JPS59194522A - 電界効果トランジスタ用温度補償バイアス回路 - Google Patents
電界効果トランジスタ用温度補償バイアス回路Info
- Publication number
- JPS59194522A JPS59194522A JP58068742A JP6874283A JPS59194522A JP S59194522 A JPS59194522 A JP S59194522A JP 58068742 A JP58068742 A JP 58068742A JP 6874283 A JP6874283 A JP 6874283A JP S59194522 A JPS59194522 A JP S59194522A
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- JP
- Japan
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- effect transistor
- drain
- resistor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/306—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in junction-FET amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、何等かの原因で直流パラメータに変動が生じ
た場合でも、電界効果トランジスタのドレイン・ソース
間電圧およびドレイン電流を自動的に一定に保持するこ
とができ、かつ、マイクロ波増幅器として電界効果トラ
ンジスタを使用した場合には、利得の温度変化を補償す
ることができるように改良を施と１７だ電界効果トラン
ジスタ用バイアス回路に関する。
た場合でも、電界効果トランジスタのドレイン・ソース
間電圧およびドレイン電流を自動的に一定に保持するこ
とができ、かつ、マイクロ波増幅器として電界効果トラ
ンジスタを使用した場合には、利得の温度変化を補償す
ることができるように改良を施と１７だ電界効果トラン
ジスタ用バイアス回路に関する。
第１図は電界効果トランジスタをソース接地して使用す
る電子回路に、直流バイアスを供給するバイアス回路の
従来例を示す図である。
る電子回路に、直流バイアスを供給するバイアス回路の
従来例を示す図である。
従来の電界効果トランジスタ用バイアス回路は牙１図か
ら明らかなように、可変抵抗器２の中間端子と電界効果
トランジスタ１のゲート電極とを接続し、電界効果トラ
ンジスタ１のドレイン′屯極を抵抗３を介して正電源に
接続し、可変抵抗器２の一端を接地し残りの一端を負電
源に接続して構成してあシ、可変抵抗器２の中間端子の
位Ｍを変えることにより、ゲート・ソース１１１賀圧を
変えて、所定のドレイン電流ひいてはドレイン・ソース
間電圧を得ている。
ら明らかなように、可変抵抗器２の中間端子と電界効果
トランジスタ１のゲート電極とを接続し、電界効果トラ
ンジスタ１のドレイン′屯極を抵抗３を介して正電源に
接続し、可変抵抗器２の一端を接地し残りの一端を負電
源に接続して構成してあシ、可変抵抗器２の中間端子の
位Ｍを変えることにより、ゲート・ソース１１１賀圧を
変えて、所定のドレイン電流ひいてはドレイン・ソース
間電圧を得ている。
しだがって、区界効果トランジスタを交換した場合には
、可変抵抗器２の中間端子の位置を調整する必要が生じ
、電界効果トランジスタでマイクロ波帯の増幅器を構成
した場合には、温度による利イ１変動がその斗ま現われ
る。
、可変抵抗器２の中間端子の位置を調整する必要が生じ
、電界効果トランジスタでマイクロ波帯の増幅器を構成
した場合には、温度による利イ１変動がその斗ま現われ
る。
べらに、可変抵抗器２の信′Ｍ朋が低いため、バイアス
回路としての信頼度も低くなるという問題がある。
回路としての信頼度も低くなるという問題がある。
本発明の目的は、電界効果トランジスタに一定のドレイ
ン電流、ドレイン・ソース間電圧を自動的に供給し、こ
の電界効果トランジスタを使用したマイクロ波増幅器の
利得の温度変動を補償することのできる電界効果トラン
ジスタ用バイアス回路を提供することにある。
ン電流、ドレイン・ソース間電圧を自動的に供給し、こ
の電界効果トランジスタを使用したマイクロ波増幅器の
利得の温度変動を補償することのできる電界効果トラン
ジスタ用バイアス回路を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明による電界効果トラ
ンジスタ用温度補償バイアス回路はマイクロ波回路の増
幅用として用いるソース接地形電界効果トランジスタの
直流バイアス回路において、前記電界効果トランジスタ
のゲート電極およびドレイン電極をそれぞれ第１の抵抗
および第２の抵抗を介して正電源の正電極および負電源
の負電極に接続し、バイポーラトランジスタのコレクタ
電極を前電界効果トランジスタのゲート電極と第１の抵
抗との接続点に接続し、前記バイポーラトランジスタの
エミッタ電極を前記電界効果トランジスタのドレイン電
極と第２の抵抗との接続点に接続し、さらに前記バイポ
ーラトランジスタのベース電極を第３の抵抗を介して正
電源の正電極に接続するとともに第４の抵抗を介して接
地し、直流パラメータ変動に起因して前記電界効果トラ
ンジスタのドレイン電流およびドレイン・ソース間電圧
が変化したときはその変化分を補なうように動作し、温
度が変動したときは前記電界効果トランジスタのドレイ
ン電流がその温度変動分に対応して増減するように構成
しである。
ンジスタ用温度補償バイアス回路はマイクロ波回路の増
幅用として用いるソース接地形電界効果トランジスタの
直流バイアス回路において、前記電界効果トランジスタ
のゲート電極およびドレイン電極をそれぞれ第１の抵抗
および第２の抵抗を介して正電源の正電極および負電源
の負電極に接続し、バイポーラトランジスタのコレクタ
電極を前電界効果トランジスタのゲート電極と第１の抵
抗との接続点に接続し、前記バイポーラトランジスタの
エミッタ電極を前記電界効果トランジスタのドレイン電
極と第２の抵抗との接続点に接続し、さらに前記バイポ
ーラトランジスタのベース電極を第３の抵抗を介して正
電源の正電極に接続するとともに第４の抵抗を介して接
地し、直流パラメータ変動に起因して前記電界効果トラ
ンジスタのドレイン電流およびドレイン・ソース間電圧
が変化したときはその変化分を補なうように動作し、温
度が変動したときは前記電界効果トランジスタのドレイ
ン電流がその温度変動分に対応して増減するように構成
しである。
上記構成によれば、自動的にドレイン・ソース間電圧お
よびドレイン電流を一定に保持することができ、さらに
電界効果トランジスタよりなるマイクロ波増幅器の利得
の温度変動を補償でき、本発明の目的は完全に達成でき
る。
よびドレイン電流を一定に保持することができ、さらに
電界効果トランジスタよりなるマイクロ波増幅器の利得
の温度変動を補償でき、本発明の目的は完全に達成でき
る。
以下、図面を診照して本発明をさらに詳しく説明する。
訓・２図は本発明の実雄例を示す図である。
本図は電界効果トランジスタ１、ノくイホーラトランジ
スタ４＼抵抗器５．６・ ７．８から構成され、抵抗器
５は所定のドレイン揃、流が流れたときにドレイン・ソ
ース間電圧が所定の電圧値となるような抵抗値に定めら
れ、抵抗器６．７はバイポーラトランジスタ３のベース
に印加する基準電圧を決めるもので、ドレイン・ソース
間′間圧ヨリベース・エミッタ間′区圧だけ低い電圧に
なるように定められ、抵抗器８はバイポーラトランジス
タ４のコレクタ電流が流れ、コレクタ電流の変化に応じ
た電圧を電界効果トランジスタ１のゲートに印加する。
スタ４＼抵抗器５．６・ ７．８から構成され、抵抗器
５は所定のドレイン揃、流が流れたときにドレイン・ソ
ース間電圧が所定の電圧値となるような抵抗値に定めら
れ、抵抗器６．７はバイポーラトランジスタ３のベース
に印加する基準電圧を決めるもので、ドレイン・ソース
間′間圧ヨリベース・エミッタ間′区圧だけ低い電圧に
なるように定められ、抵抗器８はバイポーラトランジス
タ４のコレクタ電流が流れ、コレクタ電流の変化に応じ
た電圧を電界効果トランジスタ１のゲートに印加する。
今、何らかの原因で直流ノ（ラメータが変イヒしドレイ
ン電流が減少したとする。
ン電流が減少したとする。
ドレイン電流の減少により抵抗器５の電圧降下は減少し
電界効果トランジスタ１のト°レイン・ソース間電圧が
大きくなる。
電界効果トランジスタ１のト°レイン・ソース間電圧が
大きくなる。
このとき、バイポーラトランジスタ４のベース・エミッ
タ間の電圧は大きくなり、ベース電流が増加してコレク
タ電流も増大する０ コレクタ電流の増大は抵抗器８の電圧降下を大きくする
ため、電界効果トランジスタのゲートに印加される電圧
すなわちゲート・ソース間電圧が減少する。
タ間の電圧は大きくなり、ベース電流が増加してコレク
タ電流も増大する０ コレクタ電流の増大は抵抗器８の電圧降下を大きくする
ため、電界効果トランジスタのゲートに印加される電圧
すなわちゲート・ソース間電圧が減少する。
したがって、ドレイン電流が増加し、ドレイン電流が一
定に保たれ、ドレイン°ソース間電圧も一定に保たれる
。
定に保たれ、ドレイン°ソース間電圧も一定に保たれる
。
次に、電界効果トランジスタを使用したマイクロ波増幅
器の利得変動補償について説明する。
器の利得変動補償について説明する。
一般に増幅器の利得は高温になるｔｌと低下し、低温に
なるほど高くなる。
なるほど高くなる。
本発明によるバイアス回路を使用した電界効果トランジ
スタ増幅器では、温度が高くなると第３図に示すように
ベース・エミッタ間電流が大きくなるためコレクタ電流
が増大し、電界効果トランジスタのゲート・ソース間取
圧が低下しドレイン電流戎流が増加する。
スタ増幅器では、温度が高くなると第３図に示すように
ベース・エミッタ間電流が大きくなるためコレクタ電流
が増大し、電界効果トランジスタのゲート・ソース間取
圧が低下しドレイン電流戎流が増加する。
′電界効果トランジスタ増幅器ではドレイン電流の増大
とともに利得も増加するため、電界効果゛ トランジス
タ自身の利得低下を補償することができる、 以上群１． ＜ ’ｉ５２明したように、本発明によれ
ばは界効果トランジスタを交喚した場合にも、ま′に電
界効果トランジスタの直流パラメータの変化にも、自動
的にドレイン電流訃よびドレイン・ソース間取、圧を一
定に保つことができＡさらに本バイアス回路を使用した
”ｉｉ４．界効果トランジスタ増幅器では、温度による
利得変動を補償することができる。
とともに利得も増加するため、電界効果゛ トランジス
タ自身の利得低下を補償することができる、 以上群１． ＜ ’ｉ５２明したように、本発明によれ
ばは界効果トランジスタを交喚した場合にも、ま′に電
界効果トランジスタの直流パラメータの変化にも、自動
的にドレイン電流訃よびドレイン・ソース間取、圧を一
定に保つことができＡさらに本バイアス回路を使用した
”ｉｉ４．界効果トランジスタ増幅器では、温度による
利得変動を補償することができる。
第１図は従来の電界効果トランジスタ用バイアス回路の
回路図、第２図は本発明によるバイアス回路の実施例を
示す回路図、第３図はバイポーラトランジスタの温度を
パラメータとしたベース・エミッタ間電圧電流特性を示
す図である。 １・・・電界効果トランジスタ ２・・・可変抵抗器 ３．５．６．７．８・・・抵抗器 ４・・・バイポーラトランジスタ 特許出願人 日本電気株式会社
回路図、第２図は本発明によるバイアス回路の実施例を
示す回路図、第３図はバイポーラトランジスタの温度を
パラメータとしたベース・エミッタ間電圧電流特性を示
す図である。 １・・・電界効果トランジスタ ２・・・可変抵抗器 ３．５．６．７．８・・・抵抗器 ４・・・バイポーラトランジスタ 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- ソース接地形電界効果トランジスタの直流バイアス回路
において、電界効果トランジスタのゲート電極およびド
レイン電極をそれぞれ第１の抵抗および第２の抵抗を介
して正電源の正電極および負′１ｂ、源の負電極に接続
し、バイポーラトランジスタのコレクタ電極を前電界効
果トランジスタのゲート電極と第１の抵抗との接続点に
接続し、前記バイポーラトランジスタのエミッタ電極を
前記電界効果トランジスタのドレイン電極と第２の抵抗
との接続点に接続し１さらにｆｓｔｌ記バイデバイポー
ラトランジスタス電極ヲ第３の抵抗を介して正電源の正
電極に接続するとともに、第４の抵抗を介して接地し、
直流パラメータ変動に起因して前記電界効果トランジス
タのドレイン電流およびドレイン・ソース間電圧が変化
したときはその変化分を補なうように動作し、温度が変
動したときは＼前記電界効果トランジスタのドレイン電
流がその温度変動分に対応して増減するように構成した
電界効果トランジスタ用温度補償バイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58068742A JPS59194522A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 電界効果トランジスタ用温度補償バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58068742A JPS59194522A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 電界効果トランジスタ用温度補償バイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194522A true JPS59194522A (ja) | 1984-11-05 |
| JPH0311682B2 JPH0311682B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=13382532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58068742A Granted JPS59194522A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 電界効果トランジスタ用温度補償バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194522A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297411A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Nec Corp | Ｆｅｔ増幅器の温度補償回路 |
| WO2011104933A1 (ja) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | シャープ株式会社 | バイアス回路、ｌｎａ、ｌｎｂ、通信用受信機、通信用送信機、およびセンサーシステム |
-
1983
- 1983-04-19 JP JP58068742A patent/JPS59194522A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297411A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Nec Corp | Ｆｅｔ増幅器の温度補償回路 |
| WO2011104933A1 (ja) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | シャープ株式会社 | バイアス回路、ｌｎａ、ｌｎｂ、通信用受信機、通信用送信機、およびセンサーシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311682B2 (ja) | 1991-02-18 |
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