JP5497053B2 - 単結晶ゲルマニウムの結晶成長システム、方法および基板 - Google Patents
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Description
本出願は、2008年11月10日に出願された中国特許出願番号200810177006.0号および2009年9月5日に出願された米国特許出願番号12/554,902号に基づき、それらからの利益/優先権を主張するものであり、参照により全体として本明細書に組み込まれる。
本発明は、単結晶ゲルマニウム(Ge)の結晶成長ならびにそれらに関するシステム、方法および基板に関する。
電子デバイスおよび光電子デバイスの製造業者は、日常的に、大きくかつ電子的に均一な(electronically uniform)半導体単結晶を要求する。半導体単結晶は、切断および研磨されて、超小型電子部品の製造に用いられる基板を提供する。半導体結晶の成長は、多結晶の原材料(raw material)をその融点(典型的には、1200℃を超過する。)まで加熱して、多結晶原材料の融液(polycrystalline raw material melt)を生成する段階と、融液を原材料と同じ材料の高品質のシード結晶(seed crystal)と接触させる段階と、シード結晶と融液との接触面(contact surface)において融液を結晶化させる段階とを含む。これを成し遂げる様々なプロセスに関する情報が、文献から得られる。これらは、チョクラルスキー法(Cz)およびその変形、液体カプセル・チョクラルスキー法(LEC)、水平ブリッジマン法およびブリッジマン−ストックバーガー法(HB)、それらの垂直法への変形例(VB)、グラジエント・フリーズ法(GF)およびその変形例、ならびに、垂直グラジエント・フリーズ法(VGF)を含む。これらの技術および様々な材料の成長へのそれらの応用に関する一般的な考察については、例えば、"Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials", P.Clapper, Ed., John Wiley and Sons Ltd, Chichester, England, 2005を参照されたい。
(項目1)
種結晶を保持するシードウェルを有する坩堝の中に、第1のゲルマニウム原材料を充填する段階と、
アンプルの内部に配され、原材料を補うための容器の中に、第2のゲルマニウム原材料を充填する段階と、
前記アンプルの中に、前記坩堝および前記容器を密封する段階と、
前記アンプルを支持する可動式のアンプル支持部を有する結晶成長炉の中に、前記坩堝および前記容器を内部に含む前記アンプルを配置する段階と、
前記坩堝の中の前記第1のゲルマニウム原材料を融解して、融液を生成する段階と、
前記容器の中の前記第2のゲルマニウムを融解する段階と、
前記融液に、融解した前記第2のゲルマニウム原材料を加える段階と、
結晶化させるための前記融液の温度勾配を制御して、前記融液が前記種結晶と接触したときに結晶化し、単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階と、
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを冷却する段階と、
を有する、
単結晶ゲルマニウムを成長させる方法。
(項目2)
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、結晶成長ゾーンにおいて、0.3から2.5℃/cmの温度勾配を生成する段階を含む、
項目1に記載の方法。
(項目3)
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットは、0.2から0.5℃/hrの速度で冷却される、
項目1に記載の方法。
(項目4)
結晶化させるための前記温度勾配が変化する間、前記坩堝が固定された状態を維持する段階をさらに有する、
項目1に記載の方法。
(項目5)
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットは、約50mm(約2インチ)と約200mm(約8インチ)との間の直径を有する、
項目1に記載の方法。
(項目6)
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットは、約150mm(約6インチ)の直径を有する、
