JP5412892B2 - レンズ形状の設計方法、レンズの形成方法、撮像素子、およびフォトマスクの設計方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 119
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims description 56
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 93
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 claims description 62
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 35
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
尚、図20のD1は撮像部の中心部の断面で、D2は周辺部の断面で、他は省略して示してある。
このような、撮像装置においては、同じマイクロレンズ130を全てのセルの受光部側表面に配した場合、カメラレンズ110の光軸115上を通過する光線は、固体撮像素子120の感光部125に垂直に入射し、光軸115から離れるに従い斜め入射する入射角θ0が大となるため、周辺では、中心よりも集光の効率が低下する。
このため、従来は、マイクロレンズ130により効率良く集光するために、光軸115からのマイクロレンズ130の位置と感光部との位置関係を所定量だけずらしておく形態が採られて、集光の効率を上げていた。
このようなずらしを画素ずらしと言い、かなり効果的な手法ではあるが、特に広角のカメラレンズに対しては効果が十分ではない。
また、撮像素子としては、従来は、CCDイメージセンサが主流であったが、近年は消費電力の低さで優位性のあるCMOSイメージセンサがより積極的に採用されるようになってきた。
しかし、セル内で光が通過して感光部にまで達する奥行きは、ー般的にはCMOSイメージセンサの方が深いので、CMOSイメージセンサの場合、CCDイメージセンサに比べ周辺での集光効率の低下も顕著である。
遮光部150は金属配線層とも呼ばれ、充填材料173は、パッシベーション層、金属配線層間を絶縁するための層間絶縁膜などからなる。
セルの撮像素子面に沿う断面は正方形であることが多いが、長方形や正六角形であることもあり、そのピッチサイズは、現状では、1.4μm〜12μm程度であるものがー般的である。
感光部125はセルの底部に配置され、そこに入射した光の強度に応じて、光強度を電気信号に変換する。
そして、感光部125から出力された電気信号に補間等の処理を施すことにより画像が出力される。
隣接する感光部間を区画分離する為の素子分離層が必要であるため、セルの底面全体にわたって感光部を設けるのは困難であり、感光部125の領域はセルの底面領域のー部分である。
この方法の1例を、図21に基づいて、以下、簡単に説明しておく。
尚、図21中、301はデバイス基板(イメージセンサ基板)、302はシリコンウエハ、303は感光部(受光素子とも言う)、304はカラーフィルタ、304aは平坦化層、305は平坦化層、306はレジスト層、307はフォトマスク、308は露光光、309はレジストパターン(現像後のレジスト像)、310は凸レンズ(熱フロー後のレジスト像)である。
本例は、シリコンウエハ302の一面に形成された感光部303上側に、カラーフィルタ304を配設したデバイス基板301(図21(a)に対し、その各感光部303に対応して微小集光レンズを設ける場合である。
先ず、デバイス基板301のカラーフィルタ304を覆う平坦化層305を設け、更に平坦化層305上にレンズを形成するための感光性の樹脂であるレジスト層306を塗布する。(図21(b))
次いで、フォトマスク307を用いてステッパーにてレジスト層306を選択露光し(図21(c))、現像処理して、各感光部303に対応する領域に感光部303を覆う略四角状のレジストパターン309を形成する。(図21(d))
この後、熱処理してレジストパターン309を熱フローさせ、各感光部303に対応した凸レンズ310を形成する。(図21(e))
この方法の場合、レジストパターン309を熱フローにより凸レンズ形状とするため、所望の焦点距離を有する集光効率の良いレンズを形成することが難しかった。
特に、感光部までの距離が長いCMOSイメージセンサにおいては、熱処理による自然フローでは、焦点距離の長い設計通りのレンズ形状を形成することが難しかった。
しかし、この方法の場合、エッチバックによりマイクロレンズを形成しており、且つ、マスクのパターン作成において、乱数によるパターンの配置を行う方法が採られているため、正確な所望の透過光量プロファイルを得るのは困難であった。
このような微細なドットパターンの分布を用いて透過率を変化させたマスクを階調マスクとも言う。
そして、近年では、前述の階調マスクなどの方法により、レンズ間にギャップを設ける必要がなくなり、比較的自由な設計形状が実際に製造できるようになってきた。
また、更に入射光のロスを少なくするために、レンズの理想的な(より良い)設計形状がどのようなものであるかという課題がクローズアップしてきた。
特開2004−296590号公報に記載の撮像装置におけるマイクロレンズの設計方法は、レンズの界面の後ろに、光が透過する屈折率の異なる複数の層がそれぞれ所定の厚さで積層しているような構造のものにおいて、レンズと前記複数の層との屈折率を等しいと仮定して、空気中を進んできた平行な光線群が、レンズとの界面で一回だけ屈折して、焦点を結ぶような光学系を想定し、与えられた目的の位置に焦点を結ぶようなレンズ形状を、回転楕円体として求めるものであり、ここでは、該焦点位置に撮像素子の受光部を配すことを前提としている。
このマイクロレンズの設計方法においては、上記仮定において、与えられた目的の位置に焦点を結ぶようなレンズ形状は、誤差の全く生じない厳密な計算により、回転楕円体として求めることができる。
実際の撮像装置の撮像素子は、レンズの界面の後ろに、屈折率の異なる複数の層がそれぞれ所定の厚さで積層しているような構造であり、このような構造の場合、厳密に与えられた目的の位置に焦点を結ぶ理想的なレンズ形状を得るには、数式が非常に複雑になり、これを解いて理想的なレンズ形状を得るための厳密解を求めることはほぼ不可能である。 このため、レンズ形状を微調整しながら光線追跡シミュレーションを反復し、理想的なレンズ形状に近い形状へと収束させていく方法が一般的に採られているが、計算量が多く、時間がかかるという問題があった。
特開平5−142752号公報
特開2004−296590号公報
本発明は、これらに対応するもので、特に、撮像装置に用いられる撮像素子の受光素子への入射光のロスを少なくするためのレンズの形状設計方法であって、レンズ下の層が、屈折率の異なる複数の層からなる場合において、好適なレンズの形状設計方法を提供しようとするものである。
そして、上記のレンズ形状の設計方法であって、前記積層材料は、基材の一面側に受光素子を形成した受光素子形成基板の受光素子形成面側に配されるものであり、平坦化層、カラーフィルタ層、充填材料層の、全部の層または一部の層を含む複数層からなるものであることを特徴とするものである。
尚、ここでの充填材料層は、集積回路の金属配線層間に絶縁の為に存在し、あるいはその表面を覆う酸化珪素や窒化珪素等の層を意味し、実際に充填されたものに限定されず、CVD法等にて下層から順に積層して形成された積層構造を含む。
また、充填材料層としては、光透過性の層を意味し、例えば、パッシベーション層、積層構造の層間絶縁層を含む層が挙げられる。
そして、上記の撮像素子であって、請求項3に記載のレンズの形成方法によりレンズが形成されていることを特徴とするものである。
本発明のレンズ形状の設計方法は、このような構成とすることにより、特に、撮像装置に用いられる撮像素子の受光素子への入射光のロスを少なくするためのレンズの形状設計方法であって、レンズ下の層が、屈折率の異なる複数の層からなる場合において、好適なマイクロレンズの形状設計方法の提供を可能としている。
具体的には、目的とする位置を出発点として、光軸に対して一定の角度で光線を発したという設定の下で、積層材料内を、実際の光線の進む向きとは逆向きに、且つ、前記積層材料の層として積層させた各透明材料の屈折率にしたがい、光線追跡する計算を行うことによって、レンズ材料内への屈折光の光路を求め、求められた前記レンズ材料内への屈折光の光路を延長して光軸との交点を求め、該交点を見かけの焦点とし、前記積層材料がレンズ材料と同一の材料という仮定の下で、前記見かけの焦点の位置に焦点をもつような回転楕円体レンズを設計し、設計された前記回転楕円体レンズの前記平行入射光線群側の表面形状の一部分を、求めるレンズ形状とすることにより、これを達成している。
本発明のレンズ形状の設計方法により求められたレンズの形状は、厳密な計算により求められるものではないが、特に、撮像装置に用いられる撮像素子の受光素子への入射光のロスを少なくするためのレンズの形状としては、集光させる目的とする位置を焦点として焦点を結ぶ理想的なレンズ形状の場合に対して、実用レベルで、該焦点への集光の観点で近いものとなる。
尚、ここでの「目的とする位置を焦点として焦点を結ぶ理想的なレンズ形状」は、積層材料の各透明材料の層(積層材層とも言う)は、それぞれ、均一な屈折率であり、焦点への集光が散らばらない場合を想定している。
本発明においては、計算により、集光させる目的とする位置から積層材料中を逆向きに光線追跡し、積層材料からレンズ内への屈折光の光路を求め、それを延長して光軸との交点を求め、これを見かけの焦点として、積層材料がレンズ材料と光学的に同一材料という仮定の下で、回転楕円体レンズを設計するもので、目的とする位置から逆向きに光線追跡する段階において、積層材料の各透明材料の層の屈折率の影響を考慮した設計としており、また、レンズ材料への屈折光の光路を求め、それを逆方向に延長して光軸との交点を求め、これを見かけの焦点として、均一材料という仮定の下で、回転楕円体レンズを設計するもので、レンズ設計における計算量が多く、時間がかかるという問題を解決できるものとしている。
本発明のレンズ形状の設計方法においては、光線追跡シミュレーションの反復を必要とせず、一本の光線の前述の積層材料からレンズ内への屈折光の光路を追跡する計算を一回だけ行って見かけの焦点位置を求めれば、そこからは一定の数式に値を代入する計算により、目的とする回転楕円体の形状パラメータを得ることができるので、計算量が少なくなる。
本発明のレンズ形状の設計方法は、集光させる目的とする位置を焦点として焦点を結ぶ理想的なレンズ形状の場合に対して、実用レベルで、該焦点への集光の観点で近いレンズの形状を設計できることを見出して成したものであり、特に、撮像装置における撮像素子の受光素子への受光の効率を上げるためのレンズの設計に適用するためのものである。
積層材料は、基材の一面側に受光素子を形成した受光素子形成基板の受光素子形成面側に配されるものであり、具体的には、平坦化層、カラーフィルタ層、充填材料層の、全部の層または一部の層を含む複数層からなるものである。
特に、請求項1から2のいずれか1項に記載のレンズ形状の設計方法により設計されたレンズ形状に合せて作製された階調マスクのフォトマスクを用い、請求項3に記載のレンズの形成方法によりレンズを形成することにより、設計に忠実な形状のレンズを備えた撮像素子の形成を可能としている。
また、このような設計に忠実な形状のレンズの形成を可能としているレンズの形成方法の提供を可能とした。
また、入射光のロスを少なくできるマイクロレンズを備え、且つ、設計変更、仕様変更に対応し易い、撮像素子の提供を可能にした。
図1は本発明のレンズ形状の設計方法を説明するための概略図で、図2は回転楕円体の一部であるレンズ形状の求め方を説明するための概略図で、図3(a)は撮像素子のセルの配列状態を示した概略図で、図3(b)は単位のセルのレンズの高さの等高線の一部を示した概略図で、図4は受光素子面からのZ方向位置と回転楕円体の断面形状との関係を示した図で、図5は本発明の撮像素子の1例と該撮像素子を用いた撮像装置の1例を概略的に示した図で、図6は、傾斜させた場合のレンズ形状を説明するための概略図、図7は従来の球面レンズと回転楕円体レンズとの違いを説明するための図で、図7(a)は従来の球面レンズの場合を示し、図7(b)は回転楕円体の場合を示している。
また、図8は、本発明の撮像装置における屈折部の形成方法に用いるフォトマスクの形成方法の1例を示した概略工程図で、図9(a)はフォトマスクのパターン形成平面をX−Y座標として、その座標値x、yを関数として、所望の露光する際の透過光量(露光量)分布をZ座標上の値zとして表した図で、図9(b)はフォトマスクパターンを表した図で、図10(a)は現像後の屈折部形成用の素材である感光性材料層の所望のプロファイルを得るための、フォトマスクのパターンの露光量分布を表した図で、図10(b)は図10(a)に示す露光量分布における所定のX−Y座標位置でのZ座標上の値zの一覧を示した図で、図11はオーダードディザ法を説明するための図で、図12は最大値を1としたディザ行列を示した図で、図13は誤差分散法を説明するための図で、図14は図10に示す所定のX−Y座標位置でのZ座標上の値zの一覧に基づき誤差分散法を実施した結果を示した図で、図15は誤差分散行列を用いた誤差分散法を数式により説明するための図で、図16は各種のディザ行列の例を表した図で、図17(a)は誤差分散法の各種走査方向を示した図で、図17(b)は各種誤差分散行列の例を示した図で、図18は現像後屈折部形成用の素材である感光性材料層の残膜厚と透過光量の関係を示した図で、図19はマスクと現像後の屈折部形成用の素材である感光性材料層の残膜プロファイルとの関係を示した図である。
尚、図1、図5は図3(b)のA1−A2方向の断面図であり、図2、図4、図6は図3(b)のA3−A4方向の図である。
図1には、説明を分かり易くするために、目的とする位置FP0を焦点として焦点を結ぶ理想的なレンズ20が図示されている。
また、図1における細線の点線は光路を示し、矢印は光の進行する向きを示しており、BT1〜BT3は、それぞれ、光路21aにおける透明材料層同士の境界位置を示し、BT4は透明材料層31とレンズとの境界位置を示している。
また、図8において、S11〜S22は処理ステップを示す。
図1〜7において、10は空気、20はレンズ、20aは光軸、20Sは(理想的な)レンズの表面、21は光線、22a〜22eは光路、23は(光路22eの)延長線、30は積層材料(複合材料とも言う)、31〜34は透明材料の層(積層材層とも言う)、50は単位のセル、51は等高線、110はカメラレンズ、115は光軸、120は撮像素子、125は受光素子(感光部とも言う)、130はマイクロレンズ、140はカラーフィルタ、150は遮光部、160は光線、171、172は平坦化層、173は充填材料である。
本例のレンズ形状の設計方法は、屈折率の異なる4層の透明材料の層(積層材層)31〜34をそれぞれの厚さで積層させた積層材料30に対し、その一面側にレンズを形成することによって、該一面側のレンズに平行入射する平行入射光線群が、目的とする位置FP0に集光するレンズ形状の設計方法であって、特に、撮像装置における撮像素子の受光素子への受光の効率を上げるためのレンズの設計である。
積層材料30は、基材の一面側に受光素子を形成した受光素子形成基板の受光素子形成面側に配されるものであり、平坦化層、カラーフィルタ層、金属配線間を絶縁する層間絶縁膜の、全部の層または一部の層を含む複数層からなるものである。
ここでは、積層材料の各透明材料の層(積層材層)31〜34は、それぞれ、屈折率の層内分布や散乱効果の無い場合を想定している。
尚、ここでは、目的とする位置FP0に受光素子を配し、受光素子表面で入射光を受光することを前提としている。
図1に示すように、複合材料30は、屈折率の異なる4層の各透明材料層(積層材層)31〜34を、それぞれ、所定の厚さで積層させたもので、ここでは、空気10の屈折率をn1 、レンズの屈折率をn2 、透明材料層31〜34の屈折率を、それぞれ、n3 〜n6 としている。
先にも述べたように、図1には、説明を分かり易くするために、目的とする位置FP0を焦点として焦点を結ぶ理想的なレンズ20が図示されており、レンズ20に対して光軸に平行に入射する平行入射光線群が全て所望の目的とする位置FP0に焦点を結ぶものとしている。
このような、光軸に平行に入射する平行入射光線群が全て所望の目的とする位置FP0に焦点を結ぶことができるレンズ形状を得るためには、先にも述べたように、厳密な計算を行い、レンズ形状を微調整しながら光線追跡シミュレーションを反復し、最適な形状へと収束させていく方法が一般的に採られているが、計算量が多く、時間がかかる。
本例のレンズ形状の設計方法によるレンズ形状は、上記のように厳密な計算により求められるものではない。
本例のレンズ形状の設計方法は、上記の目的とする位置FP0に焦点を結ぶようにするための理想的なレンズ(レンズ20)の形状と、前記位置FP0への集光の観点で実質的に近いレンズ形状の設計方法である。
各透明材料の層(積層材層)31〜34の各層内の屈折率は均一として、各透明材料の層の屈折率の値を用い、目的とする位置FP0を光源として、ある角度θ(例えば15°)で逆方向に光線追跡する。
角度θと各層の屈折率を用いて、Snellの法則に基づく計算により、透明材料層(積層材層)34内ではFP0からBT1に進む光路22aをとり、透明材料層(積層材層)33内ではBT1からBT2に進む光路22bをとり、透明材料層(積層材層)32内ではBT2からBT3に進む光路22cをとり、透明材料層(積層材層)31内ではBT3からBT4に進む光路22dをとり、レンズ20内では、BT4から屈折して光路22eをとる。
ここでは、異なる透明材料層(積層材層)に入る際に、Snellの法則に基づき、光路の進行方向を変化させ、透明材料層(積層材層)内では真っ直ぐに進むものとしている。
透明材料層(積層材層)34内の光路22aは、位置FP0と角度θとで決まり、光路21aが決まると、光路21aと透明材料層(積層材層)33との交点として位置BT1が決まり、更に、透明材料層(積層材層)34、33の屈折率n6 、n5 からSnellの法則に基づき、透明材料層(積層材層)33への屈折光の方向が決まり、位置BT1と透明材料層(積層材層)33への屈折光の方向とで、光路22bが決まる。
このようにして、光路22c、22d、22eが順次求められる。
このように、光線追跡により、光線がレンズの底面20Sに対して、どの位置(BT4)へ当たり、レンズ内にどの角度で出て行く光路(22e)をとるかを求める。
次いで、求められた光路22eを逆向きに延長して光軸20aとの交点FP1を求め、これを見かけの焦点とする。
尚、図1では、光路22eを延長した延長線23を太い点線で示している。
次いで、積層材料30全体がレンズ材料と同一の材料という条件の下で、前記見かけの焦点の位置FP1に焦点をもつような回転楕円体レンズを設計し、設計された回転楕円体レンズの入射光側の表面形状の一部分を求めるレンズ形状とする。
このようにして、レンズ形状を設計する。
尚、回転楕円体のレンズでは、レンズの下地の各積層材層が様々な屈折率のもので構成されているときは、上述の様に厳密に計算によってはレンズ形状を得てはいないため、僅かであるが集光点が分散する。
実用レベルでは、上記レンズ設計方法で角度θを5°〜20°の範囲で変えても結果には殆ど影響がでないが、角度θの値に応じて、レンズ底面からみかけの焦点までのZ方向距離d1 に若干の不一致がみられる。
セルの 4隅に最深部(最深凹部)があり、セルとセルとの境界線上では、マイクロレンズの高さが前記最深部(最深凹部)まで落ち切らない状態で、マイクロレンズどうしが隣り合っており、このため、このような連なったマイクロレンズを連続型マイクロレンズとも言う。
