JP5450847B2 - 窒化物系半導体発光素子 - Google Patents
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(光取り出し面)
本発明の窒化物系半導体発光素子は、表面に凹凸を有する光取り出し面をn型窒化物系半導体層上方に設置することを特徴とする。すなわち、光取り出し面が平面である場合には、発光層から放射された光のうちで光取り出し面に対して臨界屈折角よりも大きい法線角度で入射した光は光取り出し面において全反射されることとなるが、光取り出し面に凹凸を設けることによってこれらの光も外部に取り出し得るため、光の外部取り出し効率を向上させ得ることとなる。
光取り出し面に形成される凹凸の形状および個数は特に限定されないが、凹凸の形態としては、たとえば光取り出し面にクレータのような無数の穴が形成されている形態、光取り出し面がかまぼこ状に突起している形態、光取り出し面上に間隔を開けて三角柱が形成されたピラミッド状に突起している形態または光取り出し面上に間隔を開けずに連続して三角柱が形成されたプリズム状に突起している形態等がある。
本発明に用いられる支持基板の材質は特に限定されないが、たとえばNiに代表される金属メッキ、Au、AuおよびSnからなる合金、導電性を有するSi、GaAs、GaP,InP等の半導体基板を支持基板としてPdおよびInからなる接着金属により融着することも可能である。なかでも、支持基板はNiメッキにより形成されていることが好ましい。この場合には支持基板を安価に作製することができる。
本発明に用いられる反射層は、光の取り出し面から効率よく光を取り出す観点からは、反射層に最も反射率が高い材料であるAgを用いることが好ましい。
本発明に用いられるp型窒化物系半導体層の材質としては、一般式InxAlyGa1-x-yN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)で表わされる窒化物系半導体にp型のドーパントが注入されたものが用いられる。ここで、p型のドーパントとしては、従来から公知の材料を用いることができ、たとえばMg、Zn、CdまたはBe等の1種類以上が用いられ得る。
本発明に用いられる発光層の材質としては、たとえば一般式InxAlyGa1-x-yN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)で表わされる窒化物系半導体が用いられ得る。また本発明に用いられる発光層は、MQW(多重量子井戸)発光層またはSQW(単一量子井戸)発光層のいずれであってもよい。なお、発光層をInGaAlN、GaAsN、GaInAsN、GaPN、GaInPN等のV族元素として主にNを含むIII−V族窒化物系半導体としても、本発明の効果が同様に得られる。
本発明に用いられるn型窒化物系半導体層の材質としては、一般式InxAlyGa1-x-yN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦z≦1)で表わされる窒化物系半導体にn型のドーパントが注入されたものが用いられる。ここで、n型のドーパントには従来から公知の材料を用いることができ、たとえばSi、O、Cl、S、CまたはGe等の1種類以上が用いられ得る。
本発明の窒化物系半導体発光素子の製造方法は、Si基板を用意し、このSi基板上方にn型窒化物系半導体層、発光層およびp型窒化物系半導体層を順次積層する工程と、p型窒化物系半導体層上に反射層を形成し、この反射層上に支持基板を形成する工程と、上記支持基板を用いてウエハを反転させる工程と、上記Si基板を除去する工程と、上記n型窒化物系半導体層上方に表面に凹凸を有する光取り出し面を形成する工程とを含んでいる。
図1に本発明の実施例1の窒化物系半導体発光素子の模式的な斜視図を示す。本実施例の窒化物系半導体発光素子は、電極を兼ねたNiメッキからなる支持基板11上にp型用電極12が形成され、p型用電極12上にp型GaNクラッド層13、p型AlGaInNキャリアブロック層14、InxGa1-xNからなる発光層15、Siドープn型In0.03Ga0.97Nクラッド層16、Siドープn型In0.1Ga0.9N層17およびSiドープn型GaN層クラッド層18が順次積層されている。また、n型GaNクラッド層18の上面には、再成長を行なうことで作製した凹凸を有するn型GaN光取り出し層19が形成されており、n型GaN光取り出し層19の一部にn型用電極110、n型用ボンディング電極111が形成されている。
図4に本発明の実施例2の窒化物系半導体発光素子の模式的な斜視図を示す。本実施例の窒化物系半導体発光素子は、凹凸を有するn型GaN光取り出し層29の上面にAlからなる透光性電極層213が蒸着法により形成されていることを特徴とする。
図5に本発明の実施例3の窒化物系半導体発光素子の模式的な斜視図を示す。本実施例の窒化物系半導体発光素子は、Siドープn型GaN層クラッド層38の上面にはSiO2からなるマスク314が形成されており、選択的に成長されたn型GaN光取り出し層39にピラミッド状の光取り出し面39aが形成されていることを特徴とする。
図6に本発明の実施例4の窒化物系半導体発光素子の模式的な斜視図を示す。実施例4の窒化物系半導体発光素子においてはn型GaN光取り出し層49にかまぼこ状の光取り出し面49aが形成されており、光取り出し面49aの間はテーパ構造となっていることを特徴とする。
図7に本発明の実施例5の窒化物系半導体発光素子の模式的な斜視図を示す。本実施例の窒化物系半導体発光素子においてはn型GaN光取り出し層59がプリズム状に形成されていることを特徴とする。
実施例1の窒化物系半導体発光素子の構成において、光取り出し面19を形成せずに、n型GaN層クラッド層18上に直接n型用電極110を設けた構成のものを比較例1の窒化物系半導体発光素子とした。
実施例1の窒化物系半導体発光素子の構成において、n型とp型とを入れ替えた構成のものを比較例2の窒化物系半導体発光素子とした。
実施例1〜5および比較例1〜2の窒化物系半導体発光素子の駆動電圧と光取り出し効率の測定を行なった。下記表1に実施例1〜5および比較例1〜2の窒化物系半導体発光素子の測定結果を示す。
Claims (3)
- 支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、
前記凹凸は、シリコンからなる成長用基板上にバッファ層、n型窒化物系半導体層、発光層およびp型窒化物系半導体層を成長した後に該シリコンからなる成長用基板をエッチングまたは研磨により除去し、前記バッファ層を除去した、該n型窒化物系半導体層面上に該n型窒化物系半導体層と同じ結晶からなる凹凸を設けることにより形成されたものであることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。 - 支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、
前記凹凸は、成長用基板上にn型窒化物系半導体層、発光層およびp型窒化物系半導体層を成長した後に該成長用基板を除去した該n型窒化物系半導体層面上に該n型窒化物系半導体層と同じ結晶からなる凹凸を設けることにより形成されたもので、前記光取り出し面は、成長用基板除去後に再成長された第2のn型窒化物系半導体層に形成されていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。 - 支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、上面の一部がSiO2で覆われていることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物系半導体発光素子。
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