JP5442455B2 - 高性能スイッチング手段付きの液晶ディスプレイ装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶ディスプレイの分野に関する。

より正確には、本発明は、双安定ネマティック液晶ディスプレイに関する。本発明は、特に、２つの安定テクスチャが約１８０°のねじれによって異なっている双安定ネマティック液晶ディスプレイに関する。

（発明の目的）
本発明の目的は双安定ディスプレイ装置の性能を改善することである。特に、本発明の目的は、新しい手段の使用によって、画素のエッジでの状態のスイッチングを改善することである。

従来型ＬＣＤディスプレイ
最も普及している液晶ディスプレイはネマティック型の液晶を使用する。これらの液晶ディスプレイは、２枚のプレートの間に設置された液晶層で構成されている。各プレートは、多くの場合にガラス内にある基板であって、導電性電極と、次にアライメント層とも呼ばれるいわゆるアンカー層が上に堆積されている基板を含む。アンカー層は、隣接した液晶分子に、液晶分子を容易軸と呼ばれる方向と平行に向ける傾向がある戻りトルクを加える。アンカー層は、容易軸の方向を作るためにブラシ状高分子の堆積によって多くの場合に実施される。容易軸の方向は殆どの場合にブラッシング方向に極めて近い。

このようにして構成されたセルの厚さは、プレートの間に、直径が所望の厚さ（典型的に１〜６μｍ）に等しいボールを分布させることにより一定にされる。

現在提案され、製造されている液晶ベースの装置の殆どは単安定である。電界が存在しない場合、液晶は単一のテクスチャに従って方向が合わされる。この無電界は、２枚のプレート上に固定されるならば、セル内の弾性エネルギーの絶対最小値に対応する。電界下では、このテクスチャは連続的に変形され、テクスチャの光学特性は印加電圧に応じて変化する。プレート付近で、「強アンカー層」として知られているアンカー層は分子の方向を維持する。分子の方向は殆ど変化しない。電界を除去すると、ネマティックは２枚のプレートへの固定によって戻される。液晶は安定したテクスチャに戻る。装置は単安定である。当業者は、最も普及しているネマティックディスプレイ、すなわち、ツイステッドネマティック（ＴＮ）、スーパーツイステッドネマティック（ＳＴＮ）、電気制御複屈折（ＥＣＢ）、垂直配向ネマティック（ＶＡＮ）などの作動方法を認めるであろう。アドレス指定に関して、これらのディスプレイは、直接的に（非常に低解像度で）、多重モード（中間解像度）で、または、アクティブモード（高解像度）でアドレス指定することが可能である。

ＢｉＮｅｍテクノロジーの状態
「双安定」として知られている新世代のネマティックディスプレイは、ここ数年間に登場した。新世代のネマティックディスプレイは、２つの状態の間を切り替えることにより機能し、電界の存在下で安定している。外部電界は一方の状態からもう一方の状態へ液晶のテクスチャを切り替えることが必要な期間中に限り印加される。電気制御信号がない場合、ディスプレイは到達した状態を維持する。この動作原理によって、このタイプのディスプレイは、画像変化の回数に比例したエネルギーを消費する。よって、これらの画像変化の頻度が減少するとき、ディスプレイの動作に必要な電力は零に向かう傾向がある。

動作の原理
ＢＩＮＥＭ［１］、［２］として知られている双安定ディスプレイは図１に示されている。双安定ディスプレイは、分子が実質的に平行である一様または僅かにねじれている一方のテクスチャ（Ｕ）（図１の左に示されている）、および、約±１８０°〜±１５°の範囲内のねじれによって第１のテクスチャと異なるもう一方のテクスチャ（Ｔ）（図１の右に示されている）の２つのテクスチャを使用する。液晶層３０は、マスタープレートおよびスレーブプレートと呼ぶ２枚のプレート２０および１０の間に設置される。マスタープレート２０は、基板２１と電極２２とアンカー層２４とを含み、液晶の強い方位角アンカリングおよび天頂角アンカリングを作成し、プレート２０の表面に対する「プレチルト」の値Ψ_２が従来とおりの５°に近い。スレーブプレート１０は、基板１１と電極１２とアンカー層１４とを含み、液晶の弱い方位角アンカリングおよび中間または強い天頂角アンカリングと、非常に小さい「プレチルト」（Ψ_１＜＜１°、［３］、［８］）とを作成する。２個のプレチルトΨ_１およびΨ_２は、方向が同じであり、すなわち、Ｕテクスチャにおいて、液晶分子は、セルの全厚に亘って同じチルト符号で傾斜したままである。基板１１および２１に堆積した通常透明である電極１２および２２は、プレート１０および２０に垂直電界を加えるため使用される。

セルの外側での基板１１および２１のそれぞれへの偏向器の追加は、アンカリング方向に対する２個の偏向器の角度に応じて、Ｕに対する暗、および、Ｔに対する明、または、その反対のような光学状態が各テクスチャと関連付けられることを可能にする。

ネマティックは、上記の２つのテクスチャのエネルギーを等しくするため、セルの厚さｄの４倍に近くなるように選択された自発ピッチｐ_０でキラル化される。セルの厚さｄと、自発ピッチｐ_０との間の比率、すなわち、ｄ／ｐ_０は、したがって、０．２５±０．１に等しい。電界なしの場合、状態ＴおよびＵは最低エネルギー状態であり、セルは双安定である。

強い電界下では、Ｈとして示され、図１の中央に図示されたほとんどホメオトロピック型のテクスチャが得られる。スレーブプレート１０の表面の付近で、分子はスレーブプレートに垂直であり、天頂アンカリングは「破壊」しているといわれる。スレーブプレート１０上の天頂アンカリングの破壊に対応する電圧である破壊電圧はＶ_ｂｒｋとして示される。提示した全ての文献のいて、我々は、天頂アンカリング破壊を「アンカリング破壊」と示す。

この電圧Ｖ_ｂｒｋは、Ｖ_ｂｒｋ＝Ｅ_ｂｒｋ・ｄとなるような破壊電界に対応する。典型的には、Ｅ_ｂｒｋは、スレーブプレート１０のような弱い天頂アンカリング層に対して、室温において５〜１５Ｖ／μｍの間に設定される。

電界を除去すると、セルは双安定テクスチャＵおよびＴの一方または他方になる（図１を参照のこと）。利用される制御信号は、マスタープレート２０の付近に液晶の強いフローを引き起こし、マスタープレート２０とスレーブプレート１０との間の流体力学的結合２６はテクスチャＴを引き起こす。これに対し、テクスチャＵは、弱いアンカリングの僅かなチルトによって補助される２枚のプレート１０および２０の間の弾性結合によって得られる［１］、［２］。

以下では、ＢｉＮｅｍスクリーン要素の「スイッチング」によって、液晶の分子をホメオトロピック状態Ｈ（アンカリングの破壊）に通し、次に、液晶が、電界を除去すると、２つの双安定テクスチャＵもしくはＴの一方、または、テクスチャＵとＴの共存になることを可能にさせることを指し示す。電界のスイッチオフは、テクスチャの観点で最終的な状態を選択するため、立ち下がりエッジの特性に応じて、印加された電圧の立ち下がりエッジ（電圧の絶対値の低下）に対応し、この立ち下がりエッジは使用されている立ち下がりエッジであるとき、アクティブな立ち下がりエッジと呼ばれる（画素電圧は多レベルでもよく［６］、立ち下がりエッジのうちの１つだけがアクティブなエッジである）。

