JP5452590B2 - 薄膜製造方法 - Google Patents
薄膜製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5452590B2 JP5452590B2 JP2011513840A JP2011513840A JP5452590B2 JP 5452590 B2 JP5452590 B2 JP 5452590B2 JP 2011513840 A JP2011513840 A JP 2011513840A JP 2011513840 A JP2011513840 A JP 2011513840A JP 5452590 B2 JP5452590 B2 JP 5452590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- substrate
- film manufacturing
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 215
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 93
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 75
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 50
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 6
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 claims description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 223
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
一、ナノメートルオーダー厚度の薄膜をできる。
二、有効転移薄膜層を円滑に剥離し、且つ響有効転移薄膜層の膜厚均一度に影響を及ぼさない。
三、犠牲層が濾過の特性を有することにより、注入するイオン中の不純物イオンを濾過し、これにより、簡易なイオン注入装置を利用し、薄膜を製造することができる。
オリジナルシリコンウエハをオリジナル基板10とし、二酸化シリコン層をエッチング停止薄膜層20とし、多結晶シリコン犠牲層を犠牲層30とし、水素イオン注入を例とし、更に以下に詳細に説明する。図16は、SRIMTMプログラムで一定注入エネルギー量及び相対するイオン注入深度分布を計算した関係図であり、これによりオリジナルシリコンウエハ上から転移した単結晶シリコン薄膜層の厚度を見積もることができる。
第2具体応用例は、2片のP型<100>結晶方位、抵抗値15-20ohm-cmのシリコンウエハを提供し、そのうち、1片のシリコンウエハをオリジナル基板10とする。イオン注入の前、先ず、シリコンウエハ上に熱酸化法で1層の300ナノメートル厚度の酸化層をエッチング停止薄膜層20として生長し、酸化層上に液相エピタキシャル成長技術により400ナノメートル厚度の多結晶シリコンを堆積し、犠牲層30として用い、その後、イオン注入エネルギー量160keV、注入剤量が4×1016 ions/cm2気体分子イオン(H2 +)であるイオン注入製造プロセスを行う。ウエハボンディングの前、多結晶シリコンをTMAH化学エッチングの方式で除去し、300ナノメートル厚度の酸化層を水素分子イオン注入したシリコンウエハ上に残す。
第3具体応用例は、2片のP型<100>結晶方位、抵抗値が15-20ohm-cmであるシリコンウエハを提供し、そのうち、1片シリコンウエハをオリジナル基板10とする。シリコンウエハ上に湿式酸化方式で1層の厚度が300ナノメートルである二酸化シリコン層を成長させ、エッチング停止薄膜層20とし、その後、更に、低圧化学蒸着技術により1層のドープしない多結晶シリコンを堆積し、犠牲層30として用い、その厚度を400ナノメートルとする。このシリコンウエハに水素気体イオンを注入し、そのイオン注入エネルギー量が160keVであり、注入剤量が4×1016 ions/cm2である。イオン注入後、TMAH溶液により多結晶シリコンを除去し、その後、RCA溶液で表面を洗浄し、更に、ウエハボンディング技術でシリコンウエハを直接もう1つのシリコンウエハと直接ボンディングする。マイクロ波を10分間照射し、約100ナノメートル厚度の単結晶シリコン及び300nm厚度の二酸化シリコン層をもう1つのシリコンウエハ上に転移させることができる。
第4具体応用例は、2片のP型<100>結晶方位、抵抗値15-20ohm-cmのシリコンウエハを提供し、そのうち、1片シリコンウエハをオリジナル基板10とする。イオン注入する前、先ず、シリコンウエハ上に熱酸化法で1層の300ナノメートル厚度の酸化層を成長し、続いて、液相エピタキシャル成長技術により在酸化層上に400ナノメートル厚度の多結晶シリコンを犠牲層30として堆積する。その後、このシリコンウエハにイオン注入エネルギー量が160keVであり、注入剤量が4×1016 ions/cm2である水素分子イオン(H2 +)注入製造プロセスを行う。
本発明が提供する薄膜製造方法は、犠牲層の厚度を制御し、有効転移薄膜層の厚度を効率的に制御する。また、有効転移薄膜層厚度を均一にし、ナノメートルオーダーの厚度の制御を達成する。それは、以下の利点を有する
1.ナノメートルオーダー厚度の薄膜をできる。
2.有効転移薄膜層を円滑に剥離し、且つ響有効転移薄膜層の膜厚均一度に影響を及ぼさない。
3.犠牲層が濾過の特性を有することにより、注入するイオン中の不純物イオンを濾過し、これにより、簡易なイオン注入装置を利用し、薄膜を製造することができる。
S20 オリジナル基板を提供する
S30 エッチング停止薄膜層をオリジナル基板上に形成する
S40 少なくとも1つの犠牲層をエッチング停止薄膜層上に形成する
S50 気体イオンを注入する
S60 有効転移薄膜層及び残留層を分離する
S70 犠牲層を除去する
S80,S80’ ウエハボンディングする
S90 アニーリングする
10 オリジナル基板
20 エッチング停止薄膜層
30,30’ 犠牲層
40 イオン分布濃度ピーク層
50 有効転移薄膜層
60 残留層
70 目標基板
Claims (21)
- 下記のステップ:
オリジナル基板を提供する;
エッチング停止薄膜層を該オリジナル基板上に形成する;
少なくとも1つの犠牲層を該エッチング停止薄膜層上に形成する;
気体イオンを注入し、イオン注入技術を利用し、該犠牲層から気体イオンを注入し、該エッチング停止薄膜層を貫通し、該オリジナル基板内にイオン分布濃度ピーク層を形成し、有効転移薄膜層及び残留層を定義し、そのうち、該有効転移薄膜層の厚度は、犠牲層の厚度及びイオン注入のエネルギー量を制御することにより制御することができ;
ウエハボンディングステップを行い、該犠牲層と別の目標基板とボンディングする;
該有効転移薄膜層及び該残留層を分離し、エネルギー量入力処理により注入したイオンを重合化し、分離する;