図2は、図3(b)のA3−A4における断面を示したものである。
座標系のとり方は、マイクロレンズの光軸をZ軸とし、光軸上を進む光線の逆向きをZ軸のプラス方向とし、z=0の値をとるのはマイクロレンズの底面においてであるものとし、XY平面上において(x、y)=(0、0)の値をとるのはセル中心においてであるものとしている。
また、先にも述べたように空気10の屈折率をn1 、レンズ20の屈折率をn2 としている。
また、レンズ20の底面20Sから目的とする位置FP0の焦点までのZ方向距離をd0 、レンズ20の底面20Sから見かけの焦点の位置FP1までのZ方向距離をd1 としている。
d0 およびd1 は正の値をとる。
尚、撮像素子の受光素子の位置が目的とする位置FP0の位置となるため、d0 は撮像素子におけるレンズ下の各積層材層31〜34の厚みを合計して得られる。
また、d1 は前述した手順によって求めた見かけの焦点位置FP1から得られる。
また、図3に示すように、セルピッチをPc、セルサイズをWcとしているが、ここでは、Pc=Wcとする。
図3(b)に示すように、セルの中心からコーナーまでの距離をx0 とする。
x0 は、
x0 =(21/2 * Wc)/ 2
によって求めることができる。
下記の数式(1)にしたがう回転楕円体のパラメータz0 、a、c を、
z0 =n2 * (−n2*d1 + n1 * (x0 2+ d1 2) 1/2) /(n2 2 −n1 2 )
a=(n2 2 −n1 2 )1/2 /n1 * (z0 +d1 )
c=n2 /n1 * (z0+d1 )
として算出する。
(x/a)2 +(y/a)2 +((z−z0 )/c)2 =1 (1)
このようにして、回転楕円体が得られる。
求めるレンズの形状は、このようにして得られた回転楕円体形状のz=0よりZ方向プラス側に相当する。
尚、位置FP0を撮像素子の受光素子の中心に合わせることとなるが、定数z0 の値に応じて、図4に示すように、回転楕円体の形状は、いろいろとなる。
ここでは、定数z0 は、レンズの底面を面Tとし、面TとZ軸との交点をPとし、面T上で点Pを中心とするセル領域で点Pから最も遠い点の1つをC1 とし、前記回転楕円体が点C1 を通るという条件によって決定されるものであり、これより、回転楕円体の形状が決まり、レンズの形状も決定される。
しかし、上記角度θに応じてのd1 の算出値の不一致、上記ばらつきは、十分に小さいので、実用上問題にならない。
以下、本例の設計方法によって設計されたレンズ形状について、市販のシミュレーションソフトであるZEMAX(ZEMAX Development Corporation社製)を用いて光線追跡シミュレーションを行った結果を示す。
レンズ設計の条件として、セルサイズをWc =2[μm]とし、空気10の屈折率をn1 = 1とし、レンズ20の屈折率をn2 = 1.61とし、レンズ下の各積層材層31〜34について、積層材料31の屈折率をn3 = 1.57、厚さを0.5[μm]とし、積層材料32の屈折率をn4 = 1.6、厚さを0.7[μm]とし、積層材料33の屈折率をn5 = 1.95、厚さを0.3[μm]とし、積層材料34の屈折率をn6 = 1.45、厚さを1.5[μm]とした。
このとき、レンズ下の積層材料層の総膜厚はd0 =3[μm]と算出される。
光線追跡の開始角度がθ= 5°、10°、15°、20°のそれぞれの場合について、上述した手順にしたがって、レンズ底面からみかけの焦点までのZ方向距離d1 を算出すると、
θ= 5°のとき、d1 =3.1314[μm]
θ= 10°のとき、d1 =3.1347[μm]
θ= 15°のとき、d1 =3.1404[μm]
θ= 20°のとき、d1 =3.1489[μm]
となった。
θ= 15°の場合、レンズ形状を設計すると、回転楕円体を表す数式 (1)におけるパラメタa、c、z0 の値は、
a=1.905753[μm]
c=2.431685[μm]
z0 =−1.629996[μm]
と算出された。
この形状のレンズに対して、上記シミュレーションソフトを用いて光線追跡シミュレーションを行った結果、平行入射光線群が、目的の位置FP0にほぼ集光しており、正確に1点に集光しているわけではないが、そのばらつきは、FP0を通りZ軸に垂直な平面内で、半径0.01[μm]の円内に収まっていることが分かった。
角度θが5°、10°、20°の場合についても、ほぼ同様のばらつきが得られた。
図5において、B0は撮像素子120の中心における断面図で、B1、B2は周辺の断面図を示している。
尚、撮像装置において、このような撮像素子を用いるのは、図7(b)に示すような球面収差のないマイクロレンズがあれば、これを用いて、従来の、図7(a)に示すような球面収差のある球面レンズを用いた場合に比べ、レンズへの光軸に平行な入射、光軸に斜め入射、拡散入射(種々の方向からの入射)において、その集束性が良く、結果的に受光素子の光利用効率を上げることができる、という知見に基づいているものである。
