JP5482972B1 - 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ - Google Patents

Abstract

ラダー型回路構成を有し、より一層の小型化を図り得る弾性波フィルタ装置を提供する。
パッケージ基板１１上に弾性波フィルタチップ１２が搭載されており、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有するラダー型回路が構成されており、少なくとも１つの直列腕共振子に並列に接続された第１のインダクタＬ１と、少なくとも１つの並列腕共振子とグラウンド電位との間に接続される第２のインダクタＬ２とが備えられており、第１のインダクタＬ１及び第２のインダクタＬ２がパッケージ基板１１内に設けられており、かつ減衰極の周波数位置を移動させるように第１のインダクタＬ１が第２のインダクタＬ２と磁気結合されている、弾性波フィルタ装置１。

Description

本発明は、パッケージ基板上に弾性波フィルタチップが搭載されている弾性波フィルタ装置に関し、より詳細には、ラダー型回路構成を有する弾性波フィルタ装置及び該弾性波フィルタ装置を備えたデュプレクサに関する。

従来、バンドパスフィルタとして、ラダー型回路構成の弾性波フィルタ装置が広く用いられている。例えば下記の特許文献１には、携帯電話機のデュプレクサの送信フィルタとして用いられる弾性波フィルタ装置が開示されている。この弾性波フィルタ装置は、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子とを有する。特許文献１では、一部の直列腕共振子に並列に橋絡インダクタが接続されている。他方、並列腕共振子とグラウンド電位との間に、通過帯域を広げるためのインダクタが接続されている。

特開２０１０−１０９６９４号公報

特許文献１に記載の弾性波フィルタ装置では、橋絡インダクタにより通過帯域外の特定の周波数域における減衰量の拡大が図られている。また、並列腕共振子とグラウンド電位との間に接続されているインダクタにより広帯域化が図られている。

上記橋絡インダクタや並列腕共振子に接続されているインダクタは、コイル状の導体パターンを用いて形成されている。また、インダクタンス値が比較的大きいため、比較的大きなコイル状導体を必要としていた。そのため、弾性波フィルタチップではなくパッケージ材、例えばパッケージ基板にインダクタが形成されている。しかしながら、そのような比較的大きなコイル導体を形成しなければならないため、弾性波フィルタ装置を構成するパッケージが大型化するという問題があった。

本発明の目的は、直列腕共振子及び並列腕共振子に接続されているインダクタを有するラダー型回路構成の弾性波フィルタ装置であって、より一層の小型化を図ることができる弾性波フィルタ装置及び該弾性波フィルタ装置を有するデュプレクサを提供することにある。

本発明に係る弾性波フィルタ装置は、パッケージ基板と、パッケージ基板上に搭載された弾性波フィルタチップとを備える。弾性波フィルタチップは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有するラダー型回路を構成している。また、本発明では、少なくとも１つの直列腕共振子に並列に接続された第１のインダクタと、少なくとも１つの並列腕共振子とグラウンド電位との間に接続されている第２のインダクタとがさらに備えられている。第１のインダクタ及び第２のインダクタはパッケージ基板内に設けられている。また、弾性波フィルタ装置のフィルタ特性における減衰極の周波数位置を移動させるように、第１のインダクタが第２のインダクタと磁気結合されている。本発明では、前記第１のインダクタと、前記第２のインダクタとが、前記パッケージ基板内において、パッケージ基板の厚み方向において隔てられている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のある特定の局面では、通過帯域の低域側にある減衰極の周波数位置を低域側に移動させるように、前記第１のインダクタと第２のインダクタとが磁気結合されている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置の他の特定の局面では、前記パッケージ基板内において、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが、間に他の電極パターンが存在しないように配置されている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが前記パッケージ基板の厚み方向において少なくとも一部において重なり合っている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタのうち少なくとも一方がコイル導体部を有する。

本発明に係るデュプレクサは、第１の通過帯域を有する第１のフィルタと、前記第１の通過帯域と異なる通過帯域である第２の通過帯域を形成する第２のフィルタとを備えるデュプレクサであって、前記第１及び第２のフィルタのうちの少なくとも一方のフィルタが本発明に従って構成されている弾性波フィルタ装置からなる。

第１のインダクタ及び第２のインダクタがパッケージ基板内に設けられており、かつ減衰極の周波数位置を移動させるように第１のインダクタが第２のインダクタと磁気結合されているため、弾性波フィルタ装置のより一層の小型化を図ることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る弾性波フィルタ装置の構造を示す略図的正面断面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係るデュプレクサに用いられるパッケージ基板の上面の電極構造を示す模式的平面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係るデュプレクサに用いられるパッケージ基板の中間層の電極構造を示す模式的平面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係るデュプレクサに用いられるパッケージ基板の下面の電極構造を示す模式的平面図である。 図６は、比較例及び比較例と橋絡インダクタのインダクタンス値が同じ実施形態の減衰量周波数特性を示す図である。 図７は、比較例及び比較例と減衰極の位置がほぼ同じ周波数位置である実施形態の減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、図６の本発明の一実施形態において、第１及び第２のインダクタの磁気結合の結合係数Ｋを変えた場合における、実施形態の減衰量周波数特性を示す図である。 図９は、平面視して互いに重ならない場合の第１及び第２のインダクタの磁気結合を示す模式図である。 図１０は、平面視して互いに重なる場合の第１及び第２のインダクタの磁気結合を示す模式図である。 図１１は、本発明の他の実施形態で用いられるパッケージ基板を示す略図的正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。

弾性波フィルタ装置１は、入力端子２と出力端子３とを有する。入力端子２と出力端子３とを結ぶ線路が直列腕である。この直列腕において、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４が互いに直列に接続されている。

出力端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ４に並列に第１のインダクタＬ１が接続されている。第1のインダクタＬ１は、いわゆる橋絡インダクタである。橋絡インダクタは、弾性波フィルタ装置１の減衰域の特定の周波数における減衰量を拡大するように作用する。橋絡インダクタである第１のインダクタＬ１のインダクタンス値を調整することにより、この特定の周波数帯域の周波数域を調整することができる。

入力端子２と直列腕共振子Ｓ１との間、及び直列腕共振子Ｓ４と出力端子３との間にインダクタＬ３，Ｌ３が接続されている。

他方、直列腕とグラウンド電位とを結ぶように複数の並列腕４〜６が設けられている。複数の並列腕４〜６は、それぞれ、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３を有する。また、各並列腕４，５，６において、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２またはＰ３に直列に第２のインダクタＬ２が接続されている。すなわち、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間に第２のインダクタＬ２が接続されている。第２のインダクタＬ２は、低域側の減衰極の周波数位置を調整するために設けられている。より具体的には、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３に第２のインダクタＬ２を接続することにより、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３の共振周波数を低域側に移動させることができる。従って、ラダー型回路構成の弾性波フィルタ装置１の通過帯域低域側の減衰極を低めるように帯域幅を調整することが可能となる。

図２は、弾性波フィルタ装置１を有するデュプレクサ６０の略図的正面断面図である。本実施形態のデュプレクサ６０では、上記弾性波フィルタ装置１からなる送信フィルタと、受信フィルタとが一体に構成されている。受信フィルタの通過帯域は、弾性波フィルタ装置１からなる送信フィルタの通過帯域と異なっている。

本実施形態ではパッケージ基板１１が送信フィルタと受信フィルタとで共通化されている。弾性波フィルタ装置１が構成されている部分においては、パッケージ基板１１上に、弾性波フィルタチップ１２が実装されている。パッケージ基板１１は、絶縁性セラミックスなどの適宜の絶縁材料からなる。パッケージ基板１１内に、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタ２とが構成されている。第１のインダクタＬ１及び第２のインダクタＬ２は、コイル状導体により形成されている。もっとも、ミアンダ状などの他の形状の導体によりインダクタＬ１，Ｌ２が形成されてもよい。

本実施形態では、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２は、パッケージ基板１１内において基板の主面に沿う方向と平行な方向、すなわち図２に示すように横方向に隔てられて配置されている。

前述したように、本実施形態では、図１に示した並列腕共振子Ｐ３に接続されている第２のインダクタＬ２が、第１のインダクタＬ１と磁気結合されている。より具体的には、図２に破線の矢印Ｍで示すように、第１のインダクタＬ１と、上記第２のインダクタＬ２が磁気結合されている。この磁気結合は、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とを磁気結合するように近接させることで達成し得る。そして、磁気結合の程度は、両者の距離により調整することができる。

また、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とは間に他の導体パターンを有しないように配置されている。従って、第１，第２のインダクタＬ１，Ｌ２の磁気結合の程度を容易に調整することができる。

パッケージ基板１１の下面には、外部端子１３，１４が設けられている。外部端子１３，１４は、上記弾性波フィルタ装置１を外部と電気的に接続するための端子である。

他方、パッケージ基板１１の上面には、電極ランド１５，１６が形成されている。図２では電極ランド１５，１６のみを図示しているが、他の複数の電極ランドがパッケージ基板１１上に設けられている。

弾性波フィルタチップ１２は、フリップチップボンディング工法により、電極ランド１５，１６に接合されている。すなわち、弾性波フィルタチップ１２は、バンプ１７，１８により、電極ランド１５，１６に接合されている。弾性波フィルタチップ１２は、圧電基板１９と、圧電基板１９の下面に設けられた電極２０とを有する。電極２０は、前述した直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３並びにこれらを接続する配線部分を含む。もっとも、図１に示した第１のインダクタＬ１及び第２のインダクタＬ２は、前述したように、パッケージ基板１１内に構成されている。従って、弾性波フィルタチップ１２の大型化は招かない。

加えて、本実施形態では、パッケージ基板１１内において、上記第１のインダクタＬ１と、図１に示した並列腕共振子Ｐ３に接続されている第２のインダクタＬ２が磁気結合されている。それによって、パッケージ基板１１の小型化も図り得る。

図２の左側部分では、受信フィルタを構成する弾性波フィルタチップ６１がバンプ６２によりフリップチップボンディング工法により搭載されている。この受信フィルタは、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタからなる。受信フィルタの通過帯域は、送信フィルタを構成している弾性波フィルタ装置１の通過帯域よりも低域側に存在する。前述の第１のインダクタＬ１、すなわち橋絡インダクタは、この受信フィルタの通過帯域における減衰量を拡大するために設けられている。より具体的には、第１のインダクタＬ１の接続により、受信フィルタの通過帯域に減衰極が形成される。この減衰極の位置が、第１のインダクタＬ１のインダクタンス値、さらに後述する磁気結合の程度により調整され得る。

本実施形態の弾性波フィルタ装置１は、このように、デュプレクサの１つのバンドパスフィルタを構成する用途に好適に用いることができる。なお、弾性波フィルタチップ１２を覆うように外装樹脂層２１が設けられている。

図３は、上記パッケージ基板１１の上面の電極構造を示す平面図である。図４は、パッケージ基板１１の中間層の電極構造を示す平面図である。図５は、パッケージ基板１１の下面の電極構造を示す平面図である。

図３の一点鎖線Ａで示す領域内に上記弾性波フィルタチップ１２が実装される。また、一点鎖線Ｂで囲まれた領域に、前記受信フィルタを構成する弾性波フィルタチップ６１が搭載される。本実施形態では、上記送信フィルタを構成する弾性波フィルタチップ１２を有する弾性波フィルタ装置１に特徴を有する。従って、以下においては、図３の一点鎖線Ａで示す領域及びその下方に位置している電極構造を中心に説明することとする。

一点鎖線Ａで示す領域において、パッケージ基板１１の上面には、複数の電極ランド１５，１６，３３が形成されている。複数の電極ランド１５，１６，３３は、パッケージ基板１１の上面から下方に延びるビアホール電極３４，３５，３６に電気的に接続されている。ここでは、電極ランド１５，１６は、コイル状導体部３１ａ，３２ａを有する。コイル状導体部３１ａ，３２ａは、コイル状導体の一部を構成している平面形状を有している。より具体的には、コイル状導体部３１ａの端部が、下方に延びるビアホール電極３４に電気的に接続されている。同様に、コイル状導体部３２ａの端部が下方に延びるビアホール電極３５に電気的に接続されている。残りの電極ランド３３は、それぞれ、下方に延びるビアホール電極３６に電気的に接続されている。

図４に示すように、中間層においては、上記ビアホール電極３４の下端に接続されるコイル状導体部４１が形成されている。コイル状導体部４１とコイル状導体部３１ａがビアホール電極３４により電気的に接続されている。それによって、第１のインダクタＬ１が構成されている。

同様に、コイル状導体部４２が、コイル状導体部３２ａの下方に配置されている。コイル状導体部４２は、ビアホール電極３５によりコイル状導体部３２ａに電気的に接続されている。コイル状導体部３２ａとコイル状導体部４２とにより、第２のインダクタＬ２が構成されている。

上記のように、本実施形態では、パッケージ基板１１内において、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とが横方向に隔てられて、但し磁気結合し得るように近接されて配置されている。

この磁気結合の程度は、前述したように、第１，第２のインダクタＬ１，Ｌ２間の距離を調整することにより果たし得る。

図４に示すコイル状導体部４１，４２は、それぞれ、ビアホール電極４４，４５に電気的に接続されている。ビアホール電極４４は、図５に示す送信端子としての外部端子１３に電気的に接続されている。また、ビアホール電極４５は、図５に示すグラウンド端子としての外部端子１４に電気的に接続されている。

図３及び図４に示す残りの電極ランド３３，３７、ビアホール電極３６，３８、電極層４６及びビアホール電極４７は、上記送信フィルタ及び受信フィルタを図５に示す残りの外部端子５３のいずれかに電気的に接続するために設けられている。

本実施形態の弾性波フィルタ装置１では、上記のように第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とがパッケージ基板１１内において磁気結合されている。そのため、パッケージ基板１１の小型化、ひいては弾性波フィルタ装置１の小型化を図ることができる。これを、図６及び図７を参照して説明する。

図６の実線は、上記実施形態の弾性波フィルタ装置１の減衰量周波数特性を示し、破線は比較例の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す。なお、第１のインダクタＬ１のインダクタンス値はＬ１＝６ｎＨとした。第２のインダクタＬ２のインダクタンス値はＬ２＝０．７ｎＨとした。この比較例では、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とが磁気結合されていない。その他の点は、上記実施形態と同様である。本実施形態によれば、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とが磁気結合している。そのため、比較例では約２３００ＭＨｚであった通過帯域の低域側にある減衰極の周波数が、本実施形態では約２２００ＭＨｚとなっている。すなわち、本実施形態では、減衰極がより低い周波数側に移動していることが図６の減衰量周波数特性からわかる。

図７の実線は、第１のインダクタＬ１の値を４．７ｎＨとした実施形態の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す。破線は、第１のインダクタＬ１のインダクタンス値が６．０ｎＨである、但し第１，第２のインダクタＬ１，Ｌ２が磁気結合されていない比較例の減衰量周波数特性を示す。

図７から明らかなように、第１のインダクタＬ１のインダクタンス値を小さくした場合、通過帯域の低域側にある減衰極の周波数が本実施形態と比較例とで移動していないことがわかる。

図６から明らかなように、橋絡インダクタの大きさが同じである場合、本実施形態は、比較例に比べ、橋絡インダクタによる通過帯域の低域側にある減衰極をより低い周波数位置に移動させ得ることがわかる。すなわち、本実施形態の構成を適応することによって、第１，第２のインダクタＬ１，Ｌ２が磁気結合される。それによって、減衰量を拡大させたい帯域をより低い周波数側に移動させ得ることがわかる。

また、図７から明らかなように、本実施形態の構成を適用することによって、第１のインダクタＬ１の値を小さくしたとしても、橋絡インダクタによる通過帯域の低域側にある減衰極の周波数を比較例と同等とすることができる。従って、小型であってインダクタンス値が小さな第１のインダクタＬ１を用いてもフィルタの減衰特性を維持できる。よって、パッケージ基板１１の小型化、ひいては弾性波フィルタ装置１の小型化を効果的に図り得ることがわかる。

図８は、第１のインダクタＬ１の値を６ｎＨと、第２のインダクタＬ２の値を０．７ｎＨとした図６に示した実施形態の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示し、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタとの結合係数Ｋの値が、−０．１、０，０．１，０．２及び０．３に変化させた減衰量周波数特性を示す。図８によれば、Ｋの値が０、即ち磁気結合させない場合に比べ、Ｋの値が正の値で増加すると、弾性波フィルタ装置の通過帯域の低域側にある減衰極の位置が低周波側に移動し、Ｋの値が負の値になると、減衰極の位置が高周波側に移動する。従って、本発明の実施形態において、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とが、インダクタンス値を増加することなく、結合係数Ｋの値を変更することによって、つまり磁気結合の程度を変更することで、弾性波フィルタ装置１の通過帯域の低周波数側に減衰極の周波数の位置を変更できることが分かる。

なお、上記実施形態では、パッケージ基板１１内において、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２が、パッケージ基板１１の主面と平行な方向に隔てられていた。図９に示すように、配置された第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とがパッケージ基板１１を平面視する方向で互いに重ならず、平面と平行な方向に隔てられる場合、第１のインダクタＬ１とから発生する紙面下向きの磁束の向きと、第２のインダクタＬ２とから発生する紙面上向きの磁束の向きとが、互いに反対向きとなって磁気結合するときに結合係数Ｋが正の値となる。なお、磁束の向きが互いに同じ向きで磁気結合するときに結合係数Ｋが負の値となる。

図１０に示すように、パッケージ基板１１内において、第１のインダクタＬ１を構成しているコイル導体と、第２のインダクタＬ２を構成しているコイル導体とが、パッケージ基板１１の厚み方向において隔てられていてもよい。この場合、図１０に示すように、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とがパッケージ基板１１を平面視した場合、互いに部分的に重なり合うように配置することが望ましい。それによって、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２との互いに重なり合わない面積を減少させることで、磁気結合の程度を強めることもできる。図１０の構成では、平面視して互いに重なる部分で、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とから発生する磁束の向きが互いに同じで、磁気結合するときに結合係数Ｋが正の値となる。なお、磁束の向きが互いに反対向きで磁気結合するときに結合係数Ｋが負の値となる。

また、図１１に示す本発明の実施形態の変形例のように、インダクタの平面視した重なり合いの程度を変える、または第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２とパッケージ基板１１の厚み方向の距離を変えることによって、磁気結合の程度を調整することも可能である。パッケージ基板１１を平面視した方向において、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２との間に、第１のインダクタＬ１及び第２のインダクタＬ２の少なくとも一部を構成するコイル導体を除くパッケージ基板内に設けられた導体である配線パターンが配置される場合、配線パターンの影響でインダクタの磁気結合の程度を弱める影響がある。よって、パッケージ基板１１を平面視した方向において、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２との間に、配線パターンが配置されない構成が、磁気結合の程度を強くする点で好ましい。

なお、上記実施形態では、出力端子３に最も近い並列腕共振子Ｐ３に電気的に接続されている第２のインダクタＬ２と第１のインダクタＬ１とが磁気結合されていたが、他の並列腕共振子Ｐ１や並列腕共振子Ｐ２に接続されている第２のインダクタＬ２に第１のインダクタＬ１を磁気結合させてもよい。また、橋絡インダクタである第１のインダクタＬ１の接続位置についても、直列腕共振子Ｓ４に限らず、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３のいずれに並列に接続されていてもよい。

また、第１のインダクタＬ１は複数のインダクタによって構成されていてもよい。この場合、第１のインダクタＬ１の少なくとも１つが、少なくとも１つの第２のインダクタＬ２と磁気的に結合されればよい。

また、上記実施形態では、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３は、弾性表面波共振子により構成したが、弾性境界波共振子やバルク弾性波（ＢＡＷ）共振子により構成してもよい。

１…弾性波フィルタ装置
２…入力端子
３…出力端子
４〜６…並列腕
１１…パッケージ基板
１２…弾性波フィルタチップ
１３，１４…外部端子
１５，１６…電極ランド
１７，１８…バンプ
１９…圧電基板
２０…電極
２１…外装樹脂層
３３…電極ランド
３１ａ，３２ａ…コイル状導体部
３７…電極ランド
３４〜３６…ビアホール電極
３８…ビアホール電極
４１，４２…コイル状導体部
４４，４５…ビアホール電極
４６…電極層
４７…ビアホール電極
５３…外部端子
６０…デュプレクサ
６１…弾性波フィルタチップ
６２…バンプ
Ｌ１〜Ｌ３…インダクタ
Ｐ１〜Ｐ３…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ４…直列腕共振子

Claims (6)

1. パッケージ基板と、
   前記パッケージ基板上に搭載された弾性波フィルタチップとを備え、
   前記弾性波フィルタチップが、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有するラダー型回路を構成しており、
   少なくとも１つの前記直列腕共振子に並列に接続された第１のインダクタと、
   少なくとも１つの前記並列腕共振子とグラウンド電位との間に接続される第２のインダクタとがさらに備えられており、
   前記第１のインダクタ及び第２のインダクタが前記パッケージ基板内に設けられており、かつ減衰極の周波数位置を移動させるように前記第１のインダクタが前記第２のインダクタと、磁気結合され、
   前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが前記パッケージ基板内において、パッケージ基板の厚み方向において隔てられて設けられている、弾性波フィルタ装置。
2. 前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが前記パッケージ基板の厚み方向において少なくとも一部において重なり合っている、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
3. 通過帯域の低域側にある前記減衰極の周波数位置を低域側に移動させるように、前記第１のインダクタと第２のインダクタとが磁気結合されている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
4. 前記パッケージ基板内において、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが、間に他の電極パターンが存在しないように配置されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
5. 前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタのうち少なくとも一方がコイル導体部を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
6. 第１の通過帯域を有する第１のフィルタと、前記第１の通過帯域と異なる通過帯域である第２の通過帯域を形成する第２のフィルタとを備えるデュプレクサであって、
   前記第１及び第２のフィルタのうちの少なくとも一方のフィルタが請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置からなる、デュプレクサ。

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