項目5に記載の方法。
(項目7)
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットの転位は、約300cm −3 未満である、
項目1に記載の方法。
(項目8)
加熱源および複数の加熱ゾーンを有する結晶成長炉と、
前記結晶成長炉の中に装填され、充填容器と、シードウェルを有する坩堝とを含むアンプルと、
可動式のアンプル支持部と、
前記結晶成長炉および前記可動式のアンプル支持部と結合され、前記加熱源の1以上の加熱ゾーンおよび前記可動式のアンプル支持部を制御して、前記坩堝が前記結晶成長炉の中にあるときに、前記坩堝で垂直温度勾配凝固法を実施する制御部と、
を備える、
単結晶ゲルマニウムの成長装置。
(項目9)
前記結晶成長炉の加熱ゾーンの数は、5個と7個との間である、
項目8に記載の成長装置。
(項目10)
前記結晶成長炉は、6個の加熱ゾーンを有する、
項目8に記載の成長装置。
(項目11)
前記坩堝は、約50mm(約2インチ)から約200mm(約8インチ)までの間の内径を有する、
項目8に記載の成長装置。
(項目12)
前記坩堝は、約150mm(約6インチ)の内径を有する、
項目8に記載の成長装置。
(項目13)
種結晶を保持するシードウェルを有する坩堝の中に、第1のゲルマニウム原材料を充填する段階と、
アンプルの内部に配され、原材料を補うための容器の中に、第2のゲルマニウム原材料を充填する段階と、
前記アンプルの中に、前記坩堝および前記容器を密封する段階と、
結晶成長炉の中に、前記坩堝および前記容器を内部に含む前記アンプルを配置する段階と、
前記坩堝の中の前記第1のゲルマニウム原材料の融解を制御して融液を生成する段階と、
前記容器の中の前記第2のゲルマニウム原材料の融解を制御する段階と、
融解した前記第2のゲルマニウム原材料の前記融液への添加または制御を実施する段階と、
結晶化させるための前記融液の温度勾配を制御して、前記融液を前記種結晶と接触させて、単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階と、
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを冷却する段階と、
を有する、
単結晶ゲルマニウムを成長させる方法。
(項目14)
前記容器の中の前記第2のゲルマニウム原材料の融解を制御する段階は、
前記第2のゲルマニウム原材料に適用される加熱を制御する段階と、
融解した前記第2のゲルマニウム原材料を1つの温度範囲内に維持する段階と、
を有する、
項目13に記載の方法。
(項目15)
融解した前記第2のゲルマニウム原材料の前記融液への添加を制御する段階は、前記融液を特定の温度範囲内に維持する段階を有する、
項目13に記載の方法。
(項目16)
前記1つの温度範囲は、約940から約955℃である、
項目14に記載の方法。
(項目17)
前記1つの温度範囲は、約945から約950℃である、
項目14に記載の方法。
(項目18)
融解した前記第2のゲルマニウム原材料の前記融液への添加を制御する段階は、前記融液を特定の温度範囲内に維持する段階を有する、
項目13に記載の方法。
(項目19)
前記特定の温度範囲は、約940から約955℃である、
項目18に記載の方法。
(項目20)
前記特定の温度範囲は、約945から約950℃である、
項目18に記載の方法。
(項目21)
火力および/または1以上の冷却速度が、制御されまたは制御されながら減少させられ、再現性のある範囲内の結晶特性を有するゲルマニウム・インゴットが得られる、
項目13から項目20までの何れか一項に記載の方法。
(項目22)
一以上の前記制御する段階の結果として、約300cm −3 未満の転位を有する単結晶ゲルマニウムのインゴットが再現性よく提供される、
項目13から項目21までの何れか一項に記載の方法。
(項目23)
前記結晶成長炉は、前記アンプルと、前記アンプルを囲む前記結晶成長炉または装置とを相対的に移動させることができる、
項目13に記載の方法。
(項目24)
前記結晶成長炉は、前記アンプルを支持する可動式のアンプル支持部を有する、
項目13または項目23に記載の方法。
(項目25)
結晶製造プロセスの結果として、外部ガス源が供給されるドーピング技術を用いることなく、予め定められた範囲内の転位密度を有するゲルマニウム結晶が再現性よく提供される、
項目13から項目24までの何れか一項に記載の方法。
(項目26)
前記予め定められた範囲は、転位の個数が約300cm −3 未満である、
項目25に記載の方法。
(項目27)
結晶製造プロセスの結果として、接触ドーピングプロセスまたは外部ガス源が供給されるドーピング技術を用いることなく、予め定められた範囲内の転位密度を有するゲルマニウム結晶が再現性よく提供される、
項目13から項目24までの何れか一項に記載の方法。
(項目28)
前記予め定められた範囲は、転位の個数が約300cm −3 未満である、
項目27に記載の方法。
(項目29)
項目1から項目7までの何れか一項に記載の方法または項目13から項目28までの何れか一項に記載の方法によって生成されたゲルマニウム結晶基板。
(項目30)
項目1から項目7までの何れか一項に記載の方法または項目13から項目28までの何れか一項に記載の方法によって生成されたゲルマニウム結晶基板を含む製品。
Claims (24)
- 種結晶を保持するシードウェルを有し、第1のゲルマニウム原材料が充填された坩堝と、第2のゲルマニウム原材料が充填された容器とが、内部に密封されたアンプルを、結晶成長炉の中に配置する段階と、
前記坩堝の中の前記第1のゲルマニウム原材料を融解して、融液を生成する段階と、
前記容器の中の前記第2のゲルマニウム原材料を融解する段階と、
前記融液に、融解した前記第2のゲルマニウム原材料を加える段階と、
前記融液の温度勾配を制御して、単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階と、
を有する、
単結晶ゲルマニウムを製造する方法。 - 前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、結晶成長ゾーンにおいて、0.3から2.5℃/cmの温度勾配を生成する段階を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、前記結晶成長炉の温度を、0.2から0.5℃/hrの速度で低下させる段階を含む、
請求項1または請求項2に記載の方法。 - 前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、
火力および/または冷却速度を制御して、再現性のある範囲内の結晶特性を有する単結晶ゲルマニウムのインゴットを得る段階を含む、
請求項1から請求項3までの何れか一項に記載の方法。 - 前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、前記アンプルと、前記アンプルを囲む前記結晶成長炉または装置とを相対的に移動させる段階を含む、
請求項1から請求項4までの何れか一項に記載の方法。 - 前記結晶成長炉は、前記アンプルを支持する可動式のアンプル支持部を有し、
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、前記アンプル支持部を前記結晶成長炉の軸方向に移動させる段階を含む、
請求項1から請求項5までの何れか一項に記載の方法。 - 前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、前記温度勾配が変化する間、前記坩堝が固定された状態を維持する段階を有する、
請求項1から請求項3までの何れか一項に記載の方法。 - 前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、50.8mm(2インチ)と203.2mm(8インチ)との間の直径を有する単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階を含む、
請求項1から請求項7までの何れか一項に記載の方法。 - 前記単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階は、転位が300cm−2 未満である単結晶ゲルマニウムのインゴットを形成する段階を含む、
請求項1から請求項8までの何れか一項に記載の方法。 - 前記坩堝の中の前記第1のゲルマニウム原材料を融解して、融液を生成する段階は、前記坩堝の中の前記第1のゲルマニウム原材料の融解を制御する段階を含み、
前記容器の中の前記第2のゲルマニウム原材料を融解する段階は、前記容器の中の前記第2のゲルマニウム原材料の融解を制御する段階を含む、
請求項1から請求項9までの何れか一項に記載の方法。 - 前記容器の中の前記第2のゲルマニウム原材料の融解を制御する段階は、
前記第2のゲルマニウム原材料に適用される加熱を制御する段階と、
融解した前記第2のゲルマニウム原材料の温度を第1の温度範囲内に維持する段階と、
を有する、
請求項10に記載の方法。 - 前記第1の温度範囲は、940から955℃である、
請求項11に記載の方法。 - 前記融液に、融解した前記第2のゲルマニウム原材料を加える段階は、前記坩堝の中の前記融液の温度を第2の温度範囲内に維持する段階を有する、
請求項1から請求項12までの何れか一項に記載の方法。 - 前記第2の温度範囲は、940から955℃である、
請求項13に記載の方法。 - 結晶製造プロセスの結果として、外部ガス源が供給されるドーピング技術を用いることなく、予め定められた範囲内の転位密度を有するゲルマニウム結晶が再現性よく提供される、
請求項1から請求項14までの何れか一項に記載の方法。 - 前記予め定められた範囲は、300cm−2 未満である、
請求項15に記載の方法。 - 加熱源および複数の加熱ゾーンを有する結晶成長炉と、
前記結晶成長炉の中に装填され、充填容器と、シードウェルを有する坩堝とを含むアンプルと、
可動式のアンプル支持部と、
前記結晶成長炉および前記可動式のアンプル支持部と結合され、前記加熱源または前記可動式のアンプル支持部を制御して、前記坩堝が前記結晶成長炉の中にあるときに、前記坩堝で垂直温度勾配凝固法を実施する制御部と、
を備え、
前記坩堝は、第1のゲルマニウム原材料が充填され、
前記充填容器は、第2のゲルマニウム原材料が充填され、前記アンプルが前記結晶成長炉に装填されたときに前記坩堝の上方に配され、
前記坩堝及び前記充填容器は、前記アンプルの内部に密封される、
単結晶ゲルマニウムの成長装置。 - 前記制御部は、前記坩堝の中の前記第1のゲルマニウム原材料の融解を制御し、前記充填容器の中の前記第2のゲルマニウム原材料の融解を制御する、
請求項17に記載の単結晶ゲルマニウムの成長装置。 - 前記結晶成長炉の加熱ゾーンの数は、5個と7個との間である、
請求項17または請求項18に記載の単結晶ゲルマニウムの成長装置。 - 前記坩堝は、50.8mm(2インチ)から203.2mm(8インチ)までの間の内径を有する、
請求項17から請求項19までの何れか一項に記載の単結晶ゲルマニウムの成長装置。 - 請求項1から請求項16までの何れか一項に記載の方法によって生成された単結晶ゲルマニウムのインゴットを切断することによって作製されたゲルマニウム結晶基板であって、
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットは、152.4mm(6インチ)から203.2mm(8インチ)までの間の直径を有し、転位密度が300cm −2 未満である、
ゲルマニウム結晶基板。 - 前記アンプルを、前記結晶成長炉の中に配置する段階は、前記アンプルが前記結晶成長炉に装填されたときに前記容器が前記坩堝の上方に配される段階を有し、
前記単結晶ゲルマニウムのインゴットは、152.4mm(6インチ)の直径を有する、
請求項21に記載のゲルマニウム結晶基板。 - 結晶成長炉の内部に装填され、単結晶ゲルマニウムの結晶成長プロセスに用いられるアンプルであって、
前記アンプルの内部に配され、第1のゲルマニウム原材料が充填される坩堝に適合する形状を有する底部と、
前記アンプルの内部に配され、前記アンプルが前記結晶成長炉に装填されたときに前記坩堝の上方に位置し、第2のゲルマニウム原材料が充填される充填容器を支持する支持部と、
を備え、
前記坩堝及び前記充填容器は、垂直温度勾配凝固法が前記坩堝に対して実施される場合、前記アンプルの内部に密封される
アンプル。 - 結晶成長炉の内部に装填され、単結晶ゲルマニウムの結晶成長プロセスに用いられるアンプル複合体であって、
内部に第1のゲルマニウム原材料が充填され、シード結晶を保持するシードウェルを有する坩堝と、
内部に第2のゲルマニウム原材料が充填される充填容器と、
前記アンプル複合体が前記結晶成長炉に装填されたときに前記坩堝の上方に前記充填容器を支持して、前記坩堝と前記充填容器との距離を保つ支持部と、
を備え、
前記坩堝及び前記充填容器は、垂直温度勾配凝固法が前記坩堝に対して実施される場合、前記アンプル複合体の内部に密封される
アンプル複合体。
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