JP5452591B2 - 結像誤差の決定を行う光学結像装置 - Google Patents
結像誤差の決定を行う光学結像装置 Download PDFInfo
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Description
本特許出願は、米国仮特許出願第61/133,616号(出願日:2008年7月1日)の優先権を主張するものであり、その全開示内容は参照により本明細書に組み込まれるものとする。
図1から図4を参照して、以下にマイクロリソグラフィで用いる本発明による光学結像装置101の好ましい実施形態を説明する。ここでは、参照した図面の簡略化のためにxyz-座標系を図面に導入した。
6つの自由度全てにおけるずれを極めて迅速に検出し、これらのずれを迅速な制御のために利用きるように、(上述のように)測定装置に複数の測定経路または測定原理を設けてもよい。例えばx-軸線およびy-軸線方向の並進ならびにz-軸線を中心とした回転のためにモアレ経路を設けてもよい。Z-軸線方向の並進ならびにX-軸線およびy-軸線を中心とした回転について迅速な焦点検出を行ってもよい。
以下に図5を参照して本発明によるマイクロリソグラフィ装置201の別の有利な実施例を説明する。図5は、図3の詳細図に対応したマイクロリソグラフィ装置201の詳細図を示す。
D=M・L1 (1)
が成り立つ。
以下に、図6を参照して、本発明によるマイクロリソグラフィ装置301の別の有利な実施例を説明する。図6は、図1に対応したマイクロリソグラフィ装置301の概略図を示す。
次に図7を参照して本発明によるマイクロリソグラフィ装置401の別の有利な実施例を説明する。この場合、図7は、図1に対応したマイクロリソグラフィ装置401の概略図を示す。
測定装置と
を備え、
結像ユニットは、像点における物点の結像に関与するように構成された、複数の第1光学素子を有する第1光学素子群を備え、
測定装置は、像点における物点の結像時に生じる少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている、特にマイクロリソグラフィのための光学結像装置において、
測定装置は、少なくとも1つの測定光源、第2光学素子群および少なくとも1つの検出ユニットを備え、
測定光源は少なくとも1本の測定光束、特に複数の測定光束を放出し、
第2光学素子群が複数の第2光学素子を備え、第2光学素子は、少なくとも1つの検出信号を生成するために少なくとも1本の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
それぞれの第2光学素子は、いずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係にあり、少なくとも1つの第2光学素子は、第1光学素子とは異なり、
測定装置は、少なくとも1つの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されていることを特徴とする光学結像装置。
少なくとも1つの第2光学素子が、第1光学素子と実質的に堅固に結合されており、
特に第2光学素子が、第1光学素子に直接に固定されている光学結像装置。
3.付記1または2に記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの第2光学素子は、ギア装置を介して第1光学素子に結合されており、
ギア装置によって、少なくとも1つの第1自由度による第1光学素子の第1運動と、少なくとも1つの第2自由度による第2光学素子の第2運動との間の所定の運動伝達が規定可能である光学結像装置。
4.付記3に記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの第1自由度が少なくとも1つの第2自由度とは異なり、
少なくとも1つの第1自由度の種類が、少なくとも1つの第2自由度の種類とは異なる光学結像装置。
ギア装置が、弾性ジョイント、板ばね素子およびレバー素子から成る素子群の少なくとも1つの素子を備える光学結像装置。
6.付記3〜5までのいずれかに記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの結像誤差が、第1運動に対して第1感度を有し、
少なくとも1つの検出信号が、第2運動に対して第2感度を有し、
ギア装置が、第2感度が第1感度に少なくとも対応し、特に第2感度が第1感度よりも大きくなるように構成されている光学結像装置。
ギア装置によって、少なくとも1つの第3自由度による第1光学素子の第3運動と、少なくとも1つの第4自由度による第2光学素子の第4運動とが規定可能であり、
ギア装置および/または第2光学素子が、少なくとも1つの検出信号が第2運動により第1の種類の第1変化を受け、少なくとも1つの検出信号が第4運動により第2の種類の第2変化を受けるように構成されており、
第1の種類が、第2の種類とは異なる光学結像装置。
8.付記1〜7までのいずれかに記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの第2光学素子が、第1光学素子におより形成されている光学結像装置。
少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、いずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
特に少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、実質的に堅固に、またはギア装置を介して、第1光学素子に結合されている光学結像装置。
10.付記1〜9までのいずれかに記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、基準、特に基準構造部に対して規定された空間関係を有する光学結像装置。
11.付記10に記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、基準に機械的に結合されており、および/または
少なくとも1つの基準検出ユニットが設けられており、基準検出ユニットは、少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットと基準との間の空間関係を検出する光学結像装置。
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
第1光学素子群が、基板に投影パターンを結像するように構成されており、
測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、基板における投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
少なくとも1つの第2光学素子および/または少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、マスク装置または基板装置に対して規定された空間関係を有している光学結像装置。
第2光学素子および/または少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、マスク装置または基板装置に実質的に堅固に結合されており、特に第2光学素子および/または少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、マスク装置または基板装置に直接に固定されており、および/または
第2光学素子および/または少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットが、ギア装置を介してマスク装置または基板装置に結合されており、ギア装置によって、少なくとも1つの第1自由度によるマスク装置または基板装置の第1運動と、少なくとも1つの第2自由度による第2光学素子および/または少なくとも1つの測定光源および/または少なくとも1つの検出ユニットの第2運動との間の所定の運動伝達が規定可能である光学結像装置。
少なくとも1つの測定光源が、少なくとも1本の第1測定光束、特に複数の第1測定光束を放出する第1測定光源であり、少なくとも1つの検出ユニットが、検出信号として第1検出信号を生成する第1検出ユニットであり、
測定装置が、少なくとも1つの第2測定光源、第3光学素子群および少なくとも1つの第2検出ユニットを備え、
第2測定光源が、少なくとも1本の第2測定光束、特に複数の第2測定光束を放出し、
