JP5417186B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、スリットノズルを備えた基板処理装置において、複数の薄膜層を形成する技術に関する。   The present invention relates to a technique for forming a plurality of thin film layers in a substrate processing apparatus having a slit nozzle.

従来より、スリットノズルから処理液を吐出し、基板の表面に薄膜を形成する基板処理装置が提案されている。例えば特許文献1には、基板に対してスリットノズルから処理液を吐出する基板処理装置が記載されている。   Conventionally, there has been proposed a substrate processing apparatus that discharges a processing liquid from a slit nozzle and forms a thin film on the surface of the substrate. For example, Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus that discharges a processing liquid from a slit nozzle to a substrate.

特開2007−287914号公報JP 2007-287914 A

一般的に、スリットノズルを用いて基板上に薄膜を形成する場合、処理液が塗布された基板に対して、減圧乾燥と熱処理(加熱および冷却)を行うことで薄膜を形成する。そのため、複数の薄膜層を形成する場合には、塗布→乾燥→熱処理というサイクルを所定の回数繰り返すこととなり、必然的に装置の長さが長大となっていた(図11参照)。   In general, when a thin film is formed on a substrate using a slit nozzle, the thin film is formed by drying under reduced pressure and heat treatment (heating and cooling) on the substrate coated with the treatment liquid. Therefore, when forming a plurality of thin film layers, the cycle of coating → drying → heat treatment is repeated a predetermined number of times, and the length of the apparatus is inevitably long (see FIG. 11).

また、上記のような装置構成においては、順に配置された複数の工程のうち所定の工程のみを選択した場合にも、不必要な処理工程部を通過しないと後処理工程にたどり着くことが出来ない、という問題が発生する。そのため、全体の基板処理枚数が低下してしまうおそれがあった。   Further, in the apparatus configuration as described above, even when only a predetermined process is selected from a plurality of processes arranged in order, it is not possible to reach a post-processing process without passing through an unnecessary processing process section. The problem occurs. As a result, the total number of processed substrates may be reduced.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、複数の薄膜層を形成する基板処理装置において、装置全長を短縮し、また、処理枚数の低下を抑制する基板処理装置を提案することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to propose a substrate processing apparatus that shortens the overall length of the substrate processing apparatus that forms a plurality of thin film layers and suppresses a decrease in the number of processed sheets. And

上記の課題を解決するため、請求項1の発明は基板に対して所定の処理液を塗布し、塗布膜を形成する基板処理装置において、第1および第2のスリットノズルと、前記基板を水平に載置する載置手段とを備え、当該スリットノズルを前記載置手段に載置された基板に対して走査移動することにより、前記基板の上面に処理液を塗布する塗布機構と、前記塗布機構によって塗布された前記基板に対して乾燥処理を行う工程のうち、少なくとも一部である第1の乾燥工程を行う第1乾燥機構と、前記塗布機構により塗布された前記基板を前記第1乾燥機構に搬入する第1搬送機構と、前記第1搬送機構により前記第1乾燥機構に搬送された基板を、前記第1乾燥機構の前記第1搬送機構が対向する面とは異なる面から搬出する第2搬送機構と、前記第1乾燥機構と積層配置され、前記第1搬送機構および前記第2搬送機構により、前記基板が搬入または搬出される待機機構と、前記塗布機構、前記第1乾燥機構、前記第1搬送機構および前記第2搬送機構を制御する制御機構と、を備え、前記塗布機構および前記第1乾燥機構は前記第1搬送機構を中心とした同心円上に配置され、前記制御機構は、前記塗布機構により前記第1のスリットノズルにより処理液が塗布された基板を前記第1搬送機構により前記第1乾燥機構に搬入し第1の乾燥工程を行なった後、前記第2搬送機構により前記第1乾燥機構から前記待機機構に搬入し、前記第1搬送機構により前記待機機構から搬出して前記塗布機構の載置手段に再度載置し、当該基板の前記第1のスリットノズルにより塗布された処理液による層の上面に、当該層と略同一面積に前記第2のスリットノズルにより処理液を塗布することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate to form a coating film, wherein the first and second slit nozzles and the substrate are horizontally disposed. An application mechanism for applying a processing liquid onto the upper surface of the substrate by scanning and moving the slit nozzle with respect to the substrate placed on the placement means, and the application A first drying mechanism that performs at least a first drying step among the steps of performing a drying process on the substrate coated by the mechanism, and the first drying of the substrate coated by the coating mechanism. A first transport mechanism that is carried into the mechanism and a substrate that has been transported to the first drying mechanism by the first transport mechanism are transported from a surface different from the surface of the first drying mechanism that faces the first transport mechanism. A second transport mechanism; Serial is stacked with the first drying mechanism, by the first conveying mechanism and the second conveying mechanism, a waiting mechanism in which the substrate is loaded or unloaded, the coating mechanism, the first drying device, pre-Symbol first conveyor A control mechanism for controlling the mechanism and the second transport mechanism , wherein the coating mechanism and the first drying mechanism are arranged on a concentric circle with the first transport mechanism as a center, and the control mechanism is configured by the coating mechanism. after the substrate on which treatment liquid has been applied by said first slit nozzle was performed first drying step was carried into the first drying mechanism by the first transport mechanism by the first by the second conveying mechanism carried from 1 drying mechanism to the standby mechanism, said unloaded from standby mechanism again placed on the mounting means of the coating mechanism, it is applied by the first slit nozzle of the substrate by the first conveying mechanism The top surface of the layer by physical solution, characterized by applying the processing liquid by the substantially same area as the layer a second slit nozzle.

また、請求項の発明は、請求項に記載の基板処理装置において、前記塗布機構によって塗布された前記基板に対して乾燥処理を行う工程のうち、少なくとも一部である第2の乾燥工程を行う第2乾燥機構をさらに備え、前記第2乾燥機構、および前記第1乾燥機構は、前記第2搬送機構を中心とした同心円上に配置され、前記制御機構は、第2の乾燥工程を行った後、前記第2搬送機構により前記第2乾燥機構から前記第1乾燥機構と積層配置された前記待機機構に搬入された基板を前記第1搬送機構により前記待機機構から搬出し、前記塗布機構の載置手段に再度載置することを特徴とする。 Further, the invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the second drying step is at least a part of the step of performing the drying process on the substrate coated by the coating mechanism. A second drying mechanism that performs the second drying mechanism, and the second drying mechanism and the first drying mechanism are arranged on a concentric circle with the second transport mechanism as a center, and the control mechanism performs a second drying step. Then, the substrate transported from the second drying mechanism to the standby mechanism stacked with the first drying mechanism is unloaded from the standby mechanism by the first transport mechanism, and the coating is performed. It mounts again on the mounting means of a mechanism, It is characterized by the above-mentioned.

また、請求項の発明は、請求項に記載の基板処理装置において、前記第1の乾燥工程は、前記塗布機構により前記基板上に塗布された塗布液を減圧乾燥する減圧乾燥工程を含み、前記第2の乾燥工程は、前記基板に対して熱を加える加熱工程を含むことを特徴とする。 Further, the invention of claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 2 , wherein the first drying step includes a reduced-pressure drying step of drying the coating solution coated on the substrate by the coating mechanism under reduced pressure. The second drying step includes a heating step of applying heat to the substrate.

また、請求項の発明は、請求項1から請求項のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1のスリットノズルにより塗布される処理液と、前記第2のスリットノズルにより塗布される処理液とは、別の組成を有する処理液であることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the processing liquid applied by the first slit nozzle and the second slit nozzle are applied. The treatment liquid is a treatment liquid having a different composition.

本発明によれば、装置寸法の長大化を防止しつつ、基板上に第1のスリットノズルにより塗布された処理液の層の上面に、第2のスリットノズルにより塗布された処理液の層を、簡便な構成で形成することが可能となる。また、第1のスリットノズルのみによって処理液を塗布する場合においても、第2のスリットノズルによって処理液を塗布する機構を経由せず、次の工程に基板を搬送することが可能となるため、基板の処理枚数が向上する。   According to the present invention, the treatment liquid layer applied by the second slit nozzle is formed on the upper surface of the treatment liquid layer applied by the first slit nozzle on the substrate while preventing an increase in the size of the apparatus. It is possible to form with a simple configuration. In addition, even when the processing liquid is applied only by the first slit nozzle, the substrate can be transported to the next step without passing through the mechanism for applying the processing liquid by the second slit nozzle. The number of processed substrates is improved.

特に請求項の発明によれば、第1乾燥機構により乾燥工程が行われた基板を第2搬送機構にて待機機構に搬送することにより、乾燥工程を行っている間に塗布機構にて次の基板の塗布を行うことが可能となり、基板処理装置の処理性能が向上する。 In particular, according to the first aspect of the present invention, the substrate that has been subjected to the drying process by the first drying mechanism is transported to the standby mechanism by the second transport mechanism, so that the coating mechanism performs the following process while the drying process is performed. The substrate can be applied, and the processing performance of the substrate processing apparatus is improved.

特に請求項の発明によれば、第1乾燥機構により乾燥工程が行われた基板を第2搬送機構にて第2乾燥機構に迅速に搬入することが可能となり、基板処理装置の処理性能が向上する。 In particular, according to the second aspect of the present invention, it is possible to quickly carry the substrate that has been dried by the first drying mechanism into the second drying mechanism by the second transport mechanism, and the processing performance of the substrate processing apparatus is improved. improves.

特に請求項の発明によれば、塗布機構によって塗布された処理液を第1の乾燥工程により大凡乾燥させ、その後、第2の乾燥工程により確実に乾燥させることが可能となり、基板処理装置の処理性能が向上する。 In particular, according to the third aspect of the present invention, the processing liquid applied by the coating mechanism can be roughly dried by the first drying process, and then reliably dried by the second drying process. Processing performance is improved.

特に請求項の発明によれば、第1のスリットノズルにより塗布された処理液による層の上面に、異なる組成である層を形成することにより、様々な効果をもつ薄膜を形成することが可能となる。 In particular, according to the invention of claim 4 , it is possible to form thin films having various effects by forming layers having different compositions on the upper surface of the layer formed by the treatment liquid applied by the first slit nozzle. It becomes.

基板処理システムの概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of a substrate processing system. 塗布装置1を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a coating apparatus 1. FIG. 搬送ユニット2を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing a transport unit 2. 搬送ユニット2を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a transport unit 2. 乾燥部4を示す側面図である。It is a side view which shows the drying part. 乾燥部4、搬送ユニット2、搬送ユニット3、熱処理部5の関係を示す側面図である。3 is a side view showing a relationship among a drying unit 4, a transport unit 2, a transport unit 3, and a heat treatment unit 5. FIG. 基板処理装置100、および基板処理システムの動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the substrate processing apparatus 100 and a substrate processing system. 基板90の上面に層Aおよび層Bが形成された後の図である。FIG. 6 is a view after the layer A and the layer B are formed on the upper surface of the substrate 90. 第2の実施の形態にかかる、基板処理装置100、および基板処理システムの動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the substrate processing apparatus 100 and substrate processing system concerning 2nd Embodiment. その他の実施の形態にかかる、基板処理装置100'の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of substrate processing apparatus 100 'concerning other embodiment. 従来の基板処理システムの概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the conventional substrate processing system.

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明に係る基板処理装置100を備えた基板処理システムを示す図である。   FIG. 1 is a diagram showing a substrate processing system including a substrate processing apparatus 100 according to the present invention.

なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。   In FIG. 1, for the sake of illustration and explanation, the Z-axis direction is defined as the vertical direction and the XY plane is defined as the horizontal plane, but these are defined for convenience in order to grasp the positional relationship. The directions described below are not limited. The same applies to the following figures.

基板処理システムは、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板90としている。   In the substrate processing system, a square glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device is used as a substrate 90 to be processed.

基板処理システムは、処理する基板90が搬入される搬入部81、基板90を洗浄して清浄化させる洗浄部82、および基板90を所定の温度に調節する温調部83を備える。温調部83で所定の温度に調整された基板90は、基板処理装置100に搬入される。これらの基板処理装置100に搬入されるまでの工程を、前処理工程と呼ぶ。   The substrate processing system includes a loading unit 81 into which a substrate 90 to be processed is loaded, a cleaning unit 82 that cleans and cleans the substrate 90, and a temperature adjustment unit 83 that adjusts the substrate 90 to a predetermined temperature. The substrate 90 adjusted to a predetermined temperature by the temperature control unit 83 is carried into the substrate processing apparatus 100. A process until these are loaded into the substrate processing apparatus 100 is referred to as a pretreatment process.

また、基板処理システムは、基板処理装置100によって薄膜が形成された基板90を一時的に保管し、露光部85に受け渡す移載部84、基板90の表面に回路パターン等を露光する露光部85、露光された基板90を現像処理する現像部86、基板90を検査する検査部87および基板処理システムにおける処理が完了した基板90を搬出する搬出部88を備える。これらの基板処理装置100から後の工程を、後処理工程と呼ぶ。   In addition, the substrate processing system temporarily stores the substrate 90 on which a thin film is formed by the substrate processing apparatus 100 and transfers it to the exposure unit 85, and an exposure unit that exposes a circuit pattern or the like on the surface of the substrate 90. 85, a developing unit 86 for developing the exposed substrate 90, an inspection unit 87 for inspecting the substrate 90, and a carry-out unit 88 for carrying out the substrate 90 that has been processed in the substrate processing system. A process after the substrate processing apparatus 100 is referred to as a post-processing process.

なお、これらの前処理工程、および後処理工程は、基板90上に形成される回路等によって適宜選択され得るものであるため、上記の実施例に限定されるものではない。   Note that these pre-processing and post-processing steps can be appropriately selected depending on a circuit or the like formed on the substrate 90, and are not limited to the above embodiments.

基板処理装置100は、基板90の表面に処理液を塗布する塗布部1、塗布部1において塗布された処理液を乾燥させる乾燥部4、処理液が塗布された基板に対して加熱および冷却を行う熱処理部5、および6、を備える。また、基板処理装置100は、塗布部1と乾燥部4との間で基板90を搬送する搬送ユニット2、および、乾燥部4と熱処理部5、および6の間で基板90を搬送する搬送ユニット3を備える。このように、基板処理装置100は、基板処理システムにおいて基板90の表面に薄膜を形成する塗布部であり、前処理工程である温調部83から搬送ユニット2により基板90を取り出し、各処理を行ったあと、搬送ユニット3により移載部84に基板を搬出する装置である。   The substrate processing apparatus 100 heats and cools a coating unit 1 that applies a processing liquid to the surface of a substrate 90, a drying unit 4 that dries the processing liquid applied in the coating unit 1, and a substrate on which the processing liquid is applied. Heat treatment units 5 and 6 are provided. The substrate processing apparatus 100 includes a transport unit 2 that transports the substrate 90 between the coating unit 1 and the drying unit 4, and a transport unit that transports the substrate 90 between the drying unit 4 and the heat treatment units 5 and 6. 3 is provided. As described above, the substrate processing apparatus 100 is a coating unit that forms a thin film on the surface of the substrate 90 in the substrate processing system. The substrate 90 is taken out from the temperature control unit 83, which is a preprocessing step, by the transport unit 2, and each process is performed. It is an apparatus for carrying out the substrate to the transfer section 84 by the transport unit 3 after performing.

次に、基板処理装置1の各部の説明を行う。図2は、塗布部1を示す図である。   Next, each part of the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating the application unit 1.