スレーブプレート１０とマスタープレート２０との間の流体力学結合［４］は液晶の粘度に関連している。対象としているゾーンに印加された電界をスイッチオフすると、マスタープレート２０に固定された分子による平衡状態への復帰は、図２にフローの方向１６が示されている降下フロー３２をマスタープレート２０の近くに生じる。粘度は１ミリ秒未満の中で降下フロー３２をセルの厚さの全体に亘って拡散させる。降下フロー３２がスレーブプレート１０の近くで十分に強いならば、降下フローはスレーブプレートの近くで、テクスチャＴを誘起する方向に分子を傾斜させる。分子は２枚のプレート１０および２０で逆方向に向きを変える。スレーブプレート１０の近くでの分子による平衡状態への復帰は、フローの第２の原動力であり、フローを強化し、テクスチャＴへの画素の均一な移行に役立つ。よって、電界Ｈの下でのテクスチャＴへのテクスチャの移行は、降下フロー３２によって、したがって、マスタープレート２０上の分子のアンカリングが傾斜している方向１６への液晶の運動によって（図２を参照のこと）、方向１８に従って達成される。このマスタープレート２０に近い降下フローの方向１８は、図２において４０で参照されている、マスタープレートの配向層のブラッシング方向と実質的に平行である。方向１８は、たとえば、開始テクスチャにおけるツイストに起因して、ブラッシング方向と厳密に平行になり得ない。典型的に、方向１８は約±１０°の範囲内でブラッシング方向と平行である。

印加された電界はプレートに対して垂直に分子を配向させる傾向があるが、２枚のプレート１０、２０の間の弾性結合は、スレーブプレート１０の近くにある分子に、電界の下でテクスチャＨになる非常に僅かな傾きを与える。実際には、マスタープレート２０上の強い傾斜したアンカリングは隣接した分子での傾斜を維持する。マスタープレート２０の近くの傾斜は、液晶の配向弾性によってスレーブプレート１０まで伝達される。スレーブプレート１０では、液晶のアンカリングおよび容易軸の傾斜は、分子の傾斜を増幅する［５］。電界を除去し、流体結合がスレーブプレート１０の近くの分子の残留傾斜に対抗するため不十分であるとき、２枚のプレート１０および２０の近くの分子は、同じ方向に向きを変えることにより平衡状態に戻り、テクスチャＵが得られる。これらの２つの回転は同時であり、互いに対向する反対方向のフローを生じさせる。全体的なフローは実際には零である。したがって、テクスチャＨからテクスチャＵへの移行中に液晶の全体的な運動は非常に少ない。

ＵまたはＴへの画素のスイッチングは、マスタープレート２０によって生じた降下フロー３２の強度の関数である。このフローはスレーブプレート１０まで拡散し、スレーブプレート１０の付近で得られるフローの強度は得られる最後のテクスチャ（ＵまたはＴ）を決定する。テクスチャＴを生じさせる大きな降下フロー３２を得るため、たとえば、スロット型の信号のような、急峻なエッジ状の降下がある電界のパルスを印加することが必要である。テクスチャＵを得るため、たとえば、確実に降下する勾配、または、レベルの間に連続的な段差のある勾配のような、非常に弱い降下フローを生成する緩やかな側面の降下がある電界のパルスが必要である［１］、［２］、［６］。

画素の端子における電圧の変動によって降下フローの強度を制御することにより、画素内にグレイレベルを得ることも可能である。この可変電圧の所与の値に対し、所与の画素内では、テクスチャＴにおける画素の表面に一方の部分と、テクスチャＵにおけるもう一方の部分とが得られる。この可変電圧の別の値、したがって、この降下フローの別の値に、２つのテクスチャＵとＴによって占められている面積の異なる比率が対応する。グレイレベルはこのようにして取得される［９］。

スイッチングがプレート１０および２０のうちの一方の近くでのフローの強度と直接関連付けられていることは、ＢｉＮｅｍディスプレイの特殊な特性であり、従来型のＴＮディスプレイおよびＳＴＮディスプレイはこの原理によって切り替わらない。

アドレス指定
標準的な液晶のため開発された３つのアドレス指定モード（直接、多重化、および、アクティブ）はＢｉＮｅｍディスプレイのため利用することが可能である。ＢｉＮｅｍディスプレイのアドレス指定のための最も一般的なモードは、多重化パッシブアドレス指定であるが、薄層内のトランジスタを用いるアクティブアドレス指定も可能である［７］。アクティブ多重化モードおよびパッシブ多重化モードでは、ＢｉＮｅｍディスプレイは、ｎが行数であり、ｍが列数であるとして、ｎ×ｍ個の画素と呼ばれる画像素子の形をしているマトリクス型スクリーンであり、アドレス指定は行毎に行われる。

多重化パッシブモードでは、各画素は、行導電性ストリップ５２と列導電性ストリップ５０との交点で構成されている。これらの垂直ストリップは、マスタープレート２０およびスレーブプレート１０のそれぞれに堆積する（図３を参照のこと）。所与の基板１１または１２によって支持される２本の隣接した導電性ストリップの間に位置しているゾーンは画素間スペースと呼ばれる。画素のすべてによって構成されているゾーンはマトリクスゾーンと呼ばれる。習慣的に、従来技術では、マトリクスゾーンは、見たいと所望される画像の内容が表示されるディスプレイゾーンである。

マトリクスゾーンの外側では、上記の導電性ストリップ５０、５２は、たとえば、スクリーンに溶接されたフレキシブルな接続要素に位置している、ドライバと呼ばれる制御回路への接続を作り出すトラック５４、５６の形になる。座標画素（ｎ，ｍ）を表示するため、行信号を行ｎに印加し、列信号を列ｍに印加する。

従来技術による従来型のディスプレイの２枚のガラス基板１１および２１に形成される電極の原理図は図４に示されている。一般に、導電性電極は、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）と呼ばれる透明導電性材料で作られている。しかし、ディスプレイが反射型であるとき、観察者と反対側に位置している電極は、アルミニウムのような不透明導電性材料から作ることが可能である。電極を作成するため、薄い導電性層が２枚の基板１１および２１に堆積され、次に、所要の設計までエッチングされる。図４ａは、本実施形態では行を支持するいわゆる上側基板２１上の電極５０をエッチングするため使用されるマスクを示している。図４ａおよび４ｂにおいて、列電極を形成するストリップが５０として参照され、行電極を形成するストリップが５２として参照され（これらのストリップが適切なゾーンをアドレス指定するため使用され）、上記のストリップ５０および５２をドライバに接続するため使用されるトラックが５４および５６として参照される。マトリクスゾーンの限界は、図４ａおよび４ｂにおいて鎖線によって表され、５７として参照されるフレームに対応する。図４ａおよび４ｂに示されている２つのゾーン５７は、セルの組立および密閉中に重ね合わされる。

アクティブアドレス指定モードでは、一般に、いずれかの基板が、個別化され、かつ、分離され、行と列に編成されたネットワークに配置されている画素で構成されている電極のマトリクスを支持し、もう一方の基板上で、電極は連続的でもよい。後者の基板は、習慣的に、基準電位と呼ばれる一定電位に保持される。電気制御信号は、非常に薄い導電性トラックによって第１の基板の各画素電極にそれぞれ運ばれる。導電性トラックは同じ基板上の行および列に沿って設置される。導電性トラックは接触なしに互いに交差する。各行トラックと各列トラックの交点の近くに、トランジスタのようなアクティブ素子が設置される。この場合、行トラックは通常トランジスタの制御端子に接続され、画素の電極と列トラックがトランジスタのその他の２個の主要な端子に接続されている。

