JP5504144B2 - 放射線検出器の管理方法、放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システム - Google Patents

放射線検出器の管理方法、放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システム Download PDF

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Description

本発明は、複数の放射線検出器を重ねて使用する場合の放射線検出器の管理方法と、複数の放射線検出器を重ねた構造の放射線画像撮影装置と、該放射線画像撮影装置を管理する放射線画像撮影システムとに関する。
医療分野において、被写体に放射線を照射し、該被写体を透過した前記放射線を放射線検出器に導いて放射線画像情報を撮影する放射線画像撮影装置が広汎に使用されている。前記放射線検出器としては、前記放射線画像情報が露光記録される従来からの放射線フイルムや、蛍光体に前記放射線画像情報としての放射線エネルギを蓄積し、励起光を照射することで前記放射線画像情報を輝尽発光光として取り出すことのできる蓄積性蛍光体パネルが知られている。これらの放射線検出器は、前記放射線画像情報が記録された放射線フイルムを現像装置に供給して現像処理を行い、あるいは、前記蓄積性蛍光体パネルを読取装置に供給して読取処理を行うことで、可視画像を得ることができる。
一方、手術室等においては、患者に対して迅速且つ的確な処置を施すため、撮影後の放射線検出器から直ちに放射線画像情報を読み出して表示できることが必要である。このような要求に対応可能な放射線検出器として、放射線を直接電気信号に変換し、あるいは、放射線をシンチレータで可視光に変換した後、電気信号に変換して読み出す固体検出素子を用いた放射線検出器が開発されている。
放射線検出器を収納する放射線画像撮影装置に関し、放射線検出器に欠陥画素があった場合、欠陥画素の周辺画素を利用して補正する方法が知られている（特許文献１及び２参照）。
特許文献１には、１枚の放射線検出器を組み込んだ放射線画像撮影装置における画素欠陥補正が記載され、特許文献２には、２枚の放射線検出器を組み込んだ放射線画像撮影装置における画素欠陥補正が記載されている。
特に、特許文献２には、「前方の平面型Ｘ線検出器５１（又は後方の平面型Ｘ線検出器５２）内で、あるＸ線検出素子に欠陥が生じて出力エラーが起こったとき、傷補正プロセッサ２５で、その欠陥素子と同じ画素位置の後方の平面型Ｘ線検出器５２（又は前方の平面型Ｘ線検出器５１）の素子出力に係数を乗算することで当該欠陥素子の信号を推定する、つまり傷補正を行うことができる。」との記載があり、同じ画素位置の欠陥のない素子の出力を利用することから、特許文献１よりも優位性があると考えられる。
特開２０００−２８４０５９号公報 特開２００１−１４５６１７号公報
ところで、本来、放射線検出器に欠陥画素が存在しないことが理想である。しかし、全く欠陥画素がない放射線検出器を製造するのは、実際上、困難であり、多大なるコストがかかるという問題がある。これは、量産化を図った安価なシステム構築の妨げにもなる。一方、欠陥画素がある程度存在してもよいとしても、特許文献２記載の方法は、２枚の放射線検出器の同一の画素位置（座標）にそれぞれ欠陥画素があった場合、欠陥画素を補正することができない、という問題がある。
そこで、初期段階で、欠陥画素があったとしても、補正を行うことができる程度の欠陥画素を許容するシステムの構築、すなわち、欠陥画素をある程度許容できるシステムの構築が望まれている。
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、２以上の放射線検出器を有する放射線画像撮影システムに関し、初期段階において、欠陥画素をある程度許容でき、量産化を図った安価なシステムを構築することができる放射線検出器の管理方法、放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システムを提供することにある。
［１］ 第１の本発明に係る放射線検出器の管理方法は、２以上の放射線検出器を有する放射線画像撮影装置の放射線検出器の管理方法であって、製造された複数の放射線検出器の欠陥画素の位置を把握し、１つの前記放射線画像撮影装置に２以上の放射線検出器を重ねて組み込む際に、把握した前記欠陥画素の位置を参照して、２以上の放射線検出器の欠陥画素が重ならないようにすることを特徴とする。
［２］ 第１の本発明において、１つの前記放射線画像撮影装置に２以上の放射線検出器を重ねて組み込む際に、２以上の放射線検出器の同一の画素位置に欠陥画素が重ならないようにすることを特徴とする。
［３］ 第１の本発明において、製造された前記複数の放射線検出器から、１つの前記放射線画像撮影装置に組み込む２つの放射線検出器を選択する選択ステップを有し、前記選択ステップは、把握した前記欠陥画素の位置を参照して、同一の画素位置に欠陥画素が重ならない２つの放射線検出器を選択することをことを特徴とする。
［４］ 第１の本発明において、製造された前記複数の放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の位置情報が登録された複数の領域情報テーブルを作成するステップを有し、前記第１領域と前記第２領域は、それぞれ同じ画素配列を有し、前記選択ステップは、前記複数の領域情報テーブルに基づいて、前記複数の放射線検出器のうち、２つの放射線検出器を重ねたときに、前記第１領域と前記第２領域とが重なる関係を有する２つの放射線検出器を選択することを特徴とする。
［５］ 第１の本発明において、前記２つの放射線検出器が重ねられて組み込まれた前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記領域情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、重ねられた前記２つの放射線検出器における前記領域情報テーブルに基づいて、前記第１領域同士が重なる関係になっているか否かを判別するステップと、前記判別ステップにおいて、前記第１領域同士が重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする。
［６］ 第１の本発明において、前記２つの放射線検出器の前記第１領域及び前記第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示ステップと、前記第１領域同士が重なる部分を第１色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第２色で表示するカラー表示ステップとを有することを特徴とする。
［７］ 第１の本発明において、製造された前記複数の放射線検出器に対応して作成され、補正単位領域の位置情報が登録された補正領域情報テーブルを作成するステップを有し、前記補正単位領域は、欠陥画素と該欠陥画素を補正する際に用いられる周辺画素の領域を示し、前記選択ステップは、前記複数の補正領域情報テーブルに基づいて、前記複数の放射線検出器のうち、２つの放射線検出器を重ねたときに、一方の放射線検出器の補正単位領域に、他方の放射線検出器の補正単位領域の一部でも重ならない関係を有する２つの放射線検出器を選択することを特徴とする。
［８］ 第１の本発明において、前記２つの放射線検出器が重ねられて組み込まれた前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記補正領域情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、重ねられた前記２つの放射線検出器における前記補正領域情報テーブルに基づいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっているか否かを判別するステップと、前記判別ステップにおいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする。
［９］ 第１の本発明において、前記放射線画像撮影装置に組み込まれた２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示ステップと、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示ステップとを有することを特徴とする。
［１０］ 第１の本発明において、前記放射線画像撮影装置に対して２つの前記放射線検出器を少なくとも一方向に１画素ピッチ未満の範囲でずらして組み込む際に、製造された前記複数の放射線検出器に対応し、欠陥画素と、該欠陥画素を中心に画素ずらしの方向に対して隣接する周辺画素の位置情報が登録された複数の周辺画素情報テーブルを作成するステップを有し、前記選択ステップは、前記複数の周辺画素情報テーブルに基づいて、前記複数の放射線検出器のうち、２つの放射線検出器を重ねたときに、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれず、且つ、他方の欠陥画素が一方の欠陥画素とその周辺画素に含まれない関係を有する２つの放射線検出器を選択することを特徴とする。
［１１］ 第１の本発明において、前記２つの放射線検出器が重ねられて組み込まれた前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記周辺画素情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、重ねられた前記２つの放射線検出器における前記周辺画素情報テーブルに基づいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっているか否かを判別するステップと、前記判別ステップにおいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする。
［１２］ 第１の本発明において、前記放射線画像撮影装置に組み込まれた２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示ステップと、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示ステップとを有することを特徴とする。
［１３］ 第１の本発明において、前記カラー表示ステップは、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記欠陥画素同士が重なっている箇所が存在している部分を異なった色で表示することを特徴とする。
［１４］ 第２の本発明に係る放射線画像撮影装置は、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２以上の放射線検出器を有する放射線画像撮影装置において、前記２以上の放射線検出器は、それぞれ同一の画素位置に欠陥画素が重ならないように組み込まれていることを特徴とする。
［１５］ 第２の本発明において、前記放射線検出器が２つ設けられており、前記２つの放射線検出器の間に設けられ、且つ前記放射線を光に変換するシンチレータをさらに備え、前記シンチレータよりも前記被写体側に位置する放射線検出器は、前記光を吸収して該光に応じた電荷を発生する光電変換部と、前記電荷を電気信号に変換して出力する信号出力部と、を有し、前記光電変換部は、有機光導電体を含んで構成されており、前記信号出力部は、有機半導体材料を含んで構成されていることを特徴とする。
［１６］ 第３の本発明に係る放射線画像撮影システムは、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２つの放射線検出器が組み込まれた放射線画像撮影装置を有する放射線画像撮影システムにおいて、前記２つの放射線検出器に対応して作成され、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の位置情報が登録された複数の領域情報テーブルと、前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、前記領域情報テーブルに反映させるテーブル更新部と、反映後の前記領域情報テーブルに基づいて、前記第１領域同士が重なる関係になっているか否かを判別する判別部と、前記判別部において、前記第１領域同士が重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力部とを有することを特徴とする。
［１７］ 第３の本発明において、前記２つの放射線検出器の前記第１領域及び前記第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示部と、前記第１領域同士が重なる部分を第１色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第２色で表示するカラー表示部とを有することを特徴とする。
［１８］ 第４の本発明に係る放射線画像撮影システムは、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２つの放射線検出器が組み込まれた放射線画像撮影装置を有する放射線画像撮影システムにおいて、前記２つの放射線検出器に対応して作成され、欠陥画素と該欠陥画素を補正する際に用いられる周辺画素の領域を示す補正単位領域の位置情報が登録された補正領域情報テーブルと、前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記補正領域情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、前記２つの放射線検出器における前記補正領域情報テーブルに基づいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっているか否かを判別するステップと、前記判別ステップにおいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする。
［１９］ 第４の本発明において、前記２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示部と、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示部とを有することを特徴とする。
［２０］ 第５の本発明に係る放射線画像撮影システムは、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２つの放射線検出器が少なくとも一方向に１画素未満の範囲でずらして組み込まれた放射線画像撮影装置を有する放射線画像撮影システムにおいて、前記２つの放射線検出器に対応して作成され、欠陥画素と、該欠陥画素を中心に画素ずらしの方向に対して隣接する周辺画素の位置情報が登録された周辺画素情報テーブルと、前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記周辺画素情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、前記２つの放射線検出器における前記周辺画素情報テーブルに基づいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっているか否かを判別するステップと、前記判別ステップにおいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする。
［２１］ 第５の本発明において、前記２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示部と、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示部とを有することを特徴とする。
［２２］ 第３〜第５の本発明において、前記カラー表示ステップは、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記欠陥画素同士が重なっている箇所が存在している部分を異なった色で表示することを特徴とする。
［２３］ 第３〜第５の発明において、前記放射線画像撮影装置は、前記２つの放射線検出器の間に設けられ、且つ前記放射線を光に変換するシンチレータをさらに備え、前記シンチレータよりも前記被写体側に位置する放射線検出器は、前記光を吸収して該光に応じた電荷を発生する光電変換部と、前記電荷を電気信号に変換して出力する信号出力部と、を有し、前記光電変換部は、有機光導電体を含んで構成されており、前記信号出力部は、有機半導体材料を含んで構成されていることを特徴とする。
本発明に係る放射線検出器の管理方法、放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システムによれば、２以上の放射線検出器を有する放射線画像撮影システムに関し、初期段階において、欠陥画素をある程度許容でき、量産化を図った安価なシステムを構築することができる。
本実施の形態に係る放射線画像撮影システムを示す構成図である。 本実施の形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）を一部破断して示す斜視図である。 本実施の形態に係る放射線検出器を示す回路図である。 図４Ａはそれぞれ画素を互いに対向させた例を示す説明図であり、図４Ｂは図４ＡにおけるＩＶＢ−ＩＶＢ上の断面図であり、図４Ｃは図４ＡにおけるＩＶＣ−ＩＶＣ上の断面図である。 図５Ａは水平方向に１／２画素ピッチだけずらして対向させた例を示す説明図であり、図５Ｂは図５ＡにおけるＶＢ−ＶＢ上の断面図である。 図６Ａは垂直方向に１／２画素ピッチだけずらして対向させた例を示す説明図であり、図６Ｂは図６ＡにおけるＶＩＢ−ＶＩＢ上の断面図である。 図７Ａは水平方向に１／２画素ピッチ、垂直方向に１／２画素ピッチだけずらして対向させた例を示す説明図であり、図７Ｂは図７ＡにおけるＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ上の断面図であり、図７Ｃは図７ＡにおけるＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ上の断面図である。 図８Ａは一方の画素を、長軸が水平方向を向くように配置し、他方の画素を、長軸が垂直方向を向くように配置し、さらに、垂直方向に１／２画素ピッチだけずらして対向させた例を示す説明図であり、図８Ｂは図８ＡにおけるＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ上の断面図である。 コンソールの構成を示すブロック図である。 第１管理システムの構成を示すブロック図である。 第１管理方法を示すフローチャートである。 画素配列マップを複数の第１領域と第２領域に分ける処理を示す説明図である。 図１３Ａは２つの画素配列マップを重ねた際に第１領域が重なった箇所が現れる組合せを示す説明図であり、図１３Ｂは２つの画素配列マップを重ねた際に第１領域が重なった箇所が存在しない組合せを示す説明図である。 コンソールの第１管理処理部の構成を示すブロック図である。 第１管理処理部の動作を示すフローチャートである。 第１配置関係図及び第２配置関係図を重ねて１つの配置関係図として表示装置に表示する際の処理を示す説明図である。 第２管理システムの構成を示すブロック図である。 第２管理方法を示すフローチャートである。 図１９Ａ及び図１９Ｂは補正単位領域の画素配列を示す説明図である。 コンソールの第２管理処理部の構成を示すブロック図である。 第２管理処理部の動作を示すフローチャートである。 第３管理システムの構成を示すブロック図である。 第３管理方法を示すフローチャートである。 コンソールの第３管理処理部の構成を示すブロック図である。 第３管理処理部の動作を示すフローチャートである。 変形例に係るシンチレータの構成を説明するための説明図である。 変形例に係る第１放射線検出器及び変形例に係る第２放射線検出器の画素配置を示す説明図である。 変形例に係る第１放射線検出器の３つの画素部分の構成と、シンチレータと、変形例に係る第２放射線検出器の一部とを概略的に示した断面模式図である。 図２８に示すＴＦＴ及び電荷蓄積部の概略構成図である。
以下、本発明に係る放射線検出器の管理方法、放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システムの実施の形態例を図１〜図２９を参照しながら説明する。
先ず、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置（以下、電子カセッテと記す）を使用する放射線画像撮影システム１０は、図１に示すように、撮影条件に従った線量からなる放射線１２を被写体１４（例えば患者）に照射するための放射線源１６と、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置（以下、電子カセッテ１８と記す）と、該電子カセッテ１８によって検出された放射線１２に基づく放射線画像情報を表示する表示装置２０と、電子カセッテ１８、放射線源１６及び表示装置２０を制御するコンソール２２とを備える。コンソール２２と、電子カセッテ１８、放射線源１６及び表示装置２０との間は、例えば、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ）、ＩＥＥＥ８０２．１１．ａ／ｇ／ｎ等の無線ＬＡＮ又はミリ波を用いた無線通信による信号の送受信が行われる。なお、コンソール２２には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像情報やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）２４が接続され、また、ＲＩＳ２４には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）２６が接続される。
電子カセッテ１８は、図２に示すように、放射線１２を透過させる材料からなるケーシング２８を備える。ケーシング２８の内部には、該ケーシング２８の高さ方向ほぼ中央に配置されたシンチレータ３０と、該シンチレータ３０の一方の面（ケーシング２８の照射面２８ａ寄りの面）に対向して配置された第１放射線検出器３２ａと、該第１放射線検出器３２ａの一方の面に対向して配置され、被写体１４による放射線１２の散乱線を除去するグリッド３４と、シンチレータ３０の他方の面に対向して配置された第２放射線検出器３２ｂと、第２放射線検出器３２ｂの他方の面に対向して配置され、放射線１２のバック散乱線を吸収する鉛板３６とを有する。なお、ケーシング２８の照射面２８ａをグリッド３４として構成してもよい。シンチレータ３０は、被写体１４を透過した放射線１２（図１参照）を一旦可視光に変換するＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）又はＣｓＩ（Ｔｌ）（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）等の蛍光体にて構成される。
従って、被写体１４を透過した放射線１２がシンチレータ３０にて可視光に変換されることになるが、このとき、放射線１２のシンチレータ３０への入射並びに透過に伴って、シンチレータ３０の一方の面からは入射放射線量に応じた可視光が出射され、シンチレータ３０の他方の面からは透過した放射線量に応じた可視光が出射されることとなる。これにより、シンチレータ３０の一方の面から出射された可視光が第１放射線検出器３２ａにて検出され、シンチレータ３０の他方の面から出射された可視光が第２放射線検出器３２ｂにて検出されることになる。この場合、第２放射線検出器３２ｂに入射される可視光の強度は、第１放射線検出器３２ａとの距離に応じて、第１放射線検出器３２ａに入射される可視光の強度よりも弱くなる。
また、ケーシング２８の内部には、電子カセッテ１８の電源であるバッテリ３８と、該バッテリ３８から供給される電力により第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂを駆動制御するカセッテ制御装置４０と、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂによって検出した放射線１２の情報や各種信号をコンソール２２との間で送受する送受信機４２とが収容される。送受信機４２は、コンソール２２と無線であるいは有線で情報や各種信号の送受を行うようになっている。
なお、少なくともカセッテ制御装置４０には、放射線１２が照射されることによる損傷を回避するため、ケーシング２８の照射面２８ａ側に鉛板等を配設しておくことが好ましい。
第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂはそれぞれ同じ構成を有する。従って、以下、第１放射線検出器３２ａを主体に説明する。
第１放射線検出器３２ａは、図３に示すように、光電変換を行う例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等の物質からなる固体検出素子（画素５０）と該固体検出素子にて発生した電荷を電気信号として読み出す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ５２：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）との組み合わせがマトリクス状に配列された構成を有する。
第１放射線検出器３２ａにおいて、それぞれ画素５０に対応してマトリクス状に配列されたＴＦＴ５２には、行方向と平行に延びるゲート線５４と、列方向と平行に延びる信号線５６とが接続される。各ゲート線５４は、ライン走査駆動部５８に接続され、各信号線５６は、読取回路を構成するマルチプレクサ６６に接続される。
ゲート線５４には、行方向に配列されたＴＦＴ５２をオンオフ制御する制御信号Ｖｏｎ、Ｖｏｆｆがライン走査駆動部５８から供給される。この場合、ライン走査駆動部５８は、ゲート線５４を切り替える複数のスイッチＳＷ１と、スイッチＳＷ１の１つを選択する選択信号を出力するアドレスデコーダ６０とを備える。アドレスデコーダ６０には、カセッテ制御装置４０からアドレス信号が供給される。
また、信号線５６には、列方向に配列されたＴＦＴ５２を介して各画素５０に保持されている電荷が流出する。この電荷は、増幅器６２によって増幅される。増幅器６２には、サンプルホールド回路６４を介してマルチプレクサ６６が接続される。マルチプレクサ６６は、信号線５６を切り替える複数のスイッチＳＷ２と、スイッチＳＷ２の１つを選択する選択信号を出力するアドレスデコーダ６８とを備える。アドレスデコーダ６８には、カセッテ制御装置４０からアドレス信号が供給される。マルチプレクサ６６には、Ａ／Ｄ変換器７０が接続され、Ａ／Ｄ変換器７０によってデジタル信号に変換された第１放射線画像情報がカセッテ制御装置４０に供給される。これらの動作は、第２放射線検出器３２ｂについても同様で、該第２放射線検出器３２ｂにて検出され、デジタル信号に変換された第２放射線画像情報がカセッテ制御装置４０に供給される。
カセッテ制御装置４０は、図１に示すように、第１放射線検出器３２ａのライン走査駆動部５８及び第２放射線検出器３２ｂのライン走査駆動部５８の各アドレスデコーダ６０及び各マルチプレクサ６６のアドレスデコーダ６８に対してアドレス信号を供給するアドレス信号発生部７２と、第１放射線検出器３２ａによって検出された第１放射線画像情報及び第２放射線検出器３２ｂによって検出された第２放射線画像情報を記憶する画像メモリ７４と、当該電子カセッテ１８を特定するためのカセッテＩＤ情報を記憶するＩＤメモリ７６とを備える。
電子カセッテ１８は、コンソール２２から送受信機４２を通じて第１放射線画像情報及び第１放射線画像情報の送信要求信号を受信する一方、ＩＤメモリ７６に記憶されたカセッテＩＤ情報、画像メモリ７４に記憶された第１放射線画像情報及び第２放射線画像情報等を送受信機４２を通じてコンソール２２に送信する。
第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂの組み込み方は、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとを、それぞれ画素を互いに対向させて組み込む場合と、図５Ａ〜図８Ｂに示すように、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとを、それぞれ画素をずらして組み込む場合とがある。
図５Ａ及び図５Ｂは、画素の水平方向の配列ピッチをＰｈとしたとき、第１放射線検出器３２ａに対して第２放射線検出器３２ｂを水平方向にＰｈ／２だけずらして配置した状態を示す。この場合、１画素の実質的な占有面積は、一点鎖線Ａａに示すように、第１放射線検出器３２ａの１画素の占有面積に第１放射線検出器３２ａの水平方向の画素間の面積を加算した面積となる。
図６Ａ及び図６Ｂは、画素の垂直方向の配列ピッチをＰｖとしたとき、第１放射線検出器３２ａに対して第２放射線検出器３２ｂを垂直方向にＰｖ／２画素だけずらして配置した状態を示す。この場合も、１画素の実質的な占有面積は、一点鎖線Ａｂに示すように、第１放射線検出器３２ａの１画素の占有面積に第１放射線検出器３２ａの垂直方向の画素間の面積を加算した面積となる。
図７Ａ〜図７Ｃは、第１放射線検出器３２ａに対して第２放射線検出器３２ｂを水平方向及び垂直方向にそれぞれＰｈ／２及びＰｖ／２だけずらして配置した状態を示す。この場合、１画素の実質的な占有面積は、一点鎖線Ａｃに示すように、第１放射線検出器３２ａの１画素に隣接する４つの画素間をそれぞれ２分する４つの線で囲まれた面積となる。
図８Ａ及び図８Ｂは、画素の平面形状が長方形の場合であって、第１放射線検出器３２ａを画素の長軸が例えば水平方向を向くように配置し、第２放射線検出器３２ｂを画素の長軸が垂直方向を向くように配置し、さらに、第１放射線検出器３２ａに対して第２放射線検出器３２ｂを垂直方向にＰｖ／２だけずらして配置した状態を示す。この場合、１画素の実質的な占有面積は、一点鎖線Ａｄに示すように、第１放射線検出器３２ａの１画素の占有面積に、第２放射線検出器３２ｂの１画素のうち、第１放射線検出器３２ａの垂直方向の画素間の面積を加算した面積となる。
そして、読影のための放射線画像情報は、基本的に第１放射線検出器３２ａからの第１放射線画像情報を使用することになるが、図５Ａ〜図８Ｂの例では、１画素の実質的な占有面積が広くなることから、以下のようにして、第１放射線画像情報の１画素の値を補完する。
すなわち、図５Ａ〜図８Ｂの例では、第１放射線画像情報の１画素に対応する第２放射線画像情報の２つの画素又は４つの画素の位置情報（座標データ）を配列した画素情報テーブルを用意する。そして、図５Ａ及び図５Ｂ、図６Ａ及び図６Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂの例では、第１放射線画像情報の１画素ＧＡの値ＶＡと、該１画素ＧＡに対応する第２放射線画像情報の２つの画素Ｇｂ、Ｇｃの各値Ｖｂ、Ｖｃをそれぞれ１／２した値Ｖｂ／２、Ｖｃ／２を加算した値｛（Ｖｂ／２）＋（Ｖｃ／２）｝とを加算して、第１放射線画像情報の１画素ＧＡの値｛ＶＡ＋（Ｖｂ／２）＋（Ｖｃ／２）｝とする。