また、撮像素子の中心においては、このようなレンズ形状を有し、その入射光の方向に合わせて、周辺にいくにしたがい傾斜させる撮像素子も挙げられる。
尚、定数z0 の値に応じて、図6に示すように、回転楕円体の回転軸を傾斜させた回転楕円体の形状は、いろいろとなるが、ここでは、図5に示すように撮像装置に用いられる場合、受光素子125とレンズの位置関係をふまえた上で、定数z0 は、レンズの射出瞳の中心P0(図5参照)からマイクロレンズ中心へ入射した光線が屈折して受光素子の受光領域中心に至る光路を任意に設計し、該光路とレンズ底面Tとの交点をP’とし、面T上で点P’を中心とするセル領域で点P’から最も遠い点の1つをC1’とし、上記傾斜回転楕円体の表面が点C1’を通るという条件によって決定される。
そして、定数z0 が決定されることにより、レンズの形状が決定される。
本例は、屈折率の異なる複数の透明材料をそれぞれの厚さで積層させた複合材料を、基材であるウエハの一面側に受光素子を形成した受光素子形成基板の受光素子形成面側に配した、撮像素子形成用部材を被加工用基材として、該被加工用基材に対してその積層材料面にレンズを形成するレンズの形成方法であり、ここでは、図5に示す撮像装置に用いられる全面に同じ形状のレンズを配した撮像素子をウエハレベルでレンズを形成する加工を行う。
簡単には、前記撮像素子形成用部材の積層材料面上に、レンズ形成用の素材である露光量に応じて残膜厚の変化する感光性材料層を塗布形成した後、該感光性材料層を、露光波長では解像しない微細なドットパターンの分布状態により、露光する際の透過光量(露光量)分布を制御するフォトマスクで、且つ、前述のレンズ形状の設計方法により設計されたレンズ形状に合せて作製されたフォトマスクを用い露光して、現像して、形成するものである。
先ず、ウエハレベルの状態で、レンズを形成する前の撮像素子形成用部材に対し、そのレンズ形成側、屈折率の異なる複数の透明材料をそれぞれの厚さで積層させた複合材料上に、レンズ形成用の素材である露光量に応じて残膜厚の変化する感光性材料層を塗布形成しておく。
次いで、感光性材料層を、露光波長では解像しない微細なドットパターンの分布状態により、露光する際の透過光量(露光量)分布を制御するフォトマスクで、且つ、形成するレンズの形状に合せて作製されたフォトマスクを用いて露光して、現像して、レンズを形成する。
露光は、通常ステッパーを用いて、1回または繰り返し露光により行なう。
簡単には、以上のように、レンズ形成用の素材である露光量に応じて残膜厚の変化する感光性材料層をフォトリソ工程により加工して、撮像素子上に所望のレンズを形成する。 微細なドットパターンとしては、フォトマスクの透過光量(露光量)分布の面からは、露光波長では解像しないサイズで小さいものほど好ましいが、例えば、露光波長365nm(i線)の、1/5縮小投影レチクルマスクを対象とした場合には、光学的に解像性という面からは、NAが0. 63、σが0. 6で、シミュレーション計算からは900nm以下であることが必要である。
また、レジスト(感光性レジスト材料)がレンズ形成用材料であり、現像後のレジストの所望のプロファイルが、レンズ形状のプロファイルである場合、特に、CCDやCMOS等のイメージセンサの受光部上側への微小な集光レンズである場合、作製するレンズの曲面を表現するには、2μm角で、20×20ドット以上が必要とされているため、これを確保するには、1/5縮小投影レチクルマスク上では、1ドットのサイズは500nm以下であることが求められる。
しかし、フォトマスク作製の際に用いる描画用の露光機の性能上の制約もあり、現状では、1ドットサイズは300nm以上に制限されてしまう。
結局、微細なドットパターンのサイズは、光学的解像性の他、現像後のレジストの所望のプロファイル表現、フォトマスク作製の際に用いる描画用の露光機の性能上の制約を考慮して決める。
上記加工に用いられるフォトマスクは、順に、(a)レンズ形成用の素材である感光性材料層の現像後のレジストの所望のプロファイルを得るための、フォトマスクのパターンの露光量分布を得て、フォトマスクのパターン形成平面をX−Y座標として、その座標値x、yを関数として、目的とするフォトマスクの透過光量(露光量)分布を、Z座標上のz値として表す、透過光量(露光量)分布把握処理と、(b)露光においてフォトマスク面上は均一照度とし、前記Z座標上のz値に対応して、所定のアルゴリズムを用いて、露光波長では解像しない所定サイズのX−Y座標の領域毎に、該領域サイズのドットパターンの配置の有無を決め、パターンの配置が有と決められた、所定サイズのX−Y座標の領域には、ドットパターンを生成配置する、ドットパターンの生成処理とを行ない作成されたフォトマスクのパターンデータを用い、描画して形成する。
予め、所望の現像後のプロファイルを得るマイクロレンズ形成用の素材である感光性材料層(ここでは、感光性レジスト材料、あるいは単にレジストとも言う)と、この感光性材料層を露光する露光波長を決めておく。(S11、S12)