多重化モードにおけるＢｉＮｅｍディスプレイの制御
上述のようにディスプレイの構造がマトリクスであるとき、アドレス指定は行毎に行われる。所与の行（ｎ）をアドレス指定する必要があるとき、電気信号がこの行に印加され、この行が次に「作動状態」として記載されている。この信号は作動信号ＶＬと呼ばれる。ＢｉＮｅｍの場合、作動中に２つのフェーズを区別し、第１のフェーズは、たとえば、その後にＶＬの第１のレベルを構成する電圧Ｖ１を行信号に印加することにより、基本的にアンカリングの破壊、すなわち、対象となる行の上のホメオトロピックテクスチャを獲得する。第２のフェーズ中に、その後にＶＬの第２のレベルを構成する信号Ｖ２が、Ｖ２≦Ｖ１となるように、行に印加され、Ｖｃとして示される電気的ないわゆる「データ」信号がすべての列に同時に印加される。データ信号Ｖｃの立ち下がりエッジは行作動信号の第２のレベルの立ち下がりエッジと同期化される［２］。列のそれぞれに印加された信号Ｖｃの値および／または形状および／または長さに応じて、テクスチャＵまたはＴがこの列と作動された行との交点に対応する画素において得られる［６］。次に、後続の行がその順番になって作動され、その他の行が停止され、ディスプレイの最初の行から最後の行まで同様に続く。行の作動の終了と次の行の作動の開始との間の時間は行間時間ｔ_Lと呼ばれる。この時間は典型的に５０μｓ〜１０ｍｓである。この時間の値は、明白なスイッチングを達成するために重要であり、温度と共に実質的に変化する。いずれの場合にも、時間ｔ_Ｌ＞０である。このアドレス指定方法は「シングルステップアドレス指定」と呼ばれる。行の作動の順番（最初にｎ−１、次にｎ、その次にｎ＋１など）は走査方向４６を決定する（図３を参照のこと）。

グレイレベルの作成について記載する文献［９］は、グレイレベルを取得する３つの変形を定める（文献［９］の図２３）。第１の変形は、画素Ｐに印加される列信号Ｖｃの振幅を変化させることからなる。第２の変形は、画素Ｐに印加される列信号Ｖｃの長さを変化させることからなる。これらの２つの変形では、列信号の立ち下がりエッジは行信号の第２のレベルの立ち下がりエッジと同期化される。「位相変調」と呼ばれる第３の変形は、行作動信号の第２のレベルの立ち下がりエッジとの列信号Ｖｃの同期を変化させることからなる。

パッシブモードとアクティブモードとの間の注意すべき主要な相違点のうちの一つは、多重化パッシブモードでは、行ｐが作動されていないとき、この行ｐの各画素が、画素が属している行の作動中に印加された、この画素の列のその他の信号のデータに対応する列信号の影響を受けることである。すなわち、画素Ｐ（ｎ，ｍ）の行ｎが信号ＶＬ（ｎ）によって作動され、画素信号Ｖｐ＝ＶＬ（ｎ）−Ｖｃ（ｍ）を生成するために信号Ｖｃ（ｍ）がこの画素の列ｍへ送信されるとき、列ｍのすべての画素が同時にＶｃ（ｍ）の影響を受ける。アクティブアドレス指定の際に、行の作動中に、列信号がこの行の画素だけに印加される。非作動行のトランジスタは非導通であり、非作動行の画素は信号を受信しない。

好ましい従来の、しかし、限定されない制御方法によれば、行毎のアドレス指定の前に、すべてのラインまたはラインのグループを同時に作動することにより、集合的な方式で、所与のテクスチャにおいて、通常Ｔにおいて、スクリーンまたはスクリーンの少なくとも一部の完全なアドレス指定を達成する。行は、好ましい画像を表示するために、従来型の多重化方法によれば、次に１行ずつアドレス指定される。この「２ステップアドレス指定」は、画素のスイッチングをより効果的に制御するため、特に、グレイレベルを制御するため使用されるが、このようにして、画素が第２のステップの初めに明確な状態から開始するためである。

好ましい従来の、しかし、限定されないＢｉＮｅｍディスプレイの実施形態によれば、配向層のブラッシング方向はディスプレイの行の方向と直交し、このタイプのディスプレイは「直交ブラッシング付き」とされている。

従来技術によって作成されたＢｉＮｅｍディスプレイによって示される制限
発明者は、画素Ｐのスイッチングを行うためにフローの使用が、結果として、画素Ｐのスイッチングがアドレス指定方法の間に隣の画素に作成されたフローにも敏感であり、これらのフローが切り替えられるべき画素内で拡散するということに気付いた。隣の画素に起因するこれらのフローの交差は、画素Ｐの固有のフローと共に、画素Ｐのスイッチングを妨害する。Ｐの隣の画素は、その隣の画素のフローによって画素Ｐのスイッチングを妨害する傾向がある画素であり、そして、フロー方向１８に沿って画素Ｐのどちらかの側に位置している画素５８として定義される（図５）。ブラッシング方向４０が行に直交するとき、フロー方向１８はブラッシング方向と略平行である。フロー方向への隣の画素は、画素Ｐの列ｍ上でＰのいずれかの側に位置している画素である。

ブラッシング方向が不確定であるとき、隣の画素は、ブラッシング方向に略平行（±１０°の範囲内）であるフロー方向に従ってＰのいずれかの側に位置している画素である。

行ｎ上のすべての画素を考慮するとき、これらの画素の近傍のすべてが、ブラッシング方向がどうであっても、行ｎ−１、ｎ−２・・・の上流であり、行ｎ＋１、ｎ＋２・・・の下流である行ｎに隣接した行に位置している。したがって、（フロー方向で）行ｎに隣接した行について説明する。

近傍による妨害の一例は「エッジ効果」である。
ＢｉＮｅｍディスプレイのアドレス指定中に、一方がテクスチャＴに切り替えられるよう求める画素の２つエッジに、Ｕに切り替わるフィールドが現れる可能性がある。この不良は、図５において、Ｔに切り替わる画素で明らかである。これらの画素において、たとえば、画素Ｐで、ブラッシングに、したがって、フロー１８の方向に垂直である画素のエッジ６０は、Ｔに切り替わるのではなく、Ｕに切り替わったことがわかる。図５において、Ｔに切り替えられた画素は、明るい陰影で示され、Ｕに切り替えられた画素は暗い陰影で示されている。

長期にわたる解析の後、発明者は、これらの不良がマスタープレート２０の近くの分子の平衡状態への復帰によって作り出されたフローが画素Ｐの上流エッジおよび下流エッジで止められることによって説明されることを確認した。画素Ｐにおけるフローの上流での液体の離脱は、前方の隣接画素５８ａに低い圧力を生じさせる。液体の下流への到着は、後方の隣接画素５８ｂに付加圧力を生じさせる。これらの２つの効果は、一般に、画素Ｐのすべてにおいてフローを止める。これらの効果は、フローの原動力が停止しても、上記の画素Ｐの２つのエッジ６０で特に重要である。画素Ｐのちょうどエッジ６０で、速度は画素Ｐの中央の２分の１である。これらの条件において、画素Ｐのエッジ６０は、この画素上の信号の電圧降下とは無関係に、決してＴに切り替わることがない。

図６はこの現象を説明している。図６は、（方向１８に平行な横座標に対応する）ｘの関数として、Ｖｐ＝２０ボルトという振幅で画素Ｐに印加されたスロット型信号のスイッチオフでの降下フローのｘに応じた速度（平均速度）のｚ（プレート１１および２１に垂直である軸、図２を参照のこと）における平均を表現している。その他の信号はディスプレイに供給されない。負の速度値は、ｘと反対方向、したがって、方向１６（図２）における降下フローを示している。図６において、ｖ_Ｔは、Ｔへのスイッチングのため必要である降下フローの最低速度を表現している。図６では、方向１８に位置しているＰのエッジにおいて、降下フローの速度ｖの絶対値がｖ_Ｔ未満であることがわかる。これらのエッジは、したがって、Ｕに切り替わる。

本発明の目的は、従来技術により知られているディスプレイの具現化の間に観察された上記の欠点を解決することである。

本目的は、交差した行および列に配置された画素のマトリクスを含み、各画素のフレームを構成する２個の電極の間での電気制御信号の印加によって制御される液晶分子の状態のスイッチングがブラッシング方向に近い特有の方向にフローを生成する、液晶ディスプレイの制御の方法であって、画素の少なくとも一部のスイッチングを制御するために、スイッチングが電気制御信号によって制御されるべき画素のフロー方向における少なくとも１個の隣の画素に、制御されるべき画素のスイッチングを助けるように、電気制御信号のアクティブな立ち下がりエッジより時間的に先行して、または、同時に位置づけられた立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジを有し、かつ、アンカリング破壊電圧よりも小さい振幅を有する補助電気信号を印加するステップを含む、という事実によって特徴付けられた方法を使用して本発明との関係において達成される。

発明の別の特徴によれば、少なくとも１個の隣の画素に印加される上記補助電気信号は、上記隣りの画素に、制御されるべき画素のスイッチングを制御するために使用される上記の一般的な決定された方向と平行である補助的なフローを生じさせるように設計される。

本発明の別の有利な特徴によれば、電気制御信号のアクティブな立ち下がりエッジに対する補助電気信号の時間的シフトは、室温において０〜数十μｓの範囲であり、典型的に、０〜５０μｓであり、好ましくは、０〜１０μｓであり、極めて好ましくは、５μｓ〜１０μｓである。

本発明は上記方法を実施するため使用される液晶ディスプレイにも関する。

画素Ｐのスイッチングを制御するため、発明は、かくして、基本的に、フロー方向１８に画素Ｐの一方側、他方側、または、両側に位置している１個以上の画素（隣の画素５８）に、Ｐのスイッチングのための信号と相対的に明確な時点で補助電気信号を印加することからなる。隣の画素においてこれらの補助電気信号によって生じた分子の移動は、画素Ｐに画素Ｐのスイッチングを制御するため使用される補助フローを生じさせる。

補助信号は、行電極、列電極、または、両方の電極タイプを用いて隣の画素に送信することが可能である。

隣の画素に印加された補助電気信号は、好ましくは、しかし、限定されることなく、単極スロットまたは双極スロットの形状を有している。後でわかるように、補助電気信号が上昇すると（電圧の絶対値の増加によって特徴付けられる立ち上がりエッジ）、補助電気信号は、画素のＵへの移行を助ける強いフローを生じさせ、この立ち上がりエッジが画素信号に対して正しい時点に印加されるという条件を作動させる。補助電気信号が降下すると（電圧の絶対値の減少によって特徴付けられる立ち下がりエッジ）、補助電気信号は、弱いフローであるが、画素のＴへの移行を助けるために十分なフローを生じさせ、この場合も、この立ち下がりエッジが画素信号に対して正しい時点に印加されるという条件を作動させる。

パッシブマトリクス型ディスプレイの場合、行をアドレス指定する時点で、列信号が各列のすべての画素に印加される。直交ブラッシングの場合、列ｍの画素は、画素Ｐ（ｎ，ｍ）に対し予め定められているように、隣の画素５８である。補助信号は、その後に、時間的に正確に配置された列ｍ上の信号によって印加することが可能である。しかし、信号を作動された行の隣の行にさらに印加することによって補助信号の振幅を制御することは役に立つ可能性がある。

補助信号は、信号を隣の画素に対応する行（行ｎ−１、ｎ−２、ｎ＋１、ｎ＋２など）に印加することによって隣の画素５８に印加することも可能である。

直交ブラッシング付きのアクティブマトリクス型ディスプレイの場合、行が個別に開かれるので、補助信号はスイッチング信号とは無関係に必要な隣の行だけに供給することができるという点で、発明がパッシブアドレス指定方式より容易に実施できる。

本発明による補助電気信号を使用する１つの利点は、所与のテクスチャへの画素のスイッチングが、スイッチングされるべき画素内において所望しないテクスチャの後部が存在するという意味で完了していないときに、従来現れていたエッジ効果を除去することである。この利点は、スクリーン全体（２段階アドレス指定の第１の段階）を同時に切り替え、または、そのスクリーンの一部分のみ（部分的アドレス指定）を同時に切り替えるとき、あるいは、一度にスクリーンの単一ラインを切替えるとき（２段階または１段階アドレス指定）に現れる。

本発明のその他の特徴、目的、および、利点は、後に続く詳細な説明を読み、限定的ではない例として与えられた添付図面を参照することによってわかるであろう。

既知のＢｉＮｅｍ型の双安定ディスプレイの動作原理を示す図である。 既知のＢｉＮｅｍ型の双安定ディスプレイにおけるテクスチャＴへの移行のため使用される降下フローを示す図である。 従来型の多重化パッシブアドレス指定の原理を示す図である。 ディスプレイの２枚のガラス基板に形成された電極の既知の原理を示す図であり、いわゆる上側基板の電極をエッチングするため使用されるマスクを示す図である。 ディスプレイの２枚のガラス基板に形成された電極の既知の原理を示す図であり、いわゆる下側基板の電極をエッチングするため使用されるマスクを示す図である。 テクスチャＴへの画素のスイッチング中に従来型のディスプレイで観察されるエッジ効果（テクスチャＵ）の存在を示す図である。 画素Ｐに印加された振幅Ｖ_Ｐ＝２０ボルトのスロット信号のスイッチオフ時の降下フローの、ｘの関数としてｘに応じた速度（平均速度ｖ）のｚにおける平均を示す図である。 図８に示されたシミュレーションが行われた異なる位置１、２、３および４を示す図である。 図８に示されたシミュレーションが行われる際に印加された補助信号を示す図である。 図７ａで参照された４個の位置１、２、３および４での液晶の平均速度ｖ（ｘに応じた速度のｚにおける平均）の変動を時間の関数として示す図である。 補助スロット信号Ｖａｕｘによって画素Ｐの中央に誘起された平均速度ｖを時間の関数として示す図である。 補助スロット信号Ｖａｕｘを時間の関数として示す図である。 補助電圧の印加前に隣の画素に印加された実効電圧Ｖｒｍｓの数個の値に対して、隣の画素の中央における平均速度ｖを時間の関数として示す図である。 補助電圧を時間の関数として示す図である。 画素Ｐの行だけを介して画素Ｐに印加されたスイッチング信号Ｖｐの降下の数μｓ前に、対応する行を介して隣の画素に印加された数ボルトの小さいスロット信号の形をした補助上昇信号を示す図である。 画素Ｐの行だけを介して画素Ｐに印加されたスイッチング信号Ｖｐを示す図である。 補助フローを伴わないＴへの移行を生じさせるＶ_Ｔの最小降下までのΔＶより大きい電圧の降下に対して、Ｖｐの０までの電圧降下時にＴへの移行を阻止する、図１１に示された補助上昇信号によって生成された補助フローの振幅を示す図である。 従来メインであったスロット型信号がＴ（行ｎからｎ＋ｐ−１；図の薄い斜線部分のテクスチャＴ）に切り替えられるべきゾーンの全ての行に同時に印加するときに現れるエッジ効果を示す図である。アドレス指定されるべきゾーンの外側の行であるとき、列は基準電位である。行ｎから行ｎ＋ｐ−１の両側でアドレス指定されないゾーンは、テクスチャＵである（図の濃い斜線で示す）。 従来メインであったスロット型信号がＴ（行ｎからｎ＋ｐ−１；図の薄い斜線部分のテクスチャＴ）に切り替えられるべきゾーンの全ての行に同時に印加するときに現れるエッジ効果を示す図である。アドレス指定されるべきゾーンの外側の行であるとき、列は基準電位である。行ｎから行ｎ＋ｐ−１の両側でアドレス指定されないゾーンは、テクスチャＴである（図の薄い斜線で示す）。 Ｔに切替えられるべきゾーンのエッジにおいてＴへの経路を助けるために、アドレス指定されるべきゾーンに、隣接する行の補助信号を落とす実施形態を示す図である。より精確には、図１５において、行ｎ−１およびｎ＋ｐに印加される補助信号を１１０と表わし、Ｔへの経路のための従来の信号を１１２と表わし、Ｔへの経路のための従来の信号１１２の活性化立下がりエッジと同時に生じる補助信号１１０の立下りエッジの瞬間を１１４と表わし、アドレス指定されるべきゾーンを１００で表わし、すでにアドレス指定されかつ変更を所望しないゾーンであって、アドレス指定されるべきゾーン１００の外側に位置するゾーンを１１６で表わしている。 インターレース型電極の行を制御する「ドライバ」または２つのフィード回路を用いた、本発明に従った変形例を模式的に示している。 最終行１およびＮに隣接する接続された電極のブロックを含む、本発明に従ったディスプレイの電極の原理図。行側の電極を示す。 最終行１およびＮに隣接する接続された電極のブロックを含む、本発明に従ったディスプレイの電極の原理図。列側の電極を示す。 最終行１およびＮに隣接する接続された電極のブロックとともに、ディスプレイの行電極の延長部および列電極の延長部を含む、本発明に従ったディスプレイの電極の原理図。行側の電極を示す。 最終行１およびＮに隣接する接続された電極のブロックとともに、ディスプレイの行電極の延長部および列電極の延長部を含む、本発明に従ったディスプレイの電極の原理図。列側の電極を示す。

発明に基づいて発明者によって行われた検討が、発明の実施形態の種々の実施例を提示する前に説明される。

隣接画素から生じるフローの検討
最初にすべてが状態Ｔに設定されている画素の実施例から始めて、隣接画素から生じるフロー、すなわち、補助フローが切り替えられるべき画素に拡散する様子を第一に説明する。

ａ）距離の効果
図８は、図７ａにおいて参照されているセルの４点での液晶ｖのｘに応じた速度ｚの平均を時間の関数として示している。このフローは、図７ｂに示されているように、１ボルトの一定信号に加えられた３ボルトの段差から形成された補助信号Ｖａｕｘによって作られる。段差は厚さが１．５μｍのセルにおいて、対応する行（ｎ＋１〜ｎ＋４）によって、行ｎに位置している画素Ｐと接触している４個の隣の画素５８に同時に印加される（図７）。図８では、曲線１は、画素Ｐから十分に離れている距離、たとえば、補助信号を受信する４個の隣の画素の側で、画素Ｐの中心に対して２．５画素の距離における平均速度を与える。曲線２は、補助信号を受信する隣の画素の側に位置している画素Ｐのエッジにおける平均速度を与える。曲線３は画素Ｐの中央における平均速度を与える。曲線４は、補助信号を受信する隣の画素の反対側に位置している画素Ｐのエッジにおける液晶の平均速度を与える。図８は数値シミュレーションの結果である。

画素Ｐでは、したがって、補助信号７０の上昇（立ち上がりエッジ）の作用で隣の画素の段差によって引き起こされたｘに応じた補助段差フローが現れる。このフローは、フローがその供給源から遠ざかるにつれて減衰し、フローが生成された隣の画素から画素Ｐに拡散する。

ｂ）下降の効果
同様にして、補助信号の突然のスイッチオフ（立ち下がりエッジ）によって、補助降下フローが生成される。図９ａは、上記の４個の隣の画素に印加された補助スロット信号Ｖａｕｘによって画素Ｐの中央に生じさせられた平均速度ｖを時間の関数として示している。補助信号を形成する４ボルトのスロット信号は、図９ｂに示されているように、１ボルトの信号によって事前に上昇させられた上記の隣の画素に６４μｓに亘って印加される。

画素Ｐは、最初に、補助信号の上昇７０によって始動された（ｘに応じた）正の補助段差フロー７２の影響を受け、次に、補助信号の突然の下落８０によって始動された補助的な負立ち下がりフロー８２の影響を受ける。補助信号の除去の時点で生じさせられた速度は、段差で生じさせられた速度より絶対値が小さく、（−ｘに応じた）反対符号である。

ｃ）隣の画素の開始状態の影響
図１０ａは、図１０ｂに示された補助信号の印加前に実効電圧Ｖｒｍｓの数個の値に対する隣の画素の中央における平均速度を時間の関数として示している（曲線１：Ｖｒｍｓ＝０Ｖ、曲線２：Ｖｒｍｓ＝０．７Ｖ、曲線３：Ｖｒｍｓ＝１Ｖ、曲線４：Ｖｒｍｓ＝１．４Ｖ）。図１０ｂに示されているような補助信号は、上述のように４個の隣の画素に印加された、１０Ｖの、６４μｓの長さをもつスロット信号である。補助信号より前に印加された平均電圧Ｖｒｍｓは、分子に予備的な段差を加える。この段差はＶｒｍｓの値の関数である。

Ｖｒｍｓに依存して、隣の画素の中心での補助段差フロー７２の平均速度の振幅は変化するということがわかるが、しかし、特に、この速度の最大値の時点は実質的にシフトされることがわかる。補助段差フロー７２を効率的に使用するため、この現象を考慮すること、したがって、補助信号の上昇７０と画素Ｐのスイッチング信号との間の時間的なシフトを調節することが必要である。

補助降下フロー８２の平均速度はＶｒｍｓに左右されないことがさらにわかる。

（ｄ）補助フローの効果の方向
補助信号の立ち上がりエッジによって誘発される補助段差フローは、（ｘに応じて）正であり、したがって、（−ｘに応じて）画素Ｐにおけるマスタープレート２０の付近での降下と反対向きであり、この降下フローが単独で画素ＰのＴへの移行を生じさせるであろう。

補助信号の立ち下がりエッジによって誘発される補助降下フローは、（−ｘに応じて）負であり、したがって、画素Ｐの降下フロー３２と同じ向きであり、この降下フローが単独で画素ＰのＴへの移行を生じさせるであろう。したがって、隣の画素の補助降下フローは画素ＰのＴへの移行を助けるであろう。

ｅ）補助フローの有効性の実施例
図１２は、Ｖｐから０への降下が補助信号を用いないＴへの移行のため必要な降下Ｖ_ＴｍｉｎよりΔＶだけ大きい状態で、画素ＰのＴへの移行を阻止する補助段差フローの振幅を示している。この曲線上で、補助信号の有効性が分かる。この場合、Ｖ_Ｔｍｉｎ＝１６Ｖである。Ｖ_Ｐ＝２０Ｖに対し、ΔＶ＝４Ｖである。図１２の曲線は、Ｔへの移行を停止する０．３ｍｍ／ｓの速度を示している。図６では、２０Ｖの電圧降圧Ｖｐは−８ｍｍ／ｓのフローを作り出すことがわかった。−８ｍｍ／ｓのフローは、このようにして、０．３ｍｍ／ｓの補助フローによって対抗される。

よって、信号Ｖｐのアクティブな立ち下がりエッジより（室温において０もしくは数μｓから数十μｓの差、および、低温において数十μｓから数百μｓの差で）前に設けられた補助信号の立ち上がりエッジは、Ｔへの移行を阻止し、したがって、テクスチャＵを得るために使用される。Ｖｐのアクティブな立ち下がりエッジは、この場合、テクスチャＴを得るために十分な降下フロー３２を生成することが意図されている立ち下がりエッジである。

一般に、（テクスチャを選択することが意図されている）信号Ｖｐのアクティブな立ち下がりエッジに対する補助信号の立ち上がりまたは立ち下がりエッジの時点の調節は、画素Ｐの全体に亘る最終的なテクスチャの制御を可能にする。

最初に、すべての画素が状態Ｕにあるとき、同じタイプの現象が存在するが、説明を複雑化しないようにここでは詳細に記載されていない。

本発明は多くの利点を提供する。何ら限定的ではないが、次の利点を特に挙げることができる。

行の連続した組の２ステップのパッシブアドレス指定（スクリーンの１エリアのアドレス指定または部分的アドレス指定）における第１のステップの間に、本発明は、ゾーンの（Ｔへの）スイッチング中にエッジ効果を除去することを可能とする。本発明の変形例は、スクリーンの終端行のエッジ効果を取り除くために活性化された「エッジ」を使用する。

発明の実施形態の実施例：行の連続した組のＴへの切替えの間におけるエッジ効果の除去
部分的かつパッシブなアドレス指定の場合
本発明のこの第１の実施形態は、従来のディスプレイでは見えていたエッジ効果を除去するために用いられ、図１３および１４に図示されている。

図１３および１４において、我々は次の参照符号を用いている。
１８は、降下フローの方向（ここでは、ブラッシング方向と平行）である。
６０は、エッジ効果を示す。
１００は、テクスチャＴへ移行されるゾーンを示す。
任意ではあるが、ｎおよびｎ＋ｐ−１はこのゾーン１００の終端行である。
それぞれ、図１３において１０２は、ゾーン１００の外側に位置づけられアドレス指定されていないテクスチャＵのゾーンを示し、図１４において１０４は、ゾーン１００の外側に位置づけられアドレス指定されていないテクスチャＴのゾーンを示す。

本発明が使用されない場合、上述のエッジの欠点６０が、集団的にＴへ切り替わるｎからｎ＋ｐ−１までのｐ本の行のゾーン１００における最初の行と最後の行の外側エッジに現れる（先行技術のエッジ効果に関する前出のパラグラフを参照）。この推論は、単一の行がＴへ切り替わるという意味では、Ｐ＝１でも有効である。ブラッシング方向４０は、行に対して垂直（直交ブラッシング）である。

Ｐ本の行のＴへの集団的切り替えは、例えば、他の行１０２、１０４の内容を変更しないまま、スクリーンのｐ本の行からなりアドレス指定したい所与のゾーン１００を２段階アドレス指定（部分アドレス指定）する間における第１のステップとして用いられる。

図１３および１４の場合、従来のメインであるスロット型信号（例としてここでは挙げるが限定しない）は、Ｔへ切替えられるゾーン１００の全ての行に同時に印加される。列は、アドレス指定されるゾーン１００の外側の行である場合に、基準電位である。エッジ効果６０は、スイッチングゾーン１００に対して１８の方向に隣接しアドレス指定されない画素１０２、１０４のテクスチャ（図１３のＵまたは図１４のＴ）にどうしても現れてしまうことが分かる。

行ｎと行ｎ＋ｐ−１のすべてにおけるエッジ効果６０を除去するために、本発明によれば、アクティブ降下エッジＶｐに関して正確に位置づけられた補助信号を、切替えられるゾーン１００の外側において、前述したフロー方向に行ｎおよび行ｎ＋ｐ−１と隣り合う行（例えば、ｎ−１およびｎ＋ｐ）に印加しなければならないだけである。

また、これらの行の揺動を最小化するために、好ましくは切り替え信号線に対して反対極性の補助信号を全ての列に同時に印加することによって、列を介して補助信号を印加することもできる。

前述したように、それはＴへの遷移を助ける降下補助信号である。この補助信号は、振幅が破壊電圧未満であり、かつ、立下りエッジが、例えば、任意の温度において（この値は実質的に温度で変化する）、切替えられるべきゾーン１００に印加される従来のスロット信号の立下りエッジ（ここではアクティブエッジである）に対して１０μｓ以内だけ先行してあるいは同時に生じるスロット信号であってもよい（図１５参照）。補助信号は、隣の行を切替える原因とはならず、従って、これらの行に表示される情報を干渉しない。しかしながら、隣の行の分子の動作によって、Ｔへ切替えられるゾーン１００に誘発される降下フローは、切り替えを助け、かつ、ゾーンエッジにおいてＴへの切り替えを引き起こすのには充分である。

第２のアドレス指定段階は、行ｎからｎ＋ｐ−１まで活性化することによって従来の方式で行ごとに実行される。行の活性化時間の間に、信号は、列に同時に印加され、それにより、活性化行の各画素に対して、ＴからＵ、あるは、ＴからＴ、あるいは、事実上ＴからＴとＵとの共存状態（グレイレベル）への移行を得られる。

次に、図１５ｂｉｓに関して、インタレース化された電極行を制御する２個の回路または「ドライバ」Ｄ１およびＤ２を利用する本発明に従った実施形態の変形例を記述する。

行ｎと行ｎ＋ｐ−１との間のゾーンの部分的アドレス指定を実行するために、上述の方法の実施形態は、第１の段階の間に、最初にこれらの行のＴへの切り替えを達成するために行ｎからｎ＋ｐ−１に高電圧を同時に印加し、次に、隣の行ｎ−１およびｎ＋ｐに記録された情報を変更しないように、隣の行ｎ−１およびｎ＋ｐに低電圧を同時に印加することを要する。

しかしながら、これは、市販されている標準的なドライバでは不可能であり、コストを理由として、最初にＳＴＮモードを作り出し、そして、双安定ディスプレイとして利用することが望まれる。これらのドライバは、実際には次のように機能する。即ち、それらは、行活性化電圧としての２タイプのみの電圧（＋Ｖまたは−Ｖ）、および、非活性化行に印加するＶｍしか同時に伝達できない。従って、低電圧のこのケースの場合、これらの標準的なドライバでは、活性化信号１１２および異なる補助信号１１０を同時に印加することはできない。

この困難を回避するために、本願発明の発明者は、本願発明の文面において、図１５ｂｉｓに図示されているように、行電極と連携して、特定のアドレス指定方法と関連するインタレース化された行に対してアドレス指定をもたらすように構成された少なくとも２つの標準的ドライバＤ１およびＤ２を用いることを提案する。ここで、ディスプレイの電極の設計において、所与のパリティ（偶数または奇数）の行は一方のドライバＤ１に接続され、他方のパリティの行は他方のドライバＤ２に接続され、図１５ｂｉｓに示されているように、例えば、Ｄ１に関してディスプレイゾーンの反対側に位置づけられる。このように、２つの隣接する行ｎおよびｎ＋１は、同じドライバには接続されていないが、２つの異なるドライバに接続されている。

アドレス指定方向について、第１の段階Ｅ１（例えば、行ｎからｎ＋ｐ−１までの集団的なテクスチャＴへの切り替え）は、２つのサブステップＥ’１およびＥ”１に分けられる。

− Ｅ’１の間、Ｔへの移行のための信号１１２（Ｖ１または−Ｖ１）を、ドライバＤ１へ行ｎ、ｎ＋２、...ｎ＋ｐ−１（ｎおよびｎ＋ｐ−１はここでは同じパリティを有する必要がある）で同時に送り、ドライバＤ１に接続された他の行はＶｍを受け取り、ドライバＤ２へはＴへの移行のための信号１１２（Ｖ１または−Ｖ１）を行ｎ＋１、ｎ＋３、...ｎ＋ｐ−２で同時に送り、ドライバＤ２に接続された他の行はＶｍを受け取る。このように、上述のようにエッジ効果を有するテクスチャＴにおいて、ｎとｎ＋ｐ−１との間のゾーンを得ることができる。

− そして次に、第２のサブステップＥ”１において、Ｔへの移行のための信号１１２（Ｖ１または−Ｖ１）は、ドライバＤ１を介して終端行ｎおよびｎ＋ｐ−１に印加され、ドライバＤ１に接続された他の行はＶｍを受け取り、ドライバＤ２を介してｎの隣の行（ｎ−１および／またはｎ＋１）およびｎ＋ｐ−１の隣の行（ｎ＋ｐ−２および／またはｎ＋ｐ）に補助信号１１０（Ｖａｕｘまたは−Ｖａｕｘ）を同時に印加し、ドライバＤ２に接続された他の行はＶｍを受け取り、そして、これらは、前述した原理に従ったエッジ効果を取り除くためのものである。

この方法では、２つの標準的なドライバＤ１およびＤ２を用いて、適切な行へＶ１およびＶａｕｘを同時に印加する。本発明の変形は、標準的かつ経済的なドライバを用いて最適な実施形態を可能にする。

スクリーンのパッシブかつ完全なアドレス指定の場合
前述のパラグラフに記載されたように２段階アドレス指定の間に（しかし、今度はスクリーンの全体（行１からＮ）を指定）、前述したエッジ効果６０は終端行１およびＮにおいて当然見えている。

この欠点を克服するために、異なる解決手段を着想できる。

第１のオプションは、「エッジ」ゾーンを構成するいくつかの終端行を「犠牲にする」ことであり、それらの行には補助信号が印加され、画像コンテンツを表示させるためには用いられない。そして、エッジ効果６０はエッジゾーンの端において排除され、ディスプレイを内蔵する製品の部分によってマスキングされ得る。

双安定スクリーンでは、アドレス指定されたゾーンの外側のテクスチャを制御することは困難である。そのディスプレイゾーンの全周辺に制御されたテクスチャを有するゾーンを形成するために、行に加えて、ディスプレイゾーンの両側のスクリーンのいくつかの列を「犠牲」にすることもできる。ディスプレイで有効な行および列の数は低減するが、画像は同一色の均一なゾーンによってエッジングされる。

第２のオプションは、もし、画像を表示するために全ての行および列を維持したい場合、接続電極のブロックを追加することによって、ブラッシング方向１８に垂直な終端行（行１およびＮ）に隣接するゾーンをアドレス指定可能にすることである。これらの「エッジ」ブロックは、マトリクスゾーンの行および列と同様に、ドライバへの接続あるいは外部電圧源への接続をもたらす経路によって続いている。ディスプレイゾーンのアドレス指定の間、部分アドレス指定について記載したように、上記端部の周辺行のアドレス指定に同期して、対応する経路を介して「エッジ」ブロックへ補助信号を印加することのみ必要とする。「エッジ」ブロックによって生成される降下フローは、もし、補助信号が印加されない場合、結果的に、エッジ効果の現れやすい端部ディスプレイゾーンのＴへの切替えとなる。エッジ効果は「エッジ」ブロックの終端で排除され、ディスプレイを内蔵する製品の部分によってマスキングされる。

これらの２つのオプションについて、例えば、工場の製造ラインから出るときに限り、例えば、テクスチャＴのような所与のテクスチャにエッジゾーンを移行させておくことが考えられる。従って、補助信号は、アンカリングを破壊せず、かつ、エッジゾーンがＴへ再移行する原因にならないような低い振幅の信号である。

上述の２つのオプションにおいて、スクリーンの周辺の均一なフレームを得られる。ディスプレイの電極の構造に関して、これらのブロックは、異なる手法で作成され得る。

第１の手法は、図１６に図示され非限定の実施例を構成するが、行５２が位置づけられた基板上に、より正確には各終端行５２の外側のそれぞれに、「ベタ（solid）」ブロック１３０、１３２を形成すること（図１６ａ）（ここで、これらのブロック１３０、１３２の各々はそれと隣接する終端行として機能する）、および、他方の基板上には、第１の基板に関連して、上記ブロック１３０、１３２に関して位置づけられたエクステンション１４４、１４６によって、その２つの端の各々において、マトリクスゾーンの列電極５０のストライプの各々を延伸させることである（図１６ｂ）。ブロック１３０、１３２は、ドライバに接続するためにマトリクスゾーン５７のこれらに対応する経路５６と一緒の経路１３１、１３３によって延長している。ブロック１４４、１４６は、それら自体が列電極５０に接続され、従って、経路５４によって制御される。また、ディスプレイ５７の端部周辺行のアドレス指定と同期して、これらの経路１３１、１３３を介して、「エッジ」ブロック「１３０、１３３」へ補助信号を送信することのみ必要とし、そして、これらの行のエッジ効果は消える。

前述のようにテクスチャが制御され得る完全フレームを得るために、図１７に示すように前出の電極構造をマトリクスゾーン５７の周辺全体へ延伸させることが可能である。各構造（図１７ａおよび１７ｂ）に、経路１３１、１３３および１４１、１４３に接続されたベタブロック１３０、１３２および１４０、１４２が付加され、電極ストライプ５２および５０は、上記ブロック１３０、１３２および１４０、１４２に関してそれぞれ位置づけられたエクステンション１３４、１３６および１４４、１４６の形態で延長され、アドレス指定原理はそのまま維持される。

当然ながら、本発明は、上述されたとおりの実施形態に限定されることはなく、本発明の精神に従うあらゆる変形にまで及ぶ。

上述されたインターレース型行アドレス指定方法は発明の精神に従う全ての変形と両立し得ることに特に注意すべきである。

本発明に関して説明された信号のすべてに対して、行信号および列信号は、たとえば、文献［６］に記載されているように単極または双極のいずれでもよい。基準電圧は必ずしも０ボルトと等しくなくてもよく、ある種のスクリーンドライバは仮想的なアースと連動することがある。

前述の実施例は、所与の列の画素に印加された列信号ではなく異なる行に依存するので、より大きな自由度を伴って、本発明はアクティブアドレス指定に適用可能である。

文献一覧
文献［１］：米国特許第６３２７０１７号
文献［２］：Ｉ．Ｄｏｚｏｖ ｅｔ ａｌ， “Ｒｅｃｅｎｔ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｓ ｏｆ ｂｉｓｔａｂｌｅ ｎｅｍａｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙｓ ｓｗｉｔｃｈｅｄ ｂｙ ａｎｃｈｏｒｉｎｇ ｂｒｅａｋｉｎｇ （ＢｉＮｅｍ）”， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ＳＩＤ ２００１， ｐ２２４−２２７
文献［３］：Ｐ． Ｍａｒｔｉｎｏｔ Ｌａｇａｒｄｅ ｅｔ ａｌ， ＳＰＩＥ ｖｏｌ． ５００３(２００３), ｐ２５−３４
文献［４］：Ｍ． Ｇｉｏｃｏｎｄｏ， Ｉ． Ｌｅｌｉｄｉｓ， Ｉ． Ｄｏｚｏｖ， Ｇ． Ｄｕｒａｎｄ， Ｅｕｒ． Ｐｈｙｓ． Ｊ．ＡＰ５， ２２７（１９９９）
文献［５］：Ｉ． Ｄｏｚｏｖ， Ｐｈ． Ｍａｒｔｉｎｏｔ−Ｌａｇａｒｄｅ， Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｅ．， ５８， ７４４２（１９９８）
文献［６］：仏国特許第２８３５６４４号
文献［７］：米国特許出願公開第２００６−００２２９１９号明細書
文献［８］：米国特許第７０６７１８０号
文献［９］：国際公開第２００４／１０４９８０号パンフレット

Claims (24)

1. 交差した行と列とに配置された画素のマトリクスを含み、各画素のフレームを構成する２個の電極（５０，５２）の間での電気信号の印加によって制御される液晶分子の状態のスイッチングがブラッシング方向に近い特有の方向（１８）にフローを生成し、分子同士が実質的に平行である一様または僅かにねじれている状態（Ｕ）および±１８０°〜±１５°の範囲内のねじれによって前記一様の状態と異なる状態（Ｔ）の２つの安定状態を有する、双安定ネマティック液晶ディスプレイの制御の方法であって、
   少なくともいくつかの前記画素（Ｐ）の状態のスイッチングを制御するために、スイッチングが電気制御信号によって制御されるべき前記画素（Ｐ）のフロー方向における少なくとも１個の隣の画素（５８）に、補助電気信号を印加するステップを具備し、
   前記補助電気信号の振幅はアンカーリング破壊電圧未満であり、前記補助電気信号の立ち下がりエッジは、前記画素（Ｐ）の前記電気制御信号の立ち下がりエッジに対して時間的に先行するか、または、前記電気制御信号の立ち下がりエッジと同時であり、それにより、制御されるべき前記画素（Ｐ）のスイッチングを助ける、方法。
2. 少なくとも１個の隣の画素（５８）に印加される前記補助電気信号が、前記隣の画素に、前記方向に平行である補助フローを生じさせ、制御されるべき前記画素（Ｐ）のスイッチングを制御することを可能にするように設計されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記補助電気信号が複数個の隣の画素（５８）に同時に印加されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
4. 少なくとも１個の隣の画素（５８）に印加される前記補助電気信号は、前記隣の画素の２個の電極の間に印加され、並びに、行電極と列電極との間に印加される電圧により形成される信号であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 少なくとも１個の隣の画素（５８）に印加される前記補助電気信号が単極信号であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 少なくとも１個の隣の画素（５８）に印加される前記補助電気信号が双極信号であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記画素（Ｐ）の一様または僅かにツイステッド状態（Ｕ）へのスイッチングを助けるため、前記補助電気信号の立ち下がりエッジが前記電気制御信号の前記立ち下がりエッジより時間的に先行して設けられることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記画素（Ｐ）のツイステッド状態（Ｔ）へのスイッチングを助けるため、前記補助電気信号の立ち上がりエッジが前記電気制御信号の前記立ち下がりエッジと時間的に同時にまたは時間的に先行して設けられることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記ディスプレイの基板（１０，２０）の前記ブラッシング方向（４０）が行電極（５２）に垂直であり、前記補助電気信号が、前記列電極（５０）に印加され、前記電気制御信号の前記立ち下がりエッジに対して時間的に先行するように設けられる信号を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記補助電気信号が制御されるべき前記画素（Ｐ）に隣接した少なくとも１個の行電極（５２）に印加される信号を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記電気制御信号の前記立ち下がりエッジに対する前記補助電気信号のエッジの時間的なシフトが室温で０と数十μｓとの間にあることを特徴とする、請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載の方法。
12. 少なくとも１つのディスプレイの行を、選択された状態への、ツイステッド状態（Ｔ）への切り替えを制御するために、前記補助電気信号は、振幅がアンカーリング破壊電圧未満であり、立下りエッジが前記電気制御信号の立ち下がりエッジに対して時間的に先行するか、または、それと同時であり、少なくとも１つの隣の行に印加される信号であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 少なくとも１つのディスプレイの行を、選択された状態への、ツイステッド状態（Ｔ）への切り替えを制御するために、前記補助電気信号は、振幅がアンカーリング破壊電圧未満であり、立下りエッジが前記電気制御信号の立ち下がりエッジに対して時間的に先行するか、または、それと同時であり、複数の隣の行に印加される信号であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. ディスプレイの複数行を、選択された状態への、ツイステッド状態（Ｔ）への切り替えを制御するために、前記補助電気信号は、振幅がアンカーリング破壊電圧未満であり、立下りエッジが前記電気制御信号の立ち下がりエッジに対して時間的に先行するか、または、それと同時であり、少なくとも１つの隣の行に印加される信号であることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記方法がアクティブアドレス指定を用いてディスプレイに適用されることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. ２本の隣接行ｎとｎ＋１とが２個の別々のドライバに接続されるように、インターレース型行電極（ｎ，ｎ＋２，．．．ｎ＋ｐ−１；ｎ＋１，ｎ＋３，．．．ｎ＋ｐ−２）に交互に接続された２個の制御回路またはドライバ（Ｄ１，Ｄ２）を用いることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 少なくともある特定の動作シーケンスの間に、最初に作動信号をある特定の行に同時に印加し、次に補助電気信号をある特定のその他の行に同時に印加するため、前記２個のドライバ（Ｄ１，Ｄ２）が用いられることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
18. 所与のテクスチャ（Ｔ）へ行（ｎからｎ＋ｐ−１）を集団的に切替え、２つのサブステップ（Ｅ’１、Ｅ”１）にわけられたステップ（Ｅ１）を含むアドレス指定方法を備え、
    第１のサブステップ（Ｅ’１）の間に、第１のドライバ（Ｄ１）は、前記集団的な切替えを必要とし該第１のドライバ（Ｄ１）に接続された複数の行（ｎ、ｎ＋２、... ｎ＋ｐ−１）に、前記テクスチャ（Ｔ）への移行のために信号（１１２）を同時に送信し、かつ、前記第１のドライバ（Ｄ１）に接続された他の行に信号Ｖｍを同時に送信し、一方、前記第２のドライバ（Ｄ２）は、前記集団的な切替えを必要とし該第２のドライバ（Ｄ２）に接続された複数の行（ｎ＋１、ｎ＋３、... ｎ＋ｐ−２）に、前記テクスチャ（Ｔ）への移行のために信号（１１２）を同時に送信し、前記第２のドライバ（Ｄ２）に接続された他の行に信号Ｖｍを同時に送信し、
    次に、第２のサブステップ（Ｅ”１）において、第１のドライバ（Ｄ１）は、前記集団的な切替え（ｎおよびｎ＋ｐ−１）によって関連し該ドライバに接続された終端行に、前記テクスチャ（Ｔ）への移行のために信号（１１２）を同時に送信し、かつ、前記第１のドライバ（Ｄ１）に接続された他の行に信号Ｖｍを同時に送信し、一方、前記第２のドライバ（Ｄ２）は、前記集団的な切替え（ｎおよびｎ＋ｐ−１）によって関連する前記終端行の隣の行（ｎ−１、および／またはｎ＋１；ｎ＋ｐ−２および／またはｎ＋ｐ）に、補助電気信号（１１０）を同時に送信し、前記第２のドライバ（Ｄ２）に接続された他の行に信号Ｖｍを同時に送信する、ことを特徴とする請求項１６または１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 少なくともある特定の動作シーケンスの間に、時間的に重なり合う電気制御信号をそれぞれの行に印加するため、前記２個のドライバ（Ｄ１，Ｄ２）が用いられることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
20. 交差した行と列とに配置された画素のマトリクスを含み、各画素のフレームを構成する２個の電極（５０，５２）の間での電気制御信号の印加によって制御される液晶分子の状態のスイッチングが特定の方向（１８）にフローを生成し、分子同士が実質的に平行である一様または僅かにねじれている状態（Ｕ）および±１８０°〜±１５°の範囲内のねじれによって前記一様の状態と異なる状態（Ｔ）の２つの安定状態を有する、双安定ネマティック液晶ディスプレイであって、
    少なくともいくつかの前記画素（Ｐ）の状態のスイッチング制御のために、スイッチングが電気制御信号によって制御されるべき画素（Ｐ）のフロー方向における少なくとも１個の隣の画素（５８）に補助電気信号を印加する手段を備え、
    前記補助電気信号の振幅はアンカーリング破壊電圧未満であり、前記補助電気信号の立ち下がりエッジは、前記画素（Ｐ）の前記電気制御信号の立ち下がりエッジより先行するか、または、前記電気制御信号の立ち下がりエッジと同時である補助電気信号を印加し、それにより、制御されるべき前記画素（Ｐ）のスイッチングを助けることを特徴とする双安定ネマティック液晶ディスプレイ。
21. 約１８０°のねじれによって異なる２つの安定したテクスチャ（Ｕ，Ｔ）をもつ双安定ネマティック液晶ディスプレイを構成することを特徴とする、請求項２０に記載のディスプレイ。
22. 前記ディスプレイの表示領域の外側に位置する行電極および／または列電極、および／または、エッジブロックを含むことを特徴とする請求項２０または２１に記載のディスプレイ。
23. 前記ディスプレイの表示領域の外側に位置する行電極および／または列電極、および／または、エッジブロックを含み、前記行電極および／または前記列電極、および／または、前記エッジブロックの状態は製造中に決定されることを特徴とする請求項２０から２２のいずれか一項に記載のディスプレイ。
24. 前記ディスプレイの表示領域の外側に位置する行電極および／または列電極、および／または、エッジブロックを含み、前記行電極および／または前記列電極、および／または、前記エッジブロックの状態は、２段階アドレス指定方法の第１の段階の間に印加される前記補助電気信号によって制御されることを特徴とする請求項２０から２２のいずれか一項に記載のディスプレイ。

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