塗布部1は、被処理基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ15を備える。ステージ15は直方体形状の石製であり、その上面および側面は平坦面に加工されている。   The application unit 1 includes a stage 15 that functions as a holding table for placing and holding the substrate to be processed 90 and also functions as a base for each attached mechanism. The stage 15 is made of a rectangular parallelepiped stone, and its upper surface and side surfaces are processed into flat surfaces.

ステージ15の上面には、基板90の保持面14が設けられる。保持面14は水平に形成され、多数の真空吸着口(図示せず)が分布して形成されている。そしてこの真空吸着口は、塗布部1において基板90を処理する間、基板90を吸着することにより、基板90を所定の水平位置に保持する。   A holding surface 14 for the substrate 90 is provided on the upper surface of the stage 15. The holding surface 14 is formed horizontally, and a large number of vacuum suction ports (not shown) are distributed. The vacuum suction port holds the substrate 90 in a predetermined horizontal position by sucking the substrate 90 while processing the substrate 90 in the coating unit 1.

また、ステージ15の保持面14は、複数のリフトピンLPを備えており、当該リフトピンLPがZ軸方向に進退することにより、基板90を保持面14に載置したり、所定の高さ位置まで上昇させたりすることが可能である。   The holding surface 14 of the stage 15 includes a plurality of lift pins LP, and the lift pins LP advance and retreat in the Z-axis direction to place the substrate 90 on the holding surface 14 or to a predetermined height position. It is possible to raise it.

ステージ15の上面の(−Y)側には走行レール13aが固設され、(+Y)側には走行レール13bが固設される。走行レール13a、13bはいずれも長手方向がX軸方向に沿うように配置され、後述する架橋構造11、12の移動を案内する機能を有している。   The traveling rail 13a is fixed on the (−Y) side of the upper surface of the stage 15, and the traveling rail 13b is fixed on the (+ Y) side. Both the traveling rails 13a and 13b are arranged so that the longitudinal direction thereof is along the X-axis direction, and have a function of guiding the movement of the bridge structures 11 and 12 described later.

ステージ15の上方には、このステージ15の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造11、12が設けられている。   Above the stage 15, bridging structures 11 and 12 are provided that extend substantially horizontally from both sides of the stage 15.

架橋構造11は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部110と、その両端を支持する昇降機構112、113とから主に構成される。同様に、架橋構造12は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部120と、その両端を支持する昇降機構122、123とから主に構成される。   The bridging structure 11 is mainly composed of a nozzle support portion 110 using carbon fiber resin as an aggregate, and elevating mechanisms 112 and 113 that support both ends thereof. Similarly, the bridging structure 12 is mainly composed of a nozzle support portion 120 using carbon fiber resin as an aggregate, and lifting mechanisms 122 and 123 that support both ends thereof.

ノズル支持部110、120には、それぞれスリットノズル111、121が取り付けられている。すなわち、基板処理装置100は水平Y軸方向に伸びる2つのスリットノズル111、121を備えている。   Slit nozzles 111 and 121 are attached to the nozzle support portions 110 and 120, respectively. That is, the substrate processing apparatus 100 includes two slit nozzles 111 and 121 extending in the horizontal Y-axis direction.

そして図2に模式的に示すように、スリットノズル111には、貯留機構162、ポンプ161、供給配管163(図2では破線で示す)を含む吐出機構16が接続されている。同様にスリットノズル121には、貯留機構172、ポンプ171、供給配管173(図2では破線で示す)を含む吐出機構17が接続されている。   As schematically shown in FIG. 2, a discharge mechanism 16 including a storage mechanism 162, a pump 161, and a supply pipe 163 (shown by a broken line in FIG. 2) is connected to the slit nozzle 111. Similarly, a discharge mechanism 17 including a storage mechanism 172, a pump 171, and a supply pipe 173 (shown by a broken line in FIG. 2) is connected to the slit nozzle 121.

スリットノズル111、121には、吐出先端部にスリット(図示せず)が設けられており、ポンプ161、および171によって貯留機構162、172に貯留された塗布液が供給されると、それぞれのスリットから塗布液を吐出する構造となっている。   The slit nozzles 111 and 121 are provided with slits (not shown) at the discharge tip portions, and when the coating liquid stored in the storage mechanisms 162 and 172 is supplied by the pumps 161 and 171, the slits are respectively provided. The coating liquid is discharged from the nozzle.

なお、この実施例では、貯留機構162、および貯留機構172に貯留されている塗布液は異なる組成のものであるが、必ずしも異なる組成である必要は無く、同一の組成であってもよい。   In this embodiment, the storage mechanism 162 and the coating liquid stored in the storage mechanism 172 have different compositions, but they do not necessarily have different compositions, and may have the same composition.

昇降機構112、113は架橋構造11の両側に分かれて配置されており、ノズル支持部110によりスリットノズル111と連結されている。昇降機構112、113はスリットノズル111を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル111のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。同様に、架橋構造12の昇降機構122、123はスリットノズル121を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル121のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。   The elevating mechanisms 112 and 113 are arranged separately on both sides of the bridging structure 11 and are connected to the slit nozzle 111 by the nozzle support part 110. The elevating mechanisms 112 and 113 are used for moving the slit nozzle 111 up and down in translation and adjusting the posture of the slit nozzle 111 in the YZ plane. Similarly, the elevating mechanisms 122 and 123 of the bridging structure 12 are used for moving the slit nozzle 121 in a translational manner and adjusting the posture of the slit nozzle 121 in the YZ plane.

各昇降機構112、113、122、123は、図示しないリニアモータが接続されている。そのため、架橋構造11および12は、走行レール13aおよび13bにて規定された方向(X方向)に駆動することが可能となる。そのため、それぞれのスリットから塗布液を吐出しつつ、リニアモータによりステージ15上をX方向に駆動されることによって、基板90の主面上に塗布液の塗布膜を形成する。   Each lifting mechanism 112, 113, 122, 123 is connected to a linear motor (not shown). Therefore, the bridging structures 11 and 12 can be driven in the direction (X direction) defined by the traveling rails 13a and 13b. Therefore, a coating film of the coating liquid is formed on the main surface of the substrate 90 by being driven in the X direction on the stage 15 by the linear motor while discharging the coating liquid from each slit.

また、ステージ15の(+X)側および、(−X)側には後述するスリットノズル111、121を洗浄する洗浄機構や、待機ポッド等が設けられている(図示省略)。そのため、スリットノズル111がレジスト液を塗布しないときには、架橋構造11は図2に示す(−X)側に移動し、待機する。同様にスリットノズル121が塗布液を塗布しないときには、架橋構造12は図2に示す(+X)側に移動し、待機する。   Further, on the (+ X) side and the (−X) side of the stage 15, a cleaning mechanism for cleaning slit nozzles 111 and 121, which will be described later, a standby pod, and the like are provided (not shown). Therefore, when the slit nozzle 111 does not apply the resist solution, the bridging structure 11 moves to the (−X) side shown in FIG. 2 and stands by. Similarly, when the slit nozzle 121 does not apply the coating solution, the bridging structure 12 moves to the (+ X) side shown in FIG. 2 and stands by.

図1に戻って、搬送ユニット2は、基板処理装置100において基板90の搬送を行うユニットである。また、搬送ユニット3も同様に基板90の搬送を行うユニットである。   Returning to FIG. 1, the transport unit 2 is a unit that transports the substrate 90 in the substrate processing apparatus 100. Similarly, the transport unit 3 is a unit for transporting the substrate 90.

