、このデータDinがバッファ31aにより駆動され、入出力制御回路20へ送られる。すると、入出力制御回路20からチップイネーブル信号CE#、出力イネーブル信号OE#及びアドレスA[19:0]が出力される。このアドレスA[19:0]は、アドレスデコーダ18、ロウデコーダ18a及びカラムデコーダ18bにより解読され、メモリセルアレイ17中のメモリセルが選択される。
本実施例2によれば、実施例1と同様の効果がある。その上、入出力制御回路20から遠距離にあるデータ入力パッド11及びデータ出力パッド14までの信号をバッファ31a,32aにより駆動する構成になっているので、実施例1よりも更に性能を向上させることができる。
本発明は、上記実施例1、2に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(a)〜(c)のようなものがある。
11 データ入力パッド
12,15 予備パッド
13 ホールド命令入力パッド13
14 データ出力パッド
16 クロック入力パッド
17 メモリセルアレイ
18 アドレスデコーダ
19 出力マルチプレクサ
20 入出力制御回路
31a,32a バッファ
Claims (6)
- 対向する第1辺及び第2辺を有する基板と、
前記第1辺側に配置された1つ又は複数の入力パッドと、
前記第2辺側に配置された1つ又は複数の出力パッドと、
前記入力パッドと前記出力パッドとの間に配置され、前記第1辺及び前記第2辺に対して直交する方向に、対向する第3辺及び第4辺を有するデータ記憶用のメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの前記第3辺側又は前記第4辺側に配置され、第1配線を介して前記入力パッドに接続され、第2配線を介して前記出力パッドに接続され、前記第1配線及び前記第2配線を経由した前記メモリセルアレイに対するデータの入出力を制御する入出力制御回路と、
前記第1辺側に配置され、且つ前記入出力制御回路に対して配線により接続され、前記入出力制御回路に対して制御信号を入力する制御入力パッドと、
前記第2辺側において前記制御入力パッドと対向する位置に配置され、且つ前記入出力制御回路に対して配線により接続され、前記入出力制御回路に対してクロック信号を入力するクロック入力パッドと、を備え、
前記入出力制御回路は、前記制御入力パッドと前記クロック入力パッドとに挟まれた位置に配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、前記第1辺及び前記第2辺に沿って前記基板の中心からずれた位置に配置され、
前記入出力制御回路は、前記メモリセルアレイのずれ方向とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 請求項1又は2記載の半導体記憶装置は、更に、
前記出力パッドと前記メモリセルアレイとの間に配置され、前記入力パッド、前記第1配線、及び前記入出力制御回路を経由して入力されたアドレスを解読して前記メモリセルアレイ中のメモリセルを選択するアドレスデコーダと、
前記入力パッドと前記メモリセルアレイとの間に配置され、前記メモリセルアレイから読み出されたデータを選択して前記入出力制御回路及び前記第2配線を経由して前記出力パッドから出力させる出力マルチプレクサと、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記入出力制御回路は、ゲートアレイにより構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体記憶装置は、更に、
前記第1配線上に配置された信号駆動用の第1バッファと、
前記第2配線上に配置された信号駆動用の第2バッファと、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1バッファ及び前記第2バッファは、ゲートアレイにより構成されていることを特徴とする請求項5記載の半導体記憶装置。
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