JP5463788B2 - イオン分析装置、及びイオン分析方法 - Google Patents
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Description
前記水晶振動子に正バイアス電圧を印加した状態で、前記一定の期間における前記水晶振動子の発振周波数の第2の変化を測定し、前記水晶振動子に負バイアス電圧を印加した状態で、前記一定の期間における前記水晶振動子の発振周波数の第3の変化を測定し、前記第1の変化と前記第2の変化とから、負イオンの濃度を測定し、前記第1の変化と前記第3の変化とから、正イオンの濃度を測定するイオン分析方法が提供される。
ΔF=−F0 2 ・Δm/(N・ρ・A)
で表すことができる。すなわち、吸着した物質の質量Δmによって発振周波数がΔFだけ変化するため、このΔFを測定することによって、物質の吸着量を測定することができる。
2 制御ユニット
3 センサ
4 対向電極
5 発振回路
6 水晶
7 電極
8 電極
9 開口
10 正バイアス発生回路
11 負バイアス発生回路
12 切替回路
13 周波数計測回路
14 記憶制御部
21 センサユニット
22 制御ユニット
23 第1のセンサ
24 第2のセンサ
25,25a〜25c 対向電極
26 第1の発振回路
27 第2の発振回路
28 開口
29,30 電極
31,32 電極
33 正バイアス発生回路
34 負バイアス発生回路
35 切替回路
36 周波数計測回路
37 記憶制御部
38 第1の対向電極
39 第2の対向電極
41 センサユニット群
42 制御ユニット
43 正バイアス発生回路
44 負バイアス発生回路
45 切替回路
46 周波数計測回路
47 記憶制御部
48 配線
49 イオナイザ
50 除電対象
Claims (3)
- 水晶と、前記水晶の表面に備えられた一対の電極とを有するセンサと、
前記センサを包囲するように配置されたメッシュ状の対向電極と、
前記一対の電極のいずれか一方の電極に接続され、正バイアス回路及び負バイアス回路を有するバイアス発生回路と
を備え、
前記バイアス発生回路は、前記一方の電極に正または負のバイアスを印加する
ことを特徴とするイオン分析装置。 - 前記対向電極は、接地されていることを特徴とする請求項1記載のイオン分析装置。
- 水晶振動子を有するセンサと、前記センサを包囲するように配置されたメッシュ状の対向電極とを備えるイオン分析装置を用いてイオン濃度の測定を行うイオン分析方法であって、
前記水晶振動子にバイアス電圧を印加しない状態で、一定の期間における前記水晶振動子の発振周波数の第1の変化を測定し、
前記水晶振動子に正バイアス電圧を印加した状態で、前記一定の期間における前記水晶振動子の発振周波数の第2の変化を測定し、
前記水晶振動子に負バイアス電圧を印加した状態で、前記一定の期間における前記水晶振動子の発振周波数の第3の変化を測定し、
前記第1の変化と前記第2の変化とから、負イオンの濃度を測定し、
前記第1の変化と前記第3の変化とから、正イオンの濃度を測定する
ことを特徴とするイオン分析方法。
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