図７Ａ〜図７Ｃの例では、第１放射線画像情報の１画素ＧＡの値ＶＡと、該１画素ＧＡに対応する第２放射線画像情報の４つの画素Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ、Ｇｅの各値Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅをそれぞれ１／２した値Ｖｂ／２、Ｖｃ／２、Ｖｄ／２、Ｖｅ／２を加算した値｛（Ｖｂ／２）＋（Ｖｃ／２）＋（Ｖｄ／２）＋（Ｖｅ／２）｝とを加算して、第１放射線画像情報の１画素ＧＡの値｛ＶＡ＋（Ｖｂ／２）＋（Ｖｃ／２）＋（Ｖｄ／２）＋（Ｖｅ／２）｝とする。
そして、第１放射線検出器３２ａに欠陥画素があった場合は、第１放射線画像情報に存在する欠陥画素の値を、第２放射線検出器３２ｂからの第２放射線画像情報を利用して補正する。この欠陥画素の補正方法については後述する。
コンソール２２は、図９に示すように、電子カセッテ１８に関する情報が記憶された情報メモリ８０と、受信した放射線画像情報に対して所定の画像処理を行う画像処理部８２と、画像処理前及び画像処理後の放射線画像情報が記憶される画像メモリ８４とを有する。
情報メモリ８０には、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂに対応した第１欠陥画素情報テーブル８６ａ、第２欠陥画素情報テーブル８６ｂや、補正情報フラグ８８、画素情報テーブル９０（第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとが図５Ａ〜図８Ｂのように画素ずらし状態で配置された場合のみ）が記憶されている。第１欠陥画素情報テーブル８６ａ及び第２欠陥画素情報テーブル８６ｂには、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂにそれぞれ存在する欠陥画素の位置（座標データ）が登録されている。補正情報フラグ８８には、欠陥画素を補正する方式（補正方式の情報）が登録されている。
また、この情報メモリ８０には、図９では図示しないが、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂについての領域情報テーブルと補正領域情報テーブルが記憶されている。領域情報テーブルと補正領域情報テーブルの具体的な内容については、本実施の形態に係る管理方法を説明する際に説明する。
画像処理部８２は、少なくとも第１放射線検出器３２ａからの第１放射線画像情報の欠陥画素の補正（第１放射線画像情報のうち、欠陥画素の値を補正すること）を行う欠陥画素補正部８７を有する。
欠陥画素補正部８７にて行われる補正方式としては、欠陥画素に対応する有効画素を利用する第１補正方式と、欠陥画素に対応する有効画素とその周辺画素（補正単位領域の有効画素）を利用する第２補正方式と、画素をずらして組み込まれた場合に適用され、欠陥画素に対応する周辺画素を利用する第３補正方式とがある。どの補正方式を採用するかについては、上述した補正情報フラグ（１：第１補正方式、２：第２補正方式、３：第３補正方式）が用いられる。
ここで、第１補正方式〜第３補正方式について図４Ａ〜図８Ｂを参照しながら説明する。なお、電子カセッテ１８に組み込まれる２つの放射線検出器のうち、放射線源１６に近い方が第１放射線検出器３２ａであり、放射線源１６から遠い方が第２放射線検出器３２ｂである。
第１補正方式は、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとを、それぞれ画素を互いに対向させて組み込んだ場合に適用されるもので、第１放射線画像情報の欠陥画素ＧＡの補正に当たって、該欠陥画素ＧＡに対応する第２放射線画像情報の有効画素Ｇａを利用する。すなわち、第１欠陥画素情報テーブル８６ａから欠陥画素ＧＡの位置情報（座標データ）を読み出し、第２放射線画像情報から、欠陥画素ＧＡの位置に対応した位置に存在する有効画素Ｇａの値Ｖａを読み出し、この値Ｖａに係数を乗算した値を欠陥画素ＧＡの値として第１放射線画像情報を補正する。係数は、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとの離間距離から一律に求めておく。
第２補正方式も、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとを、それぞれ画素を互いに対向させて組み込んだ場合に適用されるもので、第１放射線画像情報の欠陥画素ＧＡの補正に当たって、該欠陥画素ＧＡに対応する第２放射線画像情報の有効画素Ｇａとその周辺画素（補正単位領域の有効画素）を利用する。すなわち、第１欠陥画素情報テーブル８６ａから欠陥画素ＧＡの位置情報（座標データ）を読み出し、第２放射線画像情報から、欠陥画素ＧＡの位置に対応した位置に存在する有効画素Ｇａの値Ｖａと、該有効画素Ｇａの４つの周辺画素（水平方向に並ぶ２つの周辺画素Ｇｂ、Ｇｃ及び垂直方向に並ぶ２つの周辺画素Ｇｄ、Ｇｅ）の値Ｖｂ〜Ｖｅを読み出して、これら４つの値Ｖｂ〜Ｖｅの平均値Ｇｍを求める。あるいは、有効画素Ｇａの８つの周辺画素（水平方向に並ぶ４つの周辺画素Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｆ、Ｇｇ及び垂直方向に並ぶ４つの周辺画素Ｇｄ、Ｇｅ、Ｇｈ、Ｇｉ）の値Ｖｂ〜Ｖｉを読み出して、これら８つの値Ｖｂ〜Ｖｉの平均値Ｇｍを求める。そして、有効画素Ｇａの値Ｇａと平均値Ｇｍとの比（Ｇａ／Ｇｍ）を求める。一方、第１放射線画像情報の欠陥画素ＧＡの４つの周辺画素（水平方向に並ぶ２つの周辺画素ＧＢ、ＧＣ及び垂直方向に並ぶ２つの周辺画素ＧＤ、ＧＥ）の平均値ＶＦ、あるいは欠陥画素ＧＡの８つの周辺画素（水平方向に並ぶ４つの周辺画素ＧＢ、ＧＣ、ＧＦ、ＧＧ及び垂直方向に並ぶ４つの周辺画素ＧＤ、ＧＥ、ＧＨ、ＧＩ）の平均値ＶＭを求める。そして、欠陥画素ＧＡの値ＶＡ＝（Ｖａ／Ｖｍ）×ＶＭとして、第１放射線画像情報を補正する。この第２補正方式では、隣接する画素の輝度特性を反映することができ、精度の高い値を得ることができる。もちろん、第２放射線検出器３２ｂの画素Ｇａ〜Ｇｉのいずれかが欠陥画素である場合、例えば画素Ｇｂが欠陥画素となった場合は、該画素Ｇｂの４つの周辺画素の値に基づいて補正した後、上述と同様の方法で欠陥画素ＧＡの値ＶＡを補正する。
第３補正方式は、図５Ａ〜図８Ｂに示すように、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとを、それぞれ画素をずらして組み込んだ場合に適用されるもので、第１放射線画像情報の欠陥画素ＧＡの補正に当たって、該欠陥画素ＧＡに対応する第２放射線画像情報の周辺画素を利用する。すなわち、第１欠陥画素情報テーブル８６ａから欠陥画素ＧＡの位置情報（座標データ）を読み出し、画素情報テーブル９０から、欠陥画素ＧＡに対応する２つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ）又は４つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ、Ｇｅ）の位置情報を読み出し、第２放射線画像情報から、これら２つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ）の値（Ｖｂ、Ｖｃ）又は４つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ、Ｇｅ）の値（Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅ）を読み出す。そして、２つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ）の場合は、各値（Ｖｂ、Ｖｃ）をそれぞれ１／２した値Ｖｂ／２、Ｖｃ／２を加算した値｛（Ｖｂ／２）＋（Ｖｃ／２）｝に係数を乗算した値を欠陥画素ＧＡの値ＶＡとして第１放射線画像情報を補正する。また、４つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ、Ｇｅ）の場合は、各値（Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅ）をそれぞれ１／２した値Ｖｂ／２、Ｖｃ／２、Ｖｄ／２、Ｖｅ／２を加算した値｛（Ｖｂ／２）＋（Ｖｃ／２）＋（Ｖｄ／２）＋（Ｖｅ／２）｝に係数を乗算した値を欠陥画素ＧＡの値ＶＡとして第１放射線画像情報を補正する。係数は、第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとの離間距離から一律に求めておく。この場合も、第２放射線検出器３２ｂの２つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ）又は４つの画素（Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ、Ｇｅ）のいずれかが欠陥画素である場合、例えば画素Ｇｂが欠陥画素となった場合は、該画素Ｇｂの４つの周辺画素の値に基づいて補正した後、上述と同様の方法で欠陥画素ＧＡの値ＶＡを補正する。
そして、第１補正方式又は第２補正方式にて補正された第１放射線画像情報は、その後、読影用の画像処理が行われて、表示装置２０等に出力されることになる。また、第３補正方式にて補正された第１放射線画像情報は、その後、上述したように、画素の実質的な占有面積の拡大に伴う第２放射線画像情報の上述した補完処理が行われ、その後、読影用の画像処理が行われて、表示装置２０等に出力されることになる。
次に、電子カセッテ１８に第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂを組み込む場合の管理方法（本実施の形態に係る管理方法）について、図１０〜図２５を参照しながら説明する。
この管理方法は、製造された複数の放射線検出器３２の欠陥画素の位置を把握し、１つの電子カセッテ１８に第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂを重ねて組み込む際に、把握した欠陥画素の位置を参照して、第１放射線検出器３２ａの欠陥画素と、第２放射線検出器３２ｂの欠陥画素とが重ならないようにする。図４Ａ〜図４Ｃの例では、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの同一の画素位置に欠陥画素が重ならないようにする。図５Ａ〜図８Ｂの例では、第１放射線検出器３２ａの欠陥画素と第２放射線検出器３２ｂの欠陥画素が一部でも重ならないようにする。
管理方法としては、以下のように、３つの管理方法（第１管理方法〜第３管理方法）が挙げられる。
第１管理方法は、コンピュータを有する第１管理システム１００Ａを用いて行うことができる。この第１管理システムは、図１０に示すように、製造された複数の放射線検出器３２に対応した欠陥画素情報テーブル８６に基づいて欠陥画素と有効画素とが二次元的に配列された画素配列マップ１０２を作成するマップ作成部１０４と、製造された複数の放射線検出器３２に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の位置情報が登録された複数の領域情報テーブル１０６を作成する第１テーブル作成部１０８ａと、作成された複数の領域情報テーブル１０６に基づいて、複数の放射線検出器３２のうち、２つの放射線検出器３２を重ねたときに、第１領域と第２領域とが重なる関係を有する２つの放射線検出器３２を選択する第１選択部１１０ａとを有する。
ここで、第１管理方法について図１１〜図１６を参照しながら説明する。
先ず、図１１のステップＳ１及びステップＳ２において、複数の放射線検出器３２に対応する複数の領域情報テーブル１０６を作成する。各領域情報テーブル１０６には、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の位置情報が登録される。第１領域に含まれる画素の個数（水平方向の個数と列方向の個数）と第２領域に含まれる画素の個数（水平方向の個数と列方向の個数）は共に同じである。
ここで、説明を簡単にするために、第１領域及び第２領域が共に、例えば水平方向に１０個の画素、垂直方向に１０個の画素を含み、第１放射線検出器及び第２放射線検出器が共に、水平方向に３０個の画素、垂直方向に４０個の画素を含むとした場合を想定する。
すなわち、先ず、図１１のステップＳ１において、第１管理システム１００Ａのマップ作成部１０４は、放射線検出器３２の製造時に作成された欠陥画素情報テーブル８６から、欠陥画素の位置情報を読み出し、放射線検出器３２に対応した有効画素と欠陥画素の配列状況を示す画素配列マップ１０２を作成する。この画素配列マップ１０２は、ビット配列が放射線検出器３２の画素配列に対応し、且つ、深度が１ビット（０：有効画素／１：欠陥画素）のマップであり、欠陥画素の位置に対応したビットを「１」、その他のビットを「０」にする。その後、画素配列マップ１０２を、例えば垂直方向４つ、水平方向３つの合計１２個の領域に分ける。各領域は、この例では、水平方向に１０ビット、垂直方向に１０ビットとされている。
ステップＳ２において、第１テーブル作成部１０８ａは、図１２に示すように、画素配列マップ１０２の１２個の領域のうち、１つでもビットの値が「１」である領域を、第１領域１１２ａ（斜線で示す領域）として、その位置情報（該第１領域１１２ａの先頭ビットの行列情報と、該第１領域１１２ａの最終ビットの行列情報等）を領域情報テーブル１０６に登録し、１２個の領域のうち、全てのビットの値が「０」の領域を、第２領域１１２ｂ（空白で示す）として、その位置情報を領域情報テーブル１０６に登録する。この処理を製造された複数の放射線検出器３２全てについて行って、複数の領域情報テーブル１０６を作成する。６つの放射線検出器３２が製造された場合は、これに対応して６つの領域情報テーブル１０６が作成される。
ステップＳ３において、第１選択部１１０ａは、複数の領域情報テーブル１０６に基づいて、複数の放射線検出器３２のうち、２つの放射線検出器３２を重ねたときに、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なる関係を有する２つの放射線検出器３２を選択する。具体的には、例えば１番目の放射線検出器３２に適合する放射線検出器３２を残りの５つの放射線検出器３２から選び、候補となる１以上の放射線検出器３２を抽出して、抽出した放射線検出器３２のＩＤを候補テーブル１１４（図１０参照）の１レコード目に登録する。例えば図１３Ａの例では、２つの放射線検出器３２を重ねたとき（コンピュータ上では、対応する２つの画素配列マップ１０２を重ねたとき）、左上の領域において、第１領域１１２ａ同士が重なることになるため、この組合せは採用されない。図１３Ｂの例では、２つの放射線検出器３２を重ねたとき、第１領域１１２ａ同士が重なることはないため、組み合わせ候補として候補テーブル１１４に登録される。同様に、ｎ番目の放射線検出器３２に適合する放射線検出器３２を残りの５つの放射線検出器３２から選び、候補となる１以上の放射線検出器３２を抽出して、抽出した放射線検出器３２のＩＤを候補テーブル１１４のｎレコード目に登録する。候補テーブル１１４に登録された内容から、最適な放射線検出器３２の組み合わせを、使用者からの操作入力や演算によって割り出し、組合せ情報テーブル１１６（図１０参照）に登録する。この組合せ情報テーブル１１６には、第１領域１１２ａ同士が重なることのない２つの放射線検出器３２の組合せ（ＩＤの組合せ）が順次登録される。使用者の操作入力で組合せを決定する場合には、例えば以下のような方法が挙げられる。すなわち、表示装置２０に、各放射線検出器３２に対応する画素配列マップ１０２を表示し、第１領域１１２ａを黄色、第２領域１１２ｂを白色で表示する。そして、２つの画素配列マップ１０２を重ねて表示したとき、第１領域１１２ａ同士が重なった領域を赤色、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なった領域を黄色、第２領域１１２ｂ同士が重なった領域を白色で表示し、赤色が表示されない組み合わせを確認しながら、適合する２つの放射線検出器３２のＩＤを組合せ情報テーブル１１６に登録する。
