JP5493300B2 - 直流−直流変換電源 - Google Patents

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本発明は、直流電源の入力電圧を異なる直流出力電圧に変換する直流−直流変換電源に関する。さらに詳しくは入力側の直流電圧を降圧して出力する降圧型の直流−直流変換電源に関するものである。
直流電源の入力電圧を異なる直流出力電圧に変換する直流−直流変換電源には種々の形式のものがあり、特に降圧型の直流−直流変換電源は広く普及している(例えば、非特許文献1参照)。図8は、従来技術による降圧型の代表的な直流−直流変換電源の構成を示すものである。この直流−直流変換電源は、トランジスタ等のスイッチングによりPWM制御を行うと共に、インダクタンスとキャパシタンスおよびフリーホイールダイオードからなる平滑回路を利用して安定で高効率な直流電圧出力を負荷に供給するものである。負荷に供給する直流電圧は、スイッチングにおけるオン時間tと周期Tの比である通流率D(t/T)を制御することによって行われている。
ところで、集積回路等の電子部品の駆動電圧は、次第に低電圧化される傾向にある。例えば、DC1V以下の出力電圧で駆動される電子部品も出現している。このような傾向を反映して、直流−直流変換電源に対しても低電圧出力仕様の要請が強くなってきた。
しかし、このような極端に低い直流電圧を、従来のDC/DCコンバータを用いて通流率制御により行う場合、通流率は極端に小さくなってしまう。例えば、DC24Vの入力電源からDC0.5Vの出力電圧を得る場合、通流率は1/48という小さな値になってしまう。このように小さな通流率になると、PWM制御により出力電圧を正確に制御することが困難になるという問題があった。
「スイッチング電源技術用語辞典」2003年,日刊工業新聞社発行
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、入力直流電圧に対する出力直流電圧の比が極端に小さい場合であっても、制御性よく出力電圧を制御できる直流−直流変換電源を提供することを課題とする。
請求項1記載の発明は、第一のコンデンサと第二のコンデンサとが直列接続され、前記第二のコンデンサの両端に接続された負荷に直流電力を出力するコンデンサ分圧回路と、前記コンデンサ分圧回路へ電力を供給する直流電源と、前記直流電源から前記コンデンサ分圧回路への電力供給路に設けられた一つの第一のスイッチ手段と、前記第一のコンデンサの電荷を放電させる一つの第二のスイッチ手段とを備え、入力電圧に対する出力電圧の比が極端に小さな場合であって、前記第一のコンデンサと前記第二のコンデンサの静電容量比C1/C2が、略出力電圧と入力電圧との比に等しいことを特徴とする直流−直流変換電源である。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の直流−直流変換電源において、前記第一のコンデンサの電荷を放電させて前記第二のコンデンサを充電することを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、請求項1記載の直流−直流変換電源において、前記第一のコンデンサの電荷を放電させて前記直流電源側に回生させることを特徴とするものである。
請求項1記載の発明によれば、コンデンサ分圧回路により入力電圧が分圧されるため、入力電圧に対し出力電圧が極端に低い場合であっても、スイッチング素子の通流率を大きくすることが出来る。その結果、簡単な構成でありながら、低い出力電圧を高い精度で制御可能な直流−直流変換電源を実現できる。
請求項2記載の発明によれば、第一のコンデンサの電荷を放電させて第二のコンデンサを充電できるので、出力電圧の変動を抑制可能な直流−直流変換電源を実現できる。
請求項3記載の発明によれば、第一のコンデンサの電荷を放電させて直流電源側に回生させることにより、低い出力電圧であっても高い精度で制御可能な直流−直流変換電源を実現できる。
以下、本発明の好適な実施形態について添付図面を参照しながら説明する。図1は本発明の第一実施例を示す回路図である。1は入力側となる被変換直流電圧源であり、バッテリ等の二次電池である場合のほか、スイッチング電源装置等により交流電源から変換された直流電源の場合もある。被変換直流電圧源1の負極側は共通端子とされる。一方、被変換直流電圧源1の正極側には第一のスイッチ手段2が接続されている。本実施例では第一のスイッチ手段としてPチャネルMOSFET2が用いられ、該MOSFET2のソースが被変換直流電圧源1の正極側に接続されている。MOSFET2のドレンには、第一のコンデンサ3と逆流阻止ダイオード4とチョークコイル5とからなる直列回路が接続されている。すなわち、一端がMOSFET2のドレンに接続された第一のコンデンサ3の他端には、逆流阻止ダイオード4のアノードが接続され、該ダイオード4のカソードにはチョークコイル5の一端が接続され、該チョークコイル5の他端は出力端子の正極側6とされている。そして、チョークコイル5の他端と共通端子との間には第二のコンデンサ7が接続されている。また、第一のスイッチ手段たるMOSFET2と第一のコンデンサ3との接続点と、逆流阻止ダイオード4とチョークコイル5との接続点との間には、第二のスイッチ手段8が接続されている。すなわち、第一のスイッチ手段2と第一のコンデンサ3との接続点には、第二のスイッチ手段としてのNチャネルMOSFET8のドレンが接続され、逆流阻止ダイオード4とチョークコイル5との接続点には、NチャネルMOSFET8のソースが接続されている。さらに、第一のコンデンサ3と逆流阻止ダイオード4との接続点と、共通端子との間には還流ダイオード9が接続されている。すなわち、第一のコンデンサ3と逆流阻止ダイオード4との接続点には還流ダイオード9のカソードが接続され、該ダイオード9のアノードは共通端子に接続されている。
次に、上記の構成に基づく回路の動作原理を、図2に基づいて説明する。図2(a)は、出力端子6に設けられた第二のコンデンサ7が満充電された状態で、出力端子6に負荷10を接続した回路を示している。この場合、第二のコンデンサ7が大きな静電容量を有し満充電されていても、第二のコンデンサ7から負荷10に電流が流れて時間の経過とともに第二のコンデンサ7の電圧、すなわち出力端子6の電圧は低下することになる。したがって、第二のコンデンサ7に電荷を供給しない限り出力電圧を所定の電圧に維持することはできず、出力電圧を維持するためには第二のコンデンサ7を充電する必要がある。
図2(b)は、被変換直流電圧源1から第一のコンデンサ3および第二のコンデンサ7を充電する充電モードを示すものである。具体的には、第一のスイッチ手段2と、第一のコンデンサ3と、逆流阻止ダイオード4と、チョークコイル5とからなる直列回路を経由して、被変換直流電圧源1から第二のコンデンサ7が充電される。この直列回路においてはチョークコイル5を設けているが、このチョークコイル5は必須のものではない。チョークコイル5は過渡的電圧・電流の抑制を図るためのものであり、小さなインダクタンスのものを設けるのが好適である。また、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7の静電容量比C1/C2は、略出力電圧と入力電圧との比に対応している。
この直列回路において第一のスイッチ手段たるMOSFET2をオンすることにより、第一のコンデンサ3および第二のコンデンサ7に電荷が流れ、各コンデンサ3,7は充電される。ここで、MOSFET2や逆流阻止ダイオード4の順方向抵抗分は十分小さいことから、それらの電圧降下を無視すると、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7からなる直列回路に簡略化することができる。そして、充電されることによる第二のコンデンサ7の電圧上昇ΔV2は、以下のようになる。ここで、Vは電源電圧、V1は第一のコンデンサ3の初期電圧、Voは出力電圧たる第二のコンデンサ7の電圧を表している。
Figure 0005493300
すなわち、電源電圧は第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7とからなる直列回路で分圧されることになる。そして、時間の経過とともに静電容量の小さな第一のコンデンサ3が満充電となって直列回路の電流は流れなくなる。電流が流れなくなった段階では第一のスイッチ手段2をオフにしても状態変化は起こらない。
図2(c)は、上述した図2(b)の状態で第一のスイッチ手段2をオフにした後、第二のスイッチ手段8をオンにして第一のコンデンサ3の電荷を放電させる放電モードを示すものである。すなわち、略満充電された第一のコンデンサ3の電荷は、第二のスイッチ手段たるMOSFET8をオンにすることにより、チョークコイル5→第二のコンデンサ7→還流ダイオード9を経由して流れ、第二のコンデンサ7を再充電することになる。その際、一部の電荷は負荷10にも流れるが、電荷の多くは第二のコンデンサ7の再充電に寄与することになる。このときの出力電圧の変化分ΔV2は次式のようになる。
Figure 0005493300
ここで、V1は上述した充電モードにより、電源電圧近くにまで充電されているため、このΔV2は充電モードにおける値と略同じ値となる。そして、第一のコンデンサ
