JP2000284059A - 放射線固体検出装置 - Google Patents
放射線固体検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線固体検出装置が備える検出素子の欠陥
位置に対応する画素の濃度が周辺と異なる特異な濃度と
ならないように正確に補正する。 【解決手段】 放射線固体検出装置に、放射線を検出し
て電気的な信号に変換する検出位置Ｐ（ｉ，ｊ）が行列
状に画像の画素に対応して多数配列されて成る放射線固
体検出器１００と、欠陥のある検出位置の座標を記憶す
る記憶手段４０と、前記座標に対応する画素の値を補正
する補正手段３０とを備えたことにより欠陥のある検出
素子に対応する画素の濃度が周辺と異なる特異な濃度と
ならないように正確に補正し特異点のない良好な画像を
得る。
位置に対応する画素の濃度が周辺と異なる特異な濃度と
ならないように正確に補正する。 【解決手段】 放射線固体検出装置に、放射線を検出し
て電気的な信号に変換する検出位置Ｐ（ｉ，ｊ）が行列
状に画像の画素に対応して多数配列されて成る放射線固
体検出器１００と、欠陥のある検出位置の座標を記憶す
る記憶手段４０と、前記座標に対応する画素の値を補正
する補正手段３０とを備えたことにより欠陥のある検出
素子に対応する画素の濃度が周辺と異なる特異な濃度と
ならないように正確に補正し特異点のない良好な画像を
得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線画像情報を
検出する放射線固体検出装置に関し、詳細には放射線を
検出して電気的な信号に変換する検出位置が行列状に画
像の画素に対応して多数配列されて成る放射線固体検出
器を備えた放射線固体検出装置に関するものである。
検出する放射線固体検出装置に関し、詳細には放射線を
検出して電気的な信号に変換する検出位置が行列状に画
像の画素に対応して多数配列されて成る放射線固体検出
器を備えた放射線固体検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】放射線を検出して画像信号を出力する放
射線固体検出器（半導体を主要部とするもの）を使用し
た放射線画像記録読取装置が各種提案、実用化されてい
る。この装置に使用される放射線固体検出器としては、
種々のタイプのものが提案されているが、代表的なもの
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）により画像情報
を担持する蓄積電荷（「潜像電荷」ともいう）を読み出
す光変換方式或いは直接変換方式の放射線固体検出器、
並びに直接変換方式の一つであって、読取用の光を走査
して読み出す改良型直接変換方式の放射線固体検出器等
がある。
射線固体検出器（半導体を主要部とするもの）を使用し
た放射線画像記録読取装置が各種提案、実用化されてい
る。この装置に使用される放射線固体検出器としては、
種々のタイプのものが提案されているが、代表的なもの
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）により画像情報
を担持する蓄積電荷（「潜像電荷」ともいう）を読み出
す光変換方式或いは直接変換方式の放射線固体検出器、
並びに直接変換方式の一つであって、読取用の光を走査
して読み出す改良型直接変換方式の放射線固体検出器等
がある。
【０００３】これら各種方式の検出器は、いずれも放射
線を電気信号に変換する検出位置が行列状に多数配列さ
れて成り放射線画像を担持する画像信号を２次元マトリ
クス情報として出力するものである。
線を電気信号に変換する検出位置が行列状に多数配列さ
れて成り放射線画像を担持する画像信号を２次元マトリ
クス情報として出力するものである。
【０００４】前記行列状に多数配列してなる検出位置と
は、個別にマトリクス状に配列されている検出素子が設
けられているものにおいてはその検出素子の設けられて
いる位置を意味し、縦横に延びたストライプの交差する
点が検出位置となるものにおいてはその交差点の位置を