第3光学素子群が少なくとも1つの第3光学素子を備え、第3光学素子は、少なくとも1つの第2検出信号を生成するために少なくとも1本の第2測定光束を少なくとも1つの第2検出ユニットに偏向するように構成されており、
第3光学素子および/または少なくとも1つの第2光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、いずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
測定装置が、少なくとも1つの第2検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている光学結像装置。
第3光学素子群が複数の第3光学素子を備え、第3光学素子は、少なくとも1つの第2検出信号を生成するために少なくとも1本の第2測定光束を少なくとも1つの第2検出ユニットに偏向するように構成されており、
それぞれの第3光学素子が、いずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係を有する光学結像装置。
16.付記14または15に記載の光学結像装置において、
第3光学素子および/または少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、第1光学素子に実質的に堅固に結合されており、
特に第3光学素子および/または少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、第1光学素子に直接に固定されている光学結像装置。
第3光学素子および/または少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、第2ギア装置によって第1光学素子に結合されており、
ギア装置によって、少なくとも1つの第5自由度による第1光学素子の第5運動と、少なくとも1つの第6自由度による第3光学素子および/または少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットの第6運動との間で所定の運動伝達が規定可能である光学結像装置。
18.付記17に記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの第5自由度が少なくとも1つの第6自由度とは異なり、
少なくとも1つの第5自由度の種類が、少なくとも1つの第6自由度の種類とは異なる光学結像装置。
第3光学素子および/または少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが第1光学素子に結合されており、第1光学素子が、いずれか1つの第2光学素子に対して規定された空間関係を有する光学結像装置。
20.付記14〜19までのいずれかに記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、基準、特に基準構造部に対して規定された空間関係を有する光学結像装置。
21.付記20に記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、基準に機械的に結合されており、および/または
少なくとも1つの基準検出ユニットが設けられており、基準検出ユニットは、少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットと基準との間の空間関係を検出する光学結像装置。
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
基板に投影パターンを結像するための第1光学素子群が構成されており、
測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、基板における投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
少なくとも1つの第3光学素子および/または少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、マスク装置または基板装置に対して規定された空間関係を有している光学結像装置。
測定装置が、あらかじめ検出され、記憶された結像装置のモデルを使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
結像装置のモデルが、少なくとも1つの検出信号に関係して少なくとも1つの結像誤差を再現する光学結像装置。
24.付記1〜23までのいずれかに記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの検出装置が、
検出信号が、少なくとも1本の測定光束の波面の目標位置からのずれを表し、および/または
検出信号が、少なくとも1本の測定光束の波面の目標幾何学形状からのずれを表すように、構成されている光学結像装置。
少なくとも2つの第2光学素子が、それぞれ1つの少なくとも部分的に反射性の光学面を備え、
少なくとも部分的に反射性の2つの光学面が、これらの光学面間で少なくとも1本の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されており、特に少なくとも部分的に反射性の2つの光学面は、フィゾーキャビティの形態で構成されており、配置されている光学結像装置。
26.付記25に記載の光学結像装置において、
少なくとも部分的に反射性の2つの光学面が相互に傾斜して配置されている光学結像装置。
少なくとも1つの測定光源が、少なくとも1本の第1測定光束、特に複数の第1測定光束を放出する第1測定光源であり、少なくとも1つの検出ユニットが、検出信号として第1検出信号を生成する第1検出ユニットであり、
測定装置が、少なくとも1つの第3測定光源、第4光学素子群および少なくとも1つの第3検出ユニットを備え、
第3測定光源が、少なくとも1本の第3測定光束、特に複数の第3光束を放出し、
第4光学素子群が、少なくとも1つの第3検出信号を生成するために少なくとも1本の第3測定光束を少なくとも1つの第3検出ユニットに偏向するように構成された少なくとも1つの光学基準素子と第4光学素子とを備え、
第4光学素子が、いずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
光学基準素子および第4光学素子が、それぞれ1つの少なくとも部分的に反射性の光学面を備え、
少なくとも部分的に反射性の2つの光学面が、これら光学面間で少なくとも1本の第3測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されており、特に少なくとも部分的に反射性の2つの光学面は、フィゾーキャビティの形態で構成されており、配置されており、
測定装置が、少なくとも1つの第3検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている光学結像装置。
少なくとも部分的に反射性の2つの光学面の少なくとも一方が、少なくとも1本の第3測定光束の光軸に対して傾斜して配置されている光学結像装置。
29.付記27または28に記載の光学結像装置において、
少なくとも部分的に反射性の2つの光学面が相互に傾斜して配置されている光学結像装置。
第3測定光源が、少なくとも1本の第3測定光束を放出し、
第4光学素子群が別の第4光学素子を備え、第4光学素子は、別の第3検出信号を生成するために別の第3測定光束を少なくとも1つの第3検出ユニットに偏向するように構成されており、
別の第4光学素子が、いずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
別の第4光学素子が、少なくとも部分的に反射性の光学面を備え、
基準素子および別の第4光学素子の少なくとも部分的に反射性の光学面が、これらの光学面間で別の第3測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されており、特に基準素子および別の第4光学素子の少なくとも部分的に反射性の2つの光学面は、フィゾーキャビティの形態で構成されており、配置されており、
測定装置が、別の第3検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている光学結像装置。
測定装置と
を備え、
結像ユニットは、像点における物点の結像に関与するように構成された少なくとも1つの第1光学素子を有する第1光学素子群を備え、
測定装置は、像点における物点の結像時に生じる少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
測定装置は、少なくとも1つの測定光源、第2光学素子群および少なくとも1つの検出ユニットを備え、
測定光源は少なくとも1本の測定光束、特に複数の測定光束を放出し、
第2光学素子群は、少なくとも1つの検出信号を生成するために少なくとも1本の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成され少なくとも1つの光学基準素子と第2光学素子とを備え、
第2光学素子は、第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
光学基準素子は、少なくとも部分的に反射性の第1光学面を備え、第2光学素子は、少なくとも部分的に反射性の第2光学面を備え、
測定装置は、少なくとも1つの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている光学結像装置において、
第1光学面と第2光学面とは、これらの光学面間で少なくとも1本の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されていることを特徴とする光学結像装置。
第1光学面および第2光学面が、フィゾーキャビティの形態で構成され、配置されている光学結像装置。
33.付記31または32に記載の光学結像装置において、
第1光学面が平坦な第1面領域を備え、第2光学面が平坦な第2面領域を備え、これら第1および第2面領域の間で複数回の反射の少なくとも一部が行われ、
第1面領域の第1面垂線および/または第2面領域の第2面垂線が、少なくとも1本の測定光束の光軸に対して傾斜して配置されている光学結像装置。
34.付記33に記載の光学結像装置において、
第1面垂線が第2面垂線に対して傾斜して配置されている光学結像装置。
第1光学面または第2光学面が、平坦な第3面領域を備え、
第3面領域の第3面垂線が第1面垂線および第2面垂線に対して傾斜して配置されており、少なくとも1本の測定光束の光路が第1面領域と第2面領域との間における所定回数の反射後に折り返され、特に実質的に自身に向けて折り返される光学結像装置。
36.付記31〜35までのいずれかに記載の光学結像装置において、
基準素子が、少なくとも1本の測定光束のために少なくとも部分的に透過可能な入射領域を備え、この入射領域で、少なくとも1本の測定光束が、第1光学面と第2光学面との間の間隙に入射し、
特に入射領域が光学的な入射面を備え、この入射面で、部分反射により第1光学面と第2光学面との間の間隙への少なくとも1本の測定光束の入射時に基準光束が反射される光学結像装置。
第2光学素子が、少なくとも1本の測定光束を少なくとも部分的に反射する入射領域を備え、この入射領域で、少なくとも1本の測定光束がはじめて第1光学面に入射し、
入射領域は、回折性素子、特にリトロー配置の格子を備え、この格子で、少なくとも1本の測定光束の回折により、基準光束が生成される光学結像装置。
38.付記31〜37までのいずれかに記載の光学結像装置において、
第1光学面と第2光学面とが、これらの光学面間で少なくとも1本の測定光束の少なくとも5回の反射、特に少なくとも21回の反射が行われるように相互に対応配置されている光学結像装置。
第1光学面が平坦な第1面領域を備え、第2光学面が平坦な第2面領域を備え、これら第1および第2面領域の間で複数回の反射の少なくとも一部が行われ、
第1面領域の第1面垂線および第2面領域の第2面垂線が、少なくとも1本の測定光束の光軸に対して実質的に平行に配置されており、
基準素子が、少なくとも1本の測定光束のために少なくとも部分的に透過可能な入射領域を備え、この入射領域で、少なくとも1本の測定光束が、第1光学面と第2光学面との間の間隙に入射し、
特に入射領域が光学的な入射面を備え、この入射面で、部分反射により第1光学面と第2光学面との間の間隙への少なくとも1本の測定光束の入射時に基準光束が反射され、
特に少なくとも1本の測定光束が短コヒーレンス白色光を含む光学結像装置。
第2光学素子群が別の第2光学素子を備え、
基準素子および別の第2光学素子は、少なくとも1つの別の検出信号を生成するために少なくとも1本の別の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
別の第2光学素子が、別の第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
別の第2光学素子が、少なくとも部分的に反射性の第3光学面を備え、
測定装置が、少なくとも1つの別の検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
第1光学面と第3光学面とが、これら光学面間で少なくとも1本の別の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されている光学結像装置。
基準素子が、基準ユニットの構成素子であり、この構成素子が、基準素子に、規定された運動を付与するように構成されている光学結像装置。
42.付記1〜41までのいずれかに記載の光学結像装置において、
第2光学素子群の少なくとも1つの素子のために熱遮蔽装置が設けられている光学結像装置。
43.付記1〜42までのいずれかに記載の光学結像装置において、
像点に物点を結像するために、特にEUV領域の第1波長の光が設けられており、
少なくとも1本の測定光束が第2波長の光を備え、
第1波長が第2波長とは異なる光学結像装置。
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
第1光学素子群が基板に投影パターンを結像するように構成されており、
測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、基板における投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
少なくとも1つの結像誤差を補正するための補正装置が設けられており、
補正装置が、測定装置に結合された少なくとも1つの制御装置と、制御装置に結合されたアクチュエータ装置とを備え、
アクチュエータ装置は、少なくとも1つの第1光学素子および/またはマスク装置および/または基板装置の位置および/または配向および/または幾何学形状に能動的に作用するように構成されており、
制御装置は、測定装置によって決定された少なくとも1つの結像誤差に関係してアクチュエータ装置を制御するように構成されている光学結像装置。
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
第1光学素子群が、基板に投影パターンを結像するように構成されており、
測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、基板における投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
測定装置が、マスク装置および/または基板装置の基準、特にマスク装置および/または基板装置に配置された基準体に対する空間関係を少なくとも1つの自由度で検出するように構成されている光学結像装置。
46.付記1〜45までのいずれかに記載の光学結像装置において、
測定光源が、規定可能な時間的関係で、特に同時に、複数の測定光束を放出し、
第2光学素子群が、複数の検出信号を生成するために測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されてた、複数の第2光学素子を備え、
測定装置が、少なくとも1つの検出ユニットの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている光学結像装置。
結像ユニットに、像点における物点の結像に関与する複数の第1光学素子を有する第1光学素子群を設け、
前記測定装置により、像点における物点の結像時に生じる結像誤差を決定する、特にマイクロリソグラフィのための結像方法において、
前記測定装置に、少なくとも1つの測定光源、第2光学素子群および少なくとも1つの検出ユニットを設け、
前記測定光源により、少なくとも1本の測定光束、特に複数の測定光束を放出し、
少なくとも1つの検出信号を生成するために、第2光学素子群の複数の第2光学素子を介して少なくとも1本の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向し、
それぞれの第2光学素子がいずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係を有するようにし、少なくとも2つの第2光学素子を第1光学素子とは異なるようにし、
測定装置により、少なくとも1つの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定することを特徴とする結像方法。
少なくとも1つの第1自由度による第1光学素子の第1運動と、少なくとも1つの第2自由度による第2光学素子の第2運動との間で所定の運動伝達を規定し、
特に少なくとも1つの第1自由度を、少なくとも1つの第2自由度とは異なるようにし、
特に少なくとも1つの第1自由度の種類が、少なくとも1つの第2自由度の種類と異なるようにする結像方法。
49.付記48に記載の結像方法において、
少なくとも1つの結像誤差が、第1運動に対して第1感度を有するようにし、
少なくとも1つの検出信号が、第2運動に対して第2感度を有するようにし、
第2感度が第1感度に少なくとも対応し、特に第2感度が第1感度よりも大きくなるように、所定の運動伝達を規定する結像方法。
50.付記48または49に記載の結像方法において、
少なくとも1つの第3自由度による第1光学素子の第3運動と、少なくとも1つの第4自由度による第2光学素子の第4運動との間で所定の運動伝達を規定し、
少なくとも1つの検出信号に、第2運動により第1の種類の第1変化を付与し、少なくとも1つの検出信号に、第4運動により第2の種類の第2変化を付与し、
第1の種類が、第2の種類とは異なるようにする光学結像装置。
少なくとも1つの測定光源を、少なくとも1本の第1測定光束、特に複数の第1測定光束を放出する第1測定光源とし、少なくとも1つの検出ユニットを、検出信号として第1検出信号を生成する第1検出ユニットとし、
測定装置に、少なくとも1つの第2測定光源、第3光学素子群および少なくとも1つの第2検出ユニットを設け、
第2測定光源により、少なくとも1本の第2測定光束、特に複数の第2光束を放出し、
少なくとも1つの第2検出信号を生成するために、第3光学素子群の少なくとも1つの第3光学素子により、少なくとも1本の第2測定光束を少なくとも1つの第2検出ユニットに偏向し、
第3光学素子および/または少なくとも1つの第2光源および/または少なくとも1つの第2検出ユニットが、いずれか1つの第1光学素子に対して規定された空間関係を有するようにし、
測定装置により、少なくとも1つの第2検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定する結像方法。
少なくとも1つの第2測定光源および/または少なくとも1つの1つの第2検出ユニットと基準との間の空間関係を検出する結像方法。
53.付記47〜52までのいずれかに記載の結像方法において、
あらかじめ検出され、記憶された結像装置のモデルを使用して少なくとも1つの結像誤差を決定し、
結像装置のモデルにより、少なくとも1つの検出信号に関係して少なくとも1つの結像誤差を再現する結像方法。
54.付記47〜53までのいずれかに記載の結像方法において、
少なくとも2つの第2光学素子に、それぞれ1つの少なくとも部分的に反射性の光学面を設け、
少なくとも部分的に反射性の2つの光学面を、これらの光学面間で少なくとも1本の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置し、特に少なくとも部分的に反射性の2つの光学面をフィゾーキャビティの形態で構成し、配置する結像方法。
結像ユニットにより像点に物点を結像し、
少なくとも1つの第1光学素子を有する結像ユニットの第1光学素子群を、像点における物点の結像に関与させ、
測定装置により、像点における物点の結像時に生じる少なくとも1つの結像誤差を決定し、
測定装置に、少なくとも1つの測定光源、第2光学素子群および少なくとも1つの検出ユニットを設け、
測定光源により、少なくとも1本の測定光束、特に複数の測定光束を放出し、
少なくとも1つの検出信号を生成するために、少なくとも1つの光学基準素子および第2光学素子群の第2光学素子により、少なくとも1本の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向し、
第2光学素子が第1光学素子に対して規定された空間関係を有するようにし、
光学基準素子に、少なくとも部分的に反射性の第1光学面を設け、第2光学素子に、少なくとも部分的に反射性の第2光学面を設け、
測定装置により、少なくとも1つの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定する結像方法において、
第1光学面と第2光学面とを、これらの光学面間で少なくとも1本の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置することを特徴とする結像方法。
第1光学面および第2光学面を、フィゾーキャビティの形態で構成し、配置する結像方法。
57.付記55または56に記載の結像方法において、
第1光学面と第2光学面とを、これらの光学面間で少なくとも1本の測定光束の少なくとも5回の反射、特に少なくとも21回の反射が行われるように相互に対応配置する結像方法。
58.付記55〜57までのいずれかに記載の結像方法において、
基準素子に、規定された運動を付与する結像方法。
59.付記47〜58までのいずれかに記載の結像方法において、
第2光学素子群の少なくとも1つの素子を熱遮蔽する結像方法。
60.付記47〜59のいずれかに記載の結像方法において、
像点に物点を結像するために、特にEUV領域の第1波長の光を設け、
少なくとも1本の測定光束に第2波長の光を設け、
第1波長が第2波長とは異なるようにする結像方法。
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置を設け、
第1光学素子群により、基板に投影パターンを結像し、
少なくとも1つの結像誤差として、基板における投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定し、
少なくとも1つの結像誤差を補正し、
少なくとも1つの結像誤差に関係して、少なくとも1つの第1光学素子および/またはマスク装置および/または基板装置の位置および/または配向および/または幾何学形状に能動的に影響を及ぼす結像方法。
第1光学素子群により、基板装置の基板にマスク装置のマスクの投影パターンを結像し、
測定装置により、少なくとも1つの結像誤差として、基板における投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定し、
測定装置により、マスク装置および/または基板装置の基準、特にマスク装置および/または基板装置に配置された基準体に対する空間関係を少なくとも1つの自由度で検出する結像方法。
63.付記47〜62のいずれかに記載の結像方法において、
測定光源により、規定可能な時間的関係で、特に同時に、複数の測定光束を放出し、
第2光学素子群に複数の第2光学素子を設け、これら第2光学素子により、複数の検出信号を生成するために測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向し、
測定装置により、少なくとも1つの結像誤差を決定するために少なくとも1つの検出ユニットの検出信号を使用する結像方法。
測定装置と
を備え、
測定装置は、像点における物点の結像時に生じる少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
測定装置は、少なくとも1つの測定光源、少なくとも1つの光学素子を有する光学素子群および少なくとも1つの検出ユニットを備え、
測定光源は少なくとも1本の測定光束、特に複数の測定光束を放出し、
光学素子群は、少なくとも1つの検出信号を生成するために少なくとも1本の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されている、特にマイクロリソグラフィのための光学結像装置において、
少なくとも1つの素子のために熱遮蔽部が設けられていることを特徴とする光学結像装置。
65.付記64に記載の光学結像装置において、
熱遮蔽部は、少なくとも1本の測定光束の光線特性を妨害しないように構成されており、
熱遮蔽部は、少なくとも1本の測定光束が熱遮蔽部を通過するために必要な横断面のみを開放するように構成されている光学結像装置。
能動的および/または受動的な温度調整装置が、遮蔽部のために設けられている光学結像装置。
67.付記64に記載の光学結像装置において、
能動的および/または受動的な温度調整装置が、遮蔽部のために設けられている光学結像装置。
68.付記1〜46または63〜67のいずれかに記載の光学結像装置において、
スキャナ原理にしたがって作動する光学結像装置。
測定装置と
を備え、
結像ユニットは、少なくとも1つの第1光学素子を有する第1光学素子群を備え、
測定装置は、少なくとも1つの光学素子の状態変化を決定するように構成されている、付記1〜46または63〜68のいずれかに記載の光学結像装置において、
測定装置は、光学結像装置の搬送時に少なくとも1つの光学素子の状態変化を決定し、ログに記録するように構成されていることを特徴とする光学結像装置。
70.付記69に記載の光学結像装置において、
測定装置は、少なくとも1つの基準に関して、少なくとも1つの光学素子の位置および/または配向および/または幾何学形状を決定するように構成されている光学結像装置。
測定装置に結合可能な補正装置が設けられており、
補正装置は、少なくとも1つの基準に関して少なくとも1つの光学素子の位置および/または配向および/または幾何学形状を、測定装置の記録に関係して変更するように構成されている光学結像装置。
72.像点に物点を結像するための結像ユニットを備え、
結像ユニットは、少なくとも1つの光学素子を有する光学素子群を備え、
結像ユニットは、EUV領域、特に5nm〜20nmの範囲の波長の光を使用して像点に物点を結像するように構成されており、
結像ユニットは、少なくとも1つの構造素子を有する支持構造部を備え、支持構造部により、少なくとも1つの光学素子が支持される、付記1〜46または63〜71に記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの構造素子は、0.6・10−6K−1、特に1.2・10−6K−1を超える熱膨張係数を有する材料または複合材料を備えることを特徴とする光学結像装置。
測定装置と、測定装置に結合可能な補正装置が設けられており、
測定装置は、少なくとも1つの基準に対して少なくとも1つの光学素子の位置および/または配向および/または幾何学形状を表す少なくとも1つの信号を出力するように構成されており、
補正装置は、少なくとも1つの信号に関係して、少なくとも1つの基準に対して少なくとも1つの光学素子の位置および/または配向および/または幾何学形状を変更するように構成されている光学結像装置。
74.付記72または73に記載の光学結像装置において、
少なくとも1つの構造素子が、少なくとも部分的にインバールからなっている光学結像装置。
Claims (22)
- 特にマイクロリソグラフィのための光学結像装置において、
像点に物点を結像するための結像ユニットと、
測定装置と
を備え、
前記結像ユニットが、像点における物点の結像に関与するように構成された、少なくとも1つの第1光学素子を有する第1光学素子群を備え、
前記測定装置が、像点における物点の結像時に生じる少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの測定光源、第2光学素子群および少なくとも1つの検出ユニットを備え、
前記測定光源が、少なくとも1本の測定光束、特に複数の測定光束を放出し、
第2光学素子群が、少なくとも1つの光学基準素子と第2光学素子とを備え、前記光学基準素子および第2光学素子が、少なくとも1つの検出信号を生成するために少なくとも1本の測定光束を前記少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
前記第2光学素子が、前記第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
前記光学基準素子が、少なくとも部分的に反射性の第1光学面を備え、前記第2光学素子が、少なくとも部分的に反射性の第2光学面を備え、
前記測定装置が、少なくとも1つの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
前記第1光学面と前記第2光学面とが、該光学面間で少なくとも1本の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されており、
前記第1光学面が平坦な第1面領域を備え、第2光学面が平坦な第2面領域を備え、前記第1および第2面領域の間で複数回の反射の少なくとも一部が行われ、
前記第1面領域の第1面垂線および前記第2面領域の第2面垂線が、少なくとも前記1本の測定光束の光軸に対して傾斜して配置されており、
前記第1光学面または前記第2光学面が、平坦な第3面領域を備え、
該第3面領域の第3面垂線が、前記第1面垂線および前記第2面垂線に対して傾斜して配置されており、これにより、前記少なくとも1本の測定光束の光路が前記第1面領域と前記第2面領域との間における所定回数の反射後に折り返されることを特徴とする光学結像装置。 - 請求項1に記載の光学結像装置において、
前記第1光学面および前記第2光学面が、フィゾーキャビティの形態で構成され、配置されている光学結像装置。 - 請求項1または2に記載の光学結像装置において、
前記第1面垂線が前記第2面垂線に対して傾斜して配置されている光学結像装置。 - 請求項1に記載の光学結像装置において、
前記少なくとも1本の測定光束の光路が前記第1面領域と前記第2面領域との間における所定回数の反射後、実質的に自身に向けて折り返される光学結像装置。 - 請求項1から4までのいずれかに記載の光学結像装置において、
前記光学基準素子が、前記少なくとも1本の測定光束のために少なくとも部分的に透過可能な入射領域を備え、該入射領域で、少なくとも1本の測定光束が、前記第1光学面と前記第2光学面との間の間隙に入射し、
特に前記入射領域が光学的な入射面を備え、該入射面で、部分反射により、前記第1光学面と前記第2光学面との間の間隙への少なくとも1本の測定光束の入射時に、基準光束が反射される光学結像装置。 - 請求項1から4までのいずれかに記載の光学結像装置において、
前記第2光学素子が、前記少なくとも1本の測定光束を少なくとも部分的に反射する入射領域を備え、該入射領域で、前記少なくとも1本の測定光束がはじめて前記第1光学面に入射し、
前記入射領域が、回折性素子、特にリトロー配置の格子を備え、回折性素子で、少なくとも1本の測定光束の回折により、基準光束が生成される光学結像装置。 - 請求項1から6までのいずれかに記載の光学結像装置において、
前記第1光学面と前記第2光学面とが、該光学面間で少なくとも1本の測定光束の少なくとも5回の反射、特に少なくとも21回の反射が行われるように相互に対応配置されている光学結像装置。 - 請求項1から7までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
前記第2光学素子群が別の第2光学素子を備え、
前記光学基準素子および別の第2光学素子が、少なくとも1つの別の検出信号を生成するために少なくとも1本の別の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
別の第2光学素子が、別の第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
前記別の第2光学素子が、少なくとも部分的に反射性の第3光学面を備え、
前記測定装置が、前記少なくとも1つの別の検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
前記第1光学面と前記第3光学面とが、該光学面間で前記少なくとも1本の別の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されている光学結像装置。 - 請求項1から8までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
前記光学基準素子が、該光学基準素子に、規定された運動を付与するように構成された基準ユニットの構成素子であり、および/または
前記第2光学素子群の少なくとも1つの素子のために熱遮蔽装置が設けられており、および/または、
像点に物点を結像するために、特にEUV領域の第1波長の光が設けられており、少なくとも1本の測定光束が第2波長の光を備え、
前記第1波長が前記第2波長とは異なる光学結像装置。 - 請求項1から9までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
前記第1光学素子群が、前記基板に前記投影パターンを結像するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、前記基板における前記投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
少なくとも1つの結像誤差を補正するための補正装置が設けられており、
該補正装置が、前記測定装置に結合された少なくとも1つの制御装置と、該制御装置に結合されたアクチュエータ装置とを備え、
該アクチュエータ装置が、少なくとも1つの前記第1光学素子および/または前記マスク装置および/または前記基板装置の位置および/または配向および/または幾何学形状に能動的に作用するように構成されており、
前記制御装置が、前記測定装置によって決定された少なくとも1つの結像誤差に関係して前記アクチュエータ装置を制御するように構成されている光学結像装置。 - 請求項1から10までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
前記第1光学素子群が、前記基板に前記投影パターンを結像するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、前記基板における前記投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
前記測定装置が、前記マスク装置および/または前記基板装置の基準、特に前記マスク装置および/または前記基板装置に配置された基準体に対する空間関係を少なくとも1つの自由度で検出するように構成されている光学結像装置。 - 請求項1から11までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
前記測定光源が、規定可能な時間的関係で、特に同時に、複数の測定光束を放出し、
前記第2光学素子群が複数の第2光学素子を備え、該第2光学素子が、複数の検出信号を生成するために測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの検出ユニットの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている光学結像装置。 - 特にマイクロリソグラフィのための光学結像装置において、
像点に物点を結像するための結像ユニットと、
測定装置と
を備え、
前記結像ユニットが、像点における物点の結像に関与するように構成された、少なくとも1つの第1光学素子を有する第1光学素子群を備え、
前記測定装置が、像点における物点の結像時に生じる少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの測定光源、第2光学素子群および少なくとも1つの検出ユニットを備え、
前記測定光源が、少なくとも1本の測定光束、特に複数の測定光束を放出し、
第2光学素子群が、少なくとも1つの光学基準素子と第2光学素子とを備え、前記光学基準素子および第2光学素子が、少なくとも1つの検出信号を生成するために前記少なくとも1本の測定光束を前記少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
前記第2光学素子が、前記第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
前記光学基準素子が、少なくとも部分的に反射性の第1光学面を備え、前記第2光学素子が、少なくとも部分的に反射性の第2光学面を備え、
前記測定装置が、前記少なくとも1つの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
前記第1光学面と前記第2光学面とが、該光学面間で前記少なくとも1本の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されており、
前記第2光学素子が、前記少なくとも1本の測定光束を少なくとも部分的に反射する入射領域を備え、該入射領域で、少なくとも1本の測定光束がはじめて前記第1光学面に入射し、
前記入射領域が、回折性素子、特にリトロー配置の格子を備え、回折性素子で、少なくとも1本の測定光束の回折により、基準光束が生成される光学結像装置。 - 請求項13に記載の光学結像装置において、
前記回折性素子が、リトロー配置の格子である光学結像装置。 - 請求項13または14に記載の光学結像装置において、
前記第1光学面および前記第2光学面が、フィゾーキャビティの形態で構成され、配置されている光学結像装置。 - 請求項13から15までのいずれかに記載の光学結像装置において、
前記第1光学面と前記第2光学面とが、該光学面間で少なくとも1本の測定光束の少なくとも5回の反射、特に少なくとも21回の反射が行われるように相互に対応配置されている光学結像装置。 - 請求項13から16までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
前記第2光学素子群が別の第2光学素子を備え、
前記光学基準素子および別の第2光学素子が、少なくとも1つの別の検出信号を生成するために少なくとも1本の別の測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
前記別の第2光学素子が、別の第1光学素子に対して規定された空間関係を有し、
前記別の第2光学素子が、少なくとも部分的に反射性の第3光学面を備え、
前記測定装置が、前記少なくとも1つの別の検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されており、
前記第1光学面と前記第3光学面とが、該光学面間で少なくとも1本の別の測定光束の複数回の反射が行われるように相互に対応配置されている光学結像装置。 - 請求項13から17までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
前記光学基準素子が、該光学基準素子に、規定された運動を付与するように構成された基準ユニットの構成素子であり、および/または
前記第2光学素子群の少なくとも1つの素子のために熱遮蔽装置が設けられており、および/または、
像点に物点を結像するために、特にEUV領域の第1波長の光が設けられており、少なくとも1本の測定光束が第2波長の光を備え、
前記第1波長が前記第2波長とは異なる光学結像装置。 - 請求項13から18までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
前記第1光学素子群が、前記基板に前記投影パターンを結像するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、前記基板における前記投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
少なくとも1つの結像誤差を補正するための補正装置が設けられており、
該補正装置が、前記測定装置に結合された少なくとも1つの制御装置と、該制御装置に結合されたアクチュエータ装置とを備え、
該アクチュエータ装置が、少なくとも1つの前記第1光学素子および/または前記マスク装置および/または前記基板装置の位置および/または配向および/または幾何学形状に能動的に作用するように構成されており、
前記制御装置が、前記測定装置によって決定された少なくとも1つの結像誤差に関係して前記アクチュエータ装置を制御するように構成されている光学結像装置。 - 請求項13から19までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
投影パターンを備えるマスクを収容するためのマスク装置、および基板を収容するための基板装置が設けられており、
前記第1光学素子群が、前記基板に前記投影パターンを結像するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの結像誤差として、前記基板における前記投影パターンの結像時に生じる結像誤差を決定するように構成されており、
前記測定装置が、前記マスク装置および/または前記基板装置の基準、特に前記マスク装置および/または前記基板装置に配置された基準体に対する空間関係を少なくとも1つの自由度で検出するように構成されている光学結像装置。 - 請求項13から20までのいずれか一項に記載の光学結像装置において、
前記測定光源が、規定可能な時間的関係で、特に同時に、複数の測定光束を放出し、
前記第2光学素子群が複数の第2光学素子を備え、該第2光学素子が、複数の検出信号を生成するために測定光束を少なくとも1つの検出ユニットに偏向するように構成されており、
