JP2002277364A - 薄片試料加工方法及び薄片試料の作製方法 - Google Patents
薄片試料加工方法及び薄片試料の作製方法Info
- Publication number
- JP2002277364A JP2002277364A JP2001078967A JP2001078967A JP2002277364A JP 2002277364 A JP2002277364 A JP 2002277364A JP 2001078967 A JP2001078967 A JP 2001078967A JP 2001078967 A JP2001078967 A JP 2001078967A JP 2002277364 A JP2002277364 A JP 2002277364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- thin sample
- ion beam
- sample piece
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- -1 argon ion Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 101100219325 Phaseolus vulgaris BA13 gene Proteins 0.000 description 1
- 101001062854 Rattus norvegicus Fatty acid-binding protein 5 Proteins 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過型電子顕微鏡用の薄片試料を作製する際
に、集束イオンビームによるスパッタエッチングによっ
て切削端面に生じたダメージ層を除去する。 【解決手段】 集束イオンビーム加工法を用いて固体試
料を切削加工することで固体試料から切り出した薄片試
料（３０）をマイクログリッド（５０）上に固着する。
薄片試料（３０）の切削端面にはガリウムイオンビーム
によるスパッタエッチングによって格子欠陥等のダメー
ジ層が形成されている。イオンミリング装置を用いてア
ルゴンイオンを１ｋｅＶ以下の低エネルギーで加速し、
アルゴンイオンを薄片試料（３０）に照射することで、
ダメージ層を除去する。
に、集束イオンビームによるスパッタエッチングによっ
て切削端面に生じたダメージ層を除去する。 【解決手段】 集束イオンビーム加工法を用いて固体試
料を切削加工することで固体試料から切り出した薄片試
料（３０）をマイクログリッド（５０）上に固着する。
薄片試料（３０）の切削端面にはガリウムイオンビーム
によるスパッタエッチングによって格子欠陥等のダメー
ジ層が形成されている。イオンミリング装置を用いてア
ルゴンイオンを１ｋｅＶ以下の低エネルギーで加速し、
アルゴンイオンを薄片試料（３０）に照射することで、
ダメージ層を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体試料の微細加工
技術に係わり、特に、透過型電子顕微鏡用の薄片試料加
工技術及び作製技術に関する。
技術に係わり、特に、透過型電子顕微鏡用の薄片試料加
工技術及び作製技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透過型電子顕微鏡用の試料作製方
法として、集束イオンビームを用いた加工方法がある。
集束イオンビーム加工法によれば、イオンビームによる
スパッタエッチングによって固体試料を任意の形状に加
工することができ、透過型電子顕微鏡用の薄片試料作製
に好適である。集束イオンビーム加工法は固体試料の粗
加工には不向きであるため、薄片試料を作製するにはダ
イシングソーや機械研磨等による前処理によって固体試
料を予め薄片化しておく必要がある。
法として、集束イオンビームを用いた加工方法がある。
集束イオンビーム加工法によれば、イオンビームによる
スパッタエッチングによって固体試料を任意の形状に加
工することができ、透過型電子顕微鏡用の薄片試料作製
に好適である。集束イオンビーム加工法は固体試料の粗
加工には不向きであるため、薄片試料を作製するにはダ
イシングソーや機械研磨等による前処理によって固体試
料を予め薄片化しておく必要がある。
【０００３】ところが、固体試料の材質によっては水と
の接触により変質や膨張をするもの、或いは表面が非常
に脆弱なため前処理段階で破壊、欠落してしまうものも
少なくない。このような問題点を解決するために、リフ
トアウト法が考案された。リフトアウト法によればダイ
シングソー等による前処理を行わずに、透過型電子顕微
鏡の断面観察となる部位について集束イオンビーム加工
法を用いて薄片試料を切り出し、マイクロマニピュレー
タを用いて該薄片試料を透過型電子顕微鏡のマイクログ
リッドに装着することができる。
の接触により変質や膨張をするもの、或いは表面が非常
に脆弱なため前処理段階で破壊、欠落してしまうものも
少なくない。このような問題点を解決するために、リフ
トアウト法が考案された。リフトアウト法によればダイ
シングソー等による前処理を行わずに、透過型電子顕微
鏡の断面観察となる部位について集束イオンビーム加工
法を用いて薄片試料を切り出し、マイクロマニピュレー
タを用いて該薄片試料を透過型電子顕微鏡のマイクログ
リッドに装着することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のリフト
アウト法では集束イオンビーム加工後、薄片試料の厚み
調整のために追加工を行うことができないため、薄片試
料の厚みが不均一になるという不都合が生じる。これ
は、透過型電子顕微鏡で薄片試料を断面観察するために
は、透過型電子顕微鏡の分解能を考慮して薄片試料の厚
みを１００ｎｍ程度にする必要があるが、集束イオンビ
ーム加工装置による最高拡大倍率は３０万倍であり、１
００ｎｍは画面上で３ｍｍ程度となるため、肉眼による
正確な厚み加工制御が困難となるためである。
アウト法では集束イオンビーム加工後、薄片試料の厚み
調整のために追加工を行うことができないため、薄片試
料の厚みが不均一になるという不都合が生じる。これ
は、透過型電子顕微鏡で薄片試料を断面観察するために
は、透過型電子顕微鏡の分解能を考慮して薄片試料の厚
みを１００ｎｍ程度にする必要があるが、集束イオンビ
ーム加工装置による最高拡大倍率は３０万倍であり、１
００ｎｍは画面上で３ｍｍ程度となるため、肉眼による
正確な厚み加工制御が困難となるためである。
【０００５】さらに、集束イオンビーム加工法ではイオ
ンビームを薄片試料に照射するため、照射イオンの一部
は表面で反射され、一部は薄片試料を構成している原子
と衝突を繰り返しながら試料内部へ侵入していき、切削
端面にダメージ層が形成される。このダメージ層は透過
型電子顕微鏡による高分解能観察の妨げとなる。
ンビームを薄片試料に照射するため、照射イオンの一部
は表面で反射され、一部は薄片試料を構成している原子
と衝突を繰り返しながら試料内部へ侵入していき、切削
端面にダメージ層が形成される。このダメージ層は透過
型電子顕微鏡による高分解能観察の妨げとなる。
【０００６】図５は集束イオンビーム加工法によってシ
リコン結晶表面にガリウムイオンビームを照射した際に
形成されたダメージ層の概略図である。同図において符
号８０はシリコン結晶、符号７０はダメージ層を表して
いる。ダメージ層７０は表面汚染層７１、非晶質層７２
及び格子欠陥層７３から成り、その膜厚は通常、片面２
５ｎｍ〜３０ｎｍである。
リコン結晶表面にガリウムイオンビームを照射した際に
形成されたダメージ層の概略図である。同図において符
号８０はシリコン結晶、符号７０はダメージ層を表して
いる。ダメージ層７０は表面汚染層７１、非晶質層７２
及び格子欠陥層７３から成り、その膜厚は通常、片面２
５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【０００７】ガリウムイオンをシリコン結晶に照射する
と、ガリウムイオンはシリコン原子と衝突をしてエネル
ギーの一部を失いながら内部へ侵入し、さらに別のシリ
コン原子と衝突する。一方、衝突されたシリコン原子は
正規の位置から弾き出されて別のシリコン原子と衝突す
る。このようにシリコン結晶表面にガリウムイオンが照
射されると、連鎖的に衝突が繰り返されて格子間原子や
空格子点等の格子欠陥が多数発生し、格子欠陥層７３が
形成される。また、試料表面はアモルファス状となり、
非晶質層７２が形成される。このとき最表面は集束イオ
ンビームによってエッチングされながらもスパッタされ
た原子が再付着して汚染され、表面汚染層７１が形成さ
れる。
と、ガリウムイオンはシリコン原子と衝突をしてエネル
ギーの一部を失いながら内部へ侵入し、さらに別のシリ
コン原子と衝突する。一方、衝突されたシリコン原子は
正規の位置から弾き出されて別のシリコン原子と衝突す
る。このようにシリコン結晶表面にガリウムイオンが照
射されると、連鎖的に衝突が繰り返されて格子間原子や
空格子点等の格子欠陥が多数発生し、格子欠陥層７３が
形成される。また、試料表面はアモルファス状となり、
非晶質層７２が形成される。このとき最表面は集束イオ
ンビームによってエッチングされながらもスパッタされ
た原子が再付着して汚染され、表面汚染層７１が形成さ
れる。
【０００８】本発明は上記の問題点に鑑み、集束イオン
ビーム加工後の切削端面に生じたダメージ層を除去する
とともに、薄片試料の厚みを均一に調整する薄片試料加
工方法及び薄片試料の作製方法を提供することを課題と
する。
ビーム加工後の切削端面に生じたダメージ層を除去する
とともに、薄片試料の厚みを均一に調整する薄片試料加
工方法及び薄片試料の作製方法を提供することを課題と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明では集束イオンビーム加工法を用いて固体試
料を切削加工することで固体試料から薄片試料を切り出
し、該薄片試料の切削端面に生じたダメージ層をイオン
ミリングによって除去する。この方法により、集束イオ
ンビームによって生じたダメージ層をイオンミリングに
よって除去することができるとともに、薄片試料を膜厚
方向に加工することができ、膜厚を所望の値に調整する
ことができる。イオンミリングは、不活性ガスであるア
ルゴンが好ましく、加速電圧は１ｋｅＶ以下の低エネル
ギーが好ましい。
め、本発明では集束イオンビーム加工法を用いて固体試
料を切削加工することで固体試料から薄片試料を切り出
し、該薄片試料の切削端面に生じたダメージ層をイオン
ミリングによって除去する。この方法により、集束イオ
ンビームによって生じたダメージ層をイオンミリングに
よって除去することができるとともに、薄片試料を膜厚
方向に加工することができ、膜厚を所望の値に調整する
ことができる。イオンミリングは、不活性ガスであるア
ルゴンが好ましく、加速電圧は１ｋｅＶ以下の低エネル
ギーが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、各図を参照して本実施の形
態について説明する。
態について説明する。
【００１１】図１乃至図４は透過型電子顕微鏡用の試料
作製工程を示した説明図である。図１に示すように、シ
リコンウエハ１０を用意し、集束イオンビーム加工法に
よって、断面観察部位１１の両側をＢＯＸ加工し、断面
観察部位１１を残して薄膜化する。このときのイオンビ
ームの加速電圧は３０ｋＶ、電流密度１０Ａ／ｃｍ2で
ある。断面観察部位１１の膜厚は０．１μｍであり、Ｂ
ＯＸ加工によって形成された開口部２１，２２の大きさ
は、１５μｍ×２０μｍ×１０μｍである。
作製工程を示した説明図である。図１に示すように、シ
リコンウエハ１０を用意し、集束イオンビーム加工法に
よって、断面観察部位１１の両側をＢＯＸ加工し、断面
観察部位１１を残して薄膜化する。このときのイオンビ
ームの加速電圧は３０ｋＶ、電流密度１０Ａ／ｃｍ2で
ある。断面観察部位１１の膜厚は０．１μｍであり、Ｂ
ＯＸ加工によって形成された開口部２１，２２の大きさ
は、１５μｍ×２０μｍ×１０μｍである。
【００１２】さらに、図２に示すように、集束イオンビ
ーム加工法によって断面観察部位１１の両端面及び底面
を切削し、断面観察部位１１を含む薄片試料３０をシリ
コンウエア１０から切り出す。これにより、２０μｍ×
１０μｍ×０．１μｍの薄片試料３０が得られる。この
ときシリコンウエハ１０には開口部２０が形成される。
ーム加工法によって断面観察部位１１の両端面及び底面
を切削し、断面観察部位１１を含む薄片試料３０をシリ
コンウエア１０から切り出す。これにより、２０μｍ×
１０μｍ×０．１μｍの薄片試料３０が得られる。この
ときシリコンウエハ１０には開口部２０が形成される。
【００１３】次に、図３に示すように、薄片試料３０を
透過型電子顕微鏡により断面観察するために、マイクロ
マニピュレータ６０を用いて薄片試料３０をマイクログ
リッド５０に固着する。マイクロマニピュレータ６０は
ＷＤ（Working Distance）の長い対物レンズを持った光
学顕微鏡に、油圧制御によるミクロン単位で移動可能な
ガラス製のキャピラリが取り付けられている。このキャ
ピラリの先端を数μｍφ程度の太さになるように調整す
ることで、微小な薄片試料３０を静電気でハンドリング
することができる。
透過型電子顕微鏡により断面観察するために、マイクロ
マニピュレータ６０を用いて薄片試料３０をマイクログ
リッド５０に固着する。マイクロマニピュレータ６０は
ＷＤ（Working Distance）の長い対物レンズを持った光
学顕微鏡に、油圧制御によるミクロン単位で移動可能な
ガラス製のキャピラリが取り付けられている。このキャ
ピラリの先端を数μｍφ程度の太さになるように調整す
ることで、微小な薄片試料３０を静電気でハンドリング
することができる。
【００１４】マイクログリッド５０は薄片試料３０に電
子線を照射する際に薄片試料３０を透過型電子顕微鏡内
に担持する支持膜であり、０．１μｍφ〜２０μｍφの
孔をもつ。マイクログリッド５０の表面には薄片試料３
０を固定するために、粘着性のあるコロジオン膜４０で
被覆されている。コロジオン膜４０は１．５％〜２％濃
度のニトロセルロース酢酸アミル溶液１滴を水面上に滴
下し、溶媒を蒸発させた後、水面上に形成された薄膜を
１５０メッシュの金網に掬い取り法或いは水面落下法で
載せた後、室温で乾燥させ、カーボン蒸着法で強化する
ことにより得られたものである。
子線を照射する際に薄片試料３０を透過型電子顕微鏡内
に担持する支持膜であり、０．１μｍφ〜２０μｍφの
孔をもつ。マイクログリッド５０の表面には薄片試料３
０を固定するために、粘着性のあるコロジオン膜４０で
被覆されている。コロジオン膜４０は１．５％〜２％濃
度のニトロセルロース酢酸アミル溶液１滴を水面上に滴
下し、溶媒を蒸発させた後、水面上に形成された薄膜を
１５０メッシュの金網に掬い取り法或いは水面落下法で
載せた後、室温で乾燥させ、カーボン蒸着法で強化する
ことにより得られたものである。
【００１５】薄片試料３０をマイクログリッド５０に載
置した後、透過型電子顕微鏡を用いて断面観察を試み
る。薄片試料３０の観察状態が良好でない場合には、集
束イオンビーム加工法によって切削端面に生じたダメー
ジ層を除去するべく、薄片試料３０をイオンミリング装
置に装着する。図４に示すように、Kaufman型イオン源
やBucket型イオン源等の大口径のイオン源で発生させた
アルゴンイオンを１ｋｅＶ以下の加速電圧（例えば、８
００ｅＶ）で加速し、薄片試料３０に照射してイオンミ
リングを行う。集束イオンビーム加工の際にガリウムイ
オンによって形成されたダメージ層はイオンミリングに
よって除去することができるとともに、集束イオンビー
ム加工の際に不均一になりやすい薄片試料３０の膜厚を
透過型電子顕微鏡観察に好適な膜厚に調整することがで
きる。但し、イオンミリングにより、コロジオン膜４０
も同時にエッチングされてしまうため、マイクロマニピ
ュレータ６０を用いて薄片試料３０を別のマイクログリ
ッド５０に固着させる。
置した後、透過型電子顕微鏡を用いて断面観察を試み
る。薄片試料３０の観察状態が良好でない場合には、集
束イオンビーム加工法によって切削端面に生じたダメー
ジ層を除去するべく、薄片試料３０をイオンミリング装
置に装着する。図４に示すように、Kaufman型イオン源
やBucket型イオン源等の大口径のイオン源で発生させた
アルゴンイオンを１ｋｅＶ以下の加速電圧（例えば、８
００ｅＶ）で加速し、薄片試料３０に照射してイオンミ
リングを行う。集束イオンビーム加工の際にガリウムイ
オンによって形成されたダメージ層はイオンミリングに
よって除去することができるとともに、集束イオンビー
ム加工の際に不均一になりやすい薄片試料３０の膜厚を
透過型電子顕微鏡観察に好適な膜厚に調整することがで
きる。但し、イオンミリングにより、コロジオン膜４０
も同時にエッチングされてしまうため、マイクロマニピ
ュレータ６０を用いて薄片試料３０を別のマイクログリ
ッド５０に固着させる。
【００１６】尚、薄片試料３０の両面についてイオンミ
リングが必要な場合には、透過型電子顕微鏡観察→
イオンミリング→マイクログリッドの取り替え、とい
った一連の処理をもう一方の片面について再度行う。ま
た、上記の説明ではアルゴンイオンを用いてイオンミリ
ングを行ったが、不活性ガスであれば、アルゴンに限ら
ず、窒素（Ｎ2）、クリプトン（Ｋｒ）等を用いること
ができる。また、上記の説明では透過型電子顕微鏡用の
薄片試料を加工する場合を例に説明したが、本発明はこ
れに限らずに、集束イオンビームを用いた電子デバイス
の加工技術に広く応用することができる。
リングが必要な場合には、透過型電子顕微鏡観察→
イオンミリング→マイクログリッドの取り替え、とい
った一連の処理をもう一方の片面について再度行う。ま
た、上記の説明ではアルゴンイオンを用いてイオンミリ
ングを行ったが、不活性ガスであれば、アルゴンに限ら
ず、窒素（Ｎ2）、クリプトン（Ｋｒ）等を用いること
ができる。また、上記の説明では透過型電子顕微鏡用の
薄片試料を加工する場合を例に説明したが、本発明はこ
れに限らずに、集束イオンビームを用いた電子デバイス
の加工技術に広く応用することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば集束イオンビーム加工法
によって薄片試料の切削端面に生じたダメージ層をイオ
ンミリングによって除去することができるとともに、薄
片試料を厚み方向に加工できるため、膜厚を所望の値に
調整することができる。
によって薄片試料の切削端面に生じたダメージ層をイオ
ンミリングによって除去することができるとともに、薄
片試料を厚み方向に加工できるため、膜厚を所望の値に
調整することができる。
【図１】透過型電子顕微鏡用試料作製工程の説明図であ
る。
る。
【図２】透過型電子顕微鏡用試料作製工程の説明図であ
る。
る。
【図３】透過型電子顕微鏡用試料作製工程の説明図であ
る。
る。
【図４】透過型電子顕微鏡用試料作製工程の説明図であ
る。
る。
【図５】ダメージ層の説明図である。
１０…シリコンウエハ、１１…断面観察部位、２０〜２
２…開口部、３０…薄片試料、４０…コロジオン膜、５
０…マイクログリッド、６０…マイクロマニピュレー
タ、７０…ダメージ層、７１…表面汚染層、７２…非晶
質層、７３…格子欠陥層、８０…シリコン結晶
２…開口部、３０…薄片試料、４０…コロジオン膜、５
０…マイクログリッド、６０…マイクロマニピュレー
タ、７０…ダメージ層、７１…表面汚染層、７２…非晶
質層、７３…格子欠陥層、８０…シリコン結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G052 AC02 AD52 EC18 GA33 4E066 AA01 BA13 BB02 4K057 DA11 DB06 DD04 DE14 DE15 DN04 5C001 AA01 BB07 CC01
Claims (7)
- 【請求項１】 集束イオンビーム加工法を用いて固体試
料を切削加工することで固体試料から薄片試料を切り出
し、該薄片試料の切削端面に生じたダメージ層をイオン
ミリングによって除去する、薄片試料加工方法。 - 【請求項２】 アルゴンイオンを用いてイオンミリング
を行う請求項１に記載の薄片試料加工方法。 - 【請求項３】 アルゴンイオンの加速電圧は１ｋｅＶ以
下である請求項２に記載の薄片試料加工方法。 - 【請求項４】 前記薄片試料は透過型電子顕顕微鏡によ
る断面観察部位を含む請求項１乃至請求項３のうち何れ
か１項に記載の薄片試料加工方法。 - 【請求項５】 前記薄片試料をマイクログリッドに固着
した状態でイオンミリングを行う請求項４に記載の薄片
試料加工方法。 - 【請求項６】 マイクロマニピュレータを用いて薄片試
料をマイクログリッドに固着させる請求項５に記載の薄
片試料加工方法。 - 【請求項７】 集束イオンビーム加工法を用いて固体試
料を切削加工することで固体試料から薄片試料を切り出
し、該薄片試料の切削端面に生じたダメージ層をイオン
ミリングによって除去する、薄片試料の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078967A JP2002277364A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 薄片試料加工方法及び薄片試料の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078967A JP2002277364A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 薄片試料加工方法及び薄片試料の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277364A true JP2002277364A (ja) | 2002-09-25 |
Family
ID=18935495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001078967A Pending JP2002277364A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 薄片試料加工方法及び薄片試料の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002277364A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007108105A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Renesas Technology Corp | 電子顕微鏡用試料作製方法、集束イオンビーム装置および試料支持台 |
| GB2438241A (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | Secretary Trade Ind Brit | Machining of microstructures |
| JP2008292351A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Sii Nanotechnology Inc | ドーパントプロファイル測定用薄片試料作成方法 |
| WO2012077554A1 (ja) | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 |
| CN106646746A (zh) * | 2015-11-02 | 2017-05-10 | 中国兵器装备研究院 | 光纤端面精细处理方法 |
| JP2017150840A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法および確認方法 |
| CN114279784A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-05 | 上海季丰电子股份有限公司 | 一种透射电镜样品的制备方法 |
| CN114486422A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-05-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d存储器件的测试样品制备方法 |
-
2001
- 2001-03-19 JP JP2001078967A patent/JP2002277364A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007108105A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Renesas Technology Corp | 電子顕微鏡用試料作製方法、集束イオンビーム装置および試料支持台 |
| JP4699168B2 (ja) * | 2005-10-17 | 2011-06-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子顕微鏡用試料の作製方法 |
| GB2438241A (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | Secretary Trade Ind Brit | Machining of microstructures |
| JP2008292351A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Sii Nanotechnology Inc | ドーパントプロファイル測定用薄片試料作成方法 |
| WO2012077554A1 (ja) | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 |
| CN106646746A (zh) * | 2015-11-02 | 2017-05-10 | 中国兵器装备研究院 | 光纤端面精细处理方法 |
| CN106646746B (zh) * | 2015-11-02 | 2020-06-16 | 中国兵器装备研究院 | 光纤端面精细处理方法 |
| JP2017150840A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法および確認方法 |
| CN114279784A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-05 | 上海季丰电子股份有限公司 | 一种透射电镜样品的制备方法 |
| CN114486422A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-05-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d存储器件的测试样品制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7002152B2 (en) | Sample preparation for transmission electron microscopy | |
| JP6629596B2 (ja) | エッチング速度を変化させるためのイオン注入 | |
| US7297944B2 (en) | Ion beam device and ion beam processing method, and holder member | |
| JP4699168B2 (ja) | 電子顕微鏡用試料の作製方法 | |
| KR100796829B1 (ko) | 투과형 전자 현미경 시료 박편화 가공방법 | |
| US20060017016A1 (en) | Method for the removal of a microscopic sample from a substrate | |
| US7345289B2 (en) | Sample support prepared by semiconductor silicon process technique | |
| US6527967B1 (en) | Thin piece forming method | |
| JP2002277364A (ja) | 薄片試料加工方法及び薄片試料の作製方法 | |
| US5821544A (en) | Electron microscope specimen supports | |
| US7705329B2 (en) | Charged particle beam processing apparatus | |
| Haufe | Production of microstructures by ion beam sputtering | |
| Yan et al. | Response of machining-damaged single-crystalline silicon wafers to nanosecond pulsed laser irradiation | |
| JP2000230891A (ja) | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 | |
| JP5862405B2 (ja) | 透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法 | |
| US6251782B1 (en) | Specimen preparation by focused ion beam technique | |
| Lodge et al. | The surface diffusion of silver under high resolution imaging conditions | |
| Anderson et al. | Practical Aspects of FIB Tem Specimen Preparation: With Emphasis On Semiconductor Applications | |
| EP1612836B1 (en) | Method for the removal of a microscopic sample from a substrate | |
| JPH11160210A (ja) | 透過型電子顕微鏡用の観察試料とその作製方法 | |
| JP2004061204A (ja) | 観察用試料作製方法 | |
| Tsujimoto et al. | Cross-sectional TEM sample preparation method using FIB etching for thin-film transistor | |
| Reuteler et al. | FIB artifacts and how to overcome them | |
| JP2012057945A (ja) | 電子顕微鏡観察用試料の作製方法 | |
| JPH04337445A (ja) | 検鏡用試料作製法 |