意味するものである。
は、個別にマトリクス状に配列されている検出素子が設
けられているものにおいてはその検出素子の設けられて
いる位置を意味し、縦横に延びたストライプの交差する
点が検出位置となるものにおいてはその交差点の位置を
意味するものである。
【０００５】ところで、このような行列状に多数配列さ
れた検出位置の中に欠陥がある場合には、その欠陥の位
置を検出して補正することが望まれるが、欠陥画素（欠
陥のある検出位置の画素）の濃度は周辺の画素の濃度と
著しく異なるので、周辺の画素と比較して規定値以上の
濃度差を持つ画素は欠陥画素と判定することができる。
そして、その欠陥画素の濃度値に濃度範囲の中央値（最
大濃度値と最小濃度値の中間の値）を与えて画像を補正
し前記画素が特異点として目立たないようにする方式等
が知られている。
れた検出位置の中に欠陥がある場合には、その欠陥の位
置を検出して補正することが望まれるが、欠陥画素（欠
陥のある検出位置の画素）の濃度は周辺の画素の濃度と
著しく異なるので、周辺の画素と比較して規定値以上の
濃度差を持つ画素は欠陥画素と判定することができる。
そして、その欠陥画素の濃度値に濃度範囲の中央値（最
大濃度値と最小濃度値の中間の値）を与えて画像を補正
し前記画素が特異点として目立たないようにする方式等
が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、周辺画
素との値の差が規定値以上となる画素を欠陥のある画素
と判定する方式では、必ずしも検出位置に欠陥があるか
否かを正確に判定することはできない。なぜなら、電気
的なノイズおよび固体検出器の検出面上に微小な金属片
等の異物が付着し検出位置に照射される放射線の一部を
反射および吸収し前記検出位置に対応する画素の値が周
辺の画素と異なる値になるような場合等には、検出位置
（検出素子）自体は正常であっても周辺画素の値と規定
値以上の差となり欠陥のある検出位置と判定されるから
である。
素との値の差が規定値以上となる画素を欠陥のある画素
と判定する方式では、必ずしも検出位置に欠陥があるか
否かを正確に判定することはできない。なぜなら、電気
的なノイズおよび固体検出器の検出面上に微小な金属片
等の異物が付着し検出位置に照射される放射線の一部を
反射および吸収し前記検出位置に対応する画素の値が周
辺の画素と異なる値になるような場合等には、検出位置
（検出素子）自体は正常であっても周辺画素の値と規定
値以上の差となり欠陥のある検出位置と判定されるから
である。
【０００７】また上記と反対に、周辺画素の値との差が
規定値以下となる画素であってもその画素に対応する検
出位置を欠陥のない位置と判定するのが不適切な場合が
あり、例えば一般に画素の欠陥を検出するために、一定
強度の放射線を固体検出器に照射し各検出位置に対応す
る全ての画素の値が周辺の画素の値と規定値以下の差の
に収まれば検出位置に欠陥は無いはずであるが、電荷の
蓄積部等に損傷があり他の検出位置の感度特性と大幅に
ずれた特性を持つ検出位置（検出素子）に対応する画素
であっても、たまたま前記強度の照射量のときに他の画
素の値に近い値を示す場合には、周辺画素の値との差が
規定値以下の値となり正常な検出位置（検出素子）と誤
って判定されることがある。
規定値以下となる画素であってもその画素に対応する検
出位置を欠陥のない位置と判定するのが不適切な場合が
あり、例えば一般に画素の欠陥を検出するために、一定
強度の放射線を固体検出器に照射し各検出位置に対応す
る全ての画素の値が周辺の画素の値と規定値以下の差の
に収まれば検出位置に欠陥は無いはずであるが、電荷の
蓄積部等に損傷があり他の検出位置の感度特性と大幅に
ずれた特性を持つ検出位置（検出素子）に対応する画素
であっても、たまたま前記強度の照射量のときに他の画
素の値に近い値を示す場合には、周辺画素の値との差が
規定値以下の値となり正常な検出位置（検出素子）と誤
って判定されることがある。
【０００８】このように、周辺画素との値の差が規定値
以上となる画素を欠陥のある画素と判定する方式だけで
は検出位置の欠陥の有無を判定することが難しい場合が
ある。
以上となる画素を欠陥のある画素と判定する方式だけで
は検出位置の欠陥の有無を判定することが難しい場合が
ある。
【０００９】また、欠陥位置に対応する画素に固定的な
値（例えば上記のような濃度範囲の中央値）を与えて補
正すると、周辺の画素の濃度が極めて高い濃度または極
めて低い濃度であった場合には、その画素は画像として
再生するときに依然として濃度の特異な点として目立
ち、常に適切な画像の補正を行うことは難しい。
値（例えば上記のような濃度範囲の中央値）を与えて補
正すると、周辺の画素の濃度が極めて高い濃度または極
めて低い濃度であった場合には、その画素は画像として
再生するときに依然として濃度の特異な点として目立
ち、常に適切な画像の補正を行うことは難しい。
【００１０】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あって、欠陥のある検出位置（検出素子）の正確な位置
情報に基づき適切な画像補正を行うことができる放射線
固体検出装置を提供することを目的とする。
あって、欠陥のある検出位置（検出素子）の正確な位置
情報に基づき適切な画像補正を行うことができる放射線
固体検出装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線固体検出
装置は、放射線を検出して電気的な信号に変換する検出
位置が行列状に画像の画素に対応して多数配列されて成
る放射線固体検出器を備えた放射線固体検出装置におい
て、欠陥のある検出位置の座標のみを記憶する記憶手段
と、前記座標に対応する画素の値を補正する補正手段と
を備えたことを特徴とするものである。
装置は、放射線を検出して電気的な信号に変換する検出
位置が行列状に画像の画素に対応して多数配列されて成
る放射線固体検出器を備えた放射線固体検出装置におい
て、欠陥のある検出位置の座標のみを記憶する記憶手段
と、前記座標に対応する画素の値を補正する補正手段と
を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】すなわち、既知の方法（例えば目視等）で
あらかじめ実際に欠陥があると判っている検出位置を記
憶しておき、その位置の画素の値を補正するようにした
ものである。
あらかじめ実際に欠陥があると判っている検出位置を記
憶しておき、その位置の画素の値を補正するようにした
ものである。
【００１３】前記補正手段は、前記欠陥のある検出位置
の座標に対応する画素の値を該画素の読取り値を使わず
に周辺の画素の読取り値に基づいて補正するものとする
ことができ、例えば前記座標に対応する画素に隣接する
上下左右４点または斜め４点あるいは上下左右および斜
め計８点の画素の値の平均値で置き換えるものとするこ
とができる。
の座標に対応する画素の値を該画素の読取り値を使わず
に周辺の画素の読取り値に基づいて補正するものとする
ことができ、例えば前記座標に対応する画素に隣接する
上下左右４点または斜め４点あるいは上下左右および斜
め計８点の画素の値の平均値で置き換えるものとするこ
とができる。
【００１４】前記欠陥のある検出位置が線状に並んでい
る場合には、線状に並んだ方向に対して垂直な方向に隣
接する画素の値に基づいて前記補正を行うものとするこ
とができる。
る場合には、線状に並んだ方向に対して垂直な方向に隣
接する画素の値に基づいて前記補正を行うものとするこ
とができる。
【００１５】なお「欠陥のある検出位置」とは、放射線
を検出して電気的な信号に変換する検出素子等の異常に
より、正常な検出ができない検出位置を意味するもの
で、例えば検出位置近傍の構造に不純物が混入し特異な
電荷の蓄積特性を示したり、衝撃または熱等により生じ
た応力により検出位置近傍の接合構造が破断し、電気信
号を出力する回路が機能しなくなった場合にそのような
欠陥を生ずる。
を検出して電気的な信号に変換する検出素子等の異常に
より、正常な検出ができない検出位置を意味するもの