前記測定装置が、少なくとも1つの検出ユニットの検出信号を使用して少なくとも1つの結像誤差を決定するように構成されている光学結像装置。 - 特にマイクロリソグラフィのための結像方法において、
請求項1から21までのいずれか一項に記載の光学結像装置を用いて像点に物点を結像することを含むことを特徴とする結像方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13361608P | 2008-07-01 | 2008-07-01 | |
US61/133,616 | 2008-07-01 | ||
DE102008030664A DE102008030664A1 (de) | 2008-07-01 | 2008-07-01 | Optische Abbildungseinrichtung mit Bestimmung von Abbildungsfehlern |
DE102008030664.9 | 2008-07-01 | ||
PCT/EP2009/058224 WO2010000757A1 (de) | 2008-07-01 | 2009-06-30 | Optische abbildungseinrichtung mit bestimmung von abbildungsfehlern |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013273031A Division JP5897540B2 (ja) | 2008-07-01 | 2013-12-27 | 結像誤差の決定を行う光学結像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011526735A JP2011526735A (ja) | 2011-10-13 |
JP5452591B2 true JP5452591B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=41427003
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011515443A Active JP5452591B2 (ja) | 2008-07-01 | 2009-06-30 | 結像誤差の決定を行う光学結像装置 |
JP2013273031A Active JP5897540B2 (ja) | 2008-07-01 | 2013-12-27 | 結像誤差の決定を行う光学結像装置 |
JP2016039619A Active JP6622116B2 (ja) | 2008-07-01 | 2016-03-02 | 結像誤差の決定を行う光学結像装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013273031A Active JP5897540B2 (ja) | 2008-07-01 | 2013-12-27 | 結像誤差の決定を行う光学結像装置 |
JP2016039619A Active JP6622116B2 (ja) | 2008-07-01 | 2016-03-02 | 結像誤差の決定を行う光学結像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8537333B2 (ja) |
JP (3) | JP5452591B2 (ja) |
DE (1) | DE102008030664A1 (ja) |
WO (1) | WO2010000757A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2967362B1 (fr) | 2010-11-16 | 2012-12-21 | Genewave | Cartouche microfluidique pour diagnostic moleculaire |
EP2469340B1 (en) * | 2010-12-21 | 2021-01-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102011005826A1 (de) * | 2011-03-21 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Vorrichtung |
DE102011077223B4 (de) * | 2011-06-08 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messsystem |
TWI452270B (zh) * | 2011-10-21 | 2014-09-11 | Univ Nat Central | 量測裝置及其量測方法 |
DE102012202536A1 (de) * | 2012-02-20 | 2013-08-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
DE102013010844A1 (de) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Carl Zeiss Meditec Ag | Mikroskopiesystem zur Abbildung von Phasenobjekten, Verfahren zum Betreiben des Mikroskopiesystems und Computerprogrammprodukt |
US9658542B2 (en) * | 2013-10-14 | 2017-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical element |
KR102492603B1 (ko) * | 2014-12-01 | 2023-01-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 투영 시스템 |
DE102015104323A1 (de) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Zoomsystem mit austauschbaren optischen Elementen |
DE102015219810A1 (de) * | 2015-10-13 | 2017-04-13 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | X-Y-Tisch mit einer Positionsmesseinrichtung |
DE102019208232A1 (de) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Optische Anordnung und Verfahren zur Korrektur von Zentrierfehlern und/oder Winkelfehlern |
US20220049951A1 (en) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | Optipro Systems, LLC | Surface metrology systems and methods thereof |
DE102021210577A1 (de) * | 2021-09-23 | 2023-03-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4537473A (en) * | 1982-11-05 | 1985-08-27 | Corning Glass Works | Fiducial surfaces |
JPH0610643B2 (ja) * | 1984-08-13 | 1994-02-09 | コーニング グラス ワークス | レンズの軸の傾き等の測定方法 |
DE3707331A1 (de) | 1987-03-07 | 1988-09-15 | Zeiss Carl Fa | Interferometer zur messung von optischen phasendifferenzen |
DE4014019A1 (de) | 1990-05-02 | 1991-11-07 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur messung eines phasenmodulierten signals |
JP3281657B2 (ja) | 1992-11-20 | 2002-05-13 | 株式会社クボタ | 歩行型耕耘機 |
US5555089A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-10 | Anvik Corporation | Absolute distance measuring interferometry using multi-pass resonant cavity referenced to a stabilized laser source |
JP3812015B2 (ja) | 1996-10-25 | 2006-08-23 | 株式会社ニコン | 露光装置、位置検出装置 |
JP2000286189A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 |
TW550377B (en) | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
JP2004056125A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-02-19 | Nikon Corp | 個別アクチュエータを有する反射投影光学系 |
US20030234993A1 (en) | 2002-06-21 | 2003-12-25 | Hazelton Andrew J. | Adaptive optic off-axis metrology |
JP2004228383A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2004246060A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Canon Inc | 反射型投影光学系の調整方法 |
JP2004266264A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-24 | Canon Inc | 光学系、露光装置、デバイス製造方法 |
JP2004252363A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
US7126671B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6992306B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Temperature adjustment apparatus, exposure apparatus having the same, and device fabricating method |
WO2004099877A1 (de) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische messvorrichtung und betriebsverfahren für ein optisches abbildungssystem |
JP4366152B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US6977713B2 (en) * | 2003-12-08 | 2005-12-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005303206A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Nikon Corp | ミラー及び露光装置 |
JP2006073905A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光学系及び当該光学系の調整方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006035925A1 (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Nikon Corporation | 計測方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2006102997A1 (en) | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing an optical element |
JP5237091B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2013-07-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像装置 |
JP2007019225A (ja) | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nikon Corp | 位置計測装置の反射部材構造及びステージ装置並びに露光装置 |
DE102005056914A1 (de) * | 2005-11-29 | 2007-05-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsystem |
JP4883775B2 (ja) | 2006-08-11 | 2012-02-22 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008046753A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Canon Inc | 印刷制御装置、方法および方法を記憶した媒体 |
-
2008
- 2008-07-01 DE DE102008030664A patent/DE102008030664A1/de not_active Ceased
-
2009
- 2009-06-30 JP JP2011515443A patent/JP5452591B2/ja active Active
- 2009-06-30 WO PCT/EP2009/058224 patent/WO2010000757A1/de active Application Filing
-
2011
- 2011-01-03 US US12/983,735 patent/US8537333B2/en active Active
-
2013
- 2013-09-16 US US14/027,776 patent/US9235131B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-27 JP JP2013273031A patent/JP5897540B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-11 US US14/993,076 patent/US9996014B2/en active Active
- 2016-03-02 JP JP2016039619A patent/JP6622116B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110164232A1 (en) | 2011-07-07 |
JP6622116B2 (ja) | 2019-12-18 |
US20140016108A1 (en) | 2014-01-16 |
JP2011526735A (ja) | 2011-10-13 |
WO2010000757A1 (de) | 2010-01-07 |
JP2014096601A (ja) | 2014-05-22 |
US8537333B2 (en) | 2013-09-17 |
JP5897540B2 (ja) | 2016-03-30 |
US9996014B2 (en) | 2018-06-12 |
JP2016145985A (ja) | 2016-08-12 |
US20160246182A1 (en) | 2016-08-25 |
US9235131B2 (en) | 2016-01-12 |
DE102008030664A1 (de) | 2010-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130904 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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