JP5483481B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5483481B2 JP5483481B2 JP2011257062A JP2011257062A JP5483481B2 JP 5483481 B2 JP5483481 B2 JP 5483481B2 JP 2011257062 A JP2011257062 A JP 2011257062A JP 2011257062 A JP2011257062 A JP 2011257062A JP 5483481 B2 JP5483481 B2 JP 5483481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- layer
- manufacturing
- cross
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構造を示す上面図であり、図2,3は、それぞれ図1に示したラインII−II,III−IIIに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。
図13,14は、それぞれ図2,3に対応させて、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の構造を示す断面図である。Ta2O5,BST,STO等の絶縁膜20が金属配線9上に形成されており、スリット12は絶縁膜20によって塞がれている。
図15,16は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図である。
図19は、図1に対応させて、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の構造を示す上面図であり、図20は、図19に示したラインXX−XXに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。
図21は、図1に対応させて、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の構造を示す上面図であり、図22は、図21に示したラインXXII−XXIIに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。
図23,24は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の構造を示す上面図であり、図25,26は、それぞれ図24に示したラインXXV−XXV,XXVI−XXVIに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。但し、図23では、図24に示したシート35の記載を省略している。
図30,31は、本発明の実施の形態7に係る半導体装置の構造を示す上面図であり、図32は、図31に示したラインXXXII−XXXIIに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。但し、図30では、図31に示したテープ41の記載を省略している。
図33は、本発明の実施の形態8に係る半導体装置の構造を示す上面図であり、図34は、図33に示したラインXXXIV−XXXIVに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。
Claims (1)
- (a)第1のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、及び第2のソース電極が、所定方向に沿ってこの順に並んで半導体基板の上面上に形成された構造を有するトランジスタを形成する工程と、
(b)犠牲層を、前記トランジスタを覆って前記半導体基板の前記上面上に形成する工程と、
(c)前記犠牲層を部分的に除去することにより、前記第1のソース電極及び前記第2のソース電極を露出する工程と、
(d)前記工程(c)よりも後に実行され、前記第1のソース電極及び前記第2のソース電極に接続され、前記所定方向に沿って延在する配線を、前記犠牲層の上面上に形成する工程と、
(e)前記工程(d)よりも後に実行され、前記犠牲層を除去する工程と、
(f)上面が開口した枠体を、前記トランジスタの周囲を取り囲んで、前記半導体基板の前記上面上に形成する工程と、
(g)前記枠体上に高分子系の材質のテープを貼り付けることにより、前記枠体及び前記テープによって前記トランジスタ及び前記配線を覆う工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011257062A JP5483481B2 (ja) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011257062A JP5483481B2 (ja) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005056898A Division JP4907093B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012044221A JP2012044221A (ja) | 2012-03-01 |
JP5483481B2 true JP5483481B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=45900089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011257062A Expired - Fee Related JP5483481B2 (ja) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5483481B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275480A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2003017651A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
-
2011
- 2011-11-25 JP JP2011257062A patent/JP5483481B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012044221A (ja) | 2012-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI360850B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing t | |
CN112039455B (zh) | 体声波谐振器的封装方法及封装结构 | |
US7989955B2 (en) | Semiconductor device, electronic device, and method of producing semiconductor device | |
JP4907093B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN113066832B (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
JP5479227B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN112039458B (zh) | 体声波谐振器的封装方法及封装结构 | |
TWI659506B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
CN112039459B (zh) | 体声波谐振器的封装方法及封装结构 | |
JP5483151B2 (ja) | 薄膜素子およびその製造方法 | |
TW201017780A (en) | Method for packaging semiconductors at a wafer level | |
CN110176474B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
CN105374731A (zh) | 封装方法 | |
JP5512639B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4622630B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5483481B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN105374743A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
TWI437689B (zh) | 半導體裝置 | |
JP2010067650A (ja) | 半導体装置、その半導体装置の製造方法及びパワーモジュール | |
US20090189147A1 (en) | Organic transistor comprising a self-aligning gate electrode, and method for the production thereof | |
US7728389B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device | |
JP6243821B2 (ja) | トランジスタ、トランジスタアレイ、および、トランジスタの製造方法 | |
CN114975245B (zh) | 埋入式芯片封装结构的制备方法 | |
US20230117806A1 (en) | Semiconductor packages and methods for manufacturing thereof | |
US20110053336A1 (en) | Method for selective deposition of dielectric layers on semiconductor structures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5483481 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |