JP5437179B2 - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、上下基板の間に半導体素子を配置して形成した半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
上下基板の間に半導体素子を配置し、半導体素子の周囲にモールド樹脂を充填して形成した半導体パッケージが提案されている。上下基板の間隔を維持するためにスペーサ部材を介して下基板に上基板が固定され、その間にモールド樹脂が充填される。外部接続端子は下基板の裏面に設けられ、上基板上には電子部品等を搭載することができる。
以上のような構造の半導体パッケージでは、半導体素子が上下基板及び樹脂モールドにより包囲されるので、半導体素子内で発生した熱が半導体パッケージ内にこもってしまい、半導体パッケージの内部温度が高くなる。
そこで、半導体素子が配置された位置における上基板を表面側から加工して凹部を形成し、当該凹部内に放熱部材を配置することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。凹部を半導体素子の近傍まで達する深さに形成することで、半導体素子で発生した熱を、凹部内の放熱部材を介して半導体パッケージの外部に効率的に放出することができる。
特開２００９−１１０９７９号公報
上述の特許文献１における提案では、上基板を表面側から加工して凹部を形成する工程が必要であり、半導体素子を樹脂モールドした後の工程数が増えてしまう。また、凹部の底面が半導体素子になるべく近くなるように凹部を加工することが好ましいが、凹部の加工時に半導体素子を損傷するおそれがある。このため、半導体素子と凹部の底面との間の距離にある程度余裕を持たせておく必要があり、その間に存在するモールド樹脂の分、放熱効率が低下してしまう。さらに、すでに半導体素子が内蔵されているほぼ完成した基板組立体に凹部を形成するための機械加工を施すことは、機械加工時に仕損じが発生した場合には高価な半導体素子までも廃棄しなければならないという問題もある。
そこで、半導体素子を樹脂モールドした後に基板の加工を行なうことなく放熱部材を半導体素子の近傍に配置することのできる半導体パッケージ及びその製造方法の開発が要望されている。
本発明の一実施態様によれば、スペーサ部材を介し接続された上基板及び下基板と、該上基板と該下基板の間に配置され、前記下基板に実装された半導体素子と、上面が前記上基板の表面で露出し底面が前記半導体素子に対向するように、前記上基板に取り付けられた放熱部材と、前記上基板と前記下基板との間の空間に充填された樹脂とを有し、前記放熱部材の底面は、全面が前記樹脂に密着して被覆され、前記放熱部材は前記上基板の表面から前記下基板に向けて突出し、前記放熱部材の前記底面に溝が形成され、該溝の底面と前記半導体素子との間の距離は、前記放熱部材の前記底面と前記半導体素子との間の距離より大きい半導体パッケージが提供される。
また、上基板に貫通孔を形成し、底面が前記上基板の裏面に露出するように該貫通孔に放熱部材を嵌合し、前記放熱部材を前記上基板から下基板に向けて突出させ、該放熱部材の前記底面が下基板に搭載された半導体素子に対向するように、前記上基板を前記下基板に対して接続し、前記上基板と前記下基板との間の空間に樹脂を充填して、前記半導体素子と前記放熱部材とを樹脂モールドし、前記上基板と前記下基板との間の空間に樹脂を充填する際に、前記放熱部材の前記底面に形成された溝内に前記樹脂を流して前記空間全体に前記樹脂を充填し、前記放熱部材の前記底面全体を前記樹脂により被覆する半導体パッケージの製造方法が提供される。
放熱部材の底面を半導体素子に近接した位置に配置することができるので、半導体装置からの熱を効率的に放熱部材に伝達することができ、放熱効率を高めることができる。
本発明の一実施形態による半導体パッケージの断面図である。 図１に示す半導体パッケージの平面図である。 ヒートシンクの底面と半導体素子との間の間隙を、フィラーが通過できるような寸法とした半導体パッケージの断面図である。 ヒートシンクが取り付けられた上基板を準備する工程を示す図である。 上基板を下基板に接続して固定する工程を示す図である。 半導体素子の背面に保護テープを貼り付けて形成した半導体パッケージの断面図である。 上基板に半導体素子や受動素子等の電子部品を搭載した状態の半導体パッケージを示す図である。 ヒートシンクの表面を覆わない位置に半導体素子が搭載された半導体パッケージを示す図である。 ヒートスプレッダが設けられた半導体パッケージを示す図である。
本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施形態による半導体パッケージの断面図である。図２は図１に示す半導体パッケージの平面図である。
図１に示す半導体パッケージ１０は、下基板１２と、下基板１２に実装された半導体素子１４とを含む。半導体素子１４は下基板１２の実装面にフリップチップ実装され、半導体素子１４と下基板１２との間にはアンダーフィル材１４ａが充填されている。下基板１２はガラスエポキシ等により形成された多層基板であり、実装面の反対側の裏面に外部接続パッド１２ａが形成されている。外部接続パッド１２ａは下基板１２内の配線（図示せず）により半導体素子１４の電極端子が接合された電極接続パッド１２ｂに電気的に接続されている。外部接続パッド１２ａには、後述のように外部接続端子としてはんだボールが設けられる。
下基板１２には、スペーサ部材である銅コアボール１８を介して上基板２０が接続される。上基板２０も下基板１２と同様に例えばガラスエポキシ等により形成された多層基板であり、上基板２０の表面には部品接続パッド２０ａが形成される。部品接続パッド２０ａは後述のように半導体素子や受動素子等の電子部品を上基板２０に搭載するために用いられる電極パッドである。
下基板１２の実装面に接合パッド１２ｃが形成され、これに対応した位置で上基板２０の裏面に接合パッド２０ｂが形成される。下基板１２の実装面に形成された接合パッド１２ｃと上基板２０の裏面に形成された接合パッド２０ｂとは、銅コアボール１８の外周に設けられたはんだ１８ａにより接合される。そして、上基板２０と下基板１２との間にモールド樹脂２２が充填され、上基板２０は下基板１２に対して固定される。上基板２０と下基板１２との間の距離は銅コアボール１８により維持されている。
以上のような構成の半導体パッケージ１０では、半導体素子１４の上下は伝熱性の良くない上基板２０及び下基板１２により覆われ、半導体素子１４の周囲空間には伝熱性の良くないモールド樹脂２２が充填されている。したがって、半導体素子１４が発生した熱を効率的に外部に放出する手段を講じることが望ましい。
そこで、本実施形態では、上基板２０に放熱部材の一例としてのヒートシンク２４が取り付けられる。ヒートシンク２４は伝熱性が高いアルミ合金や銅合金等の金属で形成される。ヒートシンク２４の上面２４ａは上基板２０の表面に露出し、ヒートシンク２４の下部はモールド樹脂２２内に突出し、その底面２４ｂは半導体素子１４に近接している。したがって、半導体素子１４で発生した熱は、ヒートシンク２４の底面２４ｂからヒートシンク２４内に入り、ヒートシンク２４内を伝わって、上面２４ａから外部に放出される。
ヒートシンク２４の底面２４ｂをなるべく半導体素子１４に近づけたほうが放熱効率を高くできるが、あまり近づけ過ぎると半導体素子１４に当接して半導体素子１４を損傷するおそれがある。また、後述のようにモールド樹脂２２を形成する樹脂材を充填する際に、ヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間にある程度の間隙がないとモールド樹脂２２を全体に充填することができない。すなわち、ヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間に、モールド樹脂２２を形成する樹脂材が流れることのできる間隙を設けておくことが好ましい。そのため、ヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間に樹脂材が通過できる程度の間隙が形成されるように、上基板２０からのヒートシンク２４の突出長さが決められている。
ここで、通常、モールド樹脂２２として用いられる樹脂材には、特性を改善するためにフィラーが添加されている。したがって、ヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間の間隙は、フィラーも通過できるようにフィラーの大きさより大きくすることが好ましい。図３はヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間の間隙を、フィラーが通過できるような寸法とした半導体パッケージ１０Ａの断面図である。フィラーのサイズが大きくなるとそれだけヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間の間隙も大きくしなければならず、半導体素子１４とヒートシンクの底面２４ｂとの間に介在するモールド樹脂２２が厚くなり、放熱効率が低下してしまうおそれがある。
そこで、図１に示す本実施形態では、ヒートシンク２４の底面２４ｂに溝２４ｃを設け、溝２４ｃ内をフィラーが通過するように構成している。溝２４ｃ内をフィラーが通過できるようにすることで、溝２４ｃ以外の底面２４ｂが半導体素子１４に対向する部分では樹脂材のみが通過できればいいように、底面２４ｂと半導体素子１４との間の距離を小さくすることができる。
溝２４ｃはヒートシンク２４の底面２４ｂを横断して延在するような形状であればよい。本実施例では直線状の溝２４ｃが格子状に配列されているが、例えば直線状の溝を十字形状に配列してもよい。また、溝２４ｃは曲線状の溝でもよく、一本の溝が分岐して複数に分かれるような形状の溝としてもよい。
本実施形態では、ヒートシンク２４の平面形状は円形であるが、半導体素子の平面形状に対応して四角形としても、多角形としてもよい。また、ヒートシンク２４の形状及び大きさは、後述のように上基板２０に搭載する電子部品の配置等を考慮して決定すればよい。ヒートシンク２４は後述のように上基板２０に形成した貫通孔に嵌合して固定される。上基板２０の貫通孔をルータ等を用いて機械加工で形成することを考慮すると、貫通孔を円形とすることが好ましく、したがってヒートシンク２４の平面形状も円形とすることが好ましい。
ヒートシンク２４は上基板２０の貫通孔に嵌合することで上基板２０に固定することができる。嵌合のみの固定ではヒートシンク２４が動いてしまうおそれがある場合は、接着剤でヒートシンク２４を上基板２０の貫通孔の内面に固定することとしてもよい。しかし、ヒートシンク２４の底面２４ｂ側の上基板２０からの突出距離を精度良く設定する必要がある。すなわち、半導体素子１４からヒートシンク２４の底面２４ｂまでの距離は、上基板２０の裏面からのヒートシンク２４の底面２４ｂの突出距離により決まるため、上述のようにヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間が所定の距離となるようにヒートシンク２４を配置するには、底面２４ｂの突出距離を精度良く設定することが必要である。
そこで、本実施形態では、上基板２０の貫通孔に段差を設け、且つヒートシンク２４の外形にも段差を設けて、ヒートシンク２４の段差が貫通孔の段差に係合することでヒートシンク２４の位置が決まるようにしている。上基板２０の裏面から貫通孔の段差までの距離を精度よく設定し、且つ、ヒートシンク２４の底面２４ｂから段差までの距離を精度よく設定すれば、ヒートシンク２４の底面２４ｂから上基板２０の裏面までの距離を精度よく設定することができる。これにより、上基板２０を下基板１２に取り付けた際の、ヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間の距離を精度よく設定することができる。なお、上基板２０の貫通孔に段差を設けずに貫通孔は直線状としておき、図３に示すように、ヒートシンク２４の外形の段差を上基板２０の裏面に係合させることとしてもよい。すなわち、上基板２０の貫通孔の開口部分と裏面とで形成された段差に、ヒートシンク２４の外形の段差を係合させることで、ヒートシンク２４の位置を精確に決めることができる。
次に、半導体パッケージ１０の製造方法について説明する。
まず、ヒートシンク２４が取り付けられた上基板２０を準備する工程について、図４を参照しながら説明する。図４はヒートシンク２４が取り付けられた上基板２０を準備する工程を示す図である。
まず、図４（ａ）に示すように、ヒートシンク２４を取り付けるための貫通孔２０ｄを上基板２０に形成する。貫通孔２０ｄはルータ等を用いた切削加工により形成することができ、貫通孔２０ｄの内径を僅かに変えることで、段差２０ｅを容易に形成することができる。このように、貫通孔２０ｄを機械加工することで、貫通孔２０ｄの内面は機械加工面となり、貫通孔２０ｄの内径寸法を精度よく設定することができる。ただし、上基板２０を精度よく加工できるのであれば、機械加工に限ることなく、エッチングによる加工や、レーザ加工等も用いることができる。
段差２０ｅを有する貫通孔２０ｄを上基板２０に形成したら、続いて図４（ｂ）に示すように、上基板２０の接合パッド２０ｂに銅コアボール１８を接合する。銅コアボール１８の外面ははんだ１８ａにより覆われており、はんだ１８ａをリフローすることで、上基板２０の接合パッド２０ｂに銅コアボール１８をはんだ接合することができる。
続いて、図４（ｃ）に示すように、段差２４ｄを有するヒートシンク２４を、上基板２０の裏面側から貫通孔２０ｄに挿入する。貫通孔２０ｄはヒートシンク２４が締まり嵌めとなるような内径で加工されており、ヒートシンク２４を貫通孔２０ｄに圧入することとなる。
ヒートシンク２４を貫通孔２０ｄに圧入していくと、図４（ｄ）に示すように、ヒートシンク２４の段差２４ｄが貫通孔２０ｄの段差２０ｅに係合してヒートシンク２４はそれ以上圧入できなくなり、ヒートシンク２４の圧入が完了する。この状態では、ヒートシンク２４の底面２４ｂは上基板２０の裏面から突出した位置にあり、その突出距離は精度よく設定される。また、ヒートシンク２４の上面２４ａは上基板２０の表面に露出した状態となる。
次に、上基板２０を下基板１２に接続する工程について、図５を参照しながら説明する。図５は上基板２０を下基板１２に接続して固定する工程を示す図である。
まず、図５（ａ）に示すように、下基板２０の上方に図４で示す準備工程で準備した上基板１２を配置する。下基板１２には予め半導体素子１４がフリップチップ実装されており、アンダーフィル材１４ａが充填されている。そして、図５（ｂ）に示すように、上基板２０の接合パッドに接合されている銅コアボール１８が下基板１２の接合パッド１２ｃに接触するように、上基板２０を下基板１２上に配置する。この状態で、銅コアボール１８を覆っているはんだ１８ａをリフローし、銅コアボール１８を下基板１２の接合パッド１２ｃにはんだ接合する。これにより、上基板２０は銅コアボール１８を間にはさんだ状態で下基板１２に接続される。
次に、接続された上基板２０と下基板１２を上下から金型で挟み込んで圧力を加えた状態で、図５（ｃ）に示すように、モールド樹脂２２となる樹脂材を上基板２０と下基板１２の間に流し込んでトランスファモールドを行なう。すなわち、加熱されて軟化した樹脂材を、図５（ｃ）に示す矢印方向から上基板２０と下基板１２の間に注入する。このとき、樹脂材は半導体素子１４の周囲の空間に充填され、且つ半導体素子１４と上基板２０の裏面との間の空間及び半導体素子１４とヒートシンク２４の底面２４ｂとの間の空間を流れて、注入側の反対側までまんべんなく行き渡る。これにより、図５（ｄ）に示すように、上基板２０と下基板１２の間の空間全体に樹脂材が充填され、硬化されてモールド樹脂２２となる。
樹脂材が半導体素子１４とヒートシンク２４の底面２４ｂとの間を流れる際には、樹脂材のみが底面２４ｂと半導体素子１４との間を流れ、樹脂材中のフィラーは底面２４ｂに設けられた溝２４ｃの部分を流れることができる。
以上の工程を経て完成した半導体パッケージ１０において、ヒートシンク２４の底面２４ｂは半導体素子１４に接触しないが近接した位置に配置される。これにより、半導体素子１４からの熱をヒートシンク２４を介して効率的に外部に放出することができ、半導体素子１４の動作時の温度を低減することができる。
また、ヒートシンク２４の底面２４ｂを含む部分であって上基板２０から突出した部分は、モールド樹脂２２でモールドされるので、底面２４ｂはモールド樹脂２２に密着した状態となる。このため、半導体素子１４から一旦モールド樹脂２２に入った熱はモールド樹脂２２が密着した部分でヒートシンク２４の底面２４ｂに入るため、底面２４ｂとモールド樹脂２２との間の界面での伝熱損失が少なく、効率的に熱をヒートシンクに伝えることができる。例えば、モールド樹脂に機械加工で凹部を形成してその中にヒートシンクが配置されていた場合は、ヒートシンクの底面と凹部の底面との間に空気層が存在して密着していないため伝熱損失が大きいが、本実施形態ではヒートシンク２４の底面２４ｂがモールド樹脂２２によりモールドされて密着しているので、伝熱損失を低減することができる。
ここで、ヒートシンク２４の底面２４ｂと半導体素子１４との間の狭い空間に樹脂材を充填するときや、ヒートシンク２４の底面２４ｂに設けられた溝２４ｃ内を樹脂が流れるときには、樹脂材により包囲されて空気溜まりができやすい。そこで、例えば、ヒートシンク２４の底面２４ｂに設けられた溝２４ｃとヒートシンク２４の表面２４ａとの間を貫通する空気逃がし孔を形成しておけば、空気溜まりの空気は空気逃がし孔を通って外部に排出されるため、半導体素子１４とヒートシンク２４との間全体に樹脂材を充填することができる。なお、空気逃がし孔にも樹脂材が充填されることとなるが、ヒートシンク２４の表面２４ａに開口した空気逃がし孔は金型により塞がれているので、樹脂材がヒートシンク２４の表面２４ａに流れ出るようなことは無い。ただし、上基板２０の表面と金型との間には、表面の微細な凹凸での応力集中を避けるために弾性樹脂シートが設けられることがある。この場合には、空気逃がし孔は弾性樹脂シートにより塞がれることとなるが、弾性樹脂シートが樹脂の注入圧により圧縮されるため、樹脂材が僅かに弾性樹脂シートとの間に漏れ出ることはあり得る。しかし、樹脂材の漏れ量は僅かであり、問題にはならない。また、樹脂材にフィラーが添加されていれば、フィラーが隙間を塞いでしまうため、樹脂材の漏れ量は極微量に抑えられる。
以上のように、上基板２０に予めヒートシンク２４を取り付けておくことで、モールド樹脂２２を充填した後の半導体パッケージ１０に機械加工で凹部を形成してヒートシンクを埋め込む工程は省略される。このため、半導体パッケージ１０のモールド樹脂充填後の製造工程数を増やすことなくヒートシンク２４を設けることができる。また、ヒートシンク２４を取り付けるための貫通孔を形成する工程は、上基板２０が単体のときに行なわれるので、この工程で仕損じが生じても、廃棄する部分上は基板２０のみであり、仕損じによる製造コストの上昇を抑えることができる。さらに、半導体素子１４が埋め込まれた状態のモールド樹脂２２を機械加工する必要が無くなり、機械加工による半導体素子１４への損傷を無くすことができる。
なお、上述の実施形態では、ヒートシンク２４の底面２４ｂが半導体素子１４に接触しないように各部の寸法を設定しているが、不測の事態に備えて、図６に示すように、半導体素子１４の背面に保護テープ３０を貼り付けておくこととしてもよい。図６は半導体素子１４の背面に保護テープ３０が貼り付けられた半導体パッケージ１０Ｂの断面図である。保護テープ３０は、半導体素子１４を保護するために半導体素子１４の背面全体を覆うように貼り付けることが好ましい。したがって、保護テープ３０としては、ある程度弾性を有し且つある程度熱伝導性を有する例えばエポキシ系樹脂で形成された導伝性シート材を用いることが好ましい。
図５（ｄ）に示す状態で、半導体パッケージ１０は完成するが、その後、下基板１２の外部接続パッド１２ａに外部接続端子としてはんだボールを接合する場合もある。また、上基板２０の表面側に、半導体素子や回路素子を搭載してもよい。
図７は上基板２０に半導体素子や受動素子等の電子部品を搭載した状態の半導体パッケージ１０を示す図である。半導体パッケージ１０の下基板１２の外部接続パッド１２ａにはんだボール３２が接合されている。さらに、半導体パッケージ１０の上基板２０の部品接続パッド２０ａに、例えばメモリチップ等の半導体素子３４が接合されている。同様に、半導体パッケージ１０の上基板１２の部品接続パッド２０ａに、例えばチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子３６が接合されている。これら半導体素子３４及び受動素子３６は、半導体素子１４と協働して機能回路を構成している。

図７に示す構成では半導体素子３４はヒートシンク２４の表面２４ａを覆うように搭載されているが、上基板２０の表面に搭載領域を確保できるのであれば、図８に示すようにヒートシンク２４の表面２４ａを覆わない位置に半導体素子３４を搭載することが好ましい。ヒートシンク２４の表面２４ａが電子部品等で覆われていない場合には、ヒートシンク２４にヒートスプレッダを接続することができる。
図９はヒートスプレッダ３８が設けられた半導体パッケージ１０を示す図である。熱拡散部材の一例としてのヒートスプレッダ３８は、ヒートシンク２４の表面２４ａに接合又は接着される。ヒートシンク２４にヒートスプレッダ３８を接続することにより、ヒートシンク２４から放出される熱をヒートスプレッダ３８でさらに拡散して放熱面積を増やすことができ、放熱効率を高めることができる。
なお、上述の実施形態では、ヒートシンク２４が上基板２０から突出するように配置しているが、上基板２０と半導体素子１４とが近接して配置されている場合は、放熱部材としてのヒートシンク２４を上基板２０から突出させずに配置してもよい。
１０，１０Ａ，１０Ｂ 半導体パッケージ
１２ 下基板
１２ａ 外部接続パッド
１２ｂ 電極接続パッド
１２ｃ 接合パッド
１４ 半導体素子
１４ａ アンダーフィル材
１８ 銅コアボール
１８ａ はんだ
２０ 上基板
２０ａ 部品接続パッド
２０ｂ 接合パッド
２２ モールド樹脂
２４ ヒートシンク
２４ａ 上面
２４ｂ 底面
２４ｃ 溝
３０ 保護テープ
３２ はんだボール
３４ 半導体素子
３６ 受動素子
３８ ヒートスプレッダ

Claims (10)

  1. スペーサ部材を介し接続された上基板及び下基板と、
    該上基板と該下基板の間に配置され、前記下基板に実装された半導体素子と、
    上面が前記上基板の表面で露出し底面が前記半導体素子に対向するように、前記上基板に取り付けられた放熱部材と、
    前記上基板と前記下基板との間の空間に充填された樹脂と
    を有し、
    前記放熱部材の底面は、全面が前記樹脂に密着して被覆され、
    前記放熱部材は前記上基板の表面から前記下基板に向けて突出し、
    前記放熱部材の前記底面に溝が形成され、該溝の底面と前記半導体素子との間の距離は、前記放熱部材の前記底面と前記半導体素子との間の距離より大きい半導体パッケージ。
  2. 請求項１記載の半導体パッケージであって、
    前記溝は前記放熱部材の底面を横断して延在するように形成されている半導体パッケージ。
  3. 請求項１又は２記載の半導体パッケージであって、
    前記樹脂にはフィラーが含まれており、該フィラーの粒径は前記溝の底面と前記半導体素子との間の距離より小さい半導体パッケージ。
  4. 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体パッケージであって、
    前記上基板に貫通孔が設けられ、前記放熱部材は前記貫通孔に嵌合しており、
    前記放熱部材の外形に段差が形成されており、当該段差は前記貫通孔の内面に形成された段差又は前記貫通孔と前記上基板の裏面とで形成された段差に係合している半導体パッケージ。
  5. 請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の半導体パッケージであって、
    前記放熱部材は、前記半導体素子と対向する方向に前記放熱部材を貫通する空気逃がし孔を有し、前記空気逃がし孔内には前記樹脂が配置されている半導体パッケージ。
  6. 上基板に貫通孔を形成し、
    底面が前記上基板の裏面に露出するように該貫通孔に放熱部材を嵌合し、
    前記放熱部材を前記上基板から下基板に向けて突出させ、
    該放熱部材の前記底面が下基板に搭載された半導体素子に対向するように、前記上基板を前記下基板に対して接続し、
    前記上基板と前記下基板との間の空間に樹脂を充填して、前記半導体素子と前記放熱部材とを樹脂モールドし、
    前記上基板と前記下基板との間の空間に樹脂を充填する際に、前記放熱部材の前記底面に形成された溝内に前記樹脂を流して前記空間全体に前記樹脂を充填し、前記放熱部材の前記底面全体を前記樹脂により被覆する
    半導体パッケージの製造方法。
  7. 請求項６記載の半導体パッケージの製造方法であって、
    前記溝を前記放熱部材の前記底面を横断して延在するように形成する半導体パッケージの製造方法。
  8. 請求項６又は７記載の半導体パッケージの製造方法であって
    前記樹脂にはフィラーが含まれており、該フィラーの粒径は前記溝の底面と前記半導体素子との間の距離よりも小さい半導体パッケージの製造方法。
  9. 請求項６乃至８のうちいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
    前記上基板に貫通孔を形成する際に、前記貫通孔の内面に段差を形成し、
    前記放熱部材を前記貫通孔に嵌合する際に、前記貫通孔の内面の段差に前記放熱部材の外形の段差を係合させる
    半導体パッケージの製造方法。
  10. 請求項６乃至９のうちいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
    前記上基板と前記下基板との間の空間に樹脂を充填して、前記半導体素子と前記放熱部材とを樹脂モールドする際、前記放熱部材に形成された空気逃がし孔にも樹脂を配置する半導体パッケージの製造方法。
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