そして、その後の第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとの組み込み工程において、組合せ情報テーブル１１６に登録された２つの放射線検出器３２のＩＤの組合せを参照しながら、それぞれＩＤに対応する２つの放射線検出器３２を第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂとして電子カセッテ１８に組み込む。
その後は、電子カセッテ１８が装着された放射線画像撮影システム１０において第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの管理が行われることになる。この場合、電子カセッテ１８に組み込まれた第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂにそれぞれ対応する欠陥画素情報テーブル８６（第１欠陥画素情報テーブル８６ａ及び第２欠陥画素情報テーブル８６ｂ）、画素配列マップ１０２（第１画素配列マップ１０２ａ及び第２画素配列マップ１０２ｂ）、領域情報テーブル１０６（第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂ）がコンソール２２の情報メモリ８０（図１４参照）に記憶される。
そして、コンソール２２は、図１４に示すように、放射線画像撮影システム１０で使用される電子カセッテ１８の管理を行うための第１管理処理部１２０Ａを有する。第１管理処理部１２０Ａは、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂが重ねられて組み込まれた電子カセッテ１８に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理（例えば電子カセッテ１８に対するキャリブレーション中に行われる）にて新たに発見された欠陥画素の位置を各種テーブルに反映させて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの劣化状況を知らせる機能を有する。
第１管理処理部１２０Ａは、図１４に示すように、第１テーブル更新部１２２ａと、第１判別部１２４ａと、第１警告出力部１２６ａと、配置関係表示部１２８と、第１カラー表示部１３０ａとを有する。
第１テーブル更新部１２２ａは、上述の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、それぞれ第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂに反映させる。第１判別部１２４ａは、第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第１領域１１２ａ同士が重なる関係になっているか否かを判別する。第１警告出力部１２６ａは、第１判別部１２４ａにおいて、第１領域１１２ａ同士が重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する。
配置関係表示部１２８は、第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化して重ねて表示する。第１カラー表示部１３０ａは、第１領域１１２ａ同士が重なる部分を第１色（例えばオレンジ色）で表示し、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なる部分を第２色（例えば黄色）で表示し、第２領域１１２ｂ同士が重なる部分を第３色（例えば白色）で表示する。特に、第１領域１１２ａが重なる部分であって、且つ、欠陥画素同士が重なっている部分をこれらと異なる色（例えば赤色）で表示する。
ここで、第１管理処理部１２０Ａの動作について図１５及び図１６を参照しながら説明する。
前提として、上述した欠陥画素検出処理が行われ、この欠陥画素検出処理にて新たに発見されれば、欠陥画素の位置情報が第１欠陥画素情報テーブル８６ａや第２欠陥画素情報テーブル８６ｂに追加（反映）される。
そして、先ず、ステップＳ１０１において、新たな欠陥画素があるか否かが判別される。新たな欠陥画素があれば、ステップＳ１０２に進み、第１テーブル更新部１２２ａは、第１画素配列マップ１０２ａや第２画素配列マップ１０２ｂのうち、新たな欠陥画素の位置情報に応じたビットを「１」にセットし、それに応じて、第２領域１１２ｂが第１領域１１２ａに変化した部分を第１領域情報テーブル１０６ａや第２領域情報テーブル１０６ｂに反映する。例えば第１放射線検出器３２ａに新たな欠陥画素が発見されれば、該新たな欠陥画素の位置情報が第１画素配列マップ１０２ａに反映され、それに応じて、第１画素配列マップ１０２ａ上の第２領域１１２ｂが第１領域１１２ａに変化した場合に、新たな欠陥画素の位置情報が第１領域情報テーブル１０６ａに反映されることになる。これは、第２放射線検出器３２ｂに新たな欠陥画素が発見された場合も同様である。
ステップＳ１０３において、第１判別部１２４ａは、第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂを重ねたときに、第１の関係（第１領域１１２ａ同士が重なる関係）となっている箇所が存在するか否かを判別する。
第１の関係となっている箇所があれば、次のステップＳ１０４に進み、第１警告出力部１２６ａは、第１領域１１２ａが重なった領域の欠陥画素の個数と第１警告（第１の関係になっていることを示すメッセージ）を表示装置２０に表示する。このとき、必要であれば、スピーカにそのメッセージを音声出力する。特に、欠陥画素同士が重なる箇所があれば、その箇所の個数とその旨も併せてメッセージ表示や音声出力するようにしてもよい。
前記ステップＳ１０４での処理が終了した段階、あるいはステップＳ１０３にて第１の関係になっている箇所が存在しないと判別された場合、あるいはステップＳ１０１において、新たな欠陥画素が発見されなかった場合は、ステップＳ１０５に進み、配置関係表示部１２８は、図１６に示すように、第１領域情報テーブル１０６ａに基づいて、第１放射線検出器３２ａの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化した第１配置関係図１３２ａと、第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第２放射線検出器３２ｂの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化した第２配置関係図１３２ｂとを重ねて配置関係図１３２を表示装置２０に表示する。
ステップＳ１０６において、第１カラー表示部１３０ａは、表示装置２０に表示されている配置関係図１３２のうち、第１領域１１２ａ同士が重なる部分を第１色（例えばオレンジ色）で表示し、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なる部分を第２色（例えば黄色）で表示し、第２領域１１２ｂ同士が重なる部分を第３色（例えば白色）で表示する。特に、第１領域１１２ａが重なる部分であって、且つ、欠陥画素同士が重なっている部分をこれらと異なる色（例えば赤色）で表示する。なお、第１警告の出力と同時に配置関係図のカラー表示を行うようにしてもよいし、配置関係図のカラー表示の後に、第１警告を出力するようにしてもよい。
上述したステップＳ１０１〜ステップＳ１０６の処理は、定期的又は不定期に行われる欠陥画素検出処理が終了するたびに行われる。
次に、第２管理方法について図１７〜図１９Ｂを参照しながら説明する。この第２管理方法は、コンピュータを有する第２管理システム１００Ｂを用いて行うことができる。
第２管理システム１００Ｂは、図１７に示すように、上述したマップ作成部１０４と、製造された複数の放射線検出器３２に対応し、それぞれ欠陥画素を含む補正単位領域の位置情報を登録された複数の補正領域情報テーブル１３４を作成する第２テーブル作成部１０８ｂと、作成された複数の補正領域情報テーブル１３４に基づいて、複数の放射線検出器３２のうち、２つの放射線検出器３２を重ねたときに、補正単位領域が一部でも重ならない関係を有する２つの放射線検出器を選択する第２選択部１１０ｂとを有する。
ここで、第２管理方法について図１８及び図１９も参照しながら説明する。
先ず、図１８のステップＳ２０１及びＳ２０２において、製造された複数の放射線検出器３２に対応する複数の補正領域情報テーブル１３４を作成する。各補正領域情報テーブル１３４には、それぞれ補正単位領域１３６（図１９Ａ及び図１９Ｂ参照）の位置情報が登録される。補正単位領域１３６は、欠陥画素と該欠陥画素を補正する際に用いられる周辺画素とを含む領域を示す。補正単位領域１３６としては、図１９Ａにおいて一点鎖線で示すように、例えば水平方向に３個の画素、垂直方向に３個の画素を含む、３行３列の画素配列を有する場合や、図１９Ｂに示すように、この３行３列の画素配列にさらに欠陥画素を通る部分の両側にそれぞれ１画素ずつ加えられた画素配列であってもよい。
すなわち、先ず、ステップＳ２０１において、第２管理システム１００Ｂのマップ作成部１０４は、上述したステップＳ１での処理と同様に、放射線検出器３２の製造時に作成された欠陥画素情報テーブル８６の内容に基づいて、放射線検出器３２に対応した有効画素と欠陥画素の配列状況を示す画素配列マップ１０２を作成する。
その後、ステップＳ２０２において、第２テーブル作成部１０８ｂは、各画素配列マップ１０２について、欠陥画素を含む補正単位領域１３６を設定し、その位置情報（補正単位領域１３６に含まれるビットの行列情報等）を補正領域情報テーブル１３４に登録する。この処理を、製造された複数の放射線検出器３２全てについて行い、複数の補正領域情報テーブル１３４を作成する。６つの放射線検出器３２が製造された場合は、これに対応して６つの補正領域情報テーブル１３４が作成される。
その後、ステップＳ２０３において、第２管理システム１００Ｂの第２選択部１１０ｂは、複数の補正領域情報テーブル１３４に基づいて、複数の放射線検出器３２のうち、２つの放射線検出器３２を重ねたときに、補正単位領域１３６が一部でも重ならない関係を有する２つの放射線検出器３２を選択する。この場合も、上述したステップＳ１０３と同様に、ｎ番目の放射線検出器３２に適合する放射線検出器３２を残りの５つの放射線検出器３２から選び、候補となる１以上の放射線検出器３２を抽出して、抽出した放射線検出器３２のＩＤを候補テーブル１１４のｎレコード目に登録する。候補テーブル１１４に登録された内容から、最適な放射線検出器３２の組み合わせを、使用者からの操作入力や演算によって割り出し、組合せ情報テーブル１１６に登録する。この組合せ情報テーブル１１６には、補正単位領域１３６が一部でも重ならない関係を有する２つの放射線検出器３２の組合せ（ＩＤの組合せ）が順次登録される。
そして、その後の第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとの組み込み工程において、組合せ情報テーブル１１６に登録された２つの放射線検出器３２のＩＤの組合せを参照しながら、それぞれＩＤに対応する２つの放射線検出器３２を第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂとして電子カセッテ１８に組み込む。
その後は、上述した第１管理方法と同様に、電子カセッテ１８が装着された放射線画像撮影システム１０での管理が行われることになる。この場合、電子カセッテ１８に組み込まれた第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂに対応する第１欠陥画素情報テーブル８６ａ及び第２欠陥画素情報テーブル８６ｂ、第１画素配列マップ１０２ａ及び第２画素配列マップ１０２ｂ、第１補正領域情報テーブル１３４ａ及び第２補正領域情報テーブル１３４ｂがコンソール２２の情報メモリ８０に記憶される。また、この例では、第１放射線検出器３２ａについて欠陥画素が存在する第１領域１１２ａと、欠陥画素が存在しない第２領域１１２ｂの位置情報が登録された第１領域情報テーブル１０６ａと、第２放射線検出器３２ｂについて欠陥画素が存在する第１領域１１２ａと、欠陥画素が存在しない第２領域１１２ｂの位置情報が登録された第２領域情報テーブル１０６ｂが作成されて情報メモリ８０に記憶され、さらに、新たな欠陥画素の追加に伴って更新されるようになっている。
そして、コンソール２２は、図２０に示すように、放射線画像撮影システム１０で使用される電子カセッテ１８の管理を行うための第２管理処理部１２０Ｂを有する。第２管理処理部１２０Ｂは、図１４の第１管理処理部１２０Ａと同様に、定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を各種テーブルに反映させて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの劣化状況を知らせる機能を有する。
第２管理処理部１２０Ｂは、第１テーブル更新部１２２ａと、第２テーブル更新部１２２ｂと、第２判別部１２４ｂと、第２警告出力部１２６ｂと、配置関係表示部１２８と、第２カラー表示部１３０ｂとを有する。
第１テーブル更新部１２２ａは上述したので、ここではその重複説明を省略する。第２テーブル更新部１２２ｂは、上述の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、それぞれ第１補正領域情報テーブル１３４ａ及び第２補正領域情報テーブル１３４ｂに反映させる。第２判別部１２４ｂは、第１補正領域情報テーブル１３４ａ及び第２補正領域情報テーブル１３４ｂに基づいて、補正単位領域１３６同士が一部でも重なる関係になっているか否かを判別する。第２警告出力部１２６ｂは、第２判別部１２４ｂにおいて、補正単位領域１３６同士が一部でも重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する。
配置関係表示部１２８は、第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化して重ねて表示する。第２カラー表示部１３０ｂは、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、補正単位領域１３６同士が一部でも重なっている箇所が存在する部分を第１色（例えばオレンジ色）で表示し、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、補正単位領域１３６同士が一部でも重なっている箇所が存在しない部分を第２色（例えば黄色）で表示し、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なる部分を第３色（例えば水色）で表示し、第２領域１１２ｂ同士が重なる部分を第４色（例えば白色）で表示する。特に、第１領域１１２ａが重なる部分であって、且つ、欠陥画素同士が重なっている部分をこれらと異なる色（例えば赤色）で表示する。
ここで、第２管理処理部１２０Ｂの動作について図２１を参照しながら説明する。
前提として、上述した欠陥画素検出処理が行われ、この欠陥画素検出処理にて新たに発見されれば、欠陥画素の位置情報が第１欠陥画素情報テーブル８６ａや第２欠陥画素情報テーブル８６ｂに追加（反映）される。
そして、先ず、図２１のステップＳ３０１において、新たな欠陥画素があるか否かが判別される。新たな欠陥画素があれば、ステップＳ３０２に進み、第１テーブル更新部１２２ａは、第１画素配列マップ１０２ａや第２画素配列マップ１０２ｂのうち、新たな欠陥画素の位置情報に応じたビットを「１」にセットし、それに応じて、第２領域１１２ｂが第１領域１１２ａに変化した部分を第１領域情報テーブル１０６ａや第２領域情報テーブル１０６ｂに反映する。
ステップＳ３０３において、第２テーブル更新部１２２ｂは、今回追加された欠陥画素に対応する補正単位領域１３６の位置情報を第１補正領域情報テーブル１３４ａや第２補正領域情報テーブル１３４ｂに登録（反映）する。例えば第１放射線検出器３２ａに新たな欠陥画素が発見されれば、該新たな欠陥画素の位置情報が第１画素配列マップ１０２ａに反映され、それに応じて、第１画素配列マップ１０２ａ上の第２領域１１２ｂが第１領域１１２ａに変化した場合に、新たな欠陥画素の位置情報が第１領域情報テーブル１０６ａに反映されることになる。さらに、新たな欠陥画素に対応する補正単位領域１３６の位置情報が第１補正領域情報テーブル１３４ａに反映されることになる。これは、第２放射線検出器３２ｂに新たな欠陥画素が発見された場合も同様である。
ステップＳ３０４において、第２判別部１２４ｂは、第１補正領域情報テーブル１３４ａ及び第２補正領域情報テーブル１３４ｂに基づいて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂを重ねたときに、第２の関係（補正単位領域１３６同士が一部でも重なった関係）になっている箇所が存在するか否かを判別する。
第２の関係になっている箇所が存在していれば、次のステップＳ３０５に進み、第２警告出力部１２６ｂは、第１領域１１２ａが重なった領域の欠陥画素の個数と、補正単位領域１３６が重なった領域の欠陥画素の個数と、第２警告（第２の関係になっていることを示すメッセージ）を表示装置２０に表示する。このとき、必要であれば、スピーカにそのメッセージを音声出力する。特に、欠陥画素同士が重なる箇所があれば、その箇所の個数とその旨も併せてメッセージ表示や音声出力するようにしてもよい。
ステップＳ３０６において、配置関係表示部１２８は、第１領域情報テーブル１０６ａに基づいて、第１放射線検出器３２ａの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化した第１配置関係図１３２ａと、第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第２放射線検出器３２ｂの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化した第２配置関係図１３２ｂとを重ねて配置関係図１３２を表示装置２０に表示する。
ステップ３０７において、第２カラー表示部１３０ｂは、表示装置２０に表示されている配置関係図１３２のうち、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、補正単位領域１３６同士が一部でも重なっている箇所が存在する部分を第１色（例えばオレンジ色）で表示し、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、補正単位領域１３６同士が一部でも重なっている箇所が存在しない部分を第２色（例えば黄色）で表示し、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なる部分を第３色（例えば水色）で表示し、第２領域１１２ｂ同士が重なる部分を第４色（例えば白色）で表示する。特に、第１領域１１２ａが重なる部分であって、且つ、欠陥画素同士が重なっている部分をこれらと異なる色（例えば赤色）で表示する。
上述したステップＳ３０１〜ステップＳ３０７の処理は、定期的又は不定期に行われる欠陥画素検出処理が終了するたびに行われる。
次に、第３管理方法について図２２及び図２３を参照しながら説明する。この第３管理方法は、コンピュータを有する第３管理システム１００Ｃを用いて行うことができる。
第３管理システム１００Ｃは、図２２に示すように、上述したマップ作成部１０４と、製造された複数の放射線検出器３２に対応し、それぞれ欠陥画素と、該欠陥画素を中心に画素ずらしの方向に対して隣接する周辺画素の位置情報（欠陥画素及びその周辺画素に対応するビットの行列情報等）が登録された複数の周辺画素情報テーブル１４０を作成する第３テーブル作成部１０８ｃと、作成された複数の周辺画素情報テーブル１４０に基づいて、複数の放射線検出器３２のうち、２つの放射線検出器３２を重ねたときに、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれず、且つ、他方の欠陥画素が一方の欠陥画素とその周辺画素に含まれない関係を有する２つの放射線検出器３２を選択する第３選択部１１０ｃとを有する。
ここで、第３管理方法について図２３も参照しながら説明する。
先ず、図２３のステップＳ４０１において、第３管理システム１００Ｃのマップ作成部１０４は、上述したステップＳ１での処理と同様に、放射線検出器３２の製造時に作成された欠陥画素情報テーブル８６の内容に基づいて、放射線検出器３２に対応した有効画素と欠陥画素の配列状況を示す画素配列マップ１０２を作成する。
その後、ステップＳ４０２において、第３テーブル作成部１０８ｃは、各画素配列マップ１０２について、欠陥画素と、該欠陥画素を中心に画素ずらしの方向に対して隣接する周辺画素を設定し、その位置情報（欠陥画素及びその周辺画素に対応するビットの行列情報等）を周辺画素情報テーブル１４０に登録する。この処理を、製造された複数の放射線検出器３２全てについて行い、複数の周辺画素情報テーブル１４０を作成する。６つの放射線検出器３２が製造された場合は、これに対応して６つの周辺画素情報テーブル１４０が作成される。
その後、ステップＳ４０３において、第３選択部１１０ｃは、複数の周辺画素情報テーブル１４０に基づいて、複数の放射線検出器３２のうち、２つの放射線検出器３２を重ねたときに、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれず、且つ、他方の欠陥画素が一方の欠陥画素とその周辺画素に含まれない関係を有する２つの放射線検出器３２を選択する。この場合も、上述したステップＳ２と同様に、ｎ番目の放射線検出器３２に適合する放射線検出器３２を残りの５つの放射線検出器３２から選び、候補となる１以上の放射線検出器３２を抽出して、抽出した放射線検出器３２のＩＤを候補テーブル１１４のｎレコード目に登録する。候補テーブル１１４に登録された内容から、最適な放射線検出器３２の組み合わせを、使用者からの操作入力や演算によって割り出し、組合せ情報テーブル１１６に登録する。この組合せ情報テーブル１１６には、上述の関係を有する２つの放射線検出器３２の組合せ（ＩＤの組合せ）が順次登録される。
そして、その後の第１放射線検出器３２ａと第２放射線検出器３２ｂとの組み込み工程において、組合せ情報テーブル１１６に登録された２つの放射線検出器３２のＩＤの組合せを参照しながら、それぞれＩＤに対応する２つの放射線検出器３２を第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂとして電子カセッテ１８に組み込む。
その後は、電子カセッテ１８が装着された放射線画像撮影システム１０での管理が行われることになる。この場合、電子カセッテ１８に組み込まれた第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂに対応する第１欠陥画素情報テーブル８６ａ及び第２欠陥画素情報テーブル８６ｂ、第１画素配列マップ１０２ａ及び第２画素配列マップ１０２ｂ、第１周辺画素情報テーブル１４０ａ及び第２周辺画素情報テーブル１４０ｂがコンソール２２の情報メモリ８０に記憶される。また、この例では、第２管理処理部１２０Ｂの場合と同様に、第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂが作成されてメモリに記憶され、さらに、新たな欠陥画素の追加に伴って更新されるようになっている。
そして、コンソール２２は、放射線画像撮影システム１０で使用される電子カセッテ１８の管理を行うための第３管理処理部１２０Ｃを有する。第３管理処理部１２０Ｃは、上述の第１管理処理部１２０Ａと同様に、定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を各種テーブルに反映させて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの劣化状況を知らせる機能を有する。
第３管理処理部１２０Ｃは、図２４に示すように、第１テーブル更新部１２２ａと、第３テーブル更新部１２２ｃと、第３判別部１２４ｃと、第３警告出力部１２６ｃと、配置関係表示部１２８と、第３カラー表示部１３０ｃとを有する。
第１テーブル更新部１２２ａは上述したので、ここではその重複説明を省略する。第３テーブル更新部１２２ｃは、上述の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、それぞれ第１周辺画素情報テーブル１４０ａ及び第２周辺画素情報テーブル１４０ｂに反映させる。第３判別部１２４ｃは、第１周辺画素情報テーブル１４０ａ及び第２周辺画素情報テーブル１４０ｂに基づいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっているか否かを判別する。第３警告出力部１２６ｃは、第３判別部１２４ｃにおいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっていると判別された場合に、警告を発する。
配置関係表示部１２８は、第１領域情報テーブル１０６ａ及び第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化して重ねて表示する。第３カラー表示部１３０ｃは、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在する部分を第２色（例えばオレンジ色）で表示し、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在しない部分を第２色（例えば黄色）で表示し、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なる部分を第３色（例えば水色）で表示し、第２領域１１２ｂ同士が重なる部分を第４色（例えば白色）で表示する。特に、第１領域１１２ａが重なる部分であって、且つ、欠陥画素同士が重なっている部分をこれらと異なる色（例えば赤色）で表示する。
ここで、第３管理処理部１２０Ｃの動作について図２５を参照しながら説明する。
前提として、上述した欠陥画素検出処理が行われ、この欠陥画素検出処理にて新たに発見されれば、欠陥画素の位置情報が第１欠陥画素情報テーブル８６ａや第２欠陥画素情報テーブル８６ｂに追加（反映）される。
そして、先ず、図２５のステップＳ５０１において、新たな欠陥画素があるか否かが判別される。新たな欠陥画素があれば、ステップＳ５０２に進み、第１テーブル更新部１２２ａは、第１画素配列マップ１０２ａや第２画素配列マップ１０２ｂのうち、新たな欠陥画素の位置情報に応じたビットを「１」にセットし、それに応じて、第２領域１１２ｂが第１領域１１２ａに変化した部分を第１領域情報テーブル１０６ａや第２領域情報テーブル１０６ｂに反映する。
ステップＳ５０３において、第３テーブル更新部１２２ｃは、今回追加された欠陥画素に対応する欠陥画素とその周辺画素の位置情報を第１周辺画素情報テーブル１４０ａや第２周辺画素情報テーブル１４０ｂに登録（反映）する。例えば第１放射線検出器３２ａに新たな欠陥画素が発見されれば、該新たな欠陥画素の位置情報が第１画素配列マップ１０２ａに反映され、それに応じて、第１画素配列マップ１０２ａ上の第２領域１１２ｂが第１領域１１２ａに変化した場合に、新たな欠陥画素の位置情報が第１領域情報テーブル１０６ａに反映されることになる。さらに、新たな欠陥画素とその周辺画素の位置情報が第１周辺画素情報テーブル１４０ａに反映されることになる。これは、第２放射線検出器３２ｂに新たな欠陥画素が発見された場合も同様である。
ステップＳ５０４において、第３判別部１２４ｃは、第１周辺画素情報テーブル１４０ａ及び第２周辺画素情報テーブル１４０ｂに基づいて、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂを重ねたときに、第３の関係（一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係）になっている箇所が存在するか否かを判別する。
第３の関係になっている箇所が存在していれば、次のステップＳ５０５に進み、第３警告出力部１２６ｃは、第１領域１１２ａが重なった領域の欠陥画素の個数と、第３の関係となった箇所の欠陥画素の個数と、第３警告（第３の関係になっていることを示すメッセージ）を表示装置２０に表示する。このとき、必要であれば、スピーカにそのメッセージを音声出力する。特に、欠陥画素同士が重なる箇所があれば、その箇所の個数とその旨も併せてメッセージ表示や音声出力するようにしてもよい。
ステップＳ５０６において、配置関係表示部１２８は、第１領域情報テーブル１０６ａに基づいて、第１放射線検出器３２ａの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化した第１配置関係図１３２ａと、第２領域情報テーブル１０６ｂに基づいて、第２放射線検出器３２ｂの第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂの配置関係をモデル化した第２配置関係図１３２ｂとを重ねて配置関係図１３２を表示装置２０に表示する。
ステップＳ５０７において、第３カラー表示部１３０ｃは、表示装置２０に表示されている配置関係図１３２のうち、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在する部分を第２色（例えばオレンジ色）で表示し、第１領域１１２ａ同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在しない部分を第２色（例えば黄色）で表示し、第１領域１１２ａと第２領域１１２ｂとが重なる部分を第３色（例えば水色）で表示し、第２領域１１２ｂ同士が重なる部分を第４色（例えば白色）で表示する。特に、第１領域１１２ａが重なる部分であって、且つ、欠陥画素同士が重なっている部分をこれらと異なる色（例えば赤色）で表示する。
上述したステップＳ５０１〜ステップＳ５０７の処理は、定期的又は不定期に行われる欠陥画素検出処理が終了するたびに行われる。
［本実施の形態に係る放射線検出器３２の管理方法の効果］
本実施の形態に係る放射線検出器３２の管理方法においては、以下の効果を奏する。
・複数の放射線検出器３２を組み込む際に、各放射線検出器３２の同一の画素位置（座標）に欠陥画素が配置されないように組み込むことができる。その結果、１つの放射線検出器３２に欠陥画素があった場合、他の放射線検出器３２のうち、欠陥画素と同一の画素位置の画素の出力を利用して、欠陥画素を補正することができる。
・放射線検出器３２を論理的に複数の領域に分け、欠陥画素が存在する第１領域１１２ａと、存在しない第２領域１１２ｂとに分類して管理することで、組み合わせる放射線検出器３２を容易に抽出することができ、組み込み作業の簡素化、作業時間の短縮化を図ることができる。
・放射線検出器３２の組み込み時点から電子カセッテ１８の使用に伴って欠陥画素同士が重なるようになるまでの期間にわたって確実に欠陥画素の補正を行うことができる。
・電子カセッテ１８の使用に伴って欠陥画素が増えてきた場合に、欠陥画素の配置関係に応じた警告を発することができ、放射線検出器３２に対するメンテナンスや交換時期を使用者に認識させることができる。
・欠陥画素の配置関係をモデル化して表示し、さらに、電子カセッテ１８の使用に伴って欠陥画素が増えてきた場合に、欠陥画素の配置関係に応じた配色表示を行うことができ、使用者に放射線検出器３２の劣化状況を一目で認識させることができる。
・補正単位領域で管理することで、欠陥画素の補正処理の際に、高精度な補正処理を使用することができる。
・メンテナンス時の管理によって、電子カセッテ１８の使用中に放射線検出器３２に発生した欠陥画素を反映させることができ、発生した欠陥画素の位置に応じた警告を出力することができ、電子カセッテ１８に対して適切な処置（欠陥画素の補正処理の変更、放射線検出器３２の交換）を施すことが可能となる。
［本実施の形態に係る電子カセッテ１８の効果］
また、本実施の形態に係る電子カセッテ１８においては、放射線検出器３２の組み込み時点から電子カセッテ１８の使用に伴って欠陥画素同士が重なるようになるまでの期間にわたって確実に欠陥画素の補正を行うことができる。
［放射線画像撮影システム１０の効果］
また、本実施の形態に係る放射線画像撮影システム１０においては、以下の効果を奏する。
・電子カセッテ１８の使用に伴って欠陥画素が増えてきた場合に、欠陥画素の配置関係に応じた警告を発することができ、放射線検出器３２に対するメンテナンスや交換時期を使用者に認識させることができる。
・欠陥画素の配置関係をモデル化して表示し、さらに、電子カセッテ１８の使用に伴って欠陥画素が増えてきた場合に、欠陥画素の配置関係に応じた配色表示を行うことができ、使用者に放射線検出器３２の劣化状況を一目で認識させることができる。
このように、本実施の形態に係る放射線検出器３２の管理方法、電子カセッテ１８及び放射線画像撮影システム１０においては、２以上の放射線検出器３２を有する放射線画像撮影システム１０に関し、初期段階において、欠陥画素をある程度許容でき、量産化を図った安価なシステムを構築することができる。
上述の例では、２つの放射線検出器３２をシンチレータ３０を間に挟んで対向させる形態の電子カセッテ１８に適用した例を示したが、３つ以上の放射線検出器３２をそれぞれシンチレータ３０を間に挟んで対向させた形態に適用することもできる。
また、放射線を直接電荷に変換するタイプの放射線検出器を、複数重ねるようにしてもよい。
なお、本発明に係る放射線検出器の管理方法、放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システムは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
例えば、シンチレータ３０は、図２６及び図２８に示す変形例に係るシンチレータ５００であってもよく、第１放射線検出器３２ａ及び第２放射線検出器３２ｂは、図２６〜図２９に示す変形例に係る第１放射線検出器６００ａ及び第２放射線検出器６００ｂであってもよい。なお、図２６は、シンチレータ５００の構成を説明するための説明図であり、図２７は前記第１放射線検出器及び前記第２放射線検出器の画素配置を示す説明図であり、図２８は、変形例に係る第１放射線検出器６００ａの３つの画素部分の構成と、シンチレータ５００と、変形例に係る第２放射線検出器６００ｂの一部とを概略的に示した断面模式図であり、図２９は、図２８に示すＴＦＴ６２４及び蓄積容量６２２の概略構成図である。
図２６及び図２８に示すように、シンチレータ５００は、真空蒸着法を用いて第２放射線検出器６００ｂ（詳しくは、第２放射線検出器６００ｂの透明絶縁膜６１０）に対してＣｓＩ（Ｔｌ）を所定条件で直接的に蒸着することにより形成された非柱状結晶構造の非柱状部５０２と、真空蒸着法を用いてＣｓＩ（Ｔｌ）を前記非柱状部５０２に対して前記所定条件とは異なる条件で蒸着することにより形成された柱状結晶構造の柱状部５０４とを有する。
非柱状部５０２は、放射線１２の照射側から第２放射線検出器６００ｂの全ての画素を覆うように位置しており、柱状部５０４は、非柱状部５０２の一方の面（第１放射線検出器６００ａが位置する側の面）の略全面に位置している。これにより、シンチレータ５００から発せられた光を第１放射線検出器６００ａの全ての画素と第２放射線検出器６００ｂの全ての画素に確実に導くことができる。
柱状部５０４を構成する短冊状の各柱５０４ａは、ケーシング２８の高さ方向（第１放射線検出器６００ａの厚さ方向）に沿って延在しており、隣接する柱５０４ａの間には幾らかの隙間が確保されている。なお、図２６では、隣接する柱５０４ａの隙間を誇張して示している。
柱状部５０４の各柱５０４ａの端面は、第１放射線検出器６００ａに対して光学的に結合（接続）されている。具体的には、前記各柱５０４ａの端面を前記第１放射線検出器６００ａに押し当てた状態でシンチレータ５００を保持することにより、該各柱５０４ａの端面及び該第１放射線検出器６００ａの間隔を極力小さくしている。これにより、該各柱５０４ａの端面及び該第１放射線検出器６００ａ間のエアギャップを少なくすることができるので、シンチレータ５００から発せられて前記第１放射線検出器６００ａに導かれる光の該エアギャップによる損失を抑えることができる。
なお、シンチレータ５００を保持する方法としては、例えば、ばね部材等を用いてシンチレータ５００（第１放射線検出器６００ａ）を第１放射線検出器６００ａ（シンチレータ５００）側に付勢する方法や、クランプ等により第１放射線検出器６００ａと第２放射線検出器６００ｂを互いに近接する方向に締め付ける方法等を用いればよい。この場合、後述するように、第１放射線検出器６００ａは、有機光導電体を含んで構成された光電変換膜６１６と、有機半導体材料を含んで構成された信号出力部６０６を有しているのが好ましい。これにより、第１放射線検出器６００ａを撓ませることができる（第１放射線検出器６００ａにフレキシブル性を持たせることができる）ので、シンチレータ５００を第１放射線検出器６００ａに密着させ易くなると共に、第１放射線検出器６００ａで吸収される放射線（Ｘ線）１２の量を少なくすることができる。
このようにシンチレータ５００を第１放射線検出器６００ａに対して押し当てた状態で保持した場合、例えば、前記押し当て力を弱めた状態で第１放射線検出器６００ａと第２放射線検出器６００ｂの相対位置をずらすことで、該第１放射線検出器６００ａの画素と該第２放射線検出器の画素の位置関係を変更することができる。
これにより、例えば、第１管理方法において欠陥画素検出処理にて新たに欠陥画素が発見され、第１領域１１２ａ（欠陥画素）同士が重なる関係になっていると第１判別部１２４ａで判別された場合に、前記第１放射線検出器６００ａと前記第２放射線検出器６００ｂの相対位置をずらして前記第１領域同士が重ならないようにすることができる。
また、例えば、第２管理方法において補正単位領域１３６同士が一部でも重なる関係になっていると第２判別部１２４ｂで判別された場合に、前記第１放射線検出器６００ａと前記第２放射線検出器６００ｂの相対位置をずらして前記補正単位領域１３６同士が重ならないようにすることができる。
さらに、例えば、第３管理方法において一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっていると第３判別部１２４ｃで判別された場合に、前記第１放射線検出器６００ａと前記第２放射線検出器６００ｂの相対位置をずらして前記一方の欠陥画素が前記他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれないようにすることができる。
なお、第１〜第３管理方法に基づいて第１放射線検出器６００ａと第２放射線検出器６００ｂの相対位置をずらすことにより、放射線画像の撮影可能領域が所定量（例えば、５％）以上減少してしまう場合、各警告出力部１２６ａ〜１２６ｃは、第１放射線検出器６００ａ及び／又は第２放射線検出器６００ｂの交換が必要である旨の警告を発してもよい。
また、後述する第１放射線検出器６００ａ及び第２放射線検出器６００ｂは、それぞれの画素サイズが異なるように構成することが可能である。つまり、例えば、図２７に示すように、第１放射線検出器６００ａの画素サイズを第２放射線検出器６００ｂの画素サイズの２５％の大きさに設定することが可能である。なお、図２７では、第１放射線検出器６００ａの第１配置関係図を参照符号１３２ａ、第２放射線検出器６００ｂの第２配置関係図を参照符号１３２ｂ、それら配置関係図を組み合わせた配置関係図を参照符号１３２、電子カセッテ１８の製造後に新たに欠陥画素１１２ｃが発見された状態の配置関係図を参照符号１３２ｃ、配置関係図１３２ｃにおける第１放射線検出器６００ａと第２放射線検出器６００ｂの相対位置をずらした状態の配置関係図を参照符号１３２ｄでそれぞれ示している。また、便宜上、図２７における配置関係図の画素数は、実際よりも少なく表示している。
そして、第１管理方法において欠陥画素検出処理にて第１放射線検出器６００ａに新たに欠陥画素１１２ｃが発見され、その欠陥画素１１２ｃと第２放射線検出器６００ｂの欠陥画素１１２ａの一部とが重なる関係になっていると第１判別部１２４ａで判断された場合（配置関係図１３２ｃ参照）、例えば、第１放射線検出器６００ａと第２放射線検出器６００ｂの相対位置を第１放射線検出器６００ａの１画素分（距離Ｌ）だけずらすことにより、第１放射線検出器６００ａの欠陥画素１１２ｃと第２放射線検出器６００ｂの欠陥画素１１２ａが重ならないようにすることができる。具体的には、配置関係図１３２ｃにおいて、第１放射線検出器６００ａを第２放射線検出器６００ｂに対して図２７の右側（或いは下側でも構わない）に距離Ｌだけ移動させることにより、欠陥画素１１２ａと欠陥画素１１２ｃを重ならなくすることができる。
これにより、第１放射線検出器６００ａの画素サイズと第２放射線検出器６００ｂの画素サイズを同一に設定した場合と比較して、第１放射線検出器６００ａのずらし量を減らす（図２７の場合では半分にすること）ができる。よって、放射線画像の撮影可能領域の減少量も抑えることができる。
なお、図２７では、第１放射線検出器６００ａの方が小さい画素サイズ（高解像度）である例を示したが、この関係は逆であっても構わない。但し、シンチレータ５００から発光した光は第２放射線検出器６００ｂよりも第１放射線検出器６００ａの方に多く導かれるので、第１放射線検出器６００ａの画素サイズを小さくするのが好ましい。
このように、放射線画像の撮影可能領域が所定量以上減少してしまう場合に、第１放射線検出器６００ａ及び／又は第２放射線検出器６００ｂを交換し、それ以外の場合に、第１放射線検出器６００ａと第２放射線検出器６００ｂの相対位置をずらすことができるので、電子カセッテ１８を低コストで高い品質に維持することができる。
シンチレータ５００を構成する柱状部５０４の各柱５０４ａの端面と第１放射線検出器６００ａの結合方法は、押し当てによる方法に限らず、例えば、接着剤を用いた接着による方法、又はゲルからなるマッチングオイルを用いる方法等であってもよい。また、前記各柱５０４ａの端面に樹脂等で構成された防湿層を設けてもよい。この場合、潮解性のあるＣｓＩ（Ｔｌ）を湿気から保護することができる。
シンチレータ５００が発光する可視光の波長は、３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの可視光領域であることが好ましく、第１放射線検出器６００ａ及び第２放射線検出器６００ｂのモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。特に、ＣｓＩ（Ｔｌ）では、放射線１２の照射時における発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍであると共に、可視光領域における発光ピーク波長が５６５ｎｍである。
なお、シンチレータ５００としてＧＯＳを用いる場合、樹脂ベースにＧＯＳを塗布し、その後、ＴＦＴアクティブマトリクス基板の表面に貼り合わせるとよい。これにより、万が一、ＧＯＳの塗布が失敗してもＴＦＴアクティブマトリックス基板を温存することができる。
次に、図２８及び図２９を参照して第１放射線検出器６００ａの構成について説明する。なお、第２放射線検出器６００ｂは、第１放射線検出器６００ａを上下反転させた構成となっているため、その詳細な説明を省略する。
図２８に示すように、第１放射線検出器６００ａは、シンチレータ５００から発光された光を吸収して該光に応じた電荷を発生するセンサ部６０４と、絶縁性の基板６０２に設けられてセンサ部６０４にて発生した電荷を電気信号に変換して出力する信号出力部６０６とを有し、前記センサ部６０４と前記信号出力部６０６とで画素部が構成されている。画素部は、基板６０２上に行列状に配列されており、各画素部における信号出力部６０６とセンサ部６０４とが重なりを有するように構成されている。
センサ部６０４は、第１電極６１２、第２電極６１４、及び該第１電極６１２と該第２電極６１４の間に配置された光電変換膜６１６を有している。
第１電極６１２は、シンチレータ５００により生じた光を光電変換膜６１６に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ５００の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｏｘｉｄｅ）を用いることが好ましい。なお、第１電極６１２としてＡｕなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を９０％以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、ＴＣＯの方が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはＩＴＯが最も好ましい。なお、第１電極６１２は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。
光電変換膜６１６は、有機光導電体（ＯＰＣ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）を含み、シンチレータ５００から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。有機光導電体（有機光電変換材料）を含む光電変換膜６１６であれば、可視光域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ５００による発光以外の電磁波が光電変換膜６１６によって吸収されることが殆どなく、放射線１２が光電変換膜６１６で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。なお、光電変換膜６１６は、有機光導電体に代えてアモルファスシリコンを含むように構成してもよい。この場合、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ５００による発光を効率的に吸収することができる。
光電変換膜６１６を構成する有機光導電体は、シンチレータ５００で発光した光を最も効率よく吸収するために、そのピーク波長が、シンチレータ５００の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光導電体の吸収ピーク波長とシンチレータ５００の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ５００から発せられた光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光導電体の吸収ピーク波長と、シンチレータ５００の放射線に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
