JP5449032B2 - メモリシステム - Google Patents

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Description

本発明は、メモリコントローラからメモリに対してクロックを入力するとともに、前記クロックに同期してメモリからメモリコントローラにデータが出力されるメモリシステムに関する。
メモリとメモリコントローラからなるメモリシステムにおいては、メモリとメモリコントローラ間でのデータ転送の高速化が求められている。特許文献1〜3には、高速化が可能なメモリシステムとして、例えば、EDO(Extended Data Out)タイプのDRAMやSDRAM(Syncronous DRAM)の様な、半導体メモリ外部から入力されるクロックに同期して連続したデータを出力可能なメモリシステムが開示されている。このようなメモリシステムではクロックに同期してインクリメントしたアドレスのデータが出力される。
特開2006−40518号公報 特開2001−273765号公報 特開2006−277892号公報
図9のタイミングチャートを参照して、クロックに同期してインクリメントしたアドレスのデータを出力する一例を説明する。クロックはメモリコントローラからメモリに印加される制御信号である。データはクロックに同期してメモリからメモリコントローラに出力される。データを読み出す前にはメモリコントローラからメモリに対して、アドレスを指定してデータの読み出しを指示するコマンドが発行される。
時間t901でメモリコントローラからクロックが出力されると、メモリはクロックの立下りを基準にして一定時間後の時間t903までにデータ線にデータ(データ1)の出力を開始する。この期間をRead Access Time(tREA)という。
時間t904でメモリコントローラからクロックが出力されると、メモリはクロックの立下りを基準にして一定時間後の時間t905以降に前のデータの出力を停止し、時間t906までに、現在のアドレスに対してインクリメントした次のアドレスのデータ(データ2)について出力を開始する。このときのt904からt905までの時間をRE Low Output Hold Time(tRLOH)という。タイミングチャートからわかるように、tREAとtRLOHの間には、次式の関係がある。
tREA>tRLOH
メモリコントローラはクロックの立下りのタイミング(例えばt904)でメモリからデータを取り込むことが可能である。データの取り込みはt903からt905の期間であれば行うことが可能であるが、ここでは、メモリコントローラのクロックに同期してデータを取り込むものとする。
このようにメモリ側でクロックの立下りに同期してデータのアドレスをインクリメントすることにより、メモリコントローラは、メモリに対して読み出し対象データのアドレスを都度出力しなくても、メモリからデータを読み出すことが可能となる。
tREAはメモリのデバイスの能力に依存して一意に決定される値である。メモリコントローラができるだけ高速にメモリからデータを読み出すためにはクロックのサイクルタイムtRCを短くする必要がある。しかし、
tREA>tRC
である場合には、メモリコントローラがデータ線からデータを取り込むことが出来なくなる。
ここで、メモリから出力されたデータをメモリコントローラに取り込む際には、以下の点を考慮する必要がある。すなわち、メモリコントローラとメモリとの間のデータ線の容量成分等に起因して、メモリコントローラからメモリにクロックが到達するのが遅延したり、メモリから出力されたデータがメモリコントローラに到達するのが遅延する点である。
この遅延による問題を解決するため、遅延後のクロックや、メモリからメモリコントローラに戻したクロックを利用してメモリコントローラにデータを取り込む方法がある。
図10は、メモリコントローラがメモリからデータを読み出す際、クロックを例えば5個ずつ出力する場合のタイミングチャートである。このメモリシステムでは、図9で示されていたクロック及びデータの他に、メモリコントローラからクロック線を介してメモリに伝達したクロックを、メモリからメモリコントローラに戻す戻りクロック線が設けられている。
この例においては、戻りクロック(メモリコントローラからクロック線を介してメモリに伝達したクロックを、戻りクロック線を介してメモリコントローラに戻したクロック)を基準とすることで、メモリから出力されたデータを取り込むことが出来る。
しかし、上記のようなメモリシステムにおいても、1回のコマンドの発行で最後にセットしたデータを取り込めないという問題がある。すなわち、1回のコマンド発行で出力されるクロックの数は所定数に決まっているが、図10に示すように、5番目(最後)のクロックによりメモリから出力された5番目のデータと時間的に重なる戻りクロックが存在しないので、戻りクロックを基準としたデータの取り込みを行うことができない。また、6番目から10番目のデータのうち、10番目(最後)のクロックにより出力された10番目のデータと時間的に重なる戻りクロックが存在しないので、戻りクロックを基準としたデータの取り込みを行うことができない。それ以降のデータについても同様である。
この問題を解決するためには、例えば次のような方法がある。例えば5番目のデータを取り込むためには、1番目から4番目のデータを取り込んだ後、読み出し開始のデータが5番目のデータであることを示すアドレスを示すコマンドをメモリコントローラからメモリに発行して、再度メモリから5番目のデータから出力させるのである。10番目のデータについても同様である。
上記課題を解決するために、第1の態様のメモリシステムは、メモリと、メモリコントローラと、前記メモリと前記メモリコントローラとを電気的に接続するメモリインターフェースとを含む。前記メモリインターフェースは、データの転送を行うために前記メモリが駆動するデータ線と、前記メモリから前記データ線へのデータ出力のタイミングを制御するためのリードクロックが伝送され、前記メモリコントローラが駆動するクロック線とを含み、前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックに同期して出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについては、2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して出力を停止し、N番目のデータについては、N番目のリードクロックの出力停止から第1の所定時間経過後に出力を停止し、前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して取り込み、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定する。
また、第2の態様のメモリシステムは、メモリと、メモリコントローラと、前記メモリと前記メモリコントローラとを電気的に接続するメモリインターフェースとを含む。前記メモリインターフェースは、データの転送を行うために前記メモリが駆動するデータ線と、前記メモリから前記データ線へのデータ出力のタイミングを制御するためのリードクロックが伝送され、前記メモリコントローラが駆動するクロック線と、前記クロック線を介して前記メモリに到達したリードクロックを前記メモリコントローラに、戻りリードクロックとして戻す戻りクロック線とを含み、前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックに同期して出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについては、2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して出力を停止し、N番目のデータについては、N番目のリードクロックの出力停止から第1の所定時間経過後に出力を停止し、前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては、2番目からN番目の戻りリードクロックにそれぞれ同期して取り込み、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定する。
また、第2の態様のメモリシステムは、メモリと、メモリコントローラと、前記メモリと前記メモリコントローラとを電気的に接続するメモリインターフェースとを含む。前記メモリインターフェースは、データの転送を行うために前記メモリが駆動するデータ線と、前記メモリから前記データ線へのデータ出力のタイミングを制御するためのリードクロックを前記メモリコントローラが駆動するクロック線と、前記クロック線を介して前記メモリに到達したリードクロックを前記メモリコントローラに、戻りリードクロックとして戻す戻りクロック線とを含み、前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックに同期して出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から第1の所定時間経過後に出力を停止し、前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目の戻りリードクロックにそれぞれ同期して取り込み、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定する。
第1の態様のメモリシステムによれば、メモリコントローラがメモリから連続してN個のデータを読み出す際、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定する。これにより、出力期間を長くしない場合よりも、N番目のデータをデータ線に長い期間出力可能とすることができる。つまり、メモリコントローラがメモリからデータを取り込むことが可能な期間が増加する。例えばN番目のリードクロックの出力完了のタイミングをN番目のデータのデータ線への出力期間に重なるようにすれば、N番目のリードクロックの出力完了時のエッジを利用して、N番目のデータを取り込むことができる。なお、N番目のデータのデータ線への出力可能な期間内に、N番目のリードクロック以外の信号を利用して、N番目のデータを取り込むこともできる。
このように、本メモリシステムによれば、メモリコントローラは、N個のリードクロックを出力することにより、出力したリードクロックと同数のデータをメモリから読み出して取り込むことができる。したがって、N+1番目以降のリードクロックを出力すれば、N+1番目以降のデータをメモリから出力させて、この出力させたデータをメモリコントローラにおいて取り込むことができる。つまり、N個のデータの読み出し、取り込みを行った後、N+1番目以降のデータを読み出す際、改めてアドレスを指定するコマンドを発行する必要が無い。そのため、メモリシステムにおけるデータ転送の性能を向上させることが出来る。
また、第2の態様のメモリシステムによれば、1番目からN−1番目のデータについては戻りリードクロックに同期して取り込む。この戻りリードクロックは、リードクロックを遅延させたクロックとなるので、第1の態様のメモリシステムによる効果に加え、メモリとメモリコントローラとの間でリードクロックやデータの伝送に遅延が発生する場合でも、メモリから出力されたデータをメモリコントローラが取り込むことが可能となるという効果が得られる。
実施形態のメモリシステムの構成図である。 メモリコントローラがメモリからデータを読み出すにあたり、メモリコントローラからメモリに読み出しコマンドを発行するタイミング等を示すタイミングチャートである。 メモリのデータ出力タイミングを表すタイミングチャートである。 メモリコントローラの構成図である。 メモリコントローラのクロック制御回路の回路図である。 メモリコントローラの入力回路の回路図である。 データを読み出す際のタイミングチャートである。 データを読み出す際のタイミングチャートである。 従来のメモリシステムにおいてデータを読み出す際のタイミングチャートである。 従来のメモリシステムにおいてデータを読み出す際のタイミングチャートである。
図面を参照して実施形態について説明する。
図1に本実施形態のメモリシステムの構成を示す。
本実施形態のメモリシステムは、メモリ101と、メモリコントローラ102とを備える。メモリ101は、NANDタイプのフラッシュメモリである。
メモリ101とメモリコントローラ102との間には複数の信号線からなるメモリインターフェースがある。メモリインターフェースは、コマンドイネーブル線111、アドレスイネーブル線112、ライトクロック線113、リードクロック線114、データ線115、戻りリードクロック線116、ビジー線117を含む。
コマンドイネーブル線111は、メモリコントローラ102から出力される、コマンドを発行する期間を示す制御信号を、メモリ101へ伝送する。
アドレスイネーブル線112は、メモリコントローラ102から出力される、アドレスを指定する期間を示す制御信号を、メモリ101へ伝送する。
ライトクロック線113は、メモリコントローラ102から出力される、コマンド、アドレス、及びデータのメモリ101への転送タイミングを示す制御信号(ライトクロック)を、メモリ101へ出力する。
リードクロック線114は、メモリコントローラ102から出力される、メモリ101からデータを転送すべきタイミングを示す制御信号(リードクロック)を、メモリ101へ出力する。
データ線115は、複数本からなるバスである。データ線115は、メモリコントローラ102から出力される、コマンドやアドレスを示す信号をメモリ101に伝送する。また、データ線115は、メモリ101から出力される、データを示す信号を、メモリコントローラ102に出力する。
戻りリードクロック線116は、リードクロック線114を介してメモリコントローラ102からメモリ101へ伝送されたリードクロックを、メモリ101からメモリコントローラ102へ伝送する。戻りリードクロック線114を介してメモリ101からメモリコントローラ102へ戻ったリードクロック(以下「戻りリードクロック」という。)は、メモリコントローラ102から出力されたタイミングに対して遅延したクロック信号である。
ビジー線117は、メモリ101から出力される、メモリ101がメモリコントローラ102に対してデータ出力可能か否かを示す信号を、メモリコントローラ102へ伝送する。この信号は、負極性のレベルで伝送される。
図2は、本実施形態のメモリシステムにおいてメモリコントローラ102がメモリ101からデータを読み出すにあたり、メモリコントローラ102からメモリ101に読み出しコマンドを発行する動作におけるタイミングチャートである。
メモリコントローラ102は、コマンドイネーブル線111に“H”信号、アドレスイネーブル線112に“L”信号を出力している時、ライトクロック線113にライトクロックを出力する。また、メモリコントローラ102は、ライトクロックの立上りエッジのタイミングで、データ線115に、読み出し開始アドレスを指定するコマンドを出力する(t201)。
メモリコントローラ102は、その後、コマンドイネーブル線111に“”信号、アドレスイネーブル線112に“L”信号を出力している時、ライトクロック線113にライトクロックを出力する。また、メモリコントローラ102は、ライトクロックの立上りエッジのタイミングで、時間t202、t203、t204で指定した読み出し対象アドレスのデータの出力を指示するコマンドをデータ線115に出力する(t205)。
メモリコントローラ102は、その後、コマンドイネーブル線111に“L”信号、アドレスイネーブル線112に“L”信号を出力している時、ライトクロック線113にライトクロックを出力する。また、メモリコントローラ102は、ライトクロックの立上りエッジのタイミングで、時間t202、t203、t204で指定した読み出し対象アドレスのデータの出力を指示するコマンドをデータ線115に出力する(t205)。
メモリ101は、t201〜t205のコマンド及びアドレスを受信すると、データ線に読み出し対象アドレスのデータを出力可能になるまでの間、ビジー線117にビジーの状態を表す“L”信号を出力する。メモリ101は、読み出しデータを出力可能になると、ビジー線117に“H”信号を出力する。そして、メモリ101は、メモリコントローラ102からリードクロック線114に出力されるリードクロックに同期して、データ線115に、読み出し対象アドレスのデータを出力する(図2には図示していない)。次に、この読み出し対象アドレスのデータの出力について、図3を参照して説明する。
図3は、メモリシステムにおいてメモリ101がデータを出力する際の状態の一例を示すタイミングチャートである。
メモリコントローラ102は、メモリ101からデータを読み出す際、リードクロック線114にリードクロックを出力する。
メモリ101は、リードクロック線114のリードクロックに同期してデータ線115にデータを出力する。
メモリ101は、時間t301のリードクロック1の立下りエッジを基準にして出力を開始したデータ1を、時間t303のリードクロックの立下りエッジを基準にしてtROH(読み出し出力保持時間)後の時間t304までデータ線115に保持する(時間t304にデータ線115への出力を停止する)。メモリ101は、時間t303のリードクロック2の立下りエッジを基準にして、tREA時間後のt305までに、データ線115にデータ2の出力を開始する。したがって、本質的に次式の関係がある。
tROH<tREA
メモリ101は、時間t301のリードクロック1の立下りエッジを基準にして出力を開始したデータ1を、時間t303のリードクロック1の立下りエッジを基準にしてtROH(読み出し出力保持時間)後の時間t304までデータ線115に保持する(時間t304にデータ線115への出力を停止する)。メモリ101は、時間t303のリードクロックの立下りエッジを基準にして、tREA時間後のt305までに、データ線115にデータ2の出力を開始する。したがって、本質的に次式の関係がある。
tROH<tREA
ここで、本実施形態のメモリシステムにおいては、メモリ101は、リードクロックの立下りエッジを検出すると、アドレスをインクリメントし、インクリメントしたアドレスに対応するデータを出力する。換言すれば、連続したアドレスのデータを読み出す限り、アドレスを指定するコマンドを入力する必要はない。これにより、高速にデータを読み出すことが可能となる。
メモリ101は、時間t306の最後のリードクロック5の立下りエッジを基準にして、tREA後の時間t308までにデータ5の出力を開始する。メモリ101は、このデータを、時間t307のリードクロック5の立上りエッジを基準にしてtRHZ(読み出し出力高抵抗時間:データ線への出力を停止する時間)後のt309までデータ線115に保持する(t309にデータ線115への出力を停止する)。
メモリ101は、時間t306の最後のリードクロック5の立下りエッジを基準にして、tREA後の時間t308までにデータ5の出力を開始する。メモリ101は、このデータ4を、時間t307のリードクロック5の立上りエッジを基準にしてtRHZ(読み出し出力高抵抗時間:データ線への出力を停止する時間)後のt309までデータ線115に保持する(t309にデータ線115への出力を停止する)。
図4は、メモリコントローラ102の内部構成を示す図である。
メモリコントローラ102は、制御回路401、クロック制御回路402、入力回路403、及びカウンタ404、及び出力回路405を備える。
制御回路401は、メモリコントローラ102全体を制御する。制御回路401は、コマンドを発行する期間を示す制御信号をコマンドイネーブル線111に出力する。制御回路401は、アドレスを指定する期間を示す制御信号をアドレスイネーブル線112に出力する。制御回路401は、ビジー線117からビジー信号を入力する。
クロック制御回路402は、コマンド、アドレス、及びメモリ101へのデータの転送タイミングを示す制御信号(ライトクロック)をライトクロック線113に出力する。クロック制御回路402は、メモリ101がデータを転送すべきタイミングを示す制御信号(リードクロック)をリードクロック線114に出力する。