3に蓄えられた電荷が放電し終わったら再度図2(b)に示す充電モードに移行する。このようにして充電モードと放電モードを繰り返すことで出力電圧を所定の電圧に維持することができる。すなわち、本実施例によれば第一のスイッチ手段2と第二のスイッチ手段8を交互にオン・オフすることにより、第二のコンデンサ7の電圧を制御することができる。なお、第一のスイッチ手段2および第二のスイッチ手段8は、制御手段(図示省略)によりデッドタイムを設けながら交互にオン・オフされる。
図3は、本発明の第二実施例を示す回路図である。上述した第一実施例では、スイッチ手段2,8の切換えにより充電された第一のコンデンサ3の電荷を負荷10に再接続すると共に第二のコンデンサ7に再充電しているが、本実施例では充電された第一のコンデンサ3の電荷を電源側に回生させることにより、第二のコンデンサ7の電圧を制御する点が第一実施例と異なる。したがって、基本動作は第一実施例に示す負荷再接続型と同様であるが、第一のコンデンサ3に蓄えられた電荷を、入力電源側の回生コンデンサ11に放電させることで、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7の分圧比を一定に保つ機能を発揮させるものである。
図3において、第一のスイッチ手段2であるPチャネルMOSFETのソースが、被変換直流電圧源1の正極側に接続される構成は第一実施例と共通している。該MOSFET2のドレンには、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7とからなる直列回路が接続される。すなわち、直列接続された第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7のうち、MOSFET2のドレンには第一のコンデンサ3の一端が、また共通端子には第二のコンデンサ7の一端が接続されている。第一実施例と同様、第二のコンデンサ7の両端は出力端子とされ、負荷10が接続される。また、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7の直列回路と並列に、還流ダイオード9が接続されている。すなわち、還流ダイオード9のアノード側は共通端子に、カソード側はMOSFET2のドレンに接続されている。
また、リアクトル12と第二のスイッチ手段8とからなる直列回路が、第一のコンデンサ3と並列に接続されている。すなわち、第二のスイッチ手段たるNチャネルMOSFET8のドレンに一端が接続されたリアクトル12の他端が、第一のスイッチ手段たるPチャネルMOSFET2のドレンと第一のコンデンサ3との接続点に接続されている。また、第二のスイッチ手段たるNチャネルMOSFET8のソースは、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7との接続点に接続されている。
さらに、リアクトル12と第二のスイッチ手段たるNチャネルMOSFET8とのドレンとの接続点には、バイパスダイオード13のアノードが接続され、該バイパスダイオード13のカソードは被変換直流電圧源1の正極側に接続されている。また、被変換直流電圧源1の正極側と負極側である共通端子との間には、回生コンデンサ11が接続されている。
次に、上記の構成に基づく回路の動作原理を、図4に基づいて説明する。図4(a)は、直列接続された第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7への充電モードを示す回路図である。具体的には、第一のスイッチ手段2と第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7とからなる直列回路を経由して、被変換直流電圧源1から第二のコンデンサ7に充電される。また、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7の静電容量比C1/C2が、略出力電圧と入力電圧との比に対応していることは、第一実施例と同様である。この直列回路において第一のスイッチ手段たるMOSFET2をオンすることにより、第一のコンデンサ3および第二のコンデンサ7に電荷が流れ、第二のコンデンサ7は充電される。電源電圧は第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7により分圧され、第二のコンデンサ7が充電されることによる電圧上昇ΔV2は、第一実施例と同様にして数式1で表される。ただし、出力端子には負荷10が接続されており、負荷10によりエネルギーが消費されることから、この充電モードのままでは出力電圧は時間経過とともに低下することになる。
