JP5414561B2 - ディプレッション型fet用バイアス印加回路 - Google Patents
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Description
また、使用するFET素子特性にバラツキがあっても良好に動作することから、Idss特性によって従来では選別されなかったものが使用可能となり、更に個々のFETについてソース抵抗の調整又は交換を行う等、素子特性の管理工数の削減ができるという効果がある。
上述のように、正電源3と接地との間には抵抗R1,R2が接続されており、これらの抵抗比により分圧された電圧が第2トランジスタQ2 のベースに印加される。従って、第2トランジスタQ2 のベース電圧Vb2 は、(R1/(R1+R2))×V1[V1:正電源3の電圧]であり、第2トランジスタQ2 のエミッタ電圧Ve2 は、この第2トランジスタQ2 ベース−エミッタ間電圧をVbe2 とすると、Ve2 =Vb2 +Vbe2 となる。
2…負電源、 3…正電源、
Q1 …第1(NPN)トランジスタ、
Q2 …第2(PNP)トランジスタ、
R1,R2…抵抗、 R3…ドレイン電流検出用抵抗。
Claims (1)
- ディプレッション型FETを単電源で駆動するバイアス印加回路において、
上記FETのソースと接地との間に挿入された第1トランジスタと、
上記FETのドレイン電流を検出するためのドレイン電流検出用抵抗と、
このドレイン電流検出用抵抗を介して上記FETのドレイン電流の変動を検出し、このドレイン電流の大きさに応じた調整用電流を上記第1トランジスタのベースに供給する第2トランジスタと、を設け、
上記第1トランジスタにより上記FETのソース電圧を制御することにより、上記FETのドレイン電流が常に一定となるように自動調整するディプレッション型FET用バイアス印加回路。
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