図3は、搬送ユニット2を示す側面図ある。また、図4は、搬送ユニット2を示す平面図である。搬送ユニット2と搬送ユニット3は同じ多間接ロボットであるため、代表して搬送ユニット2を用いて各部の説明を行う。 FIG. 3 is a side view showing the transport unit 2. FIG. 4 is a plan view showing the transport unit 2. Since the transport unit 2 and the transport unit 3 are the same multi-indirect robot, each unit will be described using the transport unit 2 as a representative.

搬送ユニット2は、搬送ユニット2の各構成を固定するための基台21、アーム部22、昇降機構23、回転機構29を備える。 The transport unit 2 includes a base 21 for fixing each component of the transport unit 2, an arm unit 22, an elevating mechanism 23, and a rotating mechanism 29.

アーム部22は、ロボットハンド221、第1アーム223および第2アーム224を備える。また、ロボットハンド221は4つのチャック222を備えている。   The arm unit 22 includes a robot hand 221, a first arm 223, and a second arm 224. Further, the robot hand 221 includes four chucks 222.

チャック222には、図示しない複数の支持ピンが立設されている。ロボットハンド221は、チャック222に設けられた複数の支持ピンの先端が基板90の裏面に当接することによって、基板90を下方から支持する。   A plurality of support pins (not shown) are erected on the chuck 222. The robot hand 221 supports the substrate 90 from below by the tips of a plurality of support pins provided on the chuck 222 coming into contact with the back surface of the substrate 90.

第1アーム223および第2アーム224は、ロボットハンド221と連結されている。このような構造により、アーム部22は伸縮自在であり、ロボットハンド221は水平面内で進退可能である。なお、本実施の形態における搬送ユニット2は、図ではX軸方向に沿った方向にのみ進退するとして説明をおこなっているが、後述する回転機構29によりロボットハンド221の進退方向を変更することが可能である。図3および図4に示す状態では、(+X)方向に進出している状態を実線にて表し、(−X)方向に退出している状態を仮想線で示している。   The first arm 223 and the second arm 224 are connected to the robot hand 221. With such a structure, the arm portion 22 can be expanded and contracted, and the robot hand 221 can advance and retreat in a horizontal plane. Note that although the transport unit 2 in the present embodiment has been described as moving forward and backward in the direction along the X-axis direction in the drawing, the forward and backward direction of the robot hand 221 can be changed by the rotation mechanism 29 described later. Is possible. In the state shown in FIG. 3 and FIG. 4, the state of advance in the (+ X) direction is indicated by a solid line, and the state of exit in the (−X) direction is indicated by a virtual line.

昇降機構23は、支持部材231および支柱部材232を備える。アーム部22が取り付けられる支持部材231は、図示しない直動機構によって、支柱部材232に沿ってZ軸方向に昇降可能に構成されている。すなわち、昇降機構23は、アーム部22をZ軸方向に所定の範囲内で昇降させる機能を有している。   The elevating mechanism 23 includes a support member 231 and a support member 232. The support member 231 to which the arm portion 22 is attached is configured to be movable up and down in the Z-axis direction along the column member 232 by a linear motion mechanism (not shown). That is, the elevating mechanism 23 has a function of elevating and lowering the arm portion 22 in the Z axis direction within a predetermined range.

このように昇降機構23を備えることにより、搬送ユニット2は、ロボットハンド221によって支持した基板90をZ軸方向に移動させることができる。   By providing the lifting mechanism 23 in this way, the transport unit 2 can move the substrate 90 supported by the robot hand 221 in the Z-axis direction.

回転機構29は、図示しない回転モータを備え、アーム部22および昇降機構23を軸Oを中心に一体的に回転させる機構である。すなわち、回転機構29は、アーム部22の進退方向を調整する機能を備えており、例えば、図3に示す状態から、回転機構29が180°回転すると、アーム部23は振り向いた状態となる。すなわち、(−X)方向に進出し、(+X)方向に退出する状態となる。
また、回転機構29が90°方向に回転することにより、アーム部22の進退方向は紙面に垂直な方向となる。
The rotation mechanism 29 includes a rotation motor (not shown), and is a mechanism that integrally rotates the arm unit 22 and the lifting mechanism 23 around the axis O. In other words, the rotation mechanism 29 has a function of adjusting the advancing / retreating direction of the arm portion 22. For example, when the rotation mechanism 29 rotates 180 ° from the state shown in FIG. 3, the arm portion 23 turns around. That is, the vehicle enters the (−X) direction and exits in the (+ X) direction.
Further, when the rotation mechanism 29 rotates in the 90 ° direction, the advancing / retreating direction of the arm portion 22 becomes a direction perpendicular to the paper surface.

図5は、乾燥部4を示す図である。乾燥部4は、乾燥ユニット41、42、および、待機ユニット43が積層されて構成されている。   FIG. 5 is a diagram showing the drying unit 4. The drying unit 4 is configured by stacking drying units 41 and 42 and a standby unit 43.

乾燥ユニット41は、蓋部411、チャンバ412および吸引機構413を備えている。乾燥ユニット41は、塗布部1における処理が終了した基板90に対して、乾燥処理を行うユニットとして構成されている。   The drying unit 41 includes a lid 411, a chamber 412, and a suction mechanism 413. The drying unit 41 is configured as a unit that performs a drying process on the substrate 90 that has been processed in the coating unit 1.

蓋部411は、XY平面に平行となるように配置される板状の部材であって、図示しないフレームによって支持されている。また、蓋部411は、図5に矢印で示すように、Z軸方向に昇降可能であり、上方位置(図5に示す位置)と下方位置との間で昇降する。なお、蓋部411は、下方位置においてチャンバ412と迎合する。   The lid portion 411 is a plate-like member disposed so as to be parallel to the XY plane, and is supported by a frame (not shown). Moreover, the cover part 411 can be moved up and down in the Z-axis direction as shown by an arrow in FIG. 5, and is moved up and down between an upper position (position shown in FIG. 5) and a lower position. In addition, the cover part 411 receives the chamber 412 in the lower position.

チャンバ412は、主に乾燥ユニット41における処理室を形成する部材である。   The chamber 412 is a member that mainly forms a processing chamber in the drying unit 41.

蓋部411の下面およびチャンバ412の上面には凹みが形成されており、蓋部411とチャンバ412とが互いに迎合することによって、密閉された処理空間414が形成される。なお、処理空間414は、水平姿勢の基板90を充分に収容できる大きさの空間として形成される。 A recess is formed in the lower surface of the lid portion 411 and the upper surface of the chamber 412, and a sealed processing space 414 is formed by the lid portion 411 and the chamber 412 coming into contact with each other. Note that the processing space 414 is formed as a space that can sufficiently accommodate the substrate 90 in a horizontal posture.

吸引機構413は、主に装置外の空調装置と処理空間414とを連通させる配管から構成される。このような構造により、乾燥ユニット41では、減圧乾燥処理を行うことが可能である。   The suction mechanism 413 is mainly configured by a pipe that communicates an air conditioner outside the apparatus with the processing space 414. With such a structure, the drying unit 41 can perform a reduced-pressure drying process.

なお、詳細は図示しないが、乾燥ユニット41は、チャンバ412を下方から貫通する複数のリフトピン(図示せず)を備えている。そして、この複数のリフトピンの先端が基板90の裏面に当接することによって、乾燥ユニット41は搬入された基板90を下方から支持する。また、複数のリフトピンは、基板90を支持した状態で昇降することが可能であるので、乾燥ユニッ41は搬入された基板90のZ軸方向の高さ位置を調整することができる。   Although not shown in detail, the drying unit 41 includes a plurality of lift pins (not shown) that penetrate the chamber 412 from below. Then, when the tips of the plurality of lift pins abut against the back surface of the substrate 90, the drying unit 41 supports the substrate 90 carried in from below. Further, since the plurality of lift pins can be moved up and down while supporting the substrate 90, the drying unit 41 can adjust the height position of the loaded substrate 90 in the Z-axis direction.

乾燥ユニット42は、前述の乾燥ユニット41と同じ構成を備えており、同様に減圧乾燥処理を行うユニットであるため、詳細の説明は割愛する。なお、本実施例の形態では、乾燥ユニット41と乾燥ユニット42とは、減圧乾燥処理を行う圧力や時間などのパラメータが相違する。   The drying unit 42 has the same configuration as the above-described drying unit 41 and is a unit that similarly performs a reduced-pressure drying process, and thus detailed description thereof is omitted. In the embodiment, the drying unit 41 and the drying unit 42 are different in parameters such as pressure and time for performing the reduced-pressure drying process.

待機ユニット43は、下部フレーム431とピン432から構成され、下部フレーム431はXY平面に平行となるように構成されている。ピン432は下部フレーム431から所定の距離を開けて、基板90を載置するための部材である。ピン432は、基板90の端部および中央部を支持するよう、下部フレーム431上に配置されている。このように構成されることにより、搬入された基板90を下面より支持しておくことが可能となる。   The standby unit 43 includes a lower frame 431 and a pin 432, and the lower frame 431 is configured to be parallel to the XY plane. The pins 432 are members for placing the substrate 90 at a predetermined distance from the lower frame 431. The pins 432 are disposed on the lower frame 431 so as to support the end and center of the substrate 90. With this configuration, it is possible to support the loaded substrate 90 from the lower surface.

なお、本実施例においては、待機ユニット43は乾燥ユニット41および乾燥ユニット42の下部に積層配置されているが、これに限定されるものではなく、具体的には待機ユニット43が乾燥ユニット41および乾燥ユニット42の上部に積層配置されてもよい。   In this embodiment, the standby unit 43 is stacked below the drying unit 41 and the drying unit 42. However, the present invention is not limited to this. Specifically, the standby unit 43 includes the drying unit 41 and the drying unit 41. It may be laminated on the upper part of the drying unit 42.

図6は、乾燥部4と、搬送ユニット2、搬送ユニット3、および熱処理部5との関係を示す側面図である。   FIG. 6 is a side view showing the relationship between the drying unit 4, the transport unit 2, the transport unit 3, and the heat treatment unit 5.

乾燥部4のフレーム(図5および図6にて仮想線で示す)は、(−X)側および(+X)側において、基板90の幅よりも広い開口を備えている。そのため、搬送ユニット2、および搬送ユニット3は、乾燥ユニット41、乾燥ユニット42、および待機ユニット43のいずれにも基板90を搬入することが可能である。同様に、乾燥ユニット41、乾燥ユニット42、および待機ユニット43のいずれかに支持された基板90は、搬送ユニット2、または搬送ユニット3のどちらによっても搬出することが可能である。   The frame (indicated by phantom lines in FIGS. 5 and 6) of the drying unit 4 includes an opening wider than the width of the substrate 90 on the (−X) side and the (+ X) side. Therefore, the transport unit 2 and the transport unit 3 can carry the substrate 90 into any of the drying unit 41, the drying unit 42, and the standby unit 43. Similarly, the substrate 90 supported by any of the drying unit 41, the drying unit 42, and the standby unit 43 can be carried out by either the transport unit 2 or the transport unit 3.

なお、待機ユニット43に配置されたピン432は、平面視においてロボットハンド221のチャック222と干渉しない位置に配置されている。このように構成されることにより、待機ユニット43と搬送ユニット2または搬送ユニット3との間で、基板90の受け渡しが可能となる。   Note that the pins 432 arranged in the standby unit 43 are arranged at positions that do not interfere with the chuck 222 of the robot hand 221 in plan view. With this configuration, the substrate 90 can be transferred between the standby unit 43 and the transport unit 2 or the transport unit 3.

また、熱処理部5および6は、乾燥部4によって減圧乾燥された基板90に対して加熱処理および冷却処理を行う処理部である。具体的には、基板90が載置され、基板90に対して熱を与える加熱ユニット51(以下、HPと呼ぶ)と、基板90が載置され、前述のHPにより加熱された基板を冷却する冷却ユニット52(以下、CPと呼ぶ)と、バッファ53(以下、BFと呼ぶ)と、から構成される。   The heat treatment units 5 and 6 are processing units that perform heat treatment and cooling treatment on the substrate 90 that has been dried under reduced pressure by the drying unit 4. Specifically, the substrate 90 is placed, a heating unit 51 (hereinafter referred to as HP) that applies heat to the substrate 90, and the substrate 90 is placed and cooled by the aforementioned HP. A cooling unit 52 (hereinafter referred to as CP) and a buffer 53 (hereinafter referred to as BF) are configured.

図6では、熱処理部5のみを示すが、熱処理部6も同様の構成であるため、説明は割愛する。   In FIG. 6, only the heat treatment unit 5 is shown, but the heat treatment unit 6 has the same configuration, and thus the description thereof is omitted.

熱処理部5および6は、前述のHP、CPおよびBFが各処理に対応するように適宜、積層されて構成されており、搬送ユニット3は、熱処理部5および6に積層されて配置されているHP、CP、BFに対して、基板90の搬入、搬出を行う。   The heat treatment units 5 and 6 are appropriately laminated so that the above-described HP, CP, and BF correspond to each treatment, and the transport unit 3 is arranged to be laminated on the heat treatment units 5 and 6. The substrate 90 is carried into and out of the HP, CP, and BF.

なお、前述の塗布部1、搬送ユニット2、搬送ユニット3、乾燥部4、熱処理部5、熱処理部6は、図示しない制御部によって連動して制御される。制御部は、基板処理装置100が単独で備えてもよいし、基板処理システムの制御部の一部であってもよい。制御部は一般のコンピューターが用いられてもよいし、電子回路を組み合わせた基盤によって制御されてもよい。   Note that the coating unit 1, the transport unit 2, the transport unit 3, the drying unit 4, the heat treatment unit 5, and the heat treatment unit 6 are controlled in conjunction with a control unit (not shown). The control unit may be included in the substrate processing apparatus 100 alone, or may be a part of the control unit of the substrate processing system. The control unit may be a general computer, or may be controlled by a base combined with an electronic circuit.

次に、図7を用いて、基板処理装置100、および基板処理システムの動作を説明する。   Next, operations of the substrate processing apparatus 100 and the substrate processing system will be described with reference to FIG.

基板処理システムは、搬入部81から搬入された基板90に対して、洗浄部82により洗浄処理を行い、温調部83によって乾燥され、所定の温度に調整される(ステップS11:前処理完了)。   In the substrate processing system, the substrate 90 carried in from the carry-in unit 81 is subjected to a cleaning process by the cleaning unit 82, dried by the temperature adjustment unit 83, and adjusted to a predetermined temperature (step S11: pre-processing completed). .

そして、基板処理装置100は、搬送ユニット2を駆動させて温調部83から基板90を取り出し、塗布部1に搬入する。そして、塗布部1によって基板90に塗布液Aを塗布する(ステップS12:塗布処理A)。具体的には、制御部は塗布部1の架橋構造11を駆動させて基板90の上方を走査移動しつつ、ポンプ161を駆動させることにより貯留機構162に貯留された塗布液Aを基板90に塗布する。   Then, the substrate processing apparatus 100 drives the transport unit 2 to take out the substrate 90 from the temperature control unit 83 and carry it into the coating unit 1. And the coating liquid A is apply | coated to the board | substrate 90 by the application part 1 (step S12: application | coating process A). Specifically, the control unit drives the bridging structure 11 of the coating unit 1 to scan and move above the substrate 90, and drives the pump 161 to drive the coating liquid A stored in the storage mechanism 162 to the substrate 90. Apply.

塗布処理Aが完了すると、搬送ユニット2は塗布された基板90を乾燥部4に搬送する(ステップS13:減圧乾燥A)。ここでは、乾燥部4の乾燥ユニット41を用いて、所定の減圧乾燥処理が行われる。減圧乾燥処理Aによって、基板90上に塗布された塗布液Aは大半の溶媒が蒸発することにより、流動性が無くなる程度に乾燥した状態となる。   When the coating process A is completed, the transport unit 2 transports the coated substrate 90 to the drying unit 4 (step S13: reduced pressure drying A). Here, a predetermined reduced-pressure drying process is performed using the drying unit 41 of the drying unit 4. By the reduced-pressure drying process A, the coating liquid A applied on the substrate 90 is dried to such an extent that most of the solvent evaporates, so that the fluidity is lost.

減圧乾燥Aが完了すると、搬送ユニット3は基板90を熱処理部5に搬送する(ステップS14:熱処理A)。具体的には、熱処理部5に積層されているHPに基板90を搬送し、所定の温度および時間加熱処理を行うことにより、基板90上の塗布液Aをさらに乾燥させる。加熱処理が終わった基板90は、同じく搬送ユニット3により、CPに搬送される。CPでは、加熱処理によって基板90に蓄積された熱を逃がし、後の処理が行えるように常温に戻す。常温に戻された基板は、バッファ53へと運ばれ、待機する。ここでの熱処理は、塗布液Aの組成や所望される膜厚によって適宜組み合わせて処理される。   When the vacuum drying A is completed, the transport unit 3 transports the substrate 90 to the heat treatment unit 5 (step S14: heat treatment A). Specifically, the substrate 90 is transported to the HP stacked in the heat treatment unit 5 and subjected to heat treatment at a predetermined temperature and time, whereby the coating liquid A on the substrate 90 is further dried. The substrate 90 after the heat treatment is transported to the CP by the transport unit 3. In CP, the heat accumulated on the substrate 90 by the heat treatment is released, and the temperature is returned to room temperature so that the subsequent processing can be performed. The substrate returned to the normal temperature is carried to the buffer 53 and waits. The heat treatment here is appropriately combined depending on the composition of the coating liquid A and the desired film thickness.

次に制御部は、当該基板90に対して連続処理が行われるか判断を行う(ステップS15)。ここで連続処理とは、前述の塗布処理Aから熱処理Aによって形成された層(ここでは、層Aと称する)の上面に対して、新たな層Bを形成する処理である。   Next, the control unit determines whether continuous processing is performed on the substrate 90 (step S15). Here, the continuous treatment is a treatment for forming a new layer B on the upper surface of the layer (herein referred to as layer A) formed by the heat treatment A from the coating treatment A described above.

図8は、連続処理により基板90の上面に層Aおよび層Bが積層されて形成された図である。このように複数の組成をもつ層を積層することにより、様々な特性を備える層を形成することが可能となる。また、層Aと層Bを形成する材料(塗布液)を同一材料とすることにより、一度の塗布工程で形成できる膜厚よりもさらに厚い膜を形成することも可能となる。さらに、この説明では2層を形成する処理を説明するが、2層よりも多い層を形成することも可能である。   FIG. 8 is a diagram in which layers A and B are formed on the upper surface of the substrate 90 by continuous processing. By laminating layers having a plurality of compositions in this way, it is possible to form layers having various characteristics. Further, by using the same material (coating liquid) for forming the layer A and the layer B, it is possible to form a film that is thicker than the film thickness that can be formed by a single coating process. Further, in this description, a process for forming two layers will be described, but it is possible to form more layers than two layers.

図7のステップS15にて、連続処理の有無が判断され、有り(ステップS15にてYes)と判断された基板90は、搬送ユニット3によってバッファ53から取り出され、乾燥部4の待機ユニット43に搬入される(ステップS21:待機部へ搬送)。そして、待機ユニット43に搬入された基板90は、搬送ユニット2によって搬出され、再度、塗布部1に搬入される。このように待機ユニット43を設けることにより、乾燥部4の乾燥ユニット41および42を介することなく、搬送ユニット3から搬送ユニット2に対して基板90の受け渡しを行うことが可能となる。   In step S15 in FIG. 7, the presence or absence of continuous processing is determined, and the substrate 90 determined to be present (Yes in step S15) is taken out of the buffer 53 by the transport unit 3 and stored in the standby unit 43 of the drying unit 4. Carry in (Step S21: Transport to standby unit). Then, the substrate 90 carried into the standby unit 43 is carried out by the carrying unit 2 and carried into the coating unit 1 again. By providing the standby unit 43 in this way, the substrate 90 can be transferred from the transport unit 3 to the transport unit 2 without using the drying units 41 and 42 of the drying unit 4.

塗布部1は、その上面に層Aが形成されている状態の基板90に対して、塗布液Bを塗布する(ステップS22:塗布処理B)具体的には、制御部は塗布部1の架橋構造12を駆動させて基板90の上方を走査移動しつつ、ポンプ171を駆動させることにより貯留機構172に貯留された塗布液Bを基板90に塗布する。   The coating unit 1 applies the coating liquid B to the substrate 90 with the layer A formed on the upper surface (step S22: coating process B). Specifically, the control unit bridges the coating unit 1. The coating liquid B stored in the storage mechanism 172 is applied to the substrate 90 by driving the pump 171 while driving the structure 12 to scan and move above the substrate 90.

塗布処理Bが完了すると、搬送ユニット2は塗布された基板90を乾燥部4に搬送する(ステップS23:減圧乾燥B)。ここでは、乾燥部4の乾燥ユニット42を用いて、減圧乾燥Aとは違うパラメータにて減圧乾燥処理Bが行われる。減圧乾燥処理Bによって、基板90上に塗布された塗布液Bは大半の溶媒が蒸発することにより、流動性が無くなる程度に乾燥した状態となる。   When the coating process B is completed, the transport unit 2 transports the coated substrate 90 to the drying unit 4 (step S23: reduced pressure drying B). Here, using the drying unit 42 of the drying unit 4, the reduced pressure drying process B is performed with parameters different from the reduced pressure drying A. By the reduced-pressure drying process B, the coating liquid B applied onto the substrate 90 is dried to such an extent that most of the solvent evaporates and the fluidity is lost.

減圧乾燥Bが完了すると、搬送ユニット3は基板90を熱処理部6に搬送する(ステップS24:熱処理B)。具体的には、熱処理部6のHPに基板90を搬送し、所定の温度および時間加熱処理を行うことにより、基板90上の塗布液Bをさらに乾燥させる。加熱処理が終わった基板90は、同じく搬送ユニット3により、熱処理部6のCPに搬送される。CPでは、加熱処理によって基板90に蓄積された熱を逃がし、後の処理が行えるように常温に戻す。常温に戻された基板は、熱処理部6のBFへと運ばれ、待機する。   When the decompression drying B is completed, the transport unit 3 transports the substrate 90 to the heat treatment unit 6 (step S24: heat treatment B). Specifically, the substrate 90 is transferred to the HP of the heat treatment unit 6 and subjected to heat treatment at a predetermined temperature and time, whereby the coating liquid B on the substrate 90 is further dried. The substrate 90 after the heat treatment is transported to the CP of the heat treatment unit 6 by the transport unit 3 in the same manner. In CP, the heat accumulated on the substrate 90 by the heat treatment is released, and the temperature is returned to room temperature so that the subsequent processing can be performed. The substrate returned to the normal temperature is carried to the BF of the heat treatment unit 6 and stands by.

上述の工程を経ることにより、基板90上には層Aおよび層Bが形成され、バッファ53にて待機した状態となる。その後、露光部85からの指示を受けて、搬送ユニット3は基板90を移載部84に搬入する(ステップS16:露光工程へ)。   Through the above-described steps, the layer A and the layer B are formed on the substrate 90 and are in a standby state in the buffer 53. Thereafter, in response to an instruction from the exposure unit 85, the transport unit 3 carries the substrate 90 into the transfer unit 84 (step S16: to the exposure process).

また、図7のステップS15にて、連続処理の有無が判断され、無し(ステップS15にてNo)と判断された基板90は、そのままバッファ53にて待機する。そして、露光部85からの指示を受けて、搬送ユニット3により移載部84に搬入される(ステップS16:露光工程へ)。   Further, in step S15 of FIG. 7, the presence or absence of continuous processing is determined, and the substrate 90 determined to be absent (No in step S15) waits in the buffer 53 as it is. Then, in response to an instruction from the exposure unit 85, the transfer unit 3 loads the transfer unit 84 into the transfer unit 84 (step S16: to the exposure process).

以上のように、本実施例の基板処理装置100では、待機ユニット43を備えることにより、一旦下流の熱処理工程に搬送された基板を塗布工程に戻すことが可能となる。そのため、塗布液による膜形成を複数回行うことが容易となる。このように層Aを形成した後に層Bを連続的に形成することにより、層Aと層Bとの間に不純物などが混入するおそれを低減させることが出来る。また、塗布液の種類や塗布回数を適宜選択することにより、装置全体のレイアウト変更を行わずに様々な種類の塗布膜を形成することが可能となる。   As described above, in the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, by providing the standby unit 43, the substrate once transported to the downstream heat treatment process can be returned to the coating process. Therefore, it is easy to perform film formation with the coating solution a plurality of times. By continuously forming the layer B after forming the layer A in this manner, it is possible to reduce the possibility that impurities or the like are mixed between the layer A and the layer B. In addition, by appropriately selecting the type of coating liquid and the number of coatings, various types of coating films can be formed without changing the layout of the entire apparatus.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.

例えば図9は、本発明の第2の実施の形態にかかる基板処理システムの動作を説明した図である。第2の実施の形態では、塗布液として乾燥性の高い塗布液を用いる場合を示している。   For example, FIG. 9 is a diagram for explaining the operation of the substrate processing system according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, a case where a highly dry coating liquid is used as the coating liquid is shown.

第2の実施の形態にかかる基板処理システムは、前述の実施の形態にかかる基板処理システムと同様に、搬入部81から搬入された基板90に対して、前処理動作を行う(ステップS111:前処理完了)。   The substrate processing system according to the second embodiment performs a pre-processing operation on the substrate 90 carried in from the carry-in unit 81, similarly to the substrate processing system according to the above-described embodiment (step S111: before Processing complete).

その後、塗布部1によって基板90に塗布液A'を塗布する(ステップS112:塗布処理A')。この場合の塗布液A'は、前述の塗布液Aに比べて乾燥性が高い(=沸点が低い)溶媒を用いている。   Thereafter, the coating unit 1 applies the coating liquid A ′ to the substrate 90 (step S112: coating process A ′). In this case, the coating liquid A ′ uses a solvent having a higher drying property (= lower boiling point) than the coating liquid A described above.

塗布処理A'が完了すると、減圧乾燥処理が行われる(ステップS113:減圧乾燥A')。塗布液A'は乾燥性が高いため、減圧乾燥A'を行うだけで略乾燥した状態になる。ここでは、乾燥部4の乾燥ユニット41を用いて、所定の減圧乾燥処理が行われる。減圧乾燥処理A'によって、基板90上に塗布された塗布液A'は溶媒が蒸発することにより、略乾燥した状態となる。   When the coating process A ′ is completed, a reduced pressure drying process is performed (step S113: reduced pressure drying A ′). Since the coating liquid A ′ has high drying properties, the coating liquid A ′ is almost dried only by performing the reduced pressure drying A ′. Here, a predetermined reduced-pressure drying process is performed using the drying unit 41 of the drying unit 4. By the reduced-pressure drying process A ′, the coating liquid A ′ applied on the substrate 90 is substantially dried as the solvent evaporates.

塗布液A'の層が形成された基板90に対して連続処理が選択された場合(ステップS115にてYes)、搬送ユニット2は乾燥ユニット41から基板90を搬出し、再度、塗布部1に搬入する(ステップS121)。   When continuous processing is selected for the substrate 90 on which the layer of the coating liquid A ′ is formed (Yes in step S115), the transport unit 2 unloads the substrate 90 from the drying unit 41, and again enters the coating unit 1. Carry in (step S121).

その後、塗布部1に搬入された、上面に塗布液A'の層が形成されている状態の基板90に対して、塗布液B'を塗布する(ステップS122:塗布処理B')。   Thereafter, the coating liquid B ′ is applied to the substrate 90 that has been carried into the coating unit 1 and in which the layer of the coating liquid A ′ is formed on the upper surface (step S122: coating process B ′).

塗布処理B'が完了すると、搬送ユニット2は塗布された基板90を乾燥部4に搬送する(ステップS123:減圧乾燥B')。   When the coating process B ′ is completed, the transport unit 2 transports the coated substrate 90 to the drying unit 4 (step S123: reduced pressure drying B ′).

減圧乾燥B'が完了すると、搬送ユニット3は基板90を熱処理部5に搬送する(ステップS114:熱処理)。ここで、塗布液B'も塗布液A'と同様の乾燥性の高い塗布液を用いる事により、後の熱処理工程を回避することが可能である。このような場合は、熱処理(ステップS114)を行わず、搬送ユニット3は下流の露光工程へ基板90を受け渡す。
以上のように、塗布液の乾燥性によって、熱処理工程は適宜省略されてもよい。
When the vacuum drying B ′ is completed, the transport unit 3 transports the substrate 90 to the heat treatment unit 5 (step S114: heat treatment). Here, it is possible to avoid a subsequent heat treatment step by using a coating solution having a high drying property similar to the coating solution A ′ as the coating solution B ′. In such a case, the heat treatment (step S114) is not performed, and the transport unit 3 delivers the substrate 90 to the downstream exposure process.
As described above, the heat treatment step may be appropriately omitted depending on the drying property of the coating solution.

なお、第2の実施の形態では、ステップS121にて搬送ユニット2によって基板が塗布部1に搬送されたが、搬送ユニット3によって基板90が搬出され、待機ユニット43に搬入されてもよい。搬送ユニット3を用いることにより、搬送ユニット2は、他の基板の搬送動作を行うことが可能となる。   In the second embodiment, the substrate is transported to the coating unit 1 by the transport unit 2 in step S <b> 121, but the substrate 90 may be unloaded by the transport unit 3 and loaded into the standby unit 43. By using the transport unit 3, the transport unit 2 can perform transport operations of other substrates.

具体的には、基板90が乾燥ユニット41にて減圧乾燥処理が行われている間に、塗布部1は他の基板の塗布動作を行う。そして、搬送ユニット3が基板90を乾燥ユニット41から待機ユニット43に基板を搬送するとともに、搬送ユニット2が他の基板を乾燥ユニット41に搬入することにより、塗布装置100の処理枚数を向上させることができる。   Specifically, while the substrate 90 is being dried under reduced pressure by the drying unit 41, the coating unit 1 performs the coating operation of another substrate. The transport unit 3 transports the substrate 90 from the drying unit 41 to the standby unit 43, and the transport unit 2 transports another substrate to the drying unit 41, thereby improving the processing number of the coating apparatus 100. Can do.

また、上述の実施の形態では、乾燥部4は、乾燥ユニット41および乾燥ユニット42を備えていたが、いずれか一方であってもよい。また、塗布液の組成によって減圧乾燥工程が必要でない場合には、乾燥ユニット41および乾燥ユニット42の代わりに、待機ユニットのように基板を載置するだけのユニットにて乾燥処理を行う構成であってもよい。   In the above-described embodiment, the drying unit 4 includes the drying unit 41 and the drying unit 42, but either one may be used. In addition, when a reduced-pressure drying process is not necessary depending on the composition of the coating solution, the drying process is performed by a unit that simply mounts a substrate, such as a standby unit, instead of the drying unit 41 and the drying unit 42. May be.

また、熱処理部5および熱処理部6には、加熱ユニット51、冷却ユニット52、およびバッファ53を複数備えていたが、これらの配置や個数は適宜設計事項として決定される。また、基板処理装置100は熱処理部5および熱処理部6を備える構成を用いて説明したが、熱処理部はいずれか一方でもよく、これらもまた設計事項として適宜選択される事項である。また、塗布液の組成によって加熱処理、冷却処理が必要でない場合は、加熱ユニット51、冷却ユニット52、およびバッファ53が省略されてもよい。   The heat treatment unit 5 and the heat treatment unit 6 include a plurality of heating units 51, cooling units 52, and buffers 53. The arrangement and number of these units are appropriately determined as design matters. Moreover, although the substrate processing apparatus 100 was demonstrated using the structure provided with the heat processing part 5 and the heat processing part 6, any one may be sufficient as a heat processing part, and these are also matters suitably selected as a design matter. Further, when the heat treatment and the cooling treatment are not necessary depending on the composition of the coating liquid, the heating unit 51, the cooling unit 52, and the buffer 53 may be omitted.

また、乾燥部4に対して、搬送ユニット2および搬送ユニット3は相対する方向(180°方向)に配置されていたが、これに限定されるものではない。例えば図10に示す塗布装置100'のように、乾燥部4に対して、搬送ユニット2および搬送ユニット3がアクセス可能な位置(例えば90°方向)に配置されていればよい。
Moreover, although the conveyance unit 2 and the conveyance unit 3 were arrange | positioned with respect to the drying part 4 in the direction (180 degree direction) which opposes, it is not limited to this. For example, as with a coating apparatus 100 ′ illustrated in FIG.

1 ・・・ 塗布装置
2、3 ・・・ 搬送ユニット
4 ・・・ 乾燥部
5、6 ・・・ 熱処理部
14 ・・・ 保持面
41、42 ・・・ 乾燥ユニット
43 ・・・ 待機ユニット
51 ・・・ 加熱ユニット
52 ・・・ 冷却ユニット
53 ・・・ バッファ
90 ・・・ 基板
111、121 ・・・ スリットノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Coating device 2, 3 ... Conveyance unit 4 ... Drying part 5, 6 ... Heat processing part 14 ... Holding surface 41, 42 ... Drying unit 43 ... Standby unit 51- ... Heating unit 52 ... Cooling unit 53 ... Buffer 90 ... Substrate 111, 121 ... Slit nozzle

Claims (4)

基板に対して所定の処理液を塗布し、塗布膜を形成する基板処理装置において、
第1および第2のスリットノズルと、前記基板を水平に載置する載置手段とを備え、当該スリットノズルを前記載置手段に載置された基板に対して走査移動することにより、前記基板の上面に処理液を塗布する塗布機構と、
前記塗布機構によって塗布された前記基板に対して乾燥処理を行う工程のうち、少なくとも一部である第1の乾燥工程を行う第1乾燥機構と、
前記塗布機構により塗布された前記基板を前記第1乾燥機構に搬入する第1搬送機構と、
前記第1搬送機構により前記第1乾燥機構に搬送された基板を、前記第1乾燥機構の前記第1搬送機構が対向する面とは異なる面から搬出する第2搬送機構と、
前記第1乾燥機構と積層配置され、前記第1搬送機構および前記第2搬送機構により、前記基板が搬入または搬出される待機機構と、
前記塗布機構、前記第1乾燥機構、前記第1搬送機構および前記第2搬送機構を制御する制御機構と、を備え、
前記塗布機構および前記第1乾燥機構は前記第1搬送機構を中心とした同心円上に配置され、
前記制御機構は、前記塗布機構により前記第1のスリットノズルにより処理液が塗布された基板を前記第1搬送機構により前記第1乾燥機構に搬入し第1の乾燥工程を行なった後、前記第2搬送機構により前記第1乾燥機構から前記待機機構に搬入し、前記第1搬送機構により前記待機機構から搬出して前記塗布機構の載置手段に再度載置し、当該基板の前記第1のスリットノズルにより塗布された処理液による層の上面に、当該層と略同一面積に前記第2のスリットノズルにより処理液を塗布することを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate and forming a coating film,
The first and second slit nozzles, and a placing unit for placing the substrate horizontally, and scanning the substrate with respect to the substrate placed on the placing unit, thereby moving the substrate. An application mechanism for applying the treatment liquid to the upper surface of
A first drying mechanism that performs a first drying step that is at least a part of the step of performing a drying process on the substrate coated by the coating mechanism;
A first transport mechanism for transporting the substrate coated by the coating mechanism to the first drying mechanism;
A second transport mechanism for unloading the substrate transported to the first drying mechanism by the first transport mechanism from a surface different from the surface of the first drying mechanism facing the first transport mechanism;
A standby mechanism that is stacked with the first drying mechanism, and the substrate is carried in or out by the first transport mechanism and the second transport mechanism;
The application mechanism, and a control mechanism for controlling the first drying device, pre-Symbol first conveying mechanism and the second transport mechanism,
The coating mechanism and the first drying mechanism are arranged on a concentric circle with the first transport mechanism as a center,
The control mechanism, after the substrate which the treatment liquid has been applied by the first slit nozzle was performed first drying step was carried into the first drying mechanism by the first transport mechanism by the coating mechanism, The second transport mechanism carries in the standby mechanism from the first drying mechanism, the first transport mechanism unloads from the standby mechanism, and is placed again on the placing means of the coating mechanism, and the substrate A substrate processing apparatus, wherein a processing liquid is applied to an upper surface of a layer made of a processing liquid applied by one slit nozzle by the second slit nozzle in substantially the same area as the layer.
請求項に記載の基板処理装置において、
前記塗布機構によって塗布された前記基板に対して乾燥処理を行う工程のうち、少なくとも一部である第2の乾燥工程を行う第2乾燥機構をさらに備え、
前記第2乾燥機構、および前記第1乾燥機構は、前記第2搬送機構を中心とした同心円上に配置され
前記制御機構は、第2の乾燥工程を行った後、前記第2搬送機構により前記第2乾燥機構から前記第1乾燥機構と積層配置された前記待機機構に搬入された基板を前記第1搬送機構により前記待機機構から搬出し、前記塗布機構の載置手段に再度載置することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
A second drying mechanism for performing a second drying step that is at least a part of the step of performing a drying process on the substrate coated by the coating mechanism;
The second drying mechanism and the first drying mechanism are arranged on a concentric circle centering on the second transport mechanism ,
The control mechanism performs a second drying process, and then transfers the first transported substrate from the second drying mechanism to the standby mechanism stacked with the first drying mechanism by the second transport mechanism. A substrate processing apparatus , wherein the substrate is unloaded from the standby mechanism by the mechanism and placed again on the placing means of the coating mechanism .
請求項に記載の基板処理装置において、
前記第1の乾燥工程は、前記塗布機構により前記基板上に塗布された塗布液を減圧乾燥する減圧乾燥工程を含み、
前記第2の乾燥工程は、前記基板に対して熱を加える加熱工程を含むことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2 ,
The first drying step includes a reduced-pressure drying step of drying the coating solution coated on the substrate by the coating mechanism under reduced pressure,
The substrate processing apparatus, wherein the second drying step includes a heating step of applying heat to the substrate.
請求項1から請求項のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1のスリットノズルにより塗布される処理液と、前記第2のスリットノズルにより塗布される処理液とは、別の組成を有する処理液であることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3 ,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid applied by the first slit nozzle and the processing liquid applied by the second slit nozzle are processing liquids having different compositions.
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