図4(b)は、充電された第一のコンデンサ3の電荷をリアクトル12に流して磁気エネルギーに変換するリアクトル充電モードを示す回路図である。第一のコンデンサ3が満充電されて電流が流れなくなった段階で第一のスイッチ手段2をオフにし、続いて第二のスイッチ手段8をオンにすることで、このリアクトル充電モードになる。このリアクトル充電モードにおいては、負荷10によって失われた電荷と同じ量の電荷を第一のコンデンサ3から取り出し、そのエネルギーをリアクトル12に蓄積することができる。
図4(c)は、リアクトル12に蓄積された磁気エネルギーを入力電源側へ回生する回生モードを示す回路図である。リアクトル充電モードにおいて第二のスイッチ手段8をオフにすることで回生モードになる。すなわち、この回生モードでは第一のスイッチ手段2および第二のスイッチ手段8ともにオフにされる。リアクトル12に蓄えられた磁気エネルギーは、バイパスダイオード13→回生コンデンサ11→還流ダイオード9→リアクトル12からなる回路を流れる電流となって、コンデンサ11に回生される。そして、第一のコンデンサ3に蓄えられた電荷が放電し終わったら再度図4(a)に示すコンデンサ充電モードに移行する。このようにコンデンサ充電モード→リアクトル充電モード→回生モードを順次繰り返すことで出力電圧を所定の電圧に維持することができる。すなわち、本実施例によれば第一のスイッチ手段2と第二のスイッチ手段8をオン・オフ操作することにより、第二のコンデンサ7の電圧を制御することができる。なお、第一のスイッチ手段2と第二のスイッチ手段8は、制御手段(図示省略)により上述した適宜のタイミングで制御される。
図5は、本発明の第三実施例を示す回路図である。上述した第一実施例および第二実施例は非絶縁形の直流−直流変換電源であったが、本実施例は絶縁形の直流−直流変換電源を実現するものである。
図5は、図1に示す第一実施例の回路において、第一のスイッチ手段に替えてインバータ21と絶縁トランス22を用いたものと考えることができる。すなわち、絶縁トランス 22の一次巻線23は中間タップを有しており、該一次巻線23の中間タップと両端子との間に形成される2つの回路には、各々スイッチ手段24,25と被変換直流電圧源1,1が配設されている。また、絶縁トランス22の二次巻線26には整流回路27が設けられており、整流回路27の負極側は共通端子に接続されている。一方、整流回路27の正極側には、第一のコンデンサ3と逆流阻止ダイオード4とチョークコイル5とからなる直列回路が接続されている。すなわち、一端が整流回路27の正極側に接続された第一のコンデンサ3の他端には、逆流阻止ダイオード4のアノードが、該ダイオード4のカソードにはチョークコイル5の一端が接続され、該チョークコイル5の他端は出力端子の正極側とされている。そして、チョークコイル5の他端と共通端子との間には第二のコンデンサ7が接続され、出力端子たる第二のコンデンサ7の両端には負荷10が接続される。また、整流回路 27の正極側と、逆流阻止ダイオード4とチョークコイル5の接続点との間には、第二のスイッチ手段たるNチャネルMOSFET8が接続されている。具体的には、該MOSFET8のドレンは整流回路27の正極側に接続され、MOSFET8のソースは逆流阻止ダイオード4とチョークコイル5との接続点に接続されている。さらに、第一のコンデンサ3と逆流阻止ダイオード4との接続点と、共通端子との間には還流ダイオード9が接続されている。すなわち、第一のコンデンサ3と逆流阻止ダイオード4との接続点には還流ダイオード9のカソードが接続され、該ダイオード9のアノードは共通端子に接続されている。
次に、上記の構成に基づく回路の動作原理について簡単に説明する。本実施例の動作原理は第一実施例の動作原理と基本的に共通する。すなわち、本実施例における充電モードでは、絶縁トランス22の一次巻線23側に配設された2つのスイッチ手段24,25を交互に繰り返しオン・オフさせることにより、絶縁トランス22の二次巻線26および整流回路27を経由して第一のコンデンサ3および第二のコンデンサ7を充電する。第一実施例における第一のスイッチ手段2がオンにされた状態に相当するものである。この充電モードでは第二のスイッチ手段8はオフにされている。
次に、本実施例における放電モードでは、絶縁トランス22の一次巻線23側に配設された2つのスイッチ手段24,25は、双方ともオフとされる。第一実施例における第一のスイッチ手段2がオフにされた状態に相当するものである。一方、この放電モードでは第二のスイッチ手段8はオンにされて、第一のコンデンサ3に充電された電荷を第二のコンデンサ7へと放電することになる。このような充電モードと放電モードを交互に繰り返すことにより、第一実施例と同様にして、第二のコンデンサ7の電圧を制御することができる。このように本実施例によれば、入力側と出力側とが絶縁され、しかも入力電圧に対し出力電圧が極端に低い場合であっても、簡単な構成で出力電圧を高い精度で制御可能な直流−直流変換電源を実現できる。