で、例えば検出位置近傍の構造に不純物が混入し特異な
電荷の蓄積特性を示したり、衝撃または熱等により生じ
た応力により検出位置近傍の接合構造が破断し、電気信
号を出力する回路が機能しなくなった場合にそのような
欠陥を生ずる。
【００１６】
【発明の効果】本発明による放射線固体検出装置によれ
ば、放射線固体検出器の欠陥のある検出位置の座標を記
憶する記憶手段と、前記座標に対応する画素の値を補正
する補正手段とを備えるようにしたので、画像化される
場合に欠陥によりその濃度が周辺と異なる特異な濃度と
なる画素を正確に補正することができ、特異点のない良
好な画像を得ることができる。
ば、放射線固体検出器の欠陥のある検出位置の座標を記
憶する記憶手段と、前記座標に対応する画素の値を補正
する補正手段とを備えるようにしたので、画像化される
場合に欠陥によりその濃度が周辺と異なる特異な濃度と
なる画素を正確に補正することができ、特異点のない良
好な画像を得ることができる。
【００１７】前記欠陥のある画素の値を周辺の画素の値
で補正すれば、欠陥画素はその周辺の画素とほぼ等しい
濃度に補正することができるので、常に適切な補正をす
ることができる。
で補正すれば、欠陥画素はその周辺の画素とほぼ等しい
濃度に補正することができるので、常に適切な補正をす
ることができる。
【００１８】前記欠陥のある検出位置が線状に並んでい
る場合に線状に並んだ方向に対して垂直な方向に隣接す
る画素の値に基づいて前記補正を行えば、欠陥画素はそ
の隣接した画素とほぼ等しい濃度に補正することができ
るので、常に適切な補正をすることができる。
る場合に線状に並んだ方向に対して垂直な方向に隣接す
る画素の値に基づいて前記補正を行えば、欠陥画素はそ
の隣接した画素とほぼ等しい濃度に補正することができ
るので、常に適切な補正をすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を用いて説明する。図１は、本発明の放
射線固体検出装置の実施の形態の全体の構成を示す図で
ある。
態について図面を用いて説明する。図１は、本発明の放
射線固体検出装置の実施の形態の全体の構成を示す図で
ある。
【００２０】本実施の形態による放射線固体検出装置１
００は、放射線を検出し電気的な信号Ｓｉに変換して出
力する検出素子Ｐが行列状に多数配列されている放射線
固体検出器１０と、検出素子Ｐから出力されるアナログ
信号Ｓｉを入力しデジタル値である画像データＤａに変
換して出力するＡ／Ｄ変換器１５と、Ａ／Ｄ変換器１５
から出力される画像データＤａを入力し記憶する画像メ
モリ２０と、欠陥のある検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）の位置に
対応する画素の位置（ｘ、ｙ）を欠陥位置座標（ｘ、
ｙ）として記憶しする欠陥画素メモリ４０と、欠陥画素
メモリ４０から欠陥位置座標（ｘ、ｙ）を入力し、かつ
画像メモリ２０から画像データＤａを入力して欠陥のあ
る検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）に対応する画像データＤａに含
まれる画素Ｄａ（ｘ、ｙ）の値を補正し、補正された値
を画像データＤｈとして出力する画像補正器３０と画像
補正器３０から出力される画像データＤｈを入力しその
値を記憶する画像出力メモリ６０と、画像出力メモリ６
０に記憶されている画像データＤｈを入力し画像として
表示する表示器７０とから構成されている。
００は、放射線を検出し電気的な信号Ｓｉに変換して出
力する検出素子Ｐが行列状に多数配列されている放射線
固体検出器１０と、検出素子Ｐから出力されるアナログ
信号Ｓｉを入力しデジタル値である画像データＤａに変
換して出力するＡ／Ｄ変換器１５と、Ａ／Ｄ変換器１５
から出力される画像データＤａを入力し記憶する画像メ
モリ２０と、欠陥のある検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）の位置に
対応する画素の位置（ｘ、ｙ）を欠陥位置座標（ｘ、
ｙ）として記憶しする欠陥画素メモリ４０と、欠陥画素
メモリ４０から欠陥位置座標（ｘ、ｙ）を入力し、かつ
画像メモリ２０から画像データＤａを入力して欠陥のあ
る検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）に対応する画像データＤａに含
まれる画素Ｄａ（ｘ、ｙ）の値を補正し、補正された値
を画像データＤｈとして出力する画像補正器３０と画像
補正器３０から出力される画像データＤｈを入力しその
値を記憶する画像出力メモリ６０と、画像出力メモリ６
０に記憶されている画像データＤｈを入力し画像として
表示する表示器７０とから構成されている。
【００２１】欠陥画素メモリ４０は、外部入力端子Ｑin
を備えた外部入力インターフェース５０に接続されてお
り、欠陥のある検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）に対応する画素の
位置の座標（ｘ、ｙ）が入力される。
を備えた外部入力インターフェース５０に接続されてお
り、欠陥のある検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）に対応する画素の
位置の座標（ｘ、ｙ）が入力される。
【００２２】次に、上記放射線固体検出装置１００の作
用について説明する。
用について説明する。
【００２３】画像情報を担持した放射線が放射線固体検
出器１０に照射されると、行列状に多数配列されている
検出素子Ｐ（ｉ，ｊ）には放射線の強度に対応した電荷
が蓄積され、蓄積された電荷は電気的な信号Ｓｉ（ｉ，
ｊ）に変換されて出力される。信号Ｓｉ（ｉ，ｊ）は、
Ａ／Ｄ変換器１５によってデジタル値に変換され画像デ
ータＤａ（ｉ，ｊ）として出力され画像メモリ２０に記
憶される。
出器１０に照射されると、行列状に多数配列されている
検出素子Ｐ（ｉ，ｊ）には放射線の強度に対応した電荷
が蓄積され、蓄積された電荷は電気的な信号Ｓｉ（ｉ，
ｊ）に変換されて出力される。信号Ｓｉ（ｉ，ｊ）は、
Ａ／Ｄ変換器１５によってデジタル値に変換され画像デ
ータＤａ（ｉ，ｊ）として出力され画像メモリ２０に記
憶される。
【００２４】一方、目視等も含め正確に検査され欠陥が
あることが確定した検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）の位置の座標
（ｘ、ｙ）が、外部入力インターフェース５０のインタ
ーフェース端子Ｑinを経由して欠陥画素メモリ４０に入
力され欠陥位置座標（ｘ、ｙ）として記憶される。
あることが確定した検出素子Ｐ（ｘ、ｙ）の位置の座標
（ｘ、ｙ）が、外部入力インターフェース５０のインタ
ーフェース端子Ｑinを経由して欠陥画素メモリ４０に入
力され欠陥位置座標（ｘ、ｙ）として記憶される。
【００２５】次に欠陥画素メモリ４０に記憶された欠陥
位置座標（ｘ、ｙ）と画像メモリ２０に記憶された画像
データＤａ（ｉ，ｊ）は、画像補正器３０によって読み
出され、画像データＤａ（ｉ，ｊ）に含まれる欠陥画素
に対応する画像データＤａ（ｘ、ｙ）の値が補正され画
像データＤｈ（ｉ，ｊ）として出力される。
位置座標（ｘ、ｙ）と画像メモリ２０に記憶された画像
データＤａ（ｉ，ｊ）は、画像補正器３０によって読み
出され、画像データＤａ（ｉ，ｊ）に含まれる欠陥画素
に対応する画像データＤａ（ｘ、ｙ）の値が補正され画
像データＤｈ（ｉ，ｊ）として出力される。
【００２６】画像データＤｈ（ｉ，ｊ）は、画像出力メ
モリ６０に記憶され、画像出力メモリ６０に記憶された
画像データＤｈ（ｉ，ｊ）は、表示器７０によって読み
出されて画像として表示される。
モリ６０に記憶され、画像出力メモリ６０に記憶された
画像データＤｈ（ｉ，ｊ）は、表示器７０によって読み
出されて画像として表示される。
【００２７】画像補正器３０は、欠陥画素メモリ４０に
記憶されている欠陥位置座標（ｘ、ｙ）と画像メモリ２
０に記憶されている画像データＤａ（ｉ，ｊ）を読み出
し、欠陥位置座標（ｘ、ｙ）に対応する画像データＤａ
（ｘ、ｙ）の値を隣接する上下左右４点または斜め４点
あるいは上下左右および斜め計８点の画素の値の平均値
で置き換える補正をする。すなわち、 Ｄａ（ｘ、ｙ）＝｛Ｄａ（ｘ−１、ｙ）＋Ｄａ（ｘ、ｙ
−１）＋Ｄａ（ｘ、ｙ ＋１）＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ）｝／４または、 Ｄａ（ｘ、ｙ）＝｛Ｄａ（ｘ−１、ｙ−１）＋Ｄａ（ｘ
−１、ｙ＋１）＋＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ−１）＋Ｄａ（ｘ
＋１、ｙ＋１）｝／４ あるいは、 Ｄａ（ｘ、ｙ）＝｛Ｄａ（ｘ−１、ｙ−１）＋Ｄａ（ｘ
−１、ｙ）＋Ｄａ（ｘ−１、ｙ＋１）＋Ｄａ（ｘ、ｙ−
１）＋Ｄａ（ｘ、ｙ＋１）＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ−１）＋
Ｄａ（ｘ＋１、ｙ）＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ＋１）｝／８ の演算によって画像データＤａ（ｘ、ｙ）値を置き換え
補正する（図２参照）。
記憶されている欠陥位置座標（ｘ、ｙ）と画像メモリ２
０に記憶されている画像データＤａ（ｉ，ｊ）を読み出
し、欠陥位置座標（ｘ、ｙ）に対応する画像データＤａ
（ｘ、ｙ）の値を隣接する上下左右４点または斜め４点
あるいは上下左右および斜め計８点の画素の値の平均値
で置き換える補正をする。すなわち、 Ｄａ（ｘ、ｙ）＝｛Ｄａ（ｘ−１、ｙ）＋Ｄａ（ｘ、ｙ
−１）＋Ｄａ（ｘ、ｙ ＋１）＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ）｝／４または、 Ｄａ（ｘ、ｙ）＝｛Ｄａ（ｘ−１、ｙ−１）＋Ｄａ（ｘ
−１、ｙ＋１）＋＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ−１）＋Ｄａ（ｘ
＋１、ｙ＋１）｝／４ あるいは、 Ｄａ（ｘ、ｙ）＝｛Ｄａ（ｘ−１、ｙ−１）＋Ｄａ（ｘ
−１、ｙ）＋Ｄａ（ｘ−１、ｙ＋１）＋Ｄａ（ｘ、ｙ−
１）＋Ｄａ（ｘ、ｙ＋１）＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ−１）＋
Ｄａ（ｘ＋１、ｙ）＋Ｄａ（ｘ＋１、ｙ＋１）｝／８ の演算によって画像データＤａ（ｘ、ｙ）値を置き換え
補正する（図２参照）。
【００２８】なお、前記座標（ｉ，ｊ）は、電気的な信
号Ｓｉ、検出素子Ｐ、画像データＤａおよび画像データ
Ｄｈの素子および画素にそれぞれ対応した位置を表し、
前記座標（ｘ、ｙ）は欠陥のある検出素子Ｐおよび欠陥
のある画像データＤａの画素に対応した位置を表す。
号Ｓｉ、検出素子Ｐ、画像データＤａおよび画像データ
Ｄｈの素子および画素にそれぞれ対応した位置を表し、
前記座標（ｘ、ｙ）は欠陥のある検出素子Ｐおよび欠陥
のある画像データＤａの画素に対応した位置を表す。
【００２９】なお、前記補正において欠陥のある検出位
置に対応する画素の値を使わずに補正するのは、ＴＦＴ
や改良型直接変換機においては、欠陥位置に対応する欠
陥画素のデータは画像のレベルを反映しないからであ
る。このことにより、画素の濃度等の記憶は不要とな
り、欠陥画素の座標だけが記憶されればよいのでメモリ
の負担が軽減できる。
置に対応する画素の値を使わずに補正するのは、ＴＦＴ
や改良型直接変換機においては、欠陥位置に対応する欠
陥画素のデータは画像のレベルを反映しないからであ
る。このことにより、画素の濃度等の記憶は不要とな
り、欠陥画素の座標だけが記憶されればよいのでメモリ
の負担が軽減できる。
【００３０】また、 前記欠陥のある検出位置が線状に
並んでいる場合には、線状に並んだ方向に対して垂直な
方向に隣接する画素の値に基づいて補正を行うことがで
きる。
並んでいる場合には、線状に並んだ方向に対して垂直な
方向に隣接する画素の値に基づいて補正を行うことがで
きる。
【００３１】例えば、欠陥のある検出位置が図３に示す
ようにＰ（３、Ｂ）からＰ（８、Ｂ）まで線状に並んで
いる場合には、対応する画像データＤａ（３、Ｂ）から
