JP5490904B2 - Rfパワーアンプの電力合成回路 - Google Patents
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Description
1_2 整合回路網
2_1 整合回路網
2_2 整合回路網
B ノード
C1_1 コンデンサ
C1_2 コンデンサ
C2_1 コンデンサ
C2_2 コンデンサ
G ノード
H ノード
L1 インダクタンス
L2 インダクタンス
RX1_1 受信ポート
RX1_2 受信ポート
RX2_1 受信ポート
RX2_2 受信ポート
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
SW3 スイッチ
SW4 スイッチ
SW6 スイッチ
SW7 スイッチ
SW8 スイッチ
Claims (10)
- アンテナと接続し、RFパワーアンプの両周波数帯の信号出力側と各々接続し、送受共用器を通じてアンテナ回路に接続する第1の整合回路網、及び、第2の整合回路網と、両周波数帯の信号受信ポートと各々接続する信号結合回路とを、含み、
前記第1の整合回路網はインダクタンス、及び、インダクタンス素子と並列接続するスイッチング素子を通じて接地し、第2の整合回路網がインダクタンス素子、及び、インダクタンス素子と並列接続するスイッチング素子を通じて接地すること
及び
Band1チャネルの送信時、SW1をオンにすることでインダクタンスL1を遮蔽して、RF信号を整合回路網1_1と整合回路網1_2によって整合動作を実現し、Band2チャネルの送信時およびBand1チャネルの受信時、SW1をオフにすることにより整合回路1_1とインダクタンスL1からなる共鳴ネットワークを構成して、他のチャネルから漏れた信号を遮断すること
を特徴とするRFパワーアンプの電力合成回路。 - 前記第1の整合回路網と信号結合回路の間の信号伝送ケーブルは、インダクタンス素子、及び、インダクタンス素子と並列接続するスイッチング素子を通じて接地し、前記第2の整合回路網と信号結合回路の間の信号伝送ケーブルがインダクタンス素子、及び、インダクタンス素子と並列接続するスイッチング素子を通じて接地することを特徴とする請求項1に記載の電力合成回路。
- 前記第1の整合回路網には直列接続するフロントエンド整合回路網1_1と二次整合回路網1_2とを含み、前記第2の整合回路網もフロントエンド整合回路網2_1と二次整合回路網2_2とを含み、前記フロントエンド整合回路網が接地するスイッチング素子、及び、インダクタンス素子と接続し、二次整合回路網が送受共用器と接続することを特徴とする請求項2に記載の電力合成回路。
- アンテナと接続し、L個のRFパワーアンプの周波数帯信号出力側と各々接続するL個の整合回路網と、N個の周波数帯信号受信ポートと各々接続するN個の信号結合回路とを、含み、前記L個の整合回路網がいずれもマルチプレクサを通じてアンテナ回路に接続し、
前記L個の整合回路網はそれぞれ並列接続するインダクタンス素子、及び、スイッチング素子を通じて接地すること、
及び
Band1チャネルの送信時、SW1をオンにすることでインダクタンスL1を遮蔽して、RF信号を整合回路網1_1と整合回路網1_2によって整合動作を実現し、Band2チャネルの送信時およびBand1チャネルの受信時、SW1をオフにすることにより整合回路1_1とインダクタンスL1からなる共鳴ネットワークを構成して、他のチャネルから漏れた信号を遮断することを特徴とする電力合成回路。 - 前記L個の整合回路網と前記信号結合回路の間の信号伝送ケーブルは、いずれもインダクタンス素子、及び、インダクタンス素子と並列接続するスイッチング素子を通じて接地することを特徴とする請求項4に記載の電力合成回路。
- 前記L個の整合回路網は、それぞれ直列接続するフロントエンド整合回路網と二次整合回路網とを含み、前記フロントエンド整合回路網がいずれも接地するスイッチング素子、及び、インダクタンス素子と接続し、前記二次整合回路網がいずれも送受共用器と接続することを特徴とする請求項5に記載の電力合成回路。
- 前記信号結合回路は、結合コンデンサであることを特徴とする請求項1又は4に記載の電力合成回路。
- 前記結合コンデンサと前記周波数帯信号受信ポートの間の信号伝送ケーブルは、スイッチデバイスを通じて接地することを特徴とする請求項7に記載の電力合成回路。
- 前記結合コンデンサと前記周波数帯信号受信ポートにおいて直列接続するスイッチデバイスが配置されることを特徴とする請求項7に記載の電力合成回路。
- 前記結合コンデンサと前記周波数帯信号受信ポートの間の信号伝送ケーブルは、スイッチデバイスを通じて接地することを特徴とする請求項9に記載の電力合成回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010262926.X | 2010-08-24 | ||
CN201010262926.XA CN101917167B (zh) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | 射频功率放大器功率合成电路 |
PCT/CN2010/079893 WO2012024874A1 (zh) | 2010-08-24 | 2010-12-16 | 射频功率放大器功率合成电路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013506361A JP2013506361A (ja) | 2013-02-21 |
JP5490904B2 true JP5490904B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=43324584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012531231A Expired - Fee Related JP5490904B2 (ja) | 2010-08-24 | 2010-12-16 | Rfパワーアンプの電力合成回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8872599B2 (ja) |
EP (1) | EP2475097A4 (ja) |
JP (1) | JP5490904B2 (ja) |
CN (1) | CN101917167B (ja) |
WO (1) | WO2012024874A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101917167B (zh) * | 2010-08-24 | 2014-05-14 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率放大器功率合成电路 |
US8981907B1 (en) * | 2012-07-19 | 2015-03-17 | Disney Enterprises, Inc. | RFID antenna multiplexing |
JP2014036256A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
US9024838B2 (en) * | 2012-08-09 | 2015-05-05 | Qualcomm Incorporated | Multi-throw antenna switch with off-state capacitance reduction |
US9575156B2 (en) | 2013-01-15 | 2017-02-21 | Disney Enterprises, Inc. | Spatial recognition of RFID tag placement using antenna multiplexing |
US20140361847A1 (en) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | Qualcomm Incorporated | Low loss multiple output switch with integrated distributed attenuation |
US9225300B2 (en) * | 2014-04-30 | 2015-12-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Configurable power amplifier and related construction method |
CN104091827B (zh) * | 2014-06-23 | 2017-02-15 | 桂林电子科技大学 | 金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法 |
JP6216753B2 (ja) | 2014-09-16 | 2017-10-18 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | バンドローディングを低減するマルチバンドデバイス |
US9882538B2 (en) * | 2015-03-24 | 2018-01-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Distributed output matching network for a radio frequency power amplifier module |
CN105305985A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-02-03 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | 一种射频放大装置 |
CN106253865B (zh) * | 2016-08-01 | 2019-06-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 多频段射频功率放大器 |
CN107592085B (zh) * | 2017-09-18 | 2018-09-07 | 深圳锐越微技术有限公司 | 功率放大器和电子设备 |
CN109547042B (zh) * | 2018-12-19 | 2020-12-22 | 天津大学 | 多通道发射机射频前端结构和终端以及无线通信设备 |
US11817832B2 (en) | 2020-01-03 | 2023-11-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier output matching |
CN111193527B (zh) * | 2020-02-18 | 2024-04-16 | 江苏集萃智能集成电路设计技术研究所有限公司 | 一种带esd防护的高线性度收发射频开关和射频收发装置 |
WO2023178496A1 (zh) * | 2022-03-21 | 2023-09-28 | 华为技术有限公司 | 通信设备及其工作方法 |
CN115632677A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-20 | 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 | 一种射频前端电路和射频前端模组 |
CN117200719B (zh) * | 2023-11-07 | 2024-02-02 | 成都四威功率电子科技有限公司 | 一种宽带大功率多频放大系统及工作方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0774604A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナの送受切換用rfスイッチ |
US5973568A (en) * | 1998-06-01 | 1999-10-26 | Motorola Inc. | Power amplifier output module for dual-mode digital systems |
JP3951123B2 (ja) | 2002-12-04 | 2007-08-01 | 日本電気株式会社 | 増幅回路 |
JP2004349740A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-09 | Advantest Corp | 入力信号処理装置、高周波成分取得方法および低周波成分取得方法 |
US7049906B2 (en) * | 2003-05-29 | 2006-05-23 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Quad band antenna interface modules including matching network ports |
JP2005124126A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Seiko Epson Corp | インピーダンス回路網、これを用いたフィルタ回路、増幅回路、半導体集積回路、電子機器及び無線通信装置 |
US7440729B2 (en) * | 2004-04-16 | 2008-10-21 | M/A-Com Eurotec B.V. | Apparatus, methods and articles of manufacture for output impedance matching using multi-band signal processing |
US7756486B1 (en) | 2005-11-16 | 2010-07-13 | Marvell International Ltd. | Transmitter and receiver impedance control using shunt switches |
JP2009528781A (ja) * | 2006-02-28 | 2009-08-06 | ルネサンス・ワイヤレス | Rfトランシーバスイッチングシステム |
CN101656515B (zh) * | 2009-09-04 | 2011-10-19 | 惠州市正源微电子有限公司 | 一种射频功率放大器高低功率合成电路 |
CN101667854B (zh) * | 2009-09-23 | 2013-02-13 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率合成电路 |
CN201733281U (zh) * | 2010-08-24 | 2011-02-02 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率放大器功率合成电路 |
CN101917167B (zh) * | 2010-08-24 | 2014-05-14 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率放大器功率合成电路 |
-
2010
- 2010-08-24 CN CN201010262926.XA patent/CN101917167B/zh active Active
- 2010-12-16 WO PCT/CN2010/079893 patent/WO2012024874A1/zh active Application Filing
- 2010-12-16 JP JP2012531231A patent/JP5490904B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-16 EP EP10856326.3A patent/EP2475097A4/en not_active Withdrawn
- 2010-12-16 US US13/498,910 patent/US8872599B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013506361A (ja) | 2013-02-21 |
EP2475097A4 (en) | 2013-04-10 |
US20120182084A1 (en) | 2012-07-19 |
WO2012024874A1 (zh) | 2012-03-01 |
EP2475097A1 (en) | 2012-07-11 |
CN101917167A (zh) | 2010-12-15 |
CN101917167B (zh) | 2014-05-14 |
US8872599B2 (en) | 2014-10-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130905 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |