JP5439640B2 - アルカリ現像可能なネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 - Google Patents

アルカリ現像可能なネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体や配線基板の絶縁膜等に用いる場合にメタル腐蝕の問題を回避できる、アルカリ現像可能なネガ型感光性樹脂組成物、並びに硬化レリーフパターンの製造方法及びそのパターンを有する半導体装置に関する。
実装材料用感光性耐熱材料としては、従来、溶剤現像できるネガ型の感光性ポリイミドがよく知られている(非特許文献1参照)。一方、近年アルカリ水溶液で現像可能な感光性ポリベンゾオキサゾールも広く使用されている。感光性ポリイミドや感光性ポリベンゾオキサゾールは半導体の保護膜や配線の層間絶縁膜として広く利用されている(非特許文献2参照)。
感光性ポリベンゾオキサゾールの1つとして、ポリ(o−ヒドロキシアミド)、光酸発生剤、及び架橋性化合物もしくは溶解抑止剤の混合物が提案されている(非特許文献3,4)。しかしこの混合物を用いて形成されたパターンには光酸発生剤が残存し、熱硬化によってポリマーを耐熱性のあるポリベンゾオキサゾール(以下、PBOとも称する)骨格に変換する工程において酸が発生する可能性がある。一般的に、表面保護膜や層間絶縁膜は銅、アルミニウム等の金属と接するため、上記酸により信頼性試験又は使用中の金属の腐蝕において問題が発生すると考えられる。
一方、特許文献1には、ポリオキサゾール前駆体と光塩基発生剤としてのアミンイミドからなる感光性樹脂組成物が開示されている。この組成物においては、アミンイミド化合物に活性光線が照射されることによりポリオキサゾールの閉環反応が低温で起きる。
特開2004−77552号公報
上田,「感光性ポリイミド」,日本写真学会誌,日本写真学会,2003年06巻,4号,p367−375 池田,水野,「初歩から学ぶ感光性樹脂」,工業調査会,2002年4月10日,p125−142 K.Fukukawa,and M.Ueda,Polym.J,2006,38,p405 K.Fukukawa,Y.Shibasaki,and M.Ueda,Polym.J,2004,36,p489
本発明は、リソグラフィー性能を有し、熱硬化時に酸を発生することがなく、メタル腐蝕の問題を回避できるネガ型感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
本発明者は、ポリヒドロキシアミドとビニルスルホン化合物との混合物に、活性化学線照射により塩基を発生する化合物を組み合わせ、露光により架橋反応をさせることによって、上記の課題を解決するネガ型感光性樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、以下の通りである。
[1](A)下記一般式(I):
Figure 0005439640
[式中、X1は2個以上の炭素原子を有する4価の有機基であり、X2、Y1、及びY2はそれぞれ独立に2個以上の炭素原子を有する2価の有機基であり、mは2〜200の整数であり、nは0〜200の整数であって、m/(m+n)>0.5である。なお、X1及びY1を含むm個のジヒドロキシジアミド単位、並びにX2及びY2を含むn個のジアミド単位の配列順序は問わない。]
で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミド:100質量部、
(B)下記一般式(II):
Figure 0005439640
[式中、Z1は炭素数1〜12の脂肪族基、又は炭素数5〜10の脂環式基であり、pは0又は1である。]
で表される化合物及び一般式(III):
Figure 0005439640
[式中、Z2は炭素数1〜6のアルキル基、又は−(CH2r−SO2−CH=CH2で表される基であり、rは1〜6の整数である。]
で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含むビニルスルホン化合物:2〜30質量部、並びに
(C)光塩基発生剤:3〜30質量部、
を含むネガ型感光性樹脂組成物。
[2]上記(B)ビニルスルホン化合物として、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、かつZ1が下記一般式(IV):
Figure 0005439640
[式中、qは1〜15の整数である。]
で表される基である化合物を含む、上記[1]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[3]上記(C)光塩基発生剤が、活性光線の照射によりα位に少なくとも1つの置換基を有する2級アミンを発生する化合物である、上記[1]又は[2]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[4]上記2級アミンが、環状構造を有する化合物である、上記[3]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[5]上記2級アミンが、下記一般式(V):
Figure 0005439640
[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環基を表し(ただし、R1、R2、R3及びR4のうちの少なくとも1つは水素原子ではない)、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表す。]
で表される化合物である、上記[3]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[6]上記(C)光塩基発生剤が、下記一般式(VI):
Figure 0005439640
[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環基を表し(ただし、R1、R2、R3及びR4のうちの少なくとも1つは水素原子ではない)、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8シクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表し、R7は置換基を有していてもよいニトロフェニル基を示し、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
で表される化合物である、上記[1]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[7]上記一般式(VI)で表される化合物が、下記一般式(VII):
Figure 0005439640
[式中、R10は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、隣接するR10同士が互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は隣接するR10同士が互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表し、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表し(ただし、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子である)、sは0〜4の整数であり、R1〜R6は上記一般式(VI)におけるR1〜R6と同意義である。]
で表される化合物である、上記[6]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[8]上記一般式(VI)で表される化合物が、下記一般式(VIII):
Figure 0005439640
[式中、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表し(ただし、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子である)、R11及びR12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基又はR11及びR12が連結したO−CH2−CH2−O−若しくは−O−CH2−O−を表し、tは0、1又は2であり、R1〜R4は上記一般式(VI)におけるR1〜R4と同意義である。]
で表される化合物である、上記[6]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[9]上記一般式(VIII)で表される化合物において、R1、R2、R3、R4及びR8がメチル基であり、R9が水素原子である、上記[8]に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[10]上記[1]〜[9]のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物を溶媒に溶解してなるネガ型感光性樹脂組成物溶液であって、該溶媒の含有量は(A)ポリヒドロキシアミド100質量部に対し、100〜1000質量部である感光性樹脂組成物溶液。
[11](1)上記[1]〜[9]のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物又は上記[10]に記載のネガ型感光性樹脂組成物溶液を用いて、ネガ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を基板上に形成する感光性樹脂層形成工程、
(2)マスクを介して感光性樹脂層を活性光線で露光する露光工程、
(3)140〜200℃で感光性樹脂層を加熱する加熱工程、
(4)感光性樹脂層の未露光部をアルカリ性水溶液で溶出させ又は除去することによってレリーフパターンを形成する現像工程、及び
(5)得られたレリーフパターンを加熱処理する熱硬化工程
を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。
[12]上記[11]に記載の製造方法により得られる硬化レリーフパターンを有する半導体装置。
本発明によれば、露光現像後、例えば耐熱性を有するポリベンズオキサゾール骨格を有する硬化レリーフパターンを形成する際に酸を発生させないため、レリーフパターンの下地となる金属が腐蝕するという問題を回避できるネガ型感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置を提供することができる。
参考例8の光塩基発生剤を含むポリスチレンフィルムを露光した場合の推定分解率(Estimated cleavage percentage)を露光量(i―line Exposure dose)に対してプロットした図である。 参考例8の光塩基発生剤を含むポリスチレンフィルムを露光した場合の推定分解率(Estimated cleavage percentage)を露光量(i―line Exposure dose)に対してプロットした図である。 実施例1のネガ型感光性樹脂組成物塗膜の120秒間のPEBを行った後の膜の溶解速度(Dissolution rate)をPEBの温度(PEB temperature)に対してプロットした図である。図中、白四角は露光しなかった膜、黒四角はi線で300mJ/cm2の露光を行った膜に関するデータを示す。 実施例1のネガ型感光性樹脂組成物塗膜のPEBを170℃で行い、未露光部がちょうど除去できるまで現像をした場合のPEBの時間(PEB time)に対して膜の溶解速度(Dissolution rate)をプロットした図である。白四角は露光しなかった膜、黒四角はi線で300mJ/cm2の露光を行った膜に関するデータを示す。 実施例1のネガ型感光性樹脂組成物塗膜を種々の露光量で露光し170℃でのPEBを120秒間行い、現像を120秒に固定した場合の露光量(Exposure dose)に対して規格化膜厚(Normalized film thickness) をプロットした図である。 実施例4及び比較例2で調製したPBOフィルムの弾性率(Modulus)を温度に対してプロットしたグラフである。図中、E’とは貯蔵弾性率、E”とは損失弾性率であり、PSPBOとは実施例4で調製したフィルム、PBOとは比較例2で調製したフィルムに関するデータを示す。
<ネガ型感光性樹脂組成物>
本発明は、
(A)下記一般式(I):
Figure 0005439640
[式中、X1は2個以上の炭素原子を有する4価の有機基であり、X2、Y1、及びY2はそれぞれ独立に2個以上の炭素原子を有する2価の有機基であり、mは2〜200の整数であり、nは0〜200の整数であって、m/(m+n)>0.5である。なお、X1及びY1を含むm個のジヒドロキシジアミド単位、並びにX2及びY2を含むn個のジアミド単位の配列順序は問わない。]
で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミド:100質量部、
(B)下記一般式(II):
Figure 0005439640
[式中、Z1は炭素数1〜12の脂肪族基、又は炭素数5〜10の脂環式基であり、pは0又は1である。]
で表される化合物及び一般式(III):
Figure 0005439640
[式中、Z2は炭素数1〜6のアルキル基、又は−(CH2r−SO2−CH=CH2で表される基であり、rは1〜6の整数である。]
で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含むビニルスルホン化合物:2〜30質量部、並びに
(C)光塩基発生剤:3〜30質量部、
を含むネガ型感光性樹脂組成物を提供する。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、露光により生じた塩基が触媒となり、ポリヒドロキシアミドのヒドロキシ基がビニルスルホン化合物とマイケル付加反応するとともに架橋し、アルカリ現像液に対する溶解性を低下させるという原理によって、良好なリソグラフィー性能が得られる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物を構成する各成分について、以下具体的に説明する。
(A)ポリヒドロキシアミド
ネガ型感光性樹脂組成物のベースポリマーであるポリヒドロキシアミドは、下記一般式(I):
Figure 0005439640
[式中、X1は2個以上の炭素原子を有する4価の有機基であり、X2、Y1、及びY2はそれぞれ独立に2個以上の炭素原子を有する2価の有機基であり、mは2〜200の整数であり、nは0〜200の整数であって、m/(m+n)>0.5である。なお、X1及びY1を含むm個のジヒドロキシジアミド単位、並びにX2及びY2を含むn個のジアミド単位の配列順序は問わない。]
で表される繰り返し単位を有する。
熱硬化によりポリベンゾオキサゾールとしたときの膜(以下、単に「PBO膜」ということがある)の耐熱性の観点から、X1は、2個以上30個以下の炭素原子を有する4価の有機基であることが好ましい。また、PBO膜の耐熱性の観点から、X2、Y1、及びY2はそれぞれ独立に2個以上30個以下の炭素原子を有する2価の有機基であることが好ましい。
上記一般式(I)におけるジヒドロキシジアミド単位について説明する。該ジヒドロキシジアミド単位は、Y1(COOH)2の構造を有するジカルボン酸及びX1(NH22(OH)2の構造を有するジアミン(例えばビスアミノフェノール)を重縮合させた構造を有する。該ビスアミノフェノールの2組のアミノ基とヒドロキシ基はそれぞれ互いにオルト位にあるものであり、該ポリヒドロキシアミドは約200〜400℃に加熱されることによって閉環して、耐熱性樹脂であるポリベンゾオキサゾールに変化する。
上記一般式(I)中のmは、PBO膜の機械特性の観点から、2〜200の範囲であり、2〜100の範囲が好ましく、3〜50の範囲が最も好ましい。
上記一般式(I)で表されるポリヒドロキシアミドは、ジアミド単位n個を有する構造であるが、n=0であってもよい。該ジアミド単位を有する場合には、ジアミド単位は、X2(NH22の構造を有するジアミン及びY2(COOH)2の構造を有するジカルボン酸を重縮合させた構造を有する。PBO膜の機械特性の観点から、nは1〜200の範囲が好ましく、1〜100の範囲がより好ましく、1〜50の範囲が最も好ましい。
ポリヒドロキシアミド構造中における上記のジヒドロキシジアミド単位の割合が高いほど、現像液として使用するアルカリ性水溶液への溶解性が向上するので、本発明において、m/(m+n)の値は0.5超であり、0.7以上であることがより好ましく、0.8以上であることが最も好ましい。
1(NH22(OH)2の構造を有するジアミンとしては、例えばビスアミノフェノール類として、3,3’−ジヒドロキシベンジジン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−2,4−ジヒドロキシベンゼン、及び1,3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼン、が挙げられる。これらのビスアミノフェノール類は単独あるいは2種以上を混合して使用してもよい。
これらのX1(NH22(OH)2の構造を有するジアミン、特にビスアミノフェノールのうち、入手のしやすさの観点から特に好ましいのは、X1が下記から選ばれる芳香族基のものである。
Figure 0005439640
また、X1(NH22(OH)2の構造を有する化合物として、分子内に2組の互いにオルト位にあるアミド結合とフェノール性水酸基とを有するジアミン(以下、「分子内にPBO前駆体構造を有するジアミン」とも記す。)を使用することもできる。分子内にPBO前駆体構造を有するジアミンとしては、例えば、上記のX1(NH22(OH)2の構造を有するビスアミノフェノールに2分子のニトロ安息香酸を反応させて還元することにより得られる、下記一般式(IX):
Figure 0005439640
[式中、X3は炭素数2〜15の4価の有機基である。]
で表されるジアミンが挙げられる。
上記一般式(IX)中のX3は、入手のしやすさの観点から、前述したX1で表される有機基の好ましいものとして列挙される基からなる群から選択される少なくとも1つの有機基であることが好ましい。
分子内にPBO前駆体構造を有するジアミンを得る別の方法としては、Y3(COCl)2の構造を有するジカルボン酸ジクロリドに2分子のニトロアミノフェノールを反応させて還元し、下記一般式(X):
Figure 0005439640
[式中、Y3は炭素数2〜15の2価の有機基である。]
で表されるジアミンを得る方法もある。
上記一般式(X)中のY3は、入手のしやすさの観点から、後述するY1で表される有機基の好ましいものとして列挙される基からなる群から選択される少なくとも1つの有機基であることが好ましい。
2(NH22の構造を有するジアミンとしては、芳香族ジアミン、シリコンジアミン等が挙げられる。
このうち芳香族ジアミンとしては、例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、2,4−トリレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルケトン、4,4’−ジアミノジフェニルケトン、3,4’−ジアミノジフェニルケトン、2,2’−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2’−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4−メチル−2,4−ビス(4−アミノフェニル)−1−ペンテン、4−メチル−2,4−ビス(4−アミノフェニル)−2−ペンテン、1,4−ビス(α,α−ジメチル−4−アミノベンジル)ベンゼン、イミノ−ジ−p−フェニレンジアミン、1,5−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、4−メチル−2,4−ビス(4−アミノフェニル)ペンタン、5(又は6)−アミノ−1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、ビス(p−アミノフェニル)ホスフィンオキシド、4,4’−ジアミノアゾベンゼン、4,4’−ジアミノジフェニル尿素、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4’−ビス[4−(α,α−ジメチル−4−アミノベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(α,α−ジメチル−4−アミノベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、フェニルインダンジアミン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、o−トルイジンスルホン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルフィド、1,4−(4−アミノフェノキシフェニル)ベンゼン、1,3−(4−アミノフェノキシフェニル)ベンゼン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、4,4’−ジ−(3−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、及び4,4’−ジアミノベンズアニリド等、並びにこれら芳香族ジアミンの芳香核の水素原子が、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、メチル基、メトキシ基、シアノ基、及びフェニル基からなる群より選ばれた少なくとも1種の基又は原子によって置換された化合物が挙げられる。
また、感光性樹脂と基材との接着性を高めるために、X2(NH22の構造を有するジアミンの一部又は全部としてシリコンジアミンを選択することができる。シリコンジアミンの例としては、ビス(4−アミノフェニル)ジメチルシラン、ビス(4−アミノフェニル)テトラメチルシロキサン、ビス(4−アミノフェニル)テトラメチルジシロキサン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(γ−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン等が挙げられる。
1(COOH)2及びY2(COOH)2の構造を有するジカルボン酸としては、Y1及びY2がそれぞれ下記から選ばれた芳香族基、又は脂肪族基であるジカルボン酸が挙げられる。
Figure 0005439640
[式中、Aは、−CH2−、−O−、−S−、−SO2−、−CO−、−NHCO−、−C(CF32−、及び単結合からなる群から選択される2価の基を表し、Rは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、不飽和基、及びハロゲン原子からなる群から選択される基を表し、kは、それぞれ独立に、0〜4の整数である。]
また、ポリヒドロキシアミドもしくはその硬化物であるポリベンゾオキサゾールに種々の機能を付与するために、上記のY1(COOH)2及びY2(COOH)2の構造を有するジカルボン酸の一部又は全部として、5−アミノイソフタル酸の誘導体を用いることもできる。該誘導体を得るために5−アミノイソフタル酸に対して反応させる具体的な化合物としては、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、エキソ−3,6−エポキシ−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物、3−エチニル−1,2−フタル酸無水物、4−エチニル−1,2−フタル酸無水物、シス−4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、1−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、マレイン酸無水物、無水シトラコン酸、無水イタコン酸、無水エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、アリルスクシン酸無水物、イソシアナートエチルメタクリレート、3−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸クロライド、2−フランカルボン酸クロリド、クロトン酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、メタクリル酸クロリド、アクリル酸クロリド、プロピオリック酸クロリド、テトロリック酸クロリド、チオフェン2−アセチルクロリド、p−スチレンスルフォニルクロリド、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、クロロぎ酸メチルエステル、クロロぎ酸エチルエステル、クロロぎ酸n−プロピルエステル、クロロぎ酸イソプロピルエステル、クロロぎ酸イソブチルエステル、クロロぎ酸2−エトキシエステル、クロロぎ酸−sec−ブチルエステル、クロロぎ酸ベンジルエステル、クロロぎ酸2−エチルヘキシルエステル、クロロぎ酸アリルエステル、クロロぎ酸フェニルエステル、クロロぎ酸2,2,2−トリクロロエチルエステル、クロロぎ酸−2−ブトキシエチルエステル、クロロぎ酸−p−ニトロベンジルエステル、クロロぎ酸−p−メトキシベンジルエステル、クロロぎ酸イソボルニルベンジルエステル、クロロぎ酸−p−ビフェニルイソプロピルベンジルエステル、2−t−ブチルオキシカルボニル−オキシイミノ−2−フェニルアセトニトリル、S−t−ブチルオキシカルボニル−4,6−ジメチル−チオピリミジン、ジ−t−ブチル−ジカルボナート、N−エトキシカルボニルフタルイミド、エチルジチオカルボニルクロリド、ぎ酸クロリド、ベンゾイルクロリド、p−トルエンスルホン酸クロリド、メタンスルホン酸クロリド、アセチルクロリド、塩化トリチル、トリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、ビス(トリメチルシリル)トリフルオロアセトアミド、(N,N−ジメチルアミノ)トリメチルシラン、(ジメチルアミノ)トリメチルシラン、トリメチルシリルジフェニル尿素、ビス(トリメチルシリル)尿素、イソシアン酸フェニル、イソシアン酸n−ブチル、イソシアン酸n−オクタデシル、イソシアン酸o−トリル、1,2−フタル酸無水物、シス−1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、及びグルタル酸無水物が挙げられる。
さらには、硬化物であるポリベンゾオキサゾールにイミド環を導入するために、Y1(COOH)2及びY2(COOH)2の構造を有するジカルボン酸として、テトラカルボン酸二無水物をモノアルコール、又はモノアミン等で開環したジカルボン酸を使用することもできる。ここでモノアルコールの例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、t−ブタノール、ベンジルアルコール等が挙げられ、モノアミンの例としては、ブチルアミン、アニリン等が挙げられる。上記のテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の化学式で示される化合物が挙げられる。
Figure 0005439640
[式中、Bは、−CH2−、−O−、−S−、−SO2−、−CO−、−NHCO−、及び−C(CF32−からなる群から選択される2価の基を表す。]
又は別法としてテトラカルボン酸二無水物とビスアミノフェノールもしくはジアミンを反応させて、生成するカルボン酸残基を、モノアルコール又はモノアミンにより、エステル化又はアミド化することもできる。
また、ビスアミノフェノールに対してトリメリット酸クロリドを反応させて、テトラカルボン酸二無水物を生成し、上記のテトラカルボン酸二無水物と同様の方法で開環してジカルボン酸として使用することもできる。ここで得られるテトラカルボン酸二無水物としては下記一般式(XI):
Figure 0005439640
[式中、X4はX1(OH)2(NH−)2で表される2価の有機基を表し、X1は上記一般式(I)におけるX1と同意義である。]
で表される化合物が挙げられる。
上記一般式(I)で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミドを合成するための、上記ジカルボン酸とビスアミノフェノール(ジアミン)の重縮合の方法としては、ジカルボン酸と塩化チオニルを使用してジ酸クロライドとしたのちにビスアミノフェノール(ジアミン)を作用させる方法、又はジカルボン酸とビスアミノフェノール(ジアミン)をジシクロヘキシルカルボジイミドにより重縮合させる方法等が挙げられる。ジシクロヘキシルカルボジイミドを使用する方法においては同時にヒドロキシベンズトリアゾールを作用させることもできる。
前述の上記一般式(I)で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミドは、末端基を、該末端基との反応性を有する有機基(以下、「封止基」とも記す)で封止して使用することも好ましい。この場合、樹脂組成物の保存安定性の点で好都合である。ポリヒドロキシアミドの重縮合において、ジカルボン酸成分をビスアミノフェノール成分とジアミン成分の和に比べて過剰のモル数で使用する場合、封止基としてアミノ基又は水酸基を有する化合物を用いることが好ましい。該化合物の例としては、アニリン、エチニルアニリン、ノルボルネンアミン、ブチルアミン、プロパルギルアミン、エタノール、プロパルギルアルコール、ベンジルアルコール、ヒドロキシエチルメタクリレート、及びヒドロキシエチルアクリレート等が挙げられる。
逆にビスアミノフェノール成分とジアミン成分の和をジカルボン酸成分に比べて過剰のモル数で使用する場合、封止基を有する化合物として酸無水物、カルボン酸、酸クロリド、イソシアネート基含有化合物等を用いることが好ましい。該化合物の例としては、ベンゾイルクロリド、ノルボルネンジカルボン酸無水物、ノルボルネンカルボン酸、エチニルフタル酸無水物、グルタル酸無水物、無水マレイン酸、無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、メチルシクロヘキサンジカルボン酸無水物、シクロへキセンジカルボン酸無水物、メタクロイルオキシエチルメタクリレート、フェニルイソイアネート、メタンスルホニルクロリド、及びp−トルエンスルホニルクロリドが挙げられる。
(A)上記一般式(I)で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミドのゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下「GPC」とも記す。)によるポリスチレン換算重量平均分子量は、3,000〜50,000であることが好ましく、6,000〜30,000であることがより好ましい。上記重量平均分子量は、硬化レリーフパターンの物性の観点から3,000以上が好ましい。また、解像性の観点から、50,000以下が好ましい。GPCの展開溶媒としては、テトラヒドロフラン(以下「THF」とも記す。)、N−メチル−2−ピロリドン(以下「NMP」とも記す。)が推奨される。また分子量は標準単分散ポリスチレンを用いて作成した検量線から求める。標準単分散ポリスチレンとしては昭和電工社製 有機溶媒系標準試料 STANDARD SM−105から選ぶことが推奨される。
(B)ビニルスルホン化合物
本発明において用いる(B)ビニルスルホン化合物は、下記一般式(II):
Figure 0005439640
[式中、Z1は炭素数1〜12の脂肪族基、又は炭素数5〜10の脂環式基であり、pは0又は1である。]
で表される化合物、及び一般式(III):
Figure 0005439640
[式中、Z2は炭素数1〜6のアルキル基、又は−(CH2r−SO2−CH=CH2で表される基であり、rは1〜6の整数である。]
で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含むビニルスルホン化合物である。(B)ビニルスルホン化合物が上記構造の化合物を含むことによって、当該感光性樹脂組成物の光感度が向上するという利点が得られる。
(B)ビニルスルホン化合物の配合量は、(A)ポリヒドロキシアミド100質量部に対して、2〜30質量部であり、好ましくは3〜25質量部、さらに好ましくは5〜20質量部である。(B)ビニルスルホン化合物の配合量が2質量部以上では解像性が良好で、30質量部以下では熱硬化後の物性が良好である。
(B)ビニルスルホン化合物の具体例としては以下のようなものが挙げられる。
まず、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、Z1が下記の一般式(IV):
Figure 0005439640
[式中、qは1〜15の整数である。]
で表される直鎖骨格を含むもの。
次に、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、Z1が下記に示される枝分かれ骨格を含むもの。
Figure 0005439640
また、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、Zが下記に示される多重結合を含む骨格であるもの。
Figure 0005439640
また、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、Zが下記に示される脂環式骨格を含むもの。
Figure 0005439640
さらに、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、Zが下記に示されるようなヘテロ原子を含むものも挙げられる。
Figure 0005439640
この中でも、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、Zが下記の一般式(IV):
Figure 0005439640
[式中、qは1〜15の整数である。]
で表される直鎖骨格であるものが、架橋反応性および入手性の観点から好ましい。
また、これらのビニルスルホン化合物は2種以上の混合物でもよく、またジビニル体を合成する際の前駆体であるモノビニル体が混入していても構わない。(B)ビニルスルホン化合物における、上記一般式(II)で表される化合物及び上記一般式(III)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の含有量は、架橋性の観点から50質量%以上が好ましく、より好ましくは80質量%以上、さらに好ましくは95質量%以上である。
(B)ビニルスルホン化合物におけるビニルスルホン基の合成法としては、例えば下記ステップを経る合成方法が推奨される。
1)臭化物の調製
2)臭化物の反応
3)スルホン基への変換
4)ヒドロキシエチル基からビニル基への変換
各ステップに関して簡単に説明をする。
1)臭化物の調製
アルコール又はメチロール化合物を臭化水素水溶液に加え、室温で24時間程度撹拌することでOH基、OCH3基をBr基に置換して臭化物を得ることができる。反応後は塩化メチレンやクロロホルムで臭化物を抽出し、その抽出液を、無水硫酸ナトリウム等の乾燥剤の添加により脱水する。ここで1分子中に複数の水酸基又はメチロール基を有する出発物質を用いることで、最終的に上記(B)ビニルスルホン化合物を得ることができる。
2)臭化物の反応
次に臭素を−S−CH2−CH2−OH基に変換することができる。この反応はエタノール中に2―メルカプトエタノールと水酸化カリウムとを溶解した溶液に臭化物を加えることで進行する。反応性が高いため5℃以下で時間をかけて臭化物を滴下することが好ましい。滴下が終了したら50〜60℃で2〜3時間撹拌し反応を完結させる。反応混合物を無機アルカリ水溶液で洗浄し未反応の2−メルカプトエタノールを除去する。生成物はジクロロエタン、クロロホルム等で抽出し脱水し、蒸発乾固することで単離できる。
3)スルホン基への変換
次に、2)で得られた2−メルカプトエタノールを有する化合物のSをO=S=O基にスルホン基に変換できる。スルホン化反応は、酢酸酸性下、過酸化水素水を加えることで進行する。過酸化水素水の過酸化水素濃度としては30%が好ましい。過酸化水素が消失するまで例えば10数時間還流を続ける必要がある。
4)ヒドロキシエチル基からビニル基への変換
次に、3)で得られた化合物と塩化メタンスルホン酸とをジオキサン等の溶媒に溶解させ、次にトリエチルアミンを加える。得られた混合物を室温で数時間以上撹拌することにより(B)ビニルスルホン化合物を得ることが出来る。
(C)光塩基発生剤
(C)光塩基発生剤としては、活性光線の照射により塩基を発生する化合物を用いることができ、例えばベンジルカルバメート、ベンジルスルホンアミド、ベンジル四級アンモニウム塩、オキシムエステル、ニフェジピン、α−アミノアセトフェノン、イミン、イミニウム塩、トリフェニルスルホニウム化合物、コバルトアミン過塩素酸塩等コバルトアミン錯体、が挙げられる。中でも、α位に少なくとも1つの置換基を有する2級アミンを発生する化合物が好ましい。α位に少なくとも1つの置換基を有する2級アミンを発生する化合物を用いることにより、発生するアミンが、ポリアミド酸や他の添加剤に求核攻撃することを抑制することができる。その結果、副反応の生成を抑えて効率的に部分的イミド化を促進することができる。塩基性度を高める観点から、α位の置換基は、電子供与性基であることが好ましい。なお、電子供与基とは置換基定数のσpが負のものを言う。置換基定数は化学便覧基礎編 改訂3版(昭和59年6月25日発行)p365に記載されている。
また、塩基性度を高める観点から、活性光線の照射により発生する2級アミンは、環状構造を有することがより好ましい。なお、本発明において「2級アミンが環状構造を有する」とは、当該2級アミンの窒素原子を含む複素環構造が存在することを意味し、当該2級アミンの窒素原子を含まない環状構造を意味するものではない。ここで、活性光線とは、可視光線、紫外線、電子線、X線等をいう。活性光線としては、特に、365nm(i線)、435nm(g線)の紫外線が好ましい。
光塩基発生剤に活性光線を照射することにより得られる上記2級アミンとしては、下記一般式(V):
Figure 0005439640
[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環基を表し(ただし、R1、R2、R3及びR4のうちの少なくとも1つは水素原子ではない)、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表す。]
で表される化合物が、当該感光性樹脂組成物の光感度の観点から好ましい。
本明細書で記載する「置換基を有してもよい」各基が有することができる置換基は、本発明の趣旨に反しない限りいかなるものでもよいが、例えばメチル基、エチル基、シクロヘキシル基、フェニル基が挙げられる。
(C)光塩基発生剤の好適な例としては、下記一般式(VI):
Figure 0005439640
[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環基を表し(ただし、R1、R2、R3及びR4のうちの少なくとも1つは水素原子ではない)、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8シクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表し、R7は置換基を有していてもよいニトロフェニル基を示し、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
で表される化合物、具体的には、ベンジルカルバメート構造を有するもの、ベンゾイン系化合物等を挙げることができる。
上記の置換基を有してもよいニトロフェニル基としては、R7−Hの化合物が波長230〜450nmに吸収極大を有するものであることが好ましい。i線を利用して後述するレリーフパターンの形成を行うために、R7−Hの化合物が波長310〜390nmに吸収極大を有するものであることが好ましく、R7−Hの化合物が波長330〜370nmに吸収極大を有するものであることがさらに好ましい。
(C)光塩基発生剤の特に好ましい例としては、下記一般式(VII):
Figure 0005439640
[式中、R10は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、隣接するR10同士が互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は隣接するR10同士が互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表し、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表し(ただし、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子である)、sは0〜4の整数であり、R1〜R6は上記一般式(VI)におけるR1〜R6と同意義である。]
で表される化合物、具体的にはオルト−ニトロベンゼン構造を有する化合物を挙げることができる。
上記式中、R8及びR9の少なくとも一方は、水素原子である。(C)光塩基発生剤がオルト−ニトロベンジル構造を有することにより、光照射によるベンジル位の水素引き抜きが起こり、続いてニトロソアルデヒド及び二酸化炭素の脱離が起こることにより塩基を効率よく発生させることができるためである。なお好ましくはR8がメチル基、R9が水素原子である。
特に、活性光線波長をi線とする場合、好ましい(C)光塩基発生剤の例としては、下記一般式(VIII):
Figure 0005439640
[式中、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表し(ただし、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子である)、R11及びR12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基又はR11及びR12が連結したO−CH2−CH2−O−若しくは−O−CH2−O−を表し、tは0、1又は2であり、R1〜R4は上記一般式(VI)におけるR1〜R4と同意義である。]
で表される化合物を挙げることができる。
上記一般式(VIII)で表される化合物の具体例としては、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−ジイソプロピルアミン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−ビス(3−ペンチル)アミン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−ビス(4−ヘプチル)アミン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−ジシクロプロピルアミン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−ジシクロブチルアミン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−ジシクロペンチルアミン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−ジシクロヘキシルアミン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン(以下、DNCDPとも称する)、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピロリジン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチル−4−メチル−ピペラジン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルモルホリン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルチオモルホリン、N−{[(3,4−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン、N−{[(3,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン、N−{[(3,6−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン、N−{[(4,6−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン、N−{[(5,6−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン等を挙げることができる。中でもDNCDPが好ましい。
さらには上記一般式(VIII)で表される化合物のうち、R8がメチル基、かつR9が水素原子のものは、光感度が高いことから特に好ましい。この例としては、N−{[(4,5−メチレンジオキシ−2−(α―メチルニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン(以下MNCDPとも称する)N−{[(4,5−メチレンジオキシ−2−(α―メチルニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−α―メチルニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン、N−{[(4,5−ジメトキシ−2−α―メチルニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン等が挙げられる。特に、上記一般式(VIII)中のR1、R2、R3、R4及びR8がメチル基、かつR9が水素原子のものが好ましい。
(C)光塩基発生剤の配合量は、(A)ポリヒドロキシアミド100質量部に対して、3〜30質量部であり、好ましくは5〜30質量部、さらに好ましくは10〜25質量部である。ここで(C)光塩基発生剤の配合量が3質量部以上では感度、熱硬化性が良好で、40質量部以下では熱硬化後の物性が良好である。
(D)その他の添加剤
本発明のネガ型感光性樹脂組成物には、必要に応じて、界面活性剤、接着助剤等の種々の添加剤を添加することができる。
界面活性剤としては、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリグリコール類、又はその誘導体からなる非イオン系界面活性剤が挙げられる。また、フロラード(登録商標)(住友3M社製)、メガファック(登録商標)(大日本インキ化学工業社製)、ルミフロン(登録商標)(旭硝子社製)等のフッ素系界面活性剤が挙げられる。さらに、KP341(信越化学工業社製:商品名)、DBE(チッソ社製:商品名)、グラノール(共栄社化学社製:商品名)等の有機シロキサン界面活性剤が挙げられる。界面活性剤の添加により、ネガ型感光性樹脂組成物の塗布時の、ウエハーエッジでの塗膜の不均一塗布現象をより発生しにくくすることができる。
界面活性剤の添加量は、(A)ポリヒドロキシアミド100質量部に対し、0〜10質量部が好ましく、0.01〜1質量部がより好ましい。添加量が10質量部以下である場合、熱硬化後の膜の耐熱性が良好である。
接着助剤としては、アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、t−ブチルノボラック、エポキシポリマー、及びシランカップリング剤が挙げられる。
シランカップリング剤の具体的な好ましい例としては、3−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、3−メタクリロキシプロピルジアルコキシアルキルシラン、3−グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、3−グリシドキシプロピルジアルコキシアルキルシラン、3−アミノプロピルトリアルコキシシラン又は3−アミノプロピルジアルコキシアルキルシランと、酸無水物又は酸二無水物の反応物、3−アミノプロピルトリアルコキシシラン又は3−アミノプロピルジアルコキシアルキルシランのアミノ基をウレタン基やウレア基に変換したものが挙げられる。この際のアルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基等が、酸無水物としてはマレイン酸無水物、フタル酸無水物等が、酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物等が、ウレタン基としてはt−ブトキシカルボニルアミノ基等が、ウレア基としてはフェニルアミノカルボニルアミノ基等が挙げられる。
接着助剤の添加量は、(A)ポリヒドロキシアミド100質量部に対し、0〜30質量部が好ましく、0.1〜10質量部がより好ましい。添加量が30質量部以下である場合、熱硬化後の膜の耐熱性が良好である。
(E)溶媒
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を使用する際には、ネガ型感光性樹脂組成物に溶媒を添加してワニス状にし、ネガ型感光性樹脂組成物溶液として使用することが好ましい。溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソホロン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルイミダゾリノン、テトラメチルウレア、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネートが挙げられる。これらを単独又は2種以上混合して溶媒として使用することができる。これらの溶媒のうち、非アミド系溶媒がフォトレジスト等への影響が少ない点から好ましい。具体的なより好ましい例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、を挙げることができる。
溶媒の添加量は、(A)ポリヒドロキシアミド100質量部に対し、100〜1000質量部が好ましい。溶媒の添加量は、上記の範囲内で塗布装置、及び塗布厚みに適した溶液粘度を与えるように設定することが、硬化レリーフパターンの製造を容易にすることができる点で好ましい。
<硬化レリーフパターンの製造方法>
本発明は、(1)上述した本発明のネガ型感光性樹脂組成物又はネガ型感光性樹脂組成物溶液を用いて、ネガ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を基板上に形成する感光性樹脂層形成工程、(2)マスクを介して感光性樹脂層を活性光線で露光する露光工程、(3)140〜200℃で感光性樹脂層を加熱する加熱工程、(4)感光性樹脂層の未露光部をアルカリ性水溶液で溶出させ又は除去することによってレリーフパターンを形成する現像工程、及び(5)得られたレリーフパターンを加熱処理する熱硬化工程を含む、硬化レリーフパターンの製造方法をも提供する。該製造方法の典型的な態様について以下に説明する。
(1)ネガ型感光性樹脂組成物又はネガ型感光性樹脂組成物溶液を用いて、ネガ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を基板上に形成する感光性樹脂層形成工程
感光性樹脂層形成工程では、ネガ型感光性樹脂組成物を、典型的には上述した溶液の状態で、例えばシリコンウエハー、セラミック基板、アルミ基板等の基板に、スピンコーターを用いた回転塗布、又はダイコーター若しくはロールコーター等のコーターにより塗布する。又は、インクジェットノズルやディスペンサーを用いて、基板上の所定の場所に感光性樹脂組成物を塗布することも可能である。次に、オーブンやホットプレートを用いて50〜140℃で感光性樹脂組成物を乾燥させて溶媒を除去(以下、「プリベーク」という)し、感光性樹脂層を基板上に形成する。
(2)マスクを介して感光性樹脂層を活性光線で露光する露光工程
露光工程では、感光性樹脂層をマスクやレチクルを介して活性光線により露光する。具体的には、コンタクトアライナーやステッパを用いて化学線による露光を行うか、光線、電子線又はイオン線を感光性樹脂層に直接照射する。活性光線としては、g線、h線、i線、KrFレーザーを用いることもできる。
(3)140〜200℃で感光性樹脂層を加熱する加熱工程
加熱工程では、感光性樹脂層を基板ごと140〜200℃で加熱する。加熱工程では、加熱手段として、例えばホットプレート、赤外線、電磁誘導を利用できる。中でも、加熱温度と加熱時間の制御の精度の点で、ホットプレート上で140〜200℃の温度で5〜240秒加熱を行うことが推奨される。
上記加熱工程は、PEB(Post Exposure Bake)と呼ばれ、条件を選ぶことにより最終的に良好なパターンを形成させることができる。良好なパターンを得るためには、露光部と未露光部との、現像液であるアルカリ性水溶液への溶解速度に差をつけることが必須である。それを実現するための条件を見出す方法について述べる。
上述した(1)の感光性樹脂層形成工程に従って感光性樹脂層を基板上、例えばウエハー上に形成させた後、基板表面にまで達する傷をつける。次にその傷の一部が隠れるように基板の半分を遮光フィルムで覆う。次にこのフィルムをマスクとみなして上述した(2)の露光工程に従い露光を行う。次に所定温度で所定時間PEBを行う。次に、遮光フィルムを剥離し、後述する(4)の現像工程に従い、未露光部の膜が完全に除去されるまで現像を行う。現像に要した時間と、傷を横切って表面段差計で測定した現像前の膜厚とから未露光部の現像速度を求める。次に、露光部の膜厚を測定して露光部の膜厚が現像によって減少する速度を求める。そして、露光部に対する未露光部の現像速度の差を求め、差が大きくなるPEB条件を見つけることが出来る。露光量、PEBの時間や温度を変えたサンプルを作製し、上記の現像速度の差が大きくなる条件を見出す手法が推奨される。
(4)感光性樹脂層の未露光部をアルカリ性水溶液で溶出させ又は除去することによってレリーフパターンを形成する現像工程
現像工程では、感光性樹脂層の未露光部をアルカリ性水溶液で溶出させ又は除去する。引き続き、好ましくはリンス液によるリンスを行うことで所望のレリーフパターンを得る。現像方法としてはスプレー、パドル、ディップ、超音波等の方式が可能である。リンス液としては蒸留水、脱イオン水等が使用できる。
ネガ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を現像するために用いられる現像液は、アルカリ可溶性ポリマーを溶解除去するものであり、アルカリ化合物を溶解したアルカリ性水溶液であることが必要である。アルカリ性水溶液中に溶解されるアルカリ化合物は、無機アルカリ化合物、又は有機アルカリ化合物のいずれであってもよい。
該無機アルカリ化合物としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、及びアンモニア、が挙げられる。
また、該有機アルカリ化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、n−プロピルアミン、ジ−n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、エタノールアミン、及びトリエタノールアミン、が挙げられる。
さらに、必要に応じて、上記アルカリ性水溶液に、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール等の水溶性有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、及び樹脂の溶解抑止剤等を適量添加することができる。
(5)得られたレリーフパターンを加熱処理する熱硬化工程
熱硬化工程では、得られたレリーフパターンを加熱処理して、ポリベンゾオキサゾール構造を有する樹脂からなる耐熱性硬化レリーフパターンを形成する。加熱装置としては、オーブン炉、ホットプレート、縦型炉、ベルトコンベアー炉、圧力オーブンを使用することができ、加熱方法としては、熱風、赤外線、電磁誘導による加熱方法が推奨される。加熱温度は200〜450℃が好ましく、250〜400℃がさらに好ましい。加熱時間は15分〜8時間が好ましく、1時間〜4時間がさらに好ましい。雰囲気は窒素、アルゴン等不活性ガス中が好ましい。
<半導体装置>
本発明は、上述した硬化レリーフパターンの製造方法により得られる硬化レリーフパターンを有する半導体装置をも提供する。半導体装置は、上述の製造方法によって形成した硬化レリーフパターンを、表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、あるいはバンプ構造を有する装置の保護膜とし、公知の半導体装置の製造方法と組み合わせることで製造することができる。
なお、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、多層回路の層間絶縁、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、又は液晶配向膜等の用途にも有用である。
本発明を参考例及び実施例に基づいて説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
<(A)ポリヒドロキシアミドの合成>
[参考例1]
100mLのフラスコに、4,4’−オキシビス安息香酸 8.75g(33.9mmol)、塩化チオニル 20mL(274mmol)、塩化メチレン 20mL、ジメチルホルムアミド(以下「DMF」とも記す)数滴を加えてオイルバス温度90℃で3時間還流した。その後、減圧にして塩化チオニル及び塩化メチレンを取り除き、粗生成物を得た。粗生成物をヘキサンで再結晶して、減圧乾燥することで白色の結晶4,4’−オキシジベンゾイルクロリド(以下OBBCとも記載する)を得た。
100mLの三口フラスコに、NMP 14.0gを入れ、2,2’−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 2.68g(7.32mmol)と無水塩化リチウム0.690g(16.3mmol)とを常温で加え、窒素雰囲気下撹拌しながら完全に溶解させた。次に0℃で30分かけて、OBBC 2.00g(6.68mmol)を加え、3時間常温で撹拌した。得られたポリマー溶液を、水 1000mL、メタノール 100mLの混合溶液に撹拌しながら滴下し、吸引ろ過後、減圧下80℃で乾燥し、白色の固体ポリヒドロキシアミドを得た。
この結晶の赤外吸収スペクトル(株式会社堀場製作所製フーリエ変換赤外吸収分光計「FT−720」、KBr法、cm−1)では、3425、1651にそれぞれOHとC=Oの特性吸収を確認した。HNMRケミカルシフト(BRUKER社製 核磁気共鳴分光測定装置「GPX300」、300MHz、CDCl溶液;ppm)は、10.2(s、2H)、9.51(s、2H)、8.02、8.04(d、4H)、7.93(s、1H)、7.18、7.20(d、4H)、7.00(s、4H)であり、ポリヒドロキシアミドと同定された。収率は98%であった。
THFを展開液としてGPC(株式会社日立ハイテクノロジー製 液体クロマトグラフ LaChrom GPCシステム、カラムオーブン L−7300、UV検出器 L−7400、ポンプ L−7100で、標準ポリスチレン(東ソー株式会社製 TSK−GELs、GMHHR−M)換算で測定した数平均分子量は9,900、重量平均分子量は18,900であった。
<(B)ビニルスルホン化合物の合成>
[参考例2]2,2’−[1,6−ヘキサンジイルービス(チオ)]ビス(エタノール)(以下HTEと称す)の調製)
500mLの三口フラスコに100mLのエタノールを入れ、19.2g(246mmol)の2−メルカプトエタノールと85%の水酸化カリウム水溶液13.8g(210mmol)を加え磁気撹拌し均一溶液とした。この溶液を窒素雰囲気のもと2−5℃に保ちながら、100mLのエタノールに20g(82mmol)の1,6−ジブロモヘキサンを溶解した溶液を15分かけて滴下した。次に、反応混合物が室温になるまで放置し、その後室温で20分間さらに55℃で3時間撹拌を続けた。反応液を5%の水酸化ナトリウム水溶液で洗い未反応の2−メルカプトエタノールを除去した。得られた懸濁物をジクロロエタンで抽出した。有機層を食塩水で洗浄後、純水で3回洗浄した。ジクロロエタン溶液を硫酸ナトリウムで乾燥後、真空乾燥し白色固体を6.96g得た。
この固体の融点は、融点測定装置(ヤナコ分析工業株式会社製「YANACO社製「MP−S8」」を用い、空気中で測定したところ、44−45℃であった。赤外吸収スペクトル(KBr法、cm−1)2854、2923、3394であり、H NMR(300MHz、CDCl溶液;ppm)のケミカルシフトは次の通りであった。
3.69−3.75(q、4H).2.71−2.75(t、4H)、2.50−2.55(t、4H)、2.25−2.27(t、2H)、1.58−1.66(m、4H)、1.39−1.43(m、4H)。この分析から得られた固体はHTEと同定された。元素分析の理論値はC:50.38%、H:9.30%であるのに対し、元素分析測定装置(ヤナコ分析工業株式会社社製「CHN corder MT−6」を用い、自己積分方法で測定して得た測定値はC:50.09%、H:9.05%、収率は99%であった。
[参考例3]2,2’−[1,6−ヘキサンジイルビス(スルフォニル)]ビス(エタノール)(以下HSEと称す)HSEの調製
50mLの三口フラスコに6mLの酢酸を入れ、4.00gの参考例2で調製したHRTを加え均一溶液とした、そこに窒素下で30%過酸化水素水3mLを15分かけて滴下した。次に3時間還流させ、次に30%過酸化水素をさらに3mL加え、10時間還流させ、過酸化物が残っていない事を確認した。冷却後減圧で溶媒を除去して白色固体を得た。その固体を150mLのエタノールに加え1時間撹拌した。ろ過後真空乾燥し精製固体2.29gを得た。
その固体は融点94−95℃で1H NMR(300MHz、DMSOd6溶液;ppm)のケミカルシフトは次の通りであった。
3.70−3.92(s、2H)、3.76−3.80(t、4H)、3.15−3.19(t、:4H)、3.06−3.14(t、4H)、1.64−1.74(m、4H)、1.36−1.45(m、4H)。IRスペクトルは−SO−の特性吸収が1133、1268cm-1に観測された。この結果からこの固体は、HSEと同定された。元素分析の理論値はC:39.73%、H:7.33%、であるのに対し実測値はC:39.45%、H:7.07%であった。
[参考例4]1,6-ビス(ビニルスルホン)ヘキサン(以下、HBVSと称す)の調製
200mLの三口フラスコに50mLの脱水ジオキサンを入れ、参考例3で調製したHSE 1.45g(4.63mmol)と塩化メタンスルホン酸 0.9mL(11.6mmol)を加え磁気撹拌し均一溶液とした。ここにトリエチルアミン 6.5mL(11.6mmol)を10mLの脱水ジオキサンに溶解した溶液を窒素下室温で10分かけて滴下した。その後室温で8時間撹拌を続け、反応混合物を真空濃縮した。得られた溶液を100mLの蒸留水に投入しジクロロメタンで抽出した。有機相を50mLの蒸留水で2回洗い硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後真空下濃縮し白色の固体を得た。
容量比で1:4のアセトンとn−ヘキサンの混合液にて再結晶を行うことにより、1.05gの結晶を得た。
その結晶の赤外吸収スペクトル(KBr法、cm-1)は1126、1288cm-1に−SO−の特性吸収を示した。融点は92−93℃と測定された。
1H NMRケミカルシフト(300MHz、CDCl3溶液;ppm)は6.59−6.68(q、2H)、6.42−6.47(d、2H)、6.17−6.20(d、2H)、2.95−3.01(t、4H)、1.74−1.92(m、4H)、1.42−1.55(m、4H)であった。この結果得られた化合物はHBVSと確認された。収率は98%であった。元素分析の理論値はC:45.09%、H:6.81%、であるのに対し実測値はC:44.80%、H:6.56%であった。
<(C)光塩基発生剤の調製>
[参考例5]α−メチル−6−ニトロ−1,3−ベンゾジオキゾール−5−メタノール(以下MNBMと称す)の調製
200mLの三口フラスコに40mLの脱水塩化メチレンを入れ、4,5−(メチレンジオキシ)−2−ニトロベンズアルデヒド(MNA)5.00g(25.6mmol)を加えた。ここに濃度1.07mol/Lのトリエチルアルミニウムの脱水塩化メチレン溶液47.9mL(51.2mmol)を窒素雰囲気のもと室温で滴下した。その後室温で12時間攪拌を続けた。反応液を水に投入し沈殿物をろ過した後溶液をジクロロメタンで抽出した。有機相を食塩水で洗浄後、純水で3回洗浄した。ジクロロエタン溶液を硫酸ナトリウムで乾燥後、ろ別、真空乾燥し固体を得た。この生成物の精製はアセトンを展開溶媒としたフラッシュクロマトグラフィーにて行い、褐色の固体 5.13gを得た。
この固体の融点は79−80℃、赤外吸収スペクトル(KBr法、cm-1)では1511、1380にニトロ基の特性吸収を確認した。1H NMR(300MHz、CDCl3溶液;ppm)のケミカルシフトは次の通りであった。
7.46(s、1H)、7.27(s、1H)、6.11−6.12(d、2H)、5.42−5.49(q、1H)、2.18−2.54(s、1H)1.53−1.55(d、3H)。この分析結果から得られた固体はMNBMと同定された。元素分析の理論値はC:51.19%、H:4.30%、N:6.63% であるのに対し測定値はC:51.34%、H:4.59%、N:6.43%であった。収率は95%であった。
[参考例6]4,5−(メチレンジオキシ)−2−(α−メチルニトロベンジル)−p−ニトロフェニルカルボネート(以下、MMNと称す)の調製
300mLの三口フラスコに75mLの脱水ジオキサンを入れ、参考例5で調製したMNBM 3.10g(14.7mmol)とクロロギ酸p−ニトロフェニル 7.40g(36.7mmol)を加え撹拌しながら氷浴で冷却した。ここにトリエチルアミン 12.3mL(88.1mmol)を60mLの脱水ジオキサンに溶かした溶液を窒素雰囲気下滴下した。その後室温で12時間攪拌を続けた。ジオキサンと残ったトリエチルアミンを減圧除去し、濃縮された反応液を水に投入した。ろ過後沈殿物を50mLのイソプロパノールに溶解し室温で12時間撹拌した。得られた固体をろ別し真空乾燥したところ淡褐色の固体を4.37g得た。
この固体の融点は158−160℃、赤外吸収スペクトル(KBr法、cm-1)では1523、1349にニトロ基の1770にカルボニル基の特性吸収を確認した。1H NMR(300MHz、CDCl3溶液;ppm)のケミカルシフトは次の通りであった。
8.24−8.27(d、2H)、7.53(s、1H)、7.34−7.37(d、2H)、7.14(s、1H)、6.39−6.45(q、1H)、6.16(s、2H)、1.75−1.77(d、3H)。この分析結果から得られた固体はMMNと同定された。元素分析の理論値はC:51.07%、H:3.21%、N:7.44% であるのに対し測定値はC:50.79%、H:3.38%、N:7.19%であった。また収率は79%であった。
[参考例7](N−{〔(4,5―(メチレンジオキシ)―2―(α―メチルニトロベンジル)オキシ)〕カルボニル}―2,6−ジメチルピペリジン(以下MNCDPと称す)の調製)
300mLの三口フラスコに150mLの脱水ジオキサンを入れ、参考例6で調製したMMN 4.00g(10.6mmol)と2,6−ジメチルピペリジン 15.0mL(10.0mmol)とヒドロキシベンズトリアゾール 1.18g(7.95mmol)を加え窒素雰囲気下95℃で20時間撹拌した。室温まで温度が下がってからジオキサンを減圧除去した。得られた黄色の粘調物を500mLの5質量%炭酸ナトリウム水溶液に加え撹拌した。さらに固体を同様の方法で500mLの蒸留水を使い2回洗浄した。 得られた固体を酢酸エチル/ヘキサン(容積比1/2)を展開液としカラムクロマトグラフで単離した。得られた液を乾燥し透明淡黄色のガム状固体を3.01g得た。
この固体の赤外吸収スペクトル(KBr法、cm-1)では1523、1349にニトロ基の1689にカルボニル基の特性吸収を確認した。1H NMR(300MHz、CDCl3溶液;ppm)のケミカルシフトは次の通りであった。7.49(s、1H)、6.98(s、1H)、6.28−6.34(q、1H)、6.10(s、2H)、4.27−4.39(m、2H)、1.44−1.83(m、9H)、1.20−1.22(d、6H)。この分析結果から得られた固体はMNCDPと同定された。元素分析の理論値はC:58.28%、H:6.33%、N:8.00% であるのに対し測定値はC:58.11%、H:6.28%、N:8.02%であった。また収率は81%であった。
<光塩基発生剤の光感度の比較>
[参考例8]
光塩基発生剤であるMNCDPとDNCDPをそれぞれ17.5質量%含んだポリスチレンフィルムをキャスト法で作製した。それぞれのフィルムのUV可視スペクトルを、分光光度計(日本分光株式会社製「V−560」を用い、測定したところ、ともに345nmに大きな吸収を示した。その吸光度をAbs(i)とした。次に種々の露光量でi線露光を行い、そのつど吸光度を測定しAbs(r)とした。 2J/cm2と十分量の露光を行ったフィルムの345nmでの吸光度をAbs(f)とした。これらの値を用い、各露光量での光塩基発生剤の推定分解率(Estimated cleavage percentage)(以下、ECPとも称する)を下記の式を用いて計算した。
ECP(%)=100x〔Abs(r)−Abs(f)〕/〔Abs(i)−Abs(f)〕
ECPを露光量に対してプロットしたグラフを図1、図2に示す。
この結果、50%が分解するのに必要な露光量はDNCDPがおおよそ2000mJ/cm2、MNCDPがおおよそ500mJ/cm2であり、約4倍の差が認められた。
[実施例1]
上記参考例1にて得られたポリヒドロキシアミドを3.75g、上記参考例4にて得られたHBVSを0.50g、光塩基発生剤として参考例7で調製したMNCDP0.750gを24.4gのシクロペンタノンに溶解し、ネガ型感光性樹脂組成物の溶液を調製した。この溶液をシリコンウェハーに回転数1500rpmで10秒間スピンコートした後この塗膜に線状の傷をつけ、80℃のホットプレートで10秒間プリベークを実施した。傷の位置の段差から、表面形状測定装置(Veeco Instruments社製「Dektak」を用い、触針方法で測定した塗膜の膜厚は1.3〜1.5μmであった。
次に黒い遮光フィルムでウェハーの半分を覆いi線の紫外線で300mJ/cm2の露光を行った。このウェハーの露光部、未露光部をそれぞれ、上記の傷が入るように多数に割断し、120℃から170℃まで10℃刻みにて、それぞれ120秒間ホットプレート上でPEBを行った。ここで得られたそれぞれのウェハーの切片を、2.38質量%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用い、23℃で未露光部がちょうど除去されるまで現像し、膜厚を測定することにより、露光部、未露光部の膜の現像速度を求めた。その結果を図3に示す。この結果、170℃でPEBを行うことにより未露光部と露光部で110倍の溶解度の差が得られ、適切なPEB温度であることが判った。
次に同様に複数の切片を用い170℃の温度で種々の時間PEBを実施した。得られた切片を上と同じ条件でアルカリ現像し露光部、未露光部の溶解速度を求めた。その結果を図4に示す。この結果、170℃の温度でPEBを行う場合120秒間の加熱が適切であることを示している。
次にこの塗膜を用いてステッパで露光時間をかえてi線を照射した。その後170℃で120秒間PEBを行い実施例1で用いたものと同じ2.38質量%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で120秒間現像を行った。
各露光量での現像後の膜厚を段差計で測定し露光前の膜厚を基準とした相対膜厚を求め露光量に対して片対数プロットをした。その結果を図5に示す。ここでD0.5とは光感度の尺度の1つであり、相対残膜率が0.5になる露光量のことである。γ0.5とは現像で得られた画像のシャープ性を評価するパラメーターであり、この値が大きいほど画像の切れが良好な事を示す。その計算法は公知であり、具体的には非特許文献2p60に従った。
[実施例2]
上記参考例1にて得られたポリヒドロキシアミド 3.75g、上記参考例4にて得られたHBVS 0.500g、光塩基発生剤としてMNCDP 0.750gを17.7gのシクロペンタノンに溶解し、ネガ型感光性樹脂組成物を調製した。
この溶液をシリコンウェハーに回転数1500ppmで10秒間スピンコートし、ホットプレート上で80℃にて10秒間プリベークを行い、塗膜を得た。
次にマスクを介してi線で150mJ/cmの露光を行い、170℃で2分間PEBを行った。次に、2.38質量%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で140秒間現像を行ったところ、4μmのライン/スペースが良好に解像した。膜厚(前述と同様の方法でDektakを用いて測定、以下同じ)は2.1μmであった。
次にこのパターンが形成されたウェハーを窒素雰囲気下300℃で10分間加熱処理した。膜厚は1.6μmとなった。得られた膜の赤外吸収スペクトルを測定したところ、ポリヒドロキシアミドのアミドのカルボニルに由来する1651cm−1のピークは消失し、ベンゾオキサゾール骨格由来の1053cm−1のピークが新たに生じた。このことからポリベンゾオキサゾール膜への変換が確認された。
[実施例3]
上記参考例2にて得られたポリヒドロキシアミド3.00g、上記参考例4にて得られたHBVS 0.400g、光塩基発生剤としてMNCDP 0.700gを15.5gのシクロペンタノンに溶解し、ネガ型感光性樹脂組成物を調製した。この溶液をガラス板にバーコーターで塗布し80℃で30分加熱乾燥した。次にi線で1000mJ/cm2の露光を行った。その後、170℃で5分間PEBを行った後、200℃で20分間、250℃で20分間、300℃で20分間、350℃で20分間と、すべて引き続き計80分間空気中で加熱処理を行った。この膜を剥がして得られたフィルムは30μmの厚みがあった。
このフィルムのガラス転移温度(Tg)を動的粘弾性測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製 DMS 6100)を用いて2℃/分の昇温速度、1Hzの加重周波数で得られた貯蔵弾性率(E’)のピークから求めようとしたがピークは観察されなかった。E’のチャートを損失弾性率(E”)とあわせて図6に示す。熱重量分析装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製 TG/DTA 6300)により10℃/分の昇温速度で5%重量減温度、10%重量減温度を測定したところ、それぞれ495℃、536℃であった。
[比較例1]
上記参考例2にて得られたポリヒドロキシアミド3.00gを13.5gのシクロペンタノンに溶解し混合液を調製し、ガラス板にバーコーターで塗布し80℃で30分加熱乾燥した。その後、170℃で5分間、200℃で20分間、250℃で20分間、300℃で20分間、350℃で20分間と、すべて引き続き計85分間空気中で加熱処理を行った。この膜を剥がして得られたフィルムは31μmの厚みがあった。このフィルムの諸物性を実施例6と同様の手法で測定した。ガラス転移温度(Tg)は338℃であった。E’のチャートを損失弾性率(E”)とあわせて図4に示す。また5%重量減温度、10%重量減温度を測定したところ、それぞれ502℃、537℃であった。
[実施例4]
0.2μmの厚みにアルミニウムをスパッタしたシリコンウェハー及び1μmの厚みに銅をスパッタしたシリコンウェハー上に、実施例1で作製したネガ型感光性樹脂組成物を滴下し、バーコーターで塗布した。その後80℃のホットプレート上で10秒間プリベークを行った。PLA−501F(キヤノン社製露光機)を用いg,h,i線の混合光で150秒露光した。照度は350nmで4mW/cm2であった。その後、170℃で120秒PEBを行った。塗布膜厚は3μmであった。いずれの塗布面も無色の鏡面状であった。このウェハーを2分割し一方を250℃のホットプレート上で1時間加熱した。
これらのウェハーをPCT(Pressure Cooker Test)装置(タバイエスペック社製 HAST CHAMBER EHS−221M)を用いて、121℃、2気圧の飽和水蒸気雰囲気に24時間放置した。
その結果、銅面のシリコンウエハーでは、250℃で加熱したものは、加熱しなかったものに較べて塗布膜に覆われた部分がやや黄変したが鏡面状は保たれていた。アルミニウム面に関しては、250℃で加熱しなかったもの、加熱したもの共に塗布膜の覆われた部分は無色の鏡面状のままであった。この結果から、実施例1で作製したネガ型感光性樹脂組成物は、下地となるメタルが腐蝕するという問題がないことがわかる。
[比較例2]
ネガ型感光性樹脂組成物中、MNCDPの代わりに光酸発生剤である(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン−2−(メチルフェニル)アセトニトリル)(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製 CG11397)を用いた以外は、実施例7と同様に行った。この結果、250℃で加熱しなかったものの塗布膜に覆われた部分の銅面は褐色に変色した。また250℃で加熱した試料の銅面は黒褐色になり、鏡面状ではなくなった。アルミニウム面に関しては250℃で加熱しなかったもの、加熱したもの共に塗布膜の覆われた部分は鏡面状ではなかった。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、半導体の保護膜として使用するのに適したポリベンゾオキサゾール前駆体の製造に好適に使用することができる。

Claims (12)

  1. (A)下記一般式(I):
    Figure 0005439640
    [式中、X1は2個以上の炭素原子を有する4価の有機基であり、X2、Y1、及びY2はそれぞれ独立に2個以上の炭素原子を有する2価の有機基であり、mは2〜200の整数であり、nは0〜200の整数であって、m/(m+n)>0.5である。なお、X1及びY1を含むm個のジヒドロキシジアミド単位、並びにX2及びY2を含むn個のジアミド単位の配列順序は問わない。]
    で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミド:100質量部、
    (B)下記一般式(II):
    Figure 0005439640
    [式中、Z1は炭素数1〜12の脂肪族基、又は炭素数5〜10の脂環式基であり、pは0又は1である。]
    で表される化合物及び一般式(III):
    Figure 0005439640
    [式中、Z2は炭素数1〜6のアルキル基、又は−(CH2r−SO2−CH=CH2で表される基であり、rは1〜6の整数である。]
    で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含むビニルスルホン化合物:2〜30質量部、並びに
    (C)光塩基発生剤:3〜30質量部、
    を含むネガ型感光性樹脂組成物。
  2. 前記(B)ビニルスルホン化合物として、上記一般式(II)で表される化合物であって、pが1であり、かつZ1が下記一般式(IV):
    Figure 0005439640
    [式中、qは1〜15の整数である。]
    で表される基である化合物を含む、請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  3. 前記(C)光塩基発生剤が、活性光線の照射によりα位に少なくとも1つの置換基を有する2級アミンを発生する化合物である、請求項1又は2に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  4. 前記2級アミンが、環状構造を有する化合物である、請求項3に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  5. 前記2級アミンが、下記一般式(V):
    Figure 0005439640
    [式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環基を表し(ただし、R1、R2、R3及びR4のうちの少なくとも1つは水素原子ではない)、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8シクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表す。]
    で表される化合物である、請求項3に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  6. 前記(C)光塩基発生剤が、下記一般式(VI):
    Figure 0005439640
    [式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環基を表し(ただし、R1、R2、R3及びR4のうちの少なくとも1つは水素原子ではない)、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8シクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表し、R7は置換基を有していてもよいニトロフェニル基を示し、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
    で表される化合物である、請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  7. 前記一般式(VI)で表される化合物が、下記一般式(VII):
    Figure 0005439640
    [式中、R10は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3〜8のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、隣接するR10同士が互いに結合して形成される置換基を有していてもよい単環、又は隣接するR10同士が互いに結合して形成される置換基を有していてもよい多環を表し、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表し(ただし、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子である)、sは0〜4の整数であり、R1〜R6は上記一般式(VI)におけるR1〜R6と同意義である。]
    で表される化合物である、請求項6に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  8. 上記一般式(VI)で表される化合物が、下記一般式(VIII):
    Figure 0005439640
    [式中、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表し(ただし、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子である)、R11及びR12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルコキシ基又はR11及びR12が連結したO−CH2−CH2−O−若しくは−O−CH2−O−を表し、tは0、1又は2であり、R1〜R4は上記一般式(VI)におけるR1〜R4と同意義である。]
    で表される化合物である、請求項6に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  9. 前記一般式(VIII)で表される化合物において、R1、R2、R3、R4及びR8がメチル基であり、R9が水素原子である、請求項8に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を溶媒に溶解してなるネガ型感光性樹脂組成物溶液であって、該溶媒の含有量は(A)ポリヒドロキシアミド100質量部に対し、100〜1000質量部である感光性樹脂組成物溶液。
  11. (1)請求項1〜9のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物又は請求項10に記載のネガ型感光性樹脂組成物溶液を用いて、ネガ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を基板上に形成する感光性樹脂層形成工程、
    (2)マスクを介して感光性樹脂層を活性光線で露光する露光工程、
    (3)140〜200℃で感光性樹脂層を加熱する加熱工程、
    (4)感光性樹脂層の未露光部をアルカリ性水溶液で溶出させ又は除去することによってレリーフパターンを形成する現像工程、及び
    (5)得られたレリーフパターンを加熱処理する熱硬化工程
    を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。
  12. 請求項11に記載の製造方法により得られる硬化レリーフパターンを有する半導体装置。
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