Ｄａ（８、Ｂ）の値は垂直な方向に隣接する画像データ
Ｄａ（３、Ａ）から画像データＤａ（８、Ａ）およびＤ
ａ（３、Ｃ）からＤａ（８、Ｃ）の値に基づいて補正が
行なわれる。すなわち、 Ｄａ（３、Ｂ）＝（Ｄａ（３、Ａ）＋Ｄａ（３、Ｃ））／２ Ｄａ（４、Ｂ）＝（Ｄａ（４、Ａ）＋Ｄａ（４、Ｃ））／２ Ｄａ（５、Ｂ）＝（Ｄａ（５、Ａ）＋Ｄａ（５、Ｃ））／２ Ｄａ（６、Ｂ）＝（Ｄａ（６、Ａ）＋Ｄａ（６、Ｃ））／２ Ｄａ（７、Ｂ）＝（Ｄａ（７、Ａ）＋Ｄａ（７、Ｃ））／２ Ｄａ（８、Ｂ）＝（Ｄａ（８、Ａ）＋Ｄａ（８、Ｃ））／２ の演算によって画像データＤａ（３、Ｂ）からＤａ
（８、Ｂ）の値は補正される（図４参照）。
ようにＰ（３、Ｂ）からＰ（８、Ｂ）まで線状に並んで
いる場合には、対応する画像データＤａ（３、Ｂ）から
Ｄａ（８、Ｂ）の値は垂直な方向に隣接する画像データ
Ｄａ（３、Ａ）から画像データＤａ（８、Ａ）およびＤ
ａ（３、Ｃ）からＤａ（８、Ｃ）の値に基づいて補正が
行なわれる。すなわち、 Ｄａ（３、Ｂ）＝（Ｄａ（３、Ａ）＋Ｄａ（３、Ｃ））／２ Ｄａ（４、Ｂ）＝（Ｄａ（４、Ａ）＋Ｄａ（４、Ｃ））／２ Ｄａ（５、Ｂ）＝（Ｄａ（５、Ａ）＋Ｄａ（５、Ｃ））／２ Ｄａ（６、Ｂ）＝（Ｄａ（６、Ａ）＋Ｄａ（６、Ｃ））／２ Ｄａ（７、Ｂ）＝（Ｄａ（７、Ａ）＋Ｄａ（７、Ｃ））／２ Ｄａ（８、Ｂ）＝（Ｄａ（８、Ａ）＋Ｄａ（８、Ｃ））／２ の演算によって画像データＤａ（３、Ｂ）からＤａ
（８、Ｂ）の値は補正される（図４参照）。
【００３２】このように、本発明によれば、あらかじめ
記憶されている欠陥のある検出位置の座標（ｘ、ｙ）に
対してその位置に対応する画素の濃度が周辺と異なる特
異な濃度とならないように補正することができるので、
誤って欠陥のない画素について補正することもないし、
また不適切な補正をすることもなく常に正確な補正がで
き、特異点のない良好な画像を得ることができる。
記憶されている欠陥のある検出位置の座標（ｘ、ｙ）に
対してその位置に対応する画素の濃度が周辺と異なる特
異な濃度とならないように補正することができるので、
誤って欠陥のない画素について補正することもないし、
また不適切な補正をすることもなく常に正確な補正がで
き、特異点のない良好な画像を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態による放射線固体検出装置
の全体構成を示す図
の全体構成を示す図
【図２】欠陥判定器の判定方法を示す図
【図３】線状に並んだ欠陥位置を示す図
【図４】線状に並んだ欠陥位置に対応する画素とそれら
の画素に隣接する画素を示す図
の画素に隣接する画素を示す図
１０ 放射線固体検出器 １５ Ａ／Ｄ変換器 ２０ 画像メモリ ３０ 画像補正器 ４０ 欠陥画素メモリ ５０ 外部入力インターフェース ６０ 画像出力メモリ ７０ 表示器 １００ 放射線固体検出装置
Claims (4)
- 【請求項１】 放射線を検出して電気的な信号に変換す
る検出位置が行列状に画像の画素に対応して多数配列さ
れて成る放射線固体検出器と、欠陥の有る前記検出位置
の座標のみを記憶する記憶手段と、前記座標に対応する
画素の値を補正する補正手段とを備えたことを特徴とす
る放射線固体検出装置。 - 【請求項２】 前記補正手段が、前記欠陥有りと判定さ
れた前記座標に対応する画素の値を該画素の読取値を使
わずに周辺の画素の読取値のみを使って補正するもので
あることを特徴とする請求項１記載の放射線固体検出装
置。 - 【請求項３】 前記補正手段が、前記座標に対応する画
素の値を該画素に隣接する上下左右４点または斜め４点
あるいは上下左右および斜め計８点の画素の値の平均値
で置き換えるものであることを特徴とする請求項２記載
の放射線固体検出装置。 - 【請求項４】 前記欠陥の有る検出位置が線状に並んで
いる場合に、前記線状に並んだ方向に対して垂直な方向
に隣接する画素の値に基づいて前記補正を行うものであ
ることを特徴とする請求項２記載の放射線固体検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9278399A JP2000284059A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 放射線固体検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9278399A JP2000284059A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 放射線固体検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000284059A true JP2000284059A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14064028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9278399A Withdrawn JP2000284059A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 放射線固体検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000284059A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451537B1 (ko) * | 2001-04-17 | 2004-10-06 | 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 | 방사선 검사장치 및 방사선 검사방법 |
| JP2009276178A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Fujifilm Corp | 放射線画像処理方法および装置 |
| JP2011214905A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置 |
| US8541751B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-09-24 | Fujifilm Corporation | Method of managing radiation detectors, radiographic image capturing apparatus, and radiographic image capturing system |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP9278399A patent/JP2000284059A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451537B1 (ko) * | 2001-04-17 | 2004-10-06 | 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 | 방사선 검사장치 및 방사선 검사방법 |
| JP2009276178A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Fujifilm Corp | 放射線画像処理方法および装置 |
| US8541751B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-09-24 | Fujifilm Corporation | Method of managing radiation detectors, radiographic image capturing apparatus, and radiographic image capturing system |
| JP2011214905A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |