JP5489295B2 - 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 - Google Patents
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Description
(荷電粒子線装置の構成の説明)
図1は、本発明の第1の実施例が適用された荷電粒子線装置の全体の概略構成図である。
以上のような構成を有し、イオンビームが照射できる荷電粒子線装置に、イオンの軌道を曲げる電極を試料室に搭載する効果は、イオンビームを任意の方向から照射できることであり、以下、その説明を行う。
次に、本発明の第1の実施例により、低倍率の観察可能範囲を拡大可能であることを説明する。
(荷電粒子線装置の構成の説明)
図7は、本発明の第2の実施例が適用される荷電粒子線装置全体の概略構成図である。
本発明の第2の実施例における加工状況のSEM観察について説明する。
Claims (15)
- イオンビームを照射するイオンビームカラムと、
上記イオンビームカラムが取り付けられた試料室と、
上記試料室内に配置され、試料を支持する試料ステージと、
上記試料室内に配置され、上記イオンビームカラムから発生されたイオンビームの軌道を変更し、上記試料ステージに支持される試料に照射させる電極部と、
上記電極部を上記試料室内で移動させる電極部移動制御部と、
上記電極部に電圧を供給する電圧供給部と、
を備え、
上記電極部移動制御部が、上記電極部の位置及び傾斜角度を制御し、
上記電極部を、上記イオンビームカラムから見て、上記試料ステージに支持される試料よりも下方に位置させて、イオンビームを上記試料に照射させることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部は、平板状の電極を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部は、球状の電極を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部は、放物曲面形状の電極を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部は、多面体の電極を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部は、上記イオンビームカラムの近傍に位置する第1の電極部と、上記試料ステージの近傍に位置する第2の電極部とを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部に到達する二次イオン又は二次電子を検出する電流計測部と、この電流計測部により計測された二次イオン又は二次電子に基づいて、走査型イオン顕微鏡像を形成する統合コンピュータとを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
電子ビームを上記試料ステージに支持される試料又は上記電極部に照射する走査電子顕微鏡カラムと、この走査電子顕微鏡カラムから照射される電子ビームの走査を制御する電子ビームスキャン制御部とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - イオンビームを照射するイオンビームカラムと、
上記イオンビームカラムが取り付けられた試料室と、
上記試料室内に配置され、試料を支持する複数の試料ステージと、
上記試料室内に配置された上記複数の試料ステージのうちの一つに配置され、上記イオンビームカラムから発生されたイオンビームの軌道を変更し、上記複数の試料ステージのうちの他のステージに支持される試料に照射させる電極部と、
上記電極部を上記試料室内で移動させる電極部移動制御部と、
上記電極部に電圧を供給する電圧供給部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部移動制御部は、上記電極部の位置及び傾斜角度を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線装置において、
上記電極部移動制御部は、上記電極部が、上記イオンビームカラムから見て、上記試料ステージに支持される試料よりも下方に位置させて、イオンビームを上記試料に照射させることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線装置において、
電子ビームを上記試料ステージに支持される試料又は上記電極部に照射する走査電子顕微鏡カラムと、この走査電子顕微鏡カラムから照射される電子ビームの走査を制御する電子ビームスキャン制御部とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - イオンビームカラムが取付けられた試料室内に配置され、電圧が供給される移動可能な電極部の位置及び傾斜角度を制御し、上記電極部を、上記イオンビームカラムから見て、上記試料ステージに支持される試料よりも下方に位置させ、上記電極部により、上記イオンビームカラムから発生されたイオンビームの軌道を変更し、上記イオンビームを上記試料ステージに支持される試料に照射することを特徴とする荷電粒子線照射方法。
- 請求項13に記載の荷電粒子線照射方法において、
上記イオンビームカラムの近傍に位置する第1の電極部と、上記試料ステージの近傍に位置する第2の電極部とを用いて、上記イオンビームの照射方向を変更することを特徴とする荷電粒子線照射方法。 - 請求項13に記載の荷電粒子線照射方法において、
上記電極部に到達する二次イオン又は二次電子を電流計測部により検出し、この電流計測部により計測された二次イオン又は二次電子に基づいて、走査型イオン顕微鏡像を形成することを特徴とする荷電粒子線照射方法。
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