CN101667854B - 射频功率合成电路 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract 1
- 102000006463 Talin Human genes 0.000 description 10
- 108010083809 Talin Proteins 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
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- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
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Abstract
本发明公开了一种用于射频功率放大器多种频段功率信号的合成控制并最终藉由天线发射的射频功率合成电路。所述电路包括与射频功率放大器及其匹配网络信号输出端连接的开关器件组一及与信号接收端连接的开关器件组二，所述开关器件组一通过双工器连接天线，同时还分别通过匹配网络连接开关器件组二；上述开关均采用CMOS工艺器件。所述电路采用匹配网络或是带滤波功能的双工器与开关组合隔离的技术，有效提高CMOS开关的抗电压击穿能力，这种组合电路应用于功率合成电路中，使得射频功率放大器芯片具有更高的集成度与更低的成本；同时该电路还可提高无线通信系统的隔离度和灵敏度，使得接收端接收射频信号时无线通信系统的插入损耗更低。
Description
技术领域
本发明涉及射频功率放大器技术领域，具体是指一种采用CMOS工艺开关的具有高集成度、低成本的射频功率合成电路。
背景技术
射频功率放大器是无线通信系统中不可缺少的组件，主要负责将调制后的射频信号放大到一定的功率值，再通过天线发射出去。而采用射频功率放大器的手持设备通常要求工作在多个频段，因而存在多路输出功率，而一般的手持设备为了减少体积以提高便携性，通常都只配备有一个天线组件，这就要求在射频功率放大器和天线之间有一个射频功率合成电路来对多路输出功率进行控制。由于射频功率合成电路直接连在射频功率放大器与天线之间，因而其过功率能力、插入损耗、隔离度以及抗电压击穿能力极大的制约着整个无线通信系统的性能，而这些性能指标跟射频功率合成电路的结构及组成器件密切相关，例如电路中所采用的开关和双工器等。目前的射频功率合成电路中多采用昂贵的GaAs开关的来实现信号切换，导致集成度太低及成本太高。
现有射频功率放大器的射频功率合成电路一般如图1所示，其电路中包括开关K1、K2、K3、K4、KR1、KR2、KR3、KR4、RX接收端口、CMOS控制电路、天线等模块。当BAND1频段的TX1通道发射功率时，开关K1和K4闭合导通，K2、K3、KR1、KR2、KR3、KR4断开。射频功率放大器的射频功率信号都将通过开关K1传输到节点A，由于开关K3断开，射频功率信号从节点A进入天线，经天线发射出去。当TX2发射时，开关K2和K4闭合导通，K1、K3、KR1、KR2、KR3、KR4断开。射频功率放大器输出的功率通过开关K2传输到A点，由于开关K3断开，射频功率信号从节点A进入天线，经天线发射出去。当通信系统处于接收状态时，例如，当RX1接收端接收信号时，开关K1、K2、K4、KR2、KR3、KR4全部断开，K3和KR1闭合导通。由天线接收射频信号，接收的信号经天线，到开关K3，然后通过KR1到RX1接收端。当其他接收端口接收信号时，跟RX1接收时一样，在接收端只有该端口对应的开关闭合导通，而开关K1、K2、K3、K4的状态跟RX1接收时状态一样。
从上所述可知，传统的射频功率合成电路中，要求开关具有很低的插入损耗和很高的隔离度，因而传统的射频功率合成电路中大多采用昂贵GaAs工艺来设计具有高功率负载能力、高隔离度、低插入损耗与高击穿电压的开关，但采用GaAs开关设计的射频功率合成电路，会使得成本相对CMOS工艺增加很多。同时，因为GaAs工艺不适合做复杂的逻辑电路，导致所有的开关都要由外加的CMOS逻辑电路来控制，这样造成芯片管脚增多、面积增大，使得成本进一步增加。在传统的功率合成电路中，如果采用CMOS工艺设计的开关，会因为硅衬底的绝缘程度不如GaAs衬底而导致CMOS开关的插入损耗比较大；同时CMOS开关隔离度较差、抗电压击穿能力不足而导致其不能应用在传统的功率合成电路中。而CMOS工艺具有目前所有工艺中最高的集成度和最低的成本，这满足无线通信系统的高集成度和低成本的要求，因而有必要设计一种新型的适合于采用CMOS开关的射频功率合成电路方案。
发明内容
本发明旨在解决传统技术中采用GaAs开关的射频功率合成电路成本高、无法高度集成的问题，以及由于CMOS开关隔离度差、抗电压击穿能力不足而不能应用在传统的功率合成电路中的问题，进而提供一种新型的具有低成本和高集成度的采用CMOS开关的射频功率合成电路。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案为：提供一种射频功率合成电路，所述电路与天线连接，用于射频功率放大器两种频段输出功率信号的合成控制并最终由天线发射出去，包括与射频功率放大器及其匹配网络信号输出端TX1、TX2分别连接的开关SW1、SW2及与信号接收端RX1、RX2、RX3、RX4分别连接的开关SW_1、SW_2、SW_3、SW_4，所述开关SW1、SW2通过双工器连接天线，同时开关SW1通过匹配网络1连接开关SW_1、SW_2，开关SW2通过匹配网络2连接开关SW_3、SW_4。
优选的，所述匹配网络1与开关SW_1、SW_2的连接点还通过开关SW_R1接地；所述匹配网络2与开关SW_3、SW_4的连接点还通过开关SW_R2接地。
所述开关SW_1、SW_2、SW_3、SW_4与信号接收端RX1、RX2、RX3、RX4之间均接有电容，且其与电容的接点处均通过开关器件接地。
具体的，所述开关SW1、SW2、SW_1、SW_2、SW_3、SW_4均采用CMOS工艺器件。
本发明所述射频功率合成电路采用匹配网络或是带滤波功能的双工器与开关组合隔离的技术，有效提高了CMOS开关的抗电压击穿能力，这种组合电路应用于合成电路中，更使得射频功率放大器芯片具有很高的集成度与很低的成本；同时所述电路还能够提高无线通信系统的隔离度和灵敏度，并使得RX接收端接收射频信号时无线通信系统的插入损耗更低。
附图说明
图1为现有的射频功率合成电路原理图；
图2为本发明实施例一电路原理图；
图3为本发明实施例二电路原理图；
图4为本发明匹配网络具体实施例电路原理图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。
本发明旨在保护一种新颖的射频功率合成电路，在所述射频功率合成电路中，射频开关均采用CMOS工艺制成。针对CMOS工艺击穿电压比较低的缺点，本发明中应用匹配网络或是带滤波功能的双工器和CMOS开关组合隔离的技术，避免了TX端发射功率大时，RX接收端的CMOS开关因抗电压击穿能力差而被击穿的风险，同时使得隔离度更高。而且用这方法隔离，CMOS开关采用单栅结构就能满足要求，使得整体芯片面积更小，成本更低。相对现有技术合成电路中采用多个开关串联以增加抗电压能力的隔离的方式，本发明所述电路RX接收时插入损耗更低。
如图2为本发明一具体实施例电路原理图。该实施例中，在射频功率放大器及其匹配网络信号输出端TX1、TX2分别连接有开关SW1、SW2，在信号接收端RX1、RX2、RX3、RX4分别连接有开关SW_1、SW_2、SW_3、SW_4，所述开关SW1、SW2通过双工器连接天线，同时开关SW1通过匹配网络1连接开关SW_1、SW_2，开关SW2通过匹配网络2连接开关SW_3、SW_4；匹配网络1与开关SW_1、SW_2的连接点通过开关SW_R1接地，匹配网络2与开关SW_3、SW_4的连接点通过开关SW_R2接地；所述开关SW_1、SW_2、SW_3、SW_4与信号接收端RX1、RX2、RX3、RX4之间分别接有电容C1、C2、C3、C4，且各开关与电容的接点处分别通过开关SW_G1、SW_G2、SW_G3和SW_G4接地。
该实施例电路中，当BAND1频段的TX1发射功率时，控制开关SW1接通，SW2、SW_1、SW_2、SW_3和SW_4均断开，SW_R1、SW_R2、SW_G1、SW_G2、SW_G3和SW_G4闭合接地。TX1发射的射频信号通过开关SW1到达节点A，由于从节点A往匹配网络1看进去的阻抗Zin1远大于从节点A往双工器看进去的阻抗Zin3，因而射频信号大部分进入双工器，从匹配网络1泄漏过去的微弱射频信号也会由导通到地的开关SW_R1吸收而不会影响接收通道，从而能有效的提高发射接收通道间的隔离度。
在双工器设计中，BAND1和BAND2各自有专用的通道，A通道相对于BAND1频段来说是低阻，相对于BAND2频段来说是高阻。B通道相对于BAND2频段来说是低阻，相对于BAND1频段来说是高阻。在A和B通道的交汇点C，由于采用不同的电路来实现各自的通道，BAND1射频信号就不能通过B通道而泄露过来，因为相对于BAND1信号而言，Zout2是高阻，B通道是高阻通道。即使有微弱射频信号进入B高阻通道，开关SW2断开，SW_R2闭合接地，也会使得射频信号接通到地，而不会进入RX通道，从而提高隔离度。
Zin5所在通道具体实施时选用50欧姆低阻通道，因此射频信号通过低阻通道被天线发射出去。特别的，假如在射频功率放大器内部有部分BAND1射频信号泄露到BAND2发射通道，也会因为开关SW2断开，SW_R2闭合而不会有功率泄露到RX通道，从而保证了两通道之间较高的隔离度。
当BAND2发射功率时，控制开关SW2接通，SW1、SW_1、SW_2、SW_3和SW_4断开，SW_R1、SW_R2、SW_G1、SW_G2、SW_G3和SW_G4闭合接地。射频信号通过开关SW2到达节点B，由于从节点B往匹配网络2看进去的阻抗Zin2远大于从节点B往双工器看进去的阻抗Zin4，因而射频信号大部分进入双工器，而从匹配网络2泄漏过去的微弱射频信号也会由导通到地的开关SW_R2吸收而不会影响接收通道，从而能有效的提高发射接收通道间的隔离度。在射频信号通过双工器来到A和B通道的节点C，由于相对于BAND2信号而言，Zout1是高阻，即使有微弱射频信号进入高阻通道，开关SW1断开，SW_R1闭合接地，也会使得泄漏过来的射频信号接通到地，而不会进入RX通道，从而提高隔离度。
同样，Zin5所在通道选用的是50欧姆低阻通道，因此射频信号通过低阻通道被天线发射出去；而如果在射频功率放大器内部有部分BAND2射频信号泄露到BAND1发射通道，也会因为SW1断开，SW_R1闭合接地而不会有功率泄露到RX通道。
当天线接收BAND1频段信号，且需将天线接收到的信号传递到接收端RX1端口时，则控制开关SW1、SW2、SW_R1和SW_R2断开，SW_2、SW_3、SW_和SW_G1断开，SW_1闭合接通，SW_G2、SW_G3和SW_G4闭合接地。由于相对BAND1频段信号来说Zout1是低阻，Zout2是高阻，则由天线接收的BAND1频段信号通过低阻通道进入双工器，在节点A，由于开关SW1断开，从双工器过来的信号通过匹配网络1传递到节点E，再通过开关SW_1传递到RX1接收端口；同样，当选择将天线接收到的信号传递到接收端RX2端口时，其他开关与RXG1接收时相同，而SW_1、SW_G2断开，SW_2、SW_G1闭合接通，天线接收到的信号通过双工器和匹配网络1传递到节点E，再通过开关SW_2传递到RX2接收端口。
当天线接收BAND2频段信号，且需将天线接收到的信号传递到接收端RX3端口时，则控制开关SW1、SW2、SW_R1和SW_R2断开，SW_1、SW_2、SW_4和SW_G3断开，SW_3闭合接通，SW_G1、SW_G2和SW_G4闭合接地。相对于BAND2信号，Zout1是高阻，Zout2是低阻，则由天线接收的BAND2信号通过低阻通道进入双工器，在节点B，由于开关SW2断开，从双工器过来的信号通过匹配网络2传递到节点F，再通过开关SW_3传递到RX3接收端口；同样，当选择将天线接收到的信号传递到接收端RX4端口时，其他开关同RX3接收时相同，而SW_3、SW_G4断开，SW_4、SW_G3闭合接通，天线接收到的信号通过双工器和匹配网络2传递到节点F，再通过开关SW_4传递到RX4接收端口。
在具体电路实现时，本发明所述方案中的开关和匹配网络可根据实际情况进行取舍。
如图3为本发明另一个具体实施例电路原理图，该实施例是将图2所示实施例电路推而广之，使其能够在不同工艺和输出功率以及不同的应用环境下，通过调节开关的级数，以保证开关满足系统要求。图3所示实施例电路与图2实施例的区别在于：发射端和接收端的个数不同，图3所示实施例具有更多的发送和接收端口，使其能够满足将来越来越复杂的无线通信系统的设计。
如图3，所述射频功率合成电路，包括与射频功率放大器及其匹配网络N个频段信号输出端TX1～TXN分别连接的开关器件组一及与信号接收端RX1～RXN分别连接的开关器件组二，其特征在于，所述开关器件组一通过多工器连接天线，同时开关器件组一中对应各功率信号通路的输出端1～N与开关器件组二对应的各信号接收端R1～RN之间分别设有匹配网络。
其中，开关器件组一包括分别与N个频段信号输出端连接的N路串联开关组；匹配网络与开关器件组二的各连接点R1～RN还分别通过开关SW_R1～SW_RN接地；所述信号接收端RX1～RXN中各路信号接收端中又分别包括K个接收端口；所述开关器件组二包括分别与K*N个接收端口连接的K*N个开关器件，各开关器件与各接收端口间均连接有电容，各开关器件与各电容连接点处均分别通过开关接地。
同样，开关器件组一和开关器件组二中各开关均采用CMOS工艺器件。其工作原理描述与第一实施电路图描述基本相同，在此不再赘述。在具体电路实现时，方案中的开关和匹配网络也可根据实际情况进行取舍。
匹配网络可以是串联在电路中的电感或传输线或连接到地的电容或上述元件的组合形式，如图4所示。
本发明中所述的各个匹配网络的具体实现方式及双工器的选择等，本领域技术人员均可以根据情况具体确定，在此不再一一列举。
以上仅为本发明较优选的实施例，需说明的是，在未脱离本发明构思前提下对其所做的任何微小变化及等同替换，均应属于本发明的保护范围。
Claims (4)
1.射频功率合成电路，所述电路与天线连接，用于射频功率放大器两种频段输出功率信号的合成控制并最终由天线发射出去，包括与射频功率放大器及其匹配网络信号输出端TX1、TX2分别连接的开关SW1、SW2及与信号接收端RX1、RX2、RX3、RX4分别连接的开关SW_1、SW_2、SW_3、SW_4，其特征在于，所述开关SW1、SW2通过双工器连接天线，同时开关SW1通过匹配网络1连接开关SW_1、SW_2，开关SW2通过匹配网络2连接开关SW_3、SW_4；
所述开关SW_1、SW_2、SW_3、SW_4与信号接收端RX1、RX2、RX3、RX4之间均接有电容，且其与电容的接点处均通过开关器件接地；
所述开关SW1、SW2、SW_1、SW_2、SW_3、SW_4均采用CMOS工艺制造。
2.根据权利要求1所述的射频功率合成电路，其特征在于：所述匹配网络1与开关SW_1、SW_2的连接点还通过开关SW_R1接地，所述匹配网络2与开关SW_3、SW_4的连接点还通过开关SW_R2接地。
3.射频功率合成电路，所述电路与天线连接，用于射频功率放大器多种频段功率信号的合成控制并最终由天线发射出去，包括与射频功率放大器及其匹配网络N个频段信号输出端TX1～TXN分别连接的开关器件组一及与信号接收端RX1～RXN分别连接的开关器件组二，其特征在于，所述开关器件组一通过多工器连接天线，同时开关器件组一中对应各功率信号通路的输出端1～N与开关器件组二对应的各信号接收端R1～RN之间分别设有匹配网络；
所述开关器件组一包括分别与N个频段信号输出端连接的N路串联开关组；所述信号接收端RX1-RXN中各路信号接收端中又分别包括K个接收端口；所述开关器件组二包括分别与K*N个接收端口连接的K*N个开关器件，各开关器件与各接收端口间均连接有电容，各开关器件与各电容连接点处均分别通过开关接地；所述开关器件组一和开关器件组二中各开关均采用CMOS工艺制造。
4.根据权利要求3所述的射频功率合成电路，其特征在于，所述匹配网络与开关器件组二的各连接点R1～RN还分别通过开关SW_R1～SW_RN接地。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910192605 CN101667854B (zh) | 2009-09-23 | 2009-09-23 | 射频功率合成电路 |
| PCT/CN2009/075965 WO2011035519A1 (zh) | 2009-09-23 | 2009-12-24 | 射频功率合成电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910192605 CN101667854B (zh) | 2009-09-23 | 2009-09-23 | 射频功率合成电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101667854A CN101667854A (zh) | 2010-03-10 |
| CN101667854B true CN101667854B (zh) | 2013-02-13 |
Family
ID=41804318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200910192605 Active CN101667854B (zh) | 2009-09-23 | 2009-09-23 | 射频功率合成电路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101667854B (zh) |
| WO (1) | WO2011035519A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102055414A (zh) * | 2010-04-14 | 2011-05-11 | 锐迪科创微电子（北京）有限公司 | 射频功率放大器模块及移动通信终端 |
| CN101917167B (zh) * | 2010-08-24 | 2014-05-14 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率放大器功率合成电路 |
| CN102170296B (zh) * | 2011-04-22 | 2014-02-19 | 北京大学 | 一种射频前端电路结构 |
| CN102938657A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-02-20 | 贵州中科汉天下电子有限公司 | 一种射频前端装置 |
| CN104065395A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-24 | 北京中科汉天下电子技术有限公司 | 射频前端装置 |
| CN112886172B (zh) * | 2021-01-13 | 2022-01-04 | 电子科技大学 | 一种功分路数可重构的多路功分器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654660A (en) * | 1995-09-27 | 1997-08-05 | Hewlett-Packard Company | Level shifted high impedance input multiplexor |
| CN1166732A (zh) * | 1996-04-08 | 1997-12-03 | 松下电器产业株式会社 | 多频带移动单元通信设备 |
| CN1795617A (zh) * | 2003-05-29 | 2006-06-28 | 索尼爱立信移动通讯股份有限公司 | 包括匹配网络端口的四频带天线接口模块 |
| CN1969460A (zh) * | 2004-04-16 | 2007-05-23 | M/A－Com尤罗泰克公司 | 使用多频带信号处理输出阻抗匹配的装置、方法和制造产品 |
| CN101069360A (zh) * | 2004-12-02 | 2007-11-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 分布式双工器 |
-
2009
- 2009-09-23 CN CN 200910192605 patent/CN101667854B/zh active Active
- 2009-12-24 WO PCT/CN2009/075965 patent/WO2011035519A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654660A (en) * | 1995-09-27 | 1997-08-05 | Hewlett-Packard Company | Level shifted high impedance input multiplexor |
| CN1166732A (zh) * | 1996-04-08 | 1997-12-03 | 松下电器产业株式会社 | 多频带移动单元通信设备 |
| CN1795617A (zh) * | 2003-05-29 | 2006-06-28 | 索尼爱立信移动通讯股份有限公司 | 包括匹配网络端口的四频带天线接口模块 |
| CN1969460A (zh) * | 2004-04-16 | 2007-05-23 | M/A－Com尤罗泰克公司 | 使用多频带信号处理输出阻抗匹配的装置、方法和制造产品 |
| CN101069360A (zh) * | 2004-12-02 | 2007-11-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 分布式双工器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101667854A (zh) | 2010-03-10 |
| WO2011035519A1 (zh) | 2011-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Yu Zhengming Inventor before: Zhou Yong |
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| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: ZHOU YONG TO: YU ZHENGMING |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170614 Address after: 100088 Beijing city Haidian District Road No. 6 Jinqiu International Building block A room 1607 Patentee after: BeiJing ZhongKe's Chinese is Electron Technology Co., Ltd all over the world Address before: 516006, DESAY building, 12 Yunshan West Road, nineteen, Guangdong, Huizhou Patentee before: Huizhou ZYW microrlectronics Inc. |
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| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
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