制御回路401は、メモリ101からデータの読み出しを開始する際、読み出し対象の全データを所定数のデータでなるデータグループに分割しそのデータグループ単位で読み出す。制御回路401は、前記所定数をカウンタ404に設定する。
入力回路403は、カウンタ404から最終データであることの通知を受けるまでは、戻りリードクロック線116戻りリードクロックに同期して、データ線115からデータを取り込み、カウンタ404から最終データであることの通知を受けると、リードクロック線114のリードクロックに同期して、データ線115からデータを取り込む。
入力回路403は、カウンタ404から最終データであることの通知を受けるまでは、リードクロック線114のリードクロックに同期して、データ線115からデータを取り込み、カウンタから最終データであることの通知を受けると、戻りリードクロック線116の戻りリードクロックに同期して、データ線115からデータを取り込む。
出力回路405は、データ線115に、コマンドやアドレス等のデータを出力する。
図5は、クロック制御回路402の一部であって、リードクロック線114へのリードクロックの出力制御に関わる部分を示す回路図である。
この出力制御に関わる部分は、RSフリップフロップ501、Dフリップフロップ502,503、論理積回路504,505、Dフリップフロップ506、論理積回路(立下り検出回路)507、508を含む。
RSフリップフロップ501のセット端子Sには、リードクロック線114へのリードクロックの出力を開始すべきときに、制御回路401から、セット信号が入力される。RSフリップフロップ501のリセット端子Rには、リードクロック線114へのリードクロックの出力を終了すべきときに、カウンタ404から、リセット信号が入力される。RSフリップフロップ501は、セット端子Sにセット信号が入力されると“H”信号を出力し、リセット端子Rにリセット信号が入力されると“L”信号を出力する。
論理積回路504には、RSフリップフロップ501の出力と、Dフリップフロップ506の出力、すなわちリードクロックが入力される。論理積回路504は、両入力が“H”のときのみ“L”信号を出力し、それ以外のときは“H”信号を出力する。
論理積回路505には、3つの論理積回路504、507,508の出力が入力される。論理積回路505は、3つの入力が全て“H”のときのみ“H”信号を出力し、それ以外のときは“L”信号を出力する。
論理積回路507には、RSフリップフロップ501の出力と、Dフリップフロップ502の出力が入力される。論理積回路507は、Dフリップフロップ502の出力が“H”,RSフリップフロップ501の出力が“L”のときのみ“L”信号を出力し、それ以外のときは“H”信号を出力する。
論理積回路508には、Dフリップフロップ502の出力と、Dフリップフロップ503の出力が入力される。論理積回路507は、Dフリップフロップ503の出力が“H”,Dフリップフロップ502の出力が“L”のときのみ“L”信号を出力し、それ以外のときは“H”信号を出力する。
Dフリップフロップ502の入力Dには、RSフリップフロップ501の出力が入力される。Dフリップフロップ502は、クロック端子にクロック(サイクルタイムがリードクロックの1/2のクロック)が入力されたときにD端子に入力されている信号を、このクロックが入力されたときから次のクロックが入力されるまで出力する。
Dフリップフロップ503の入力Dには、Dフリップフロップ502の出力が入力される。Dフリップフロップ503は、クロック端子にクロック(サイクルタイムがリードクロックの1/2のクロック)が入力されたときにD端子に入力されている信号を、このクロックが入力されたときから次のクロックが入力されるまで出力する。
Dフリップフロップ506の入力Dには、論理積回路505の出力が入力される。Dフリップフロップ506は、クロック端子にクロック(サイクルタイムがリードクロックの1/2のクロック)が入力されたときにD端子に入力されている信号を、このクロックが入力されたときから次のクロックが入力されるまで出力する。
このような構成によれば、RSフリップフロップ501のセット端子Sにセット信号が入力されて、RSフリップフロップ501が“H”信号を出力すると、論理積回路507,508は上記セットと同時に“H”信号を出力する。また、RSフリップフロップ501のリセット端子Rにリセット信号が入力されて、RSフリップフロップ501が“L”信号を出力すると、論理積回路507はDフリップフロップ502の存在により1リードクロック分(リードクロックのサイクルタイムの1/2(tRC/2))遅れて“L”信号を出力し、論理積回路507は2つのDフリップフロップ502,503の存在により2リードクロック分(リードクロックの1サイクルタイム(tRC))遅れて“L”信号を出力する。
一方、論理積回路504は、RSフリップフロップ501のセット端子Sにセット信号が入力されて、RSフリップフロップ501から“H”信号が入力されると、セット時点では、リードクロックが出力されていないので、“H”信号を出力する。このとき、論理積回路505には、論理積回路507,508から“H”信号が入力されているので、論理積回路505は、“H”信号を出力する。そして、Dフリップフロップ506は、クロックが入力された時点で、“H”信号を出力する。すると、論理積回路504は、“L”信号を出力する。したがって、論理積回路505は、“L”信号を出力する。そして、Dフリップフロップ506は、クロックが入力された時点で“L”信号を出力する。すると、論理積回路504は、“H”信号を出力する。このように、Dフリップフロップ506にクロックが入力される都度、論理積回路504の出力が、“H”信号と“L”信号との間で切り替わり、その結果、Dフリップフロップ506からリードクロック線114に“H”信号と“L”信号とが交互に出力されることとなる。
一方、RSフリップフロップ501のリセット端子Sにリセット信号が入力されると、論理積回路504は“H”信号を出力するが、前述のように、論理積回路507はDフリップフロップ502の存在により1リードクロック分(リードクロックのサイクルタイムの1/2(tRC/2))遅れて“L”信号を出力し、論理積回路507は2つのDフリップフロップ502,503の存在により2リードクロック分(リードクロックの1サイクルタイム(tRC))遅れて“L”信号を出力する。したがって、論理積回路505は、RSフリップフロップ501のリセット端子Sにリセット信号が入力されるまでよりも、2リードクロック分(リードクロックの1サイクルタイム(tRC))長く“L”信号を出力する。すなわち、Dフリップフロップ506からリードクロック線114に“L”信号がそれまでよりも2リードクロック分(リードクロックの1サイクルタイム(tRC))長く出力されることとなる。
ここで、図中の511は、RSフリップフロップ501の出力信号を示しており、後で説明する図7に示すタイミングチャートにおいて利用する。
なお、図5に示す回路は、メモリコントローラ102からリードクロック線114に出力する最後のリードクロックの“L”期間を長くするための回路の一例であり、同様の機能を実現できる限り図5で示した回路には限定されない。
図6は、入力回路403の具体的構成を示す回路図である。
入力回路403は、Dフリップフロップ601,602,603,605、及びセレクタ604を備える。
Dフリップフロップ601の入力端子Dには、データ線115からデータが入力される。また、Dフリップフロップ601のクロック端子CLKには、戻りリードクロック線116から戻りリードクロックが入力される。Dフリップフロップ601は、クロック端子CLKに入力される戻りリードクロックの立下りエッジを検出したときに入力端子Dに入力されているデータを、この戻りリードクロックの立下りエッジが検出されたときから次の戻りリードクロックの立下りエッジが検出されるまで出力する。換言すれば、Dフリップフロップ601は、戻りリードクロックに同期して、入力端子Dに入力されているデータを出力する。
Dフリップフロップ602の入力端子Dには、データ線115からデータが入力される。また、Dフリップフロップ602のクロック端子CLKには、リードクロック線114からリードクロックが入力される。Dフリップフロップ602は、クロック端子CLKに入力されるリードクロックの立上りエッジを検出したときに入力端子Dに入力されているデータを、このリードクロックの立上りエッジが検出されたときから次のリードクロックの立上りエッジが検出されるまで出力する。換言すれば、Dフリップフロップ602は、リードクロックに同期して、入力端子Dに入力されているデータを出力する。
Dフリップフロップ603の入力端子Dには、Dフリップフロップ601の出力Qが入力される。また、Dフリップフロップ603のクロック端子CLKには、制御回路401の内部クロックが入力される。Dフリップフロップ603は、クロック端子CLKに制御回路401の内部クロックが入力されたときに入力端子Dに入力されているデータを、この内部クロックが入力されたときから次の内部クロックが入力されるまで出力する。換言すれば、Dフリップフロップ603は、制御回路401の内部クロックに同期して、入力端子Dに入力されているデータを出力する。
セレクタ604は、カウンタ404からの信号に基づき、Dフリップフロップ602から出力されたデータまたはDフリップフロップ603から出力されたデータを選択的に出力する。具体的には、セレクタ604は、カウンタ404から最後のデータであることを示す信号を受けるまでは、Dフリップフロップ603からのデータを出力し、カウンタ404から最後のデータであることを示す信号を受けると、Dフリップフロップ602からのデータを出力する。
Dフリップフロップ605の入力端子Dには、セレクタ604から出力されたデータが入力される。また、Dフリップフロップ603のクロック端子CLKには、制御回路401の内部クロックが入力される。Dフリップフロップ605は、クロック端子CLKに制御回路401の内部クロックが入力されたときに入力端子Dに入力されているデータを、この内部クロックが入力されたときから次の内部クロックが入力されるまで出力する。換言すれば、Dフリップフロップ605は、制御回路401の内部クロックに同期して、入力端子Dに入力されているデータを制御回路401へ出力する。
このように、入力回路403は、カウンタ404から最終データであることの通知を受けるまでは、戻りリードクロック線116の戻りリードクロックに同期して、データ線115からデータを取り込み、カウンタ404から最終データであることの通知を受けると、リードクロック線114のリードクロックに同期して、データ線115からデータを取り込む。
ここで図中の611〜615はDフリップフロップ601,602,603,605、及びセレクタ604の出力信号を示しており、後で説明する図7に示すタイミングチャートにおいて利用する。
なお、図6に示す回路は、データ線115にメモリ101から出力されるデータの取り込みタイミングとして2種類の取り込みタイミング(戻りリードクロック線116に同期したタイミングとリードクロック線114に同期したタイミング)で取り込む機能を備えた回路の一例である。同様の機能を実現できる限り図6で示した以外の回路を利用してもよい。
図7は、メモリコントローラ102がメモリ101からデータを読み出すときの状態を示すタイミングチャートである。図7のタイミングチャートは、メモリコントローラ102がメモリ101から5ワードのデータを読み出す場合の例を示す。
まず時間t701で、メモリコントローラ102の制御回路401は、クロック制御回路402のRSフリップフロップ501にセット信号を出力する。これにより、RSフリップフロップ501の出力信号511は“H”になり、クロック制御回路402はリードクロック線114に“L”、“H”のトグル信号を出力する。また制御回路401は、RSフリップフロップ501にセット信号を出力するときに、カウンタ404に対してカウンタ404の初期値として読み出しワード数である5を設定する。
カウンタ404は、リードクロックの立上りエッジに同期してカウンタをデクリメントする。
メモリ101からのデータの取り込みは、最終ワードを除き、戻りリードクロックの立下りのタイミングを基準として行われる。ここで特に認識しておくべきことは、1番目のデータの取り込みを行うために2番目の戻りリードクロックの立下りエッジを用いることである。同様にn番目のデータを取り込むためにはn+1番目のリードクロックをメモリ101に供給して、n+1番目の戻りリードクロックの立下りエッジを利用する。n+1番目のクロックをメモリ101に供給することは、メモリ101からのn+1番目のデータの出力を引き起こす。
メモリコントローラ102が、メモリ101からのデータの取り込みにおいてリードクロックを基準とせず戻りリードクロックを基準とする理由は以下の通りである。すなわち、メモリコントローラ102とメモリ101とを接続するリードクロック線114と接地間には容量成分が存在しており、この容量成分により、リードクロック線114上で伝送されるクロックには遅延が生じる。より高速な動作を行うためには、tREAよりも少し長い程度のtRCで制御を行う必要がある。そこで、戻りリードクロックを基準とし、遅延の影響を回避する。例えば、時間t704はリードクロックの立下りエッジのタイミングであるが、データ線115のデータ1を正しく取り込めるタイミングではないので、戻りリードクロックを利用する。
メモリ101は、5番目のデータ(データ5)を、5番目のリードクロックの立上り(時間t711)からtREAが経過した時点から、リードクロックの立上りのタイミング(時間t713)からtRHZ(図3参照)が経過するまでの間、データ線115に保持する(tRHZが経過したときにデータ線115への出力を停止する)。ここで、本実施形態では、上述のように5番目のリードクロックの“L”期間(出力期間(Tm2))を1〜4番目のリードクロックの“L”期間(出力期間(Tm1))よりも長くしているので(最後のリードクロックのサイクルタイムを長くしているので)、“L”期間(出力期間(Tm2)を長くしない場合よりも、5番目のデータ(データ5)をデータ線115に長い期間保持させることができる(出力可能とすることができる)。これにより、メモリコントローラ102がメモリ101からデータを取り込むことが可能な期間が増加することとなる。
メモリ101は、5番目のデータ(データ5)を、5番目のリードクロックの立上り(時間t711)からtREAが経過した時点から、リードクロックの立上りのタイミング(時間t713)からtRHZ(図3参照)が経過するまでの間、データ線115に保持する(tRHZが経過したときにデータ線115への出力を停止する)。ここで、本実施形態では、上述のように5番目のリードクロックの“L”期間(出力期間(Tm2))を1〜4番目のリードクロックの“L”期間(出力期間(Tm1))よりも長くしているので(最後のリードクロックのサイクルタイムを長くしているので)、“L”期間(出力期間(Tm2)を長くしない場合よりも、5番目のデータ(データ5)をデータ線115に長い期間保持させることができる(出力可能とすることができる)。これにより、メモリコントローラ102がメモリ102からデータを取り込むことが可能な期間が増加することとなる。
ここで、本実施の形態においては、5番目のリードクロックの“L”期間(Tm2)を、5番目のリードクロックの立上りのタイミングと、5番目のデータ(データ5)がデータ線115に保持されている期間とが時間軸上において重なるように設定している。これにより、Dフリップフロップ602は、5番目のデータ(データ5)がデータ線115に保持されている間に(tRHZが経過するまでの間に)、5番目のリードクロックの立上りを利用して、5番目のデータを取り込むことができる。
そして、カウンタ404は、カウンタの値を“1”から“0”にデクリメントすると同時に、入力回路403のセレクタ604への制御信号を“L”にする。セレクタ604は、カウンタ404からの制御信号が“L”なので、Dフリップフロップ602からのデータを出力する。Dフリップフロップ605は、セレクタ604から出力されたデータを、内部回路に同期して取り込み、制御回路401に出力する。
以上説明したように、本実施形態のメモリシステムによれば、メモリコントローラ102がメモリ101から連続してN個(本実施形態ではN=5)のデータを読み出す際、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込む。また、メモリコントローラ102は、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定する。これにより、“L”期間(出力期間(Tm2)を長くしない場合よりも、5番目のデータ(データ5)をデータ線115に長い期間保持させることができる(出力可能とすることができる)。つまり、メモリコントローラ102がメモリ101からデータを取り込むことが可能な期間が増加することとなる。本実施形態では、N番目のリードクロックの立上りのタイミングを、N番目のデータのデータ線115への出力可能な期間内に設定し、これにより、N番目のリードクロックの立上りを利用して、N番目のデータを取り込むようにしている。なお、N番目のデータのデータ線115への出力可能な期間内に、N番目のリードクロックの立上り以外の信号を利用して、N番目のデータを取り込むこともできる。例えば、N番目のリードクロックの立上り以外の信号として、例えばメモリコントローラ102内部のクロックを利用して生成したクロックや、N個目のリードクロックの立下りからtREA以上の所定時間が経過したときに発生させた任意の信号を利用することができる。
以上説明したように、本実施形態のメモリシステムによれば、メモリコントローラ102がメモリ101から連続してN個(本実施形態ではN=5)のデータを読み出す際、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込む。また、メモリコントローラ102は、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定する。これにより、“L”期間(出力期間(Tm2)を長くしない場合よりも、5番目のデータ(データ5)をデータ線115に長い期間保持させることができる(出力可能とすることができる)。つまり、メモリコントローラ102がメモリ101からデータを取り込むことが可能な期間が増加することとなる。本実施形態では、N番目のリードクロックの立上りのタイミングを、N番目のデータのデータ線115への出力可能な期間内に設定し、これにより、N番目のリードクロックの立上りを利用して、N番目のデータを取り込むようにしている。なお、N番目のデータのデータ線115への出力可能な期間内に、N番目のリードクロックの立上り以外の信号を利用して、N番目のデータを取り込むこともできる。例えば、N番目のリードクロックの立上り以外の信号として、例えばメモリコントローラ11内部のクロックを利用して生成したクロックや、N個目のリードクロックの立下りからtREA以上の所定時間が経過したときに発生させた任意の信号を利用することができる。
ここで、従来技術においては、N番目のデータを取り込むことはできない。また、この取り込めなかったデータを読み出そうとすると、改めて、アドレスを指定するコマンドやアドレスの指定をメモリコントローラ102からメモリ101に対して行う必要がある。つまり、読み出し対象のアドレスを指定するコマンドを発行する必要があるので、オーバヘッドが大きくなり、メモリシステムにおけるデータ転送の性能が低下していた。
また、本実施形態のメモリシステムによれば、1番目のデータからN−1番目のデータについては戻りリードクロックに同期して取り込むので、メモリ101とメモリコントローラ102との間でリードクロックやデータの伝送に遅延が発生する場合でも、メモリから出力されたデータをメモリコントローラが取り込むことが可能となる。
また、本実施形態のメモリシステムによれば、1番目のデータからN−1番目のデータについては戻りリードクロックに同期して取り込むので、メモリ101とメモリコントローラ101との間でリードクロックやデータの伝送に遅延が発生する場合でも、メモリから出力されたデータをメモリコントローラが取り込むことが可能となる。
なお、本実施形態では、1番目からN−1番目のデータについては1番目からN−1番目(上記例では5番目)の戻りリードクロックの立下りに同期して取り込むようにしたが、遅延時間が小さい場合は、戻りリードクロックでなくリードクロックの立下りに同期して1番目からN−1番目のデータを取り込むようにしてもよい。この場合、戻りリードクロック線116を設けなくてもよい。
また、本実施形態では、メモリ101は、N個のデータを出力する際、1番目からN番目のリードクロックの立下りエッジ(出力開始時のエッジ)を基準として出力を開始するが、1番目からN番目のリードクロックの立上りエッジ(出力完了時のエッジ)を基準としてもよい。また、メモリ101は、1番目からN−1番目のデータについてはそれぞれ2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジ(出力開始時のエッジ)を基準として出力を停止するが、2番目からN番目のリードクロックの立上りエッジ(出力完了時のエッジ)を基準としてもよい(但し、2番目からN番目のリードクロックの立上りエッジ(出力完了時のエッジ)よりも後までデータが出力されているとき)。また、メモリコントローラ102は、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジ(出力開始時のエッジ)に同期して取り込むが、データがデータ線115に出力されるタイミングによっては、2番目からN番目のリードクロックの立上りエッジ(出力完了時のエッジ)に同期して取り込んでもよい。また、本実施形態では、リードクロックは立下りクロックであるが、立上りクロックであってもよく、この場合、出力開始時のエッジは立上りエッジ、出力完了時のエッジは立下りエッジとして制御すればよい。
本実施形態では、説明を簡略化するために、メモリから読み出すデータの塊に含まれるデータの数NがN=5の場合について説明したが、データの塊に含まれるデータの数NはN=5に限定されるものではない。メモリからデータを読み出す際のデータの塊にはECC符号を含めてもよい。この場合にメモリから読み出すデータの塊のサイズは、メモリコントローラが取り扱うデータのサイズにECC符号のサイズを付与したサイズとなる。例えば、データのサイズが512バイト、ECC符号のサイズが16バイトとした場合、データの塊のサイズは528バイトとなる。このようにデータの塊にECC符号を含めることにより、メモリからデータの塊を読み出す毎にメモリコントローラによるECC処理が行える。これは、ECC処理を容易化できる。なお、Nを例えばメモリシステムのバッファ容量等に応じて可変としてもよく、その場合においても本実施形態の技術思想は適用可能である。
本発明は、メモリシステムにおけるデータ転送の効率を向上して高速化することが可能なユーザ利便性の高いメモリシステムに有用である。
101 メモリ
102 メモリコントローラ
111 コマンドイネーブル線
112 アドレスイネーブル線
113 ライトクロック線
114 リードクロック線
115 データ線
116 戻りリードクロック線
117 ビジー線
401 制御回路
402 クロック制御回路
403 入力回路
404 カウンタ
405 出力回路

Claims (12)

  1. メモリと、メモリコントローラと、前記メモリと前記メモリコントローラとを電気的に接続するメモリインターフェースとを含むメモリシステムであって、
    前記メモリインターフェースは、データの転送を行うために前記メモリが駆動するデータ線と、前記メモリから前記データ線へのデータ出力のタイミングを制御するためのリードクロックが伝送され、前記メモリコントローラが駆動するクロック線とを含み、
    前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックに同期して出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から第1の所定時間経過後に出力を停止し、
    前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して取り込み、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定することを特徴とするメモリシステム。
  2. 前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第2の所定時間以内に出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについてはそれぞれ2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第3の所定時間以内に出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から前記第1の所定時間経過後に出力を停止することを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
  3. 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間から第3の所定時間を減じた時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項2記載のメモリシステム。
  4. 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間の2倍の時間よりも小さく、かつ前記第2の所定時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項2記載のメモリシステム。
  5. 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
  6. 前記メモリコントローラは、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力完了時のエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
  7. メモリと、メモリコントローラと、前記メモリと前記メモリコントローラとを電気的に接続するメモリインターフェースとを含むメモリシステムであって、
    前記メモリインターフェースは、データの転送を行うために前記メモリが駆動するデータ線と、前記メモリから前記データ線へのデータ出力のタイミングを制御するためのリードクロックが伝送され、前記メモリコントローラが駆動するクロック線と、前記クロック線を介して前記メモリに到達したリードクロックを前記メモリコントローラに、戻りリードクロックとして戻す戻りクロック線とを含み、
    前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックに同期して出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から第1の所定時間経過後に出力を停止し、
    前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目の戻りリードクロックにそれぞれ同期して取り込み、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定することを特徴とするメモリシステム。
  8. 前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第2の所定時間以内に出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについてはそれぞれ2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第3の所定時間以内に出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から前記第1の所定時間経過後に出力を停止することを特徴とする請求項7記載のメモリシステム。
  9. 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間から第3の所定時間を減じた時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項8記載のメモリシステム。
  10. 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間の2倍の時間よりも小さく、かつ前記第2の所定時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項8記載のメモリシステム。
  11. 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目の戻りリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項7記載のメモリシステム。
  12. 前記メモリコントローラは、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力完了時のエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項7記載のメモリシステム。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101188264B1 (ko) * 2010-12-01 2012-10-05 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 시스템, 반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 데이터 출력 방법
US10083137B2 (en) * 2015-04-02 2018-09-25 Atmel Corporation Peripheral interface circuit for serial memory
US12002541B2 (en) 2021-12-08 2024-06-04 Advanced Micro Devices, Inc. Read clock toggle at configurable PAM levels
US20230178138A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-08 Advanced Micro Devices, Inc. Read clock start and stop for synchronous memories

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL96808A (en) * 1990-04-18 1996-03-31 Rambus Inc Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage
JPH05298241A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Meidensha Corp バースト転送方式
JP3276798B2 (ja) * 1995-02-02 2002-04-22 株式会社日立国際電気 デジタルオシロスコープにおける波形の表示方法及び装置
JP2003140962A (ja) * 2001-10-30 2003-05-16 Mitsubishi Electric Corp 信号送受信システム
JP2002304323A (ja) * 2002-02-04 2002-10-18 Hitachi Ltd 情報処理装置
JP2003257200A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
EP1501100B1 (en) * 2003-07-22 2018-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods
KR100546418B1 (ko) * 2004-07-27 2006-01-26 삼성전자주식회사 데이터 출력시 ddr 동작을 수행하는 비휘발성 메모리장치 및 데이터 출력 방법
JP2006277892A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
EP2011122A2 (en) * 2006-04-24 2009-01-07 SanDisk Corporation High-performance flash memory data transfer
JP4267002B2 (ja) * 2006-06-08 2009-05-27 エルピーダメモリ株式会社 コントローラ及びメモリを備えるシステム
US8015382B1 (en) * 2007-02-28 2011-09-06 Altera Corporation Method and apparatus for strobe-based source-synchronous capture using a first-in-first-out unit

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