このような条件を満たすことが可能な有機光導電体としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光導電体としてキナクリドンを用い、シンチレータ５００の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜６１６で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
センサ部６０４は、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ね若しくは混合により形成される有機層を含んで構成される。前記有機層は、有機ｐ型化合物（有機ｐ型半導体）又は有機ｎ型化合物（有機ｎ型半導体）を含有することが好ましい。
有機ｐ型半導体は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。
有機ｎ型半導体は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。
この有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体として適用可能な材料、及び光電変換膜６１６の構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光電変換膜６１６は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
光電変換膜６１６の厚みは、シンチレータ５００からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜６１６の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜６１６に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下にするのがよい。
光電変換膜６１６は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。第２電極６１４は、画素部毎に分割された薄膜とする。但し、第２電極６１４は、全画素部で共通の一枚構成であってもよい。第２電極６１４は、放射線（Ｘ線）１２を透過可能なアルミニウム等の材料で構成することができ、その厚みは、例えば、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
センサ部６０４では、第１電極６１２と第２電極６１４の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜６１６で発生した電荷（正孔、電子）のうちの一方を第１電極６１２に移動させ、他方を第２電極６１４に移動させることができる。本変形例に係る第１放射線検出器６００ａでは、第１電極６１２に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が第１電極６１２に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜６１６で発生した電子が第１電極６１２に移動し、正孔が第２電極６１４に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であっても良い。
各画素部を構成するセンサ部６０４は、少なくとも第２電極６１４、光電変換膜６１６、及び第１電極６１２を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜６１８及び正孔ブロッキング膜６２０の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
電子ブロッキング膜６１８は、第２電極６１４と光電変換膜６１６との間に設けることができ、第２電極６１４と第１電極６１２間にバイアス電圧を印加したときに、第２電極６１４から光電変換膜６１６に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
電子ブロッキング膜６１８には、電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜６１８に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜６１６の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、且つ、隣接する光電変換膜６１６の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐもしくはそれより小さいＩｐを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
電子ブロッキング膜６１８の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、センサ部６０４の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのがよい。
正孔ブロッキング膜６２０は、光電変換膜６１６と第１電極６１２との間に設けることができ、第２電極６１４と第１電極６１２間にバイアス電圧を印加したときに、第１電極６１２から光電変換膜６１６に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
正孔ブロッキング膜６２０には、電子受容性有機材料を用いることができる。正孔ブロッキング膜６２０の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、センサ部６０４の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのがよい。
実際に正孔ブロッキング膜６２０に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜６１６の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、且つ、隣接する光電変換膜６１６の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａもしくはそれより大きいＥａを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
なお、光電変換膜６１６で発生した電荷のうち、正孔が第１電極６１２に移動し、電子が第２電極６１４に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜６１８と正孔ブロッキング膜６２０の位置を逆にすれば良い。また、電子ブロッキング膜６１８と正孔ブロッキング膜６２０は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
図２９に示すように、信号出力部６０６は、各画素部の第２電極６１４に対応して基板６０２の表面に設けられており、第２電極６１４に移動した電荷を蓄積する蓄積容量６２２と、前記蓄積容量６２２に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力するＴＦＴ６２４とを有している。蓄積容量６２２及びＴＦＴ６２４の形成された領域は、平面視において第２電極６１４と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における信号出力部６０６とセンサ部６０４とが厚さ方向で重なりを有することとなる。蓄積容量６２２及びＴＦＴ６２４を第２電極６１４によって完全に覆うように信号出力部６０６を形成すれば、第１放射線検出器６００ａ（画素部）の平面積を最小にすることができる。
蓄積容量６２２は、基板６０２と第２電極６１４との間に設けられた絶縁膜６２６を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する第２電極６１４と電気的に接続されている。これにより、第２電極６１４で捕集された電荷を蓄積容量６２２に移動させることができる。
ＴＦＴ６２４は、ゲート電極６２８、ゲート絶縁膜６３０、及び活性層（チャネル層）６３２を有しており、活性層６３２にソース電極６３４とドレイン電極６３６が所定の間隔を開けて形成されている。活性層６３２は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層６３２を構成する材料は、これらに限定されるものではない。
活性層６３２を構成可能な非晶質酸化物としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。なお、活性層６３２を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
活性層６３２を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報に詳細に記載されているため説明を省略する。
ＴＦＴ６２４の活性層６３２を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線１２を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部６０６におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
活性層６３２をカーボンナノチューブで形成した場合、ＴＦＴ６２４のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低いＴＦＴ６２４を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層６３２を形成する場合、活性層６３２に極微量の金属性不純物の混入するだけで、ＴＦＴ６２４の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光導電体は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板６０２としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。
ここで、光電変換膜６１６を有機光導電体で形成すると共にＴＦＴ６２４を有機半導体材料で形成する場合、プラスチック製の可撓性基板（基板６０２）に対して該光電変換膜６１６及び該ＴＦＴ６２４をインクジェットにより成膜することが可能となる。これにより、成膜精度を向上させることができるので、第１放射線検出器６００ａに画素欠陥が生じ難くなる。よって、第１放射線検出器６００ａの歩留まりを向上させることができる。
有機光導電体で形成された光電変換膜６１６と有機半導体材料で形成されたＴＦＴ６２４は十分な可撓性を有している。そのため、被写体１４の荷重が第１放射線検出器６００ａに作用した場合でも該第１放射線検出器６００ａが破損することを抑えることができるので、第１放射線検出器６００ａ全体の薄型化及び軽量化を図ることができる。なお、これら第１放射線検出器６００ａの効果は、第２放射線検出器６００ｂにおいても奏する。
基板６０２には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために，透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板６０２を形成してもよい。
バイオナノファイバは、バクテリア（酢酸菌、Ａｃｅｔｏｂａｃｔｅｒ Ｘｙｌｉｎｕｍ）が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、且つ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰａ)、高弾性(３０ＧＰａ)で、且つフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて基板６０２を薄く形成できる。
上述した変形例に係る第１放射線検出器６００ａでは、光電変換膜６１６を有機光導電体により構成すると共にＴＦＴ６２４の活性層６３２を有機半導体材料で構成しているので、該光電変換膜６１６及び信号出力部６０６で放射線１２が吸収されることは殆どない。これにより、放射線１２に対する感度の低下を抑えることができる。
ＴＦＴ６２４の活性層６３２を構成する有機半導体材料や光電変換膜６１６を構成する有機光導電体は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板６０２を放射線１２の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。これにより、放射線１２に対する感度の低下を一層抑えることができる。
また、例えば、第１放射線検出器６００ａをケーシング２８内に配置し、基板６０２を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、第１放射線検出器６００ａ自体の剛性を高くすることができるため、ケーシング２８を薄く形成することができる。また、基板６０２を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、第１放射線検出器６００ａ自体が可撓性を有するため、ケーシング２８に衝撃が加わった場合でも第１放射線検出器６００ａが破損しづらい。
本変形例に係る電子カセッテ１８では、少なくとも第１放射線検出器６００ａにおいて、光電変換膜６１６を有機光導電体で形成すると共にＴＦＴ６２４を有機半導体材料で形成するのが好ましい。この場合、第１放射線検出器６００ａで吸収される放射線（Ｘ線）１２量を抑えることができるからである。
１０…放射線画像撮影システム １２…放射線
１４…被写体 １８…電子カセッテ
２０…表示装置 ２２…コンソール
３０、５００…シンチレータ ３２…放射線検出器
３２ａ、６００ａ…第１放射線検出器
３２ｂ、６００ｂ…第２放射線検出器
８６…欠陥画素情報テーブル ８７…欠陥画素補正部
１００Ａ〜１００Ｃ…第１管理システム〜第３管理システム
１０２…画素配列マップ １０４…マップ作成部
１０６…領域情報テーブル
１０８ａ〜１０８ｃ…第１テーブル作成部〜第３テーブル作成部
１１０ａ〜１１０ｃ…第１選択部〜第３選択部
１１２ａ…第１領域 １１２ｂ…第２領域
１２０Ａ〜１２０Ｃ…第１管理処理部〜第３管理処理部
１２２ａ〜１２２ｃ…第１テーブル更新部〜第３テーブル更新部
１２４ａ〜１２４ｃ…第１判別部〜第３判別部
１２６ａ〜１２６ｃ…第１警告出力部〜第３警告出力部
１２８…配置関係表示部
１３０ａ〜１３０ｃ…第１カラー表示部〜第３カラー表示部
１３２…配置関係図 １３４…補正領域情報テーブル
１３６…補正単位領域 １４０…周辺画素情報テーブル
６０２…基板 ６０６…信号出力部
６１６…光電変換膜

Claims (23)

  1. ２以上の放射線検出器を有する放射線画像撮影装置の放射線検出器の管理方法であって、
    製造された複数の放射線検出器の欠陥画素の位置を把握し、
    １つの前記放射線画像撮影装置に２以上の放射線検出器を重ねて組み込む際に、把握した前記欠陥画素の位置を参照して、２以上の放射線検出器の欠陥画素が重ならないようにすることを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  2. 請求項１記載の放射線検出器の管理方法において、
    １つの前記放射線画像撮影装置に２以上の放射線検出器を重ねて組み込む際に、２以上の放射線検出器の同一の画素位置に欠陥画素が重ならないようにすることを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  3. 請求項２記載の放射線検出器の管理方法において、
    製造された前記複数の放射線検出器から、１つの前記放射線画像撮影装置に組み込む２つの放射線検出器を選択する選択ステップを有し、
    前記選択ステップは、
    把握した前記欠陥画素の位置を参照して、同一の画素位置に欠陥画素が重ならない２つの放射線検出器を選択することをことを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  4. 請求項３記載の放射線検出器の管理方法において、
    製造された前記複数の放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の位置情報が登録された複数の領域情報テーブルを作成するステップを有し、
    前記第１領域と前記第２領域は、それぞれ同じ画素配列を有し、
    前記選択ステップは、
    前記複数の領域情報テーブルに基づいて、前記複数の放射線検出器のうち、２つの放射線検出器を重ねたときに、前記第１領域と前記第２領域とが重なる関係を有する２つの放射線検出器を選択することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  5. 請求項４記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記２つの放射線検出器が重ねられて組み込まれた前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記領域情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、
    重ねられた前記２つの放射線検出器における前記領域情報テーブルに基づいて、前記第１領域同士が重なる関係になっているか否かを判別するステップと、
    前記判別ステップにおいて、前記第１領域同士が重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  6. 請求項５記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記２つの放射線検出器の前記第１領域及び前記第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示ステップと、
    前記第１領域同士が重なる部分を第１色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第２色で表示するカラー表示ステップとを有することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  7. 請求項１又は２記載の放射線検出器の管理方法において、
    製造された前記複数の放射線検出器に対応して作成され、補正単位領域の位置情報が登録された補正領域情報テーブルを作成するステップを有し、
    前記補正単位領域は、欠陥画素と該欠陥画素を補正する際に用いられる周辺画素の領域を示し、
    前記選択ステップは、
    前記複数の補正領域情報テーブルに基づいて、前記複数の放射線検出器のうち、２つの放射線検出器を重ねたときに、一方の放射線検出器の補正単位領域に、他方の放射線検出器の補正単位領域の一部でも重ならない関係を有する２つの放射線検出器を選択することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  8. 請求項７記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記２つの放射線検出器が重ねられて組み込まれた前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記補正領域情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、
    重ねられた前記２つの放射線検出器における前記補正領域情報テーブルに基づいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっているか否かを判別するステップと、
    前記判別ステップにおいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  9. 請求項８記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記放射線画像撮影装置に組み込まれた２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示ステップと、
    前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示ステップとを有することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  10. 請求項１記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記放射線画像撮影装置に対して２つの前記放射線検出器を少なくとも一方向に１画素ピッチ未満の範囲でずらして組み込む際に、
    製造された前記複数の放射線検出器に対応し、欠陥画素と、該欠陥画素を中心に画素ずらしの方向に対して隣接する周辺画素の位置情報が登録された複数の周辺画素情報テーブルを作成するステップを有し、
    前記選択ステップは、
    前記複数の周辺画素情報テーブルに基づいて、前記複数の放射線検出器のうち、２つの放射線検出器を重ねたときに、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれず、且つ、他方の欠陥画素が一方の欠陥画素とその周辺画素に含まれない関係を有する２つの放射線検出器を選択することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  11. 請求項１０記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記２つの放射線検出器が重ねられて組み込まれた前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記周辺画素情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、
    重ねられた前記２つの放射線検出器における前記周辺画素情報テーブルに基づいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっているか否かを判別するステップと、
    前記判別ステップにおいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  12. 請求項１１記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記放射線画像撮影装置に組み込まれた２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示ステップと、
    前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示ステップとを有することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  13. 請求項６、９又は１２記載の放射線検出器の管理方法において、
    前記カラー表示ステップは、
    前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記欠陥画素同士が重なっている箇所が存在している部分を異なった色で表示することを特徴とする放射線検出器の管理方法。
  14. 被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２以上の放射線検出器を有する放射線画像撮影装置において、
    前記２以上の放射線検出器は、それぞれ同一の画素位置に欠陥画素が重ならないように組み込まれていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
  15. 請求項１４記載の放射線画像撮影装置において、
    前記放射線検出器が２つ設けられており、
    前記２つの放射線検出器の間に設けられ、且つ前記放射線を光に変換するシンチレータをさらに備え、
    前記シンチレータよりも前記被写体側に位置する放射線検出器は、前記光を吸収して該光に応じた電荷を発生する光電変換部と、
    前記電荷を電気信号に変換して出力する信号出力部と、を有し、
    前記光電変換部は、有機光導電体を含んで構成されており、
    前記信号出力部は、有機半導体材料を含んで構成されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
  16. 被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２つの放射線検出器が組み込まれた放射線画像撮影装置を有する放射線画像撮影システムにおいて、
    前記２つの放射線検出器に対応して作成され、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の位置情報が登録された複数の領域情報テーブルと、
    前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、前記領域情報テーブルに反映させるテーブル更新部と、
    反映後の前記領域情報テーブルに基づいて、前記第１領域同士が重なる関係になっているか否かを判別する判別部と、
    前記判別部において、前記第１領域同士が重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力部とを有することを特徴とする放射線画像撮影システム。
  17. 請求項１６記載の放射線画像撮影システムにおいて、
    前記２つの放射線検出器の前記第１領域及び前記第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示部と、
    前記第１領域同士が重なる部分を第１色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第２色で表示するカラー表示部とを有することを特徴とする放射線画像撮影システム。
  18. 被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２つの放射線検出器が組み込まれた放射線画像撮影装置を有する放射線画像撮影システムにおいて、
    前記２つの放射線検出器に対応して作成され、欠陥画素と該欠陥画素を補正する際に用いられる周辺画素の領域を示す補正単位領域の位置情報が登録された補正領域情報テーブルと、
    前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記補正領域情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、
    前記２つの放射線検出器における前記補正領域情報テーブルに基づいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっているか否かを判別するステップと、
    前記判別ステップにおいて、前記補正単位領域同士が一部でも重なる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする放射線画像撮影システム。
  19. 請求項１８記載の放射線画像撮影システムにおいて、
    前記２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示部と、
    前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記補正単位領域同士が一部でも重なっている箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示部とを有することを特徴とする放射線画像撮影システム。
  20. 被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する２つの放射線検出器が少なくとも一方向に１画素未満の範囲でずらして組み込まれた放射線画像撮影装置を有する放射線画像撮影システムにおいて、
    前記２つの放射線検出器に対応して作成され、欠陥画素と、該欠陥画素を中心に画素ずらしの方向に対して隣接する周辺画素の位置情報が登録された周辺画素情報テーブルと、
    前記放射線画像撮影装置に対する定期又は不定期の欠陥画素検出処理にて新たに発見された欠陥画素の位置を、対応する前記周辺画素情報テーブルに反映させるテーブル更新ステップと、
    前記２つの放射線検出器における前記周辺画素情報テーブルに基づいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっているか否かを判別するステップと、
    前記判別ステップにおいて、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる関係になっていると判別された場合に、警告を発する警告出力ステップとを有することを特徴とする放射線画像撮影システム。
  21. 請求項２０記載の放射線画像撮影システムにおいて、
    前記２つの放射線検出器に対応し、それぞれ欠陥画素が存在する第１領域と、欠陥画素が存在しない第２領域の配置関係をモデル化して重ねて表示する配置関係表示部と、
    前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在する部分を第１色で表示し、前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、一方の欠陥画素が他方の欠陥画素とその周辺画素に含まれる箇所が存在しない部分を第２色で表示し、前記第１領域と前記第２領域とが重なる部分を第３色で表示するカラー表示部とを有することを特徴とする放射線画像撮影システム。
  22. 請求項１７、１９又は２１記載の放射線画像撮影システムにおいて、
    前記カラー表示ステップは、
    前記第１領域同士が重なる部分であって、且つ、前記欠陥画素同士が重なっている箇所が存在している部分を異なった色で表示することを特徴とする放射線画像撮影システム。
  23. 請求項１６、１８又は２０に記載の放射線画像撮影システムにおいて、
    前記放射線画像撮影装置は、前記２つの放射線検出器の間に設けられ、且つ前記放射線を光に変換するシンチレータをさらに備え、
    前記シンチレータよりも前記被写体側に位置する放射線検出器は、前記光を吸収して該光に応じた電荷を発生する光電変換部と、
    前記電荷を電気信号に変換して出力する信号出力部と、を有し、
    前記光電変換部は、有機光導電体を含んで構成されており、
    前記信号出力部は、有機半導体材料を含んで構成されていることを特徴とする放射線画像撮影システム。
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