JP5449032B2 - メモリシステム - Google Patents
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Description
tREA>tRLOH
tREA>tRC
である場合には、メモリコントローラがデータ線からデータを取り込むことが出来なくなる。
tROH<tREA
tROH<tREA
102 メモリコントローラ
111 コマンドイネーブル線
112 アドレスイネーブル線
113 ライトクロック線
114 リードクロック線
115 データ線
116 戻りリードクロック線
117 ビジー線
401 制御回路
402 クロック制御回路
403 入力回路
404 カウンタ
405 出力回路
Claims (12)
- メモリと、メモリコントローラと、前記メモリと前記メモリコントローラとを電気的に接続するメモリインターフェースとを含むメモリシステムであって、
前記メモリインターフェースは、データの転送を行うために前記メモリが駆動するデータ線と、前記メモリから前記データ線へのデータ出力のタイミングを制御するためのリードクロックが伝送され、前記メモリコントローラが駆動するクロック線とを含み、
前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックに同期して出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から第1の所定時間経過後に出力を停止し、
前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して取り込み、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定することを特徴とするメモリシステム。 - 前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第2の所定時間以内に出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについてはそれぞれ2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第3の所定時間以内に出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から前記第1の所定時間経過後に出力を停止することを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間から第3の所定時間を減じた時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項2記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間の2倍の時間よりも小さく、かつ前記第2の所定時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項2記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力完了時のエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
- メモリと、メモリコントローラと、前記メモリと前記メモリコントローラとを電気的に接続するメモリインターフェースとを含むメモリシステムであって、
前記メモリインターフェースは、データの転送を行うために前記メモリが駆動するデータ線と、前記メモリから前記データ線へのデータ出力のタイミングを制御するためのリードクロックが伝送され、前記メモリコントローラが駆動するクロック線と、前記クロック線を介して前記メモリに到達したリードクロックを前記メモリコントローラに、戻りリードクロックとして戻す戻りクロック線とを含み、
前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックに同期して出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目のリードクロックにそれぞれ同期して出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から第1の所定時間経過後に出力を停止し、
前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目の戻りリードクロックにそれぞれ同期して取り込み、N番目のデータについてはN番目のリードクロックによるN番目のデータの出力開始後N番目のデータの出力停止までの間に取り込み、N番目のリードクロックの出力期間を1番目からN−1番目のリードクロックの出力期間よりも長く設定することを特徴とするメモリシステム。 - 前記メモリは、N個のデータを出力する際、前記メモリコントローラから連続的に出力される1番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第2の所定時間以内に出力を開始し、1番目からN−1番目のデータについてはそれぞれ2番目からN番目のリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジから第3の所定時間以内に出力を停止し、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力停止から前記第1の所定時間経過後に出力を停止することを特徴とする請求項7記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間から第3の所定時間を減じた時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項8記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のリードクロックの周期を、前記第2の所定時間の2倍の時間よりも小さく、かつ前記第2の所定時間よりも大きくなるように制御することを特徴とする請求項8記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、1番目からN−1番目のデータについては2番目からN番目の戻りリードクロックの立下りエッジまたは立上りエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項7記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、N番目のデータについてはN番目のリードクロックの出力完了時のエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項7記載のメモリシステム。
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