図6は、本発明の第四実施例を示す回路図である。本実施例の基本構成は、図1に示す第一実施例と共通のものであるが、第二のコンデンサ7を初期充電するためのバイパスコンデンサ31を備えている点で第一実施例と異なる。具体的にはバイパスコンデンサ31は、第二スイッチ手段であるMOSFET8のソースと、直流入力電源1の正極側との間に接続されている。このバイパスコンデンサ31の静電容量を第一のコンデンサ3の静電容量に較べて大きなものとすることにより、第一のコンデンサを3経由することなく、バイパスコンデンサ31経由で第二のコンデンサ7を充電することができる。したがって、第二のコンデンサ7の静電容量が大きくても、第二のコンデンサ7の初期充電を短時間で行うことが可能となる。
因みに、本実施例の直流−直流変換電源は、パソコン用の電源を想定し、入力電圧DC24V、出力電圧DC0.5V、出力電流1Aを設計仕様としたものである。各コンデンサの静電容量の値は、第一のコンデンサ3は4.7μF、第二のコンデンサ7は0.1μF、バイパスコンデンサ31は2000μFである。また、各コンデンサの静電容量が上記のような値であることから、第一のコンデンサ3にはセラミックコンデンサを、第二のコンデンサ7には電気二重層コンデンサを、バイパスコンデンサ31には電解コンデンサを使用した。なお、チョークコイル5のインダクタンスは、2.5μHとした。
図7は、図6に示した第四実施例である直流−直流変換電源を実際に動作させたときの出力電圧および出力電流の波形を示すものである。横軸は時間(msec)であり、出力電圧波形や出力電流波形には略4kHzのリップルが重畳しているものの、出力電圧DC0.5V、出力電流1Aで動作していることが分かる。このように本実施例によれば、第二のコンデンサ7の初期充電を短時間で行うことができ、しかも低い出力電圧を高い精度で制御可能な直流−直流変換電源を実現できる。
以上、本発明を幾つかの実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例えば上記実施例においては、コンデンサ分圧回路を第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7とで構成したが、コンデンサ分圧回路は物理的に分離した2つのコンデンサで構成されたものに限定されない。第一のコンデンサ3や第二のコンデンサ7について、各々複数のコンデンサを接続して構成することもできる。
また、上記実施例では、第一のコンデンサ3と第二のコンデンサ7の静電容量比C1/C2を略出力電圧と入力電圧との比に対応させたが、第二のコンデンサ7の静電容量は出力電圧と入力電圧の対応比より大きなものであってもよい。
さらに、上記実施例では、第一のスイッチ手段2や第二のスイッチ手段8としてMOSFETを用いたが、これらのスイッチ手段はMOSFETに限定されるものではなく、トランジスタやIGBTなど他のスイッチング素子を用いてもよいことは言うまでもない。
本発明の第一実施例を示す回路図である。 同上、動作原理を説明するための部分回路図である。 本発明の第二実施例を示す回路図である。 同上、動作原理を説明するための部分回路図である。 本発明の第三実施例を示す回路図である。 本発明の第四実施例を示す回路図である。 第四実施例における波形図である。 従来技術による降圧型の直流−直流変換電源の回路図である。
符号の説明
1 直流電源(被変換直流電圧源)
2 第一のスイッチ手段(PチャネルMOSFET)
8 第二のスイッチ手段(NチャネルMOSFET)
3 第一のコンデンサ
7 第二のコンデンサ
21 絶縁形インバータ

Claims (3)

  1. 第一のコンデンサと第二のコンデンサとが直列接続され、前記第二のコンデンサの両端に接続された負荷に直流電力を出力するコンデンサ分圧回路と、
    前記コンデンサ分圧回路へ電力を供給する直流電源と、
    前記直流電源から前記コンデンサ分圧回路への電力供給路に設けられた一つの第一のスイッチ手段と、
    前記第一のコンデンサの電荷を放電させる一つの第二のスイッチ手段とを備え、
    入力電圧に対する出力電圧の比が極端に小さな場合であって、前記第一のコンデンサと前記第二のコンデンサの静電容量比C1/C2が、略出力電圧と入力電圧との比に等しいことを特徴とする直流−直流変換電源。
  2. 前記第一のコンデンサの電荷を放電させて前記第二のコンデンサを充電することを特徴とする請求項1記載の直流−直流変換電源。
  3. 前記第一のコンデンサの電荷を放電させて前記直流電源側に回生させることを特徴とする請求項1記載の直流−直流変換電源。
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