アニーリングを行い、それは該有効転移薄膜層及び該残留層を分離した後、前記目標基板とボンディングした該犠牲層を再結晶させることを含むことを特徴とする薄膜製造方法。 - 前記オリジナル基板の材質が第4族材料、3−5族材料又は2−6族材料であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記オリジナル基板がシリコン基板、ゲルマニウム基板、炭化珪素基板、GaAs基板、InP基板、GaP基板、窒化アルミニウム基板、GaN基板又は硫化物基板であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記エッチング停止薄膜層が絶縁層であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記エッチング停止薄膜層が酸化物材質、窒化物材質又はカーボンベースダイヤモンド材質であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記犠牲層が化学蒸着技術、物理蒸着技術、分子線エピタキシー技術、液相エピタキシャル成長技術又は気相エピタキシャル成長技術により形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記犠牲層がアモルファスシリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、シリコン酸化膜又は二酸化シリコン層であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記犠牲層が2層以上である時、各該犠牲層構成元素が異なるものであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記ウエハボンディングステップは、更に、表面イオン化処理を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記ウエハボンディングステップは、更に、予熱ステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記イオン注入技術がプラズマ浸漬イオン注入技術又はイオンシャワードーピング技術であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記イオン注入技術が注入するイオンが水素イオン又は分子イオンであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記分子イオンが水素分子イオンであることを特徴とする請求項12に記載の薄膜製造方法。
- 前記エネルギー量入力処理が高周波交替電界処理又は磁界照射処理であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記高周波交換電界処理又は該磁界照射処理が使用する装置は、マイクロ波発生装置、無線周波数発生装置又は誘導結合フィールド発生装置であることを特徴とする請求項14に記載の薄膜製造方法。
- 前記高周波交替電界処理又は該磁界処理装置が使用するマイクロ波発生装置は、固定周波数マイクロ波発生装置又は、可変周波数マイクロ波発生装置であり、該固定周波数マイクロ波発生装置は、2.45 GHz又は900 MHz周波数のマイクロ波を使用することを特徴とする請求項15に記載の薄膜製造方法。
- 前記のマイクロ波発生装置のマイクロ波照射時間は、1分間より大きいことを特徴とする請求項16に記載の薄膜製造方法。
- 前記エネルギー量入力処理が熱処理であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記熱処理の温度が室温より高く、1250℃より低いことを特徴とする請求項18に記載の薄膜製造方法。
- 前記犠牲層は、該イオン注入技術が注入する気体イオン中の不純物イオンを濾過することに用いることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記犠牲層は、該イオン注入技術が気体イオンを注入する時のチャネル効果を除去することを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2008/001209 WO2009152648A1 (zh) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | 薄膜制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011524641A JP2011524641A (ja) | 2011-09-01 |
JP5452590B2 true JP5452590B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=41433645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011513840A Expired - Fee Related JP5452590B2 (ja) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | 薄膜製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8088672B2 (ja) |
JP (1) | JP5452590B2 (ja) |
WO (1) | WO2009152648A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101913550B (zh) * | 2010-08-11 | 2015-12-02 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 微电子机械系统微桥结构的制造方法 |
JP5688709B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2015-03-25 | 国立大学法人東京農工大学 | 薄膜半導体基板の製造方法 |
FR2991499A1 (fr) * | 2012-05-31 | 2013-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede et systeme d'obtention d'une tranche semi-conductrice |
US8822314B2 (en) * | 2012-06-14 | 2014-09-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of growing epitaxial layers on a substrate |
EP3089205B1 (en) * | 2014-01-22 | 2020-03-18 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Soi substrate manufacturing method and soi substrate |
US10049916B2 (en) * | 2014-05-23 | 2018-08-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate |
US9466729B1 (en) | 2015-05-08 | 2016-10-11 | Qualcomm Incorporated | Etch stop region based fabrication of bonded semiconductor structures |
CN108701589A (zh) * | 2016-02-16 | 2018-10-23 | G射线瑞士公司 | 用于跨越键合界面传输电荷的结构、系统和方法 |
CN108365083B (zh) * | 2018-02-07 | 2022-03-08 | 济南晶正电子科技有限公司 | 用于声表面波器件的复合压电衬底的制造方法 |
JP2020082013A (ja) | 2018-11-29 | 2020-06-04 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | アモルファスシリコン犠牲膜の製造方法およびアモルファスシリコン形成組成物 |
CN111326409B (zh) * | 2018-12-14 | 2023-01-31 | 云谷(固安)科技有限公司 | 激光剥离方法和蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构 |
CN110718486B (zh) * | 2019-10-17 | 2022-10-04 | 沈阳硅基科技有限公司 | 一种薄膜转移方法 |
CN116705605B (zh) * | 2023-06-20 | 2024-06-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种硅基氮化镓hemt器件及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5882987A (en) * | 1997-08-26 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Smart-cut process for the production of thin semiconductor material films |
JP2000124092A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
TW452866B (en) * | 2000-02-25 | 2001-09-01 | Lee Tien Hsi | Manufacturing method of thin film on a substrate |
JP2002164520A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
WO2004021420A2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication method for a monocrystalline semiconductor layer on a substrate |
CN1193432C (zh) | 2003-02-14 | 2005-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法 |
US7176528B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
FR2857503B1 (fr) * | 2003-07-10 | 2005-11-11 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'implantation au travers d'une surface irreguliere |
CN100342486C (zh) * | 2003-12-24 | 2007-10-10 | 联合晶圆公司 | 一种在基板上转移制作薄膜的方法 |
US7160753B2 (en) * | 2004-03-16 | 2007-01-09 | Voxtel, Inc. | Silicon-on-insulator active pixel sensors |
JP4617820B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-01-26 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2006216826A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Sumco Corp | Soiウェーハの製造方法 |
JP2007173694A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法 |
JP5109287B2 (ja) | 2006-05-09 | 2012-12-26 | 株式会社Sumco | 半導体基板の製造方法 |
US7745309B2 (en) * | 2006-08-09 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for surface activation by plasma immersion ion implantation process utilized in silicon-on-insulator structure |
JP5284576B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2013-09-11 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
-
2008
- 2008-06-20 JP JP2011513840A patent/JP5452590B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-20 US US12/999,452 patent/US8088672B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-20 WO PCT/CN2008/001209 patent/WO2009152648A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110097873A1 (en) | 2011-04-28 |
JP2011524641A (ja) | 2011-09-01 |
US8088672B2 (en) | 2012-01-03 |
WO2009152648A1 (zh) | 2009-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5452590B2 (ja) | 薄膜製造方法 | |
US6100165A (en) | Method of manufacturing semiconductor article | |
US8420506B2 (en) | Process for cleaving a substrate | |
EP0843346B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor article | |
US20130089968A1 (en) | Method for finishing silicon on insulator substrates | |
WO2004012268A1 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
KR19980042471A (ko) | 반도체물품의 제조방법 | |
US9824891B1 (en) | Method of manufacturing the thin film | |
CN101620983B (zh) | 薄膜制造方法 | |
WO2011161190A1 (en) | Substrates for semiconductor devices | |
CN107615445B (zh) | 绝缘体上硅晶圆的制造方法 | |
KR20120112533A (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 | |
KR20070084075A (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조방법 | |
WO2013087707A1 (en) | Substrates for semiconductor devices | |
JP5942948B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法及び貼り合わせsoiウェーハ | |
CN109075028B (zh) | 贴合式soi晶圆的制造方法 | |
TWI469252B (zh) | 薄膜製造方法 | |
US20140319612A1 (en) | Semiconductor-on-insulator structure and process for producing same | |
US20140332934A1 (en) | Substrates for semiconductor devices | |
TW201807805A (zh) | 一種在基板上製造薄膜的方法 | |
JP2005101630A (ja) | 半導体部材の製造方法 | |
CN106449369B (zh) | 绝缘体上半导体结构以及制备方法 | |
KR20210020024A (ko) | 첩합soi웨이퍼의 제조방법 및 첩합soi웨이퍼 | |
WO2004102668A1 (ja) | Soiウェーハおよびその製造方法 | |
TW202036657A (zh) | 一種在基板上製作薄膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130321 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5452590 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |