JP5491845B2 - スパッタリングターゲット材 - Google Patents
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Description
(1)ターゲット表面(スパッタリング面)において(111)面が多く、(220)面が少ないほど、スパッタ速度は速い。
(2)結晶粒径が大きい程、エロージョン部分の凹凸は大きく粗くなり、結晶粒径が細かい程、エロージョン部分の凹凸は小さく滑らかになる。
(3)ターゲット材の製造プロセスにおいて、冷間圧延の加工度を40%〜70%程度に調整することにより、微細な結晶粒径が得られる。
(4)ただし、微細な結晶粒径を得るため、上記(3)のように冷間圧延の加工度を高くすると、(111)面配向は減少し、(220)面配向は増加し、スパッタ速度は遅くなる。
この実施の形態におけるスパッタリングターゲット材は、Ag(銀)を含有し、残部がCu(銅)及び不可避的不純物からなる銅合金を基本組成成分としている。Cu及びAg以外の他の元素を含有させる必要はない。このCuとして望ましいものは、4N(99.99%)以上のOFC(無酸素銅)である。一方のAgは、結晶組織制御を行うために用いるものである。形成される膜の抵抗率が無酸素銅の抵抗率と同等に得られるように、Agを微量に添加することが好ましい。このAgの添加量としては、0.02〜0.2質量%(200〜2000ppm)の範囲が好適である。
このスパッタリングターゲット材は、特に限定されるものではないが、例えば液晶パネルのTFTアレイ基板に配線膜や電極膜を形成する際に好適に使用される。一般的には鋳造→熱間圧延→冷間圧延→熱処理→仕上げ圧延の各工程を経てスパッタリングターゲット材を製造することができる。
この実施の形態においてスパッタリングターゲット材の主要な構成とするところは、Cu及びAg以外の他の元素を含有させることなく、Cuに対するAgの含有量を規定することで、結晶粒径を揃える構成にある。これにより、スパッタリング法による配線膜形成において、スパッタリングによる異常放電の抑制と成膜の高速化とを両立させることが可能となる。
上記実施の形態によれば、以下の効果を奏することができる。
(1)Agの微量添加ではCuの抵抗率の上昇は少なく、形成される配線膜に必要な低抵抗率が得られる。スパッタリングにおいても、ターゲットの抵抗は純Cuなみに低く、速やかに安定した放電が実施できる。
(2)結晶粒径の微細化を得るために圧延加工度を40%〜70%の範囲に規定することで、エロージョン部分の凹凸が小さくなり、滑らかな表面が得られるとともに、異常放電を抑制することが可能となる。
(3)Agの微量添加によりスパッタ速度を低下させる(111)面配向の減少と(220)面配向の増加とを抑制することができるようになる。その結果、スパッタ速度を速めることが可能となり、高速成膜化による製造コストの低減が可能となる。
(ターゲット材の製作)
実施例1のターゲット材を製造するために、Agを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる4NのOFCを溶解鋳造し、熱間圧延及び冷間圧延を施し、更に熱処理を行い、最終形状に仕上げ圧延を行うことで、Agを200ppm添加した4NのOFCベースのターゲット材(150mm幅×20mm厚×2m長)を製作した。
実施例2において製作したOFCターゲット材については、Agを500ppm添加した以外は、上記実施例1と同様の製法及び条件で製作した。
実施例3において製作したOFCターゲット材については、Agを2000ppm添加した以外は、上記実施例1と同様の製法及び条件で製作した。
比較例1において製作したOFCターゲット材については、上記実施例1と同様の製法で、Ag無添加のOFCターゲット材を製作した。このとき、冷間圧延の加工度を50%程度にまで高めて、300〜400°Cの温度で熱処理した。
比較例2において製作したOFCターゲット材については、上記実施例1と同様の製法で、Ag無添加のOFCターゲット材を製作した。このとき、冷間圧延の加工度を20%程度に抑えて、300〜400°Cの温度で熱処理した。
実施例1〜3、及び比較例1,2のOFCターゲット材における結晶面の配向度の測定にあたっては、X線回折装置((株)リガク社製)を用いて、X線回折(2θ法)により、任意の角度の範囲でX線回折強度を測定した。
図1(a)及び表1から明らかなように、実施例1におけるAg含有のOFCターゲット材では、平均結晶粒径が30μmに微細化していた。(220)/(111)配向比は、6以下であり、(220)面の配向は少なかった。実施例2及び3におけるAg含有のOFCターゲット材にあっても、平均結晶粒径、及び(220)/(111)配向比は、実施例1と同様に、初期の目的とする規定範囲を満足するものであった。
実験用のスパッタ装置(ULVAC製SH−350)を用いて、長時間のスパッタリングによるエロージョン部分の粗さ(Ra)を評価した。スパッタリング条件は、プロセスガス:Ar、スパッタリング時の圧力:0.5Pa、放電パワー:2kWとし、直流電源を用いたDCスパッタにより、スパッタリングを80分間実施した。粗さの測定は、接触式粗さ測定装置((株)東京精密製の サーフコム1800D/DH)を用いた。測定長が1.25mmの条件でエロージョン部分の算術平均粗さ(Ra)を測定した。
表1から明らかなように、実施例1〜3において製作したOFCターゲット材のエロージョン部分の粗さは、平均結晶粒径が小さいので、3.4又は3.5μmであり、滑らかであった。これらのOFCターゲット材は、初期の目的とする規定範囲を満足するものであった。
実施例1〜3、及び比較例1,2のOFCターゲット材によるスパッタ膜の成膜速度と膜抵抗率とを測定した。スパッタ成膜条件は、プロセスガス:Ar、スパッタリング時の圧力:0.5Pa、放電パワー:2kWとし、DCスパッタによりガラス基板上に3分間スパッタ成膜した。成膜速度は、レーザー顕微鏡(KEYENCE社製のVK−8700)を用いて膜厚を測定し、測定した膜厚値を成膜時間(3分間)で除して算出した。膜抵抗率は、パウ法により測定した。
表1から明らかなように、実施例1〜3のOFCターゲット材では、Agを微量添加し、(220)/(111)配向比を6以下に低くしたので、成膜速度が103〜107nm/minと速かった。膜抵抗率は、2.0〜2.1μΩcmであった。これらのOFCターゲット材の成膜速度、及び膜抵抗率は、初期の目的とする規定範囲を満足するものであった。
Claims (2)
- 4N(99.99%)以上の無酸素銅に銀を200〜2000ppm添加したスパッタリングターゲット材であって、
スパッタリング面のX線回折のピーク強度測定により求められた(220)面の配向比率及び(111)面の配向比率との比(220)/(111)が6以下であり、その値のバラツキを示す標準偏差が10以内であると共に、平均結晶粒径が30〜100μmであることを特徴とするスパッタリングターゲット材。 - 鋳造及び圧延により製造されたものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
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