先ず、決められた感光性材料層を、所定の膜厚に前記現像後のプロファイルを形成する基板と同等の基板上に塗布し、各種露光量にて所定サイズの領域を露光し、現像して(S13)、露光量と感光性材料層の残膜厚の関係データを求める。(S14)
数式化した露光量と感光性材料層の残膜厚の関係データとしても良い。
感光性材料層としてポジレジストを用いる場合、透過光量(露光量を意味する)と残膜厚の関係は、通常、図18のようになる。
尚、図18においては、透過光量(露光量)、残膜厚とも正規化して示してある。
作製する現像後の感光性材料層の像によっては、絵柄の形状や粗密によって、露光量と残膜厚の関係データが異なるため、絵柄状態に対応し、数種のデータ採り込みを行なう必要がある。
尚、必要な種類の、所望の現像後のプロファイルを得るための感光性レジスト材料の、露光量に対する残膜厚特性が分かっていれば、その都度、露光量と残膜厚の関係データを求めることは必ずしも必要ではない。
この露光量と感光性材料層の残膜厚の関係データを用い、被加工物の所望のプロファイル(S15)にあったフォトマスクのパターンの露光量分布を求める。(S16)
上記S13〜S15を経てS16に至る一連の処理が透過光量(露光量)分布把握処理である。
尚、通常は、得たいプロファイルの関数について、感光性材料層、露光系などに対して最適化した補正式をかける。
フォトマスクのパターン形成平面をX−Y座標として、その座標値x、yを関数として露光量分布をZ座標上のz値として表す。
ここでは、z=F(x、y)と表し、図9(a)に示すように求められるとする。
一方、フォトマスクの、決められた露光波長では解像しないパターン領域のサイズを所定サイズに決定しておく。(S17)
ここでは、X方向幅a、Y方向幅aとする。
先にも述べた通り、露光波長による光学的解像性の他、現像後のレジストの所望のプロファイル表現、フォトマスク作製の際に用いる描画用の露光機の性能上の制約を考慮して決める。
次いで、求められた、z=F(x、y)の関係データと、決められた露光波長では解像しないパターン領域のサイズとから、再現性のある所定のアルゴリズム(S18)を用いて、露光波長では解像しない所定サイズのドットパターンを、X−Y座標上、該サイズに分割された各領域毎に、配置の有無を決定する。(S19)
所定のアルゴリズムとしては、誤差分散法やオーダードディザ法が挙げられる。
そして、この決定に基づき、CADツールにより、X−Y座標上、所定の位置にドットパターンを配置してパターンデータを作製する。(S20)
上記の、S18〜S20に至る一連の処理がドットパターンの生成処理である。
このようにして、パターンデータを作製することができるが、図9(a)に示す露光量分布、z=F(x、y)に対応するパターンデータは、図9(b)のようになる。
図10(b)に示す表は図11(a)の表と同じであるが、図11(a)の表のように、各位置におけるz値が配列される。
一方、例えば、図11(a)に示す表の配列に合せ、図12に示す最大値を1とした4行×4列のディザ行列を1単位とし、図11(b)のように、この単位を3行×3列に配列させておく。
ここで、図11(a)の表の配列と、図11(b)の表の配列について、対応する位置毎に、その大小を比較し、図11(b)の表側が図11(a)側よりも小の場合1、そうでない場合を0として、図11(c)に示すように、同様の配列を求める。
ここでは、1の領域の場合はドットパターンを配置しない領域とし、0の領域の場合はドットパターンを配置する領域とする。
ドットパターンのX方向、Y方向サイズと図11(a)に示す各位置間距離とを同じとするほうが精度面で好ましいが、計算量が大きくなる。
尚、ドットパターンのX方向、Y方向サイズと図11(a)に示す各位置間距離を必ずしも同じとする必要はない。
また、ディザ行列には、図16に示すような様々なパターンが考えられ、得たい露光分布に合わせて適宜選択して使用する。
先ず、図13に基づいて、誤差分散法の手順を簡単に説明しておく。
例えば、表の横方向を、縦方向をX方向、Y方向とし、それぞれ、所定ピッチでセル(画素とも言い、ピッチに対応するサイズである)を設け、各セルに図13(a)のように、値が配列されている場合について、表の左上から右下方向にかけて以下の処理を順次行なう。
先ず、左上セルP0について、中間値(0. 5)を閾値とし、2値化を行なう。(図13(b)
左上セルP0の値0. 1は2値化により0となる。
次いで、このセルP0に隣接するセルに重み付け加算(あるいは減算)して、図13(c)のようになる。
図13(b)中、丸印1、2、3は、セルP0に対し、重み付け加算(あるいは減算)する隣接セルとその値を示している。
次に、隣のセルP1に移り、2値化、重み付け加算(あるいは減算)して図13(d)を得る。
更に、その隣のセルP2に移り、同様に、値化、重み付け加算(あるいは減算)して図13(e)を得る。
以降、図13(e)の矢印の方向に順次、各セルに対し、同様の処理を行ない、得られた結果が求めるものである。
即ち、図10(a)に示す露光量分布、Z=F1(x、y)の場合、図14に示す1の領域の場合はドットパターンを配置しない領域とし、図14に示す0の領域の場合はドットパターンを配置する領域とする。
上記は、図17(a)のように、表の左上から右下方向にかけて処理を順次行なったが、これに限定はされない。
図17(b)、図17(c)の方向で処理を行なっても良い。
これらの関係式に基づいて、上記と同様にして、図12に相当する配列を求めることもできる。
このようにして作製されたフォトマスクを用い、露光して、例えば、レンズ形成用の
被加工基板上にマイクロレンズ形成用の素材である感光性材料層でレンズを形成する場合、図19(a)に示すように、フォトマスク210のパターンをレンズ形成用の被加工基板上のレンズ形成用の素材である感光性材料層230に、縮小投影にて露光し、現像して、図19(b)のように、レンズ形成用の被加工基板240上に直接マイクロレンズを得ることができる。
このようにして、レンズの形成が行われる。
更に、個別化して、単位の撮像素子を得ることができる。
複合材料からなり積層材層も4層と限定されない。
また、対象も個体撮像素子用のレンズに限定されない。
20 (理想的)なレンズ
20a 光軸
20S (理想的な)レンズの表面
21 光線
22a〜22e 光路
23 (光路22eの)延長線
30 積層材料(複合材料とも言う)
31〜34 透明材料層(積層材層とも言う)
50 単位のセル
51 等高線
110 カメラレンズ
115 光軸
120 撮像素子
130 マイクロレンズ
140 カラーフィルタ
150 遮光部
160 光線
171、172 平坦化層
173 充填材料
210 フォトマスク
211 透明基板
212 遮光膜
220 露光光
230 マイクロレンズ形成用の素材である感光性材料層
235 現像後のマイクロレンズ形成用の素材である感光性材料層
240 マイクロレンズ形成用の被加工基板(イメージセンサ基板)
Claims (6)
- 屈折率の異なる複数の透明材料をそれぞれの厚さで積層させた積層材料に対し、その一面側にレンズを形成することによって、該一面側のレンズに平行入射する平行入射光線群を、目的とする位置に集光させるレンズ形状の設計方法であって、前記目的とする位置を出発点として、光軸に対して一定の角度で光線を発したという設定の下で、前記積層材料内を、実際の光線の進む向きとは逆向きに、且つ、前記積層材料の層として積層させた各透明材料の屈折率にしたがい、光線追跡する計算を行うことによって、レンズ材料内への屈折光の光路を求め、求められた前記レンズ材料内への屈折光の光路を延長して光軸との交点を求め、該交点を見かけの焦点とし、前記積層材料がレンズ材料と同一の材料という仮定の下で、前記見かけの焦点の位置に焦点をもつような回転楕円体レンズを設計し、設計された前記回転楕円体レンズの前記平行入射光線群側の表面形状の一部分を、求めるレンズ形状とすることを特徴とするレンズ形状の設計方法。
- 請求項1に記載のレンズ形状の設計方法であって、前記積層材料は、基材の一面側に受光素子を形成した受光素子形成基板の受光素子形成面側に配されるものであり、平坦化層、カラーフィルタ層、充填材料層の、全部の層または一部の層を含む複数層からなるものであることを特徴とするレンズ形状の設計方法。
- 屈折率の異なる複数の透明材料をそれぞれの厚さで積層させた複合材料を、基材の一面側に受光素子を形成した受光素子形成基板の受光素子形成面側に配した、撮像素子形成用部材に対して、該積層材料面にレンズを形成するレンズの形成方法であって、前記撮像素子形成用部材の積層材料面上に、レンズ形成用の素材である、露光量に応じて残膜厚の変化する感光性材料層を塗布形成した後、該感光性材料層を、露光波長では解像しない微細なドットパターンの分布状態により、露光する際の透過光量分布を制御するフォトマスクで、且つ、請求項1から2のいずれか1項に記載のレンズ形状の設計方法により設計されたレンズ形状に合せて作製されたフォトマスクを用い露光して、現像して、形成するものであることを特徴とするレンズの形成方法。
- 屈折率の異なる複数の透明材料をそれぞれの厚さで積層させた積層材料を受光素子形成基板の受光素子形成面側に配し、該積層材料の上にレンズを形成した撮像素子であって、請求項1から2のいずれか1項に記載のレンズ形状の設計方法により設計されたレンズ形状を有することを特徴とする撮像素子。
- 請求項4に記載の撮像素子であって、請求項3に記載のレンズの形成方法によりレンズが形成されていることを特徴とする撮像素子。
- 感光性材料層を加工用素材として、該感光性材料層を露光、現像して、レンズを形成するレンズ形成方法に用いられるフォトマスクで、且つ、求めるレンズ形状に合せて、露光する際の透過光量分布の制御を、感光性材料層が露光波長では解像しない微細なドットパターンの分布状態にて行うフォトマスクを設計するための、フォトマスクの設計方法で、請求項1から2のいずれか1項に記載のレンズ形状の設計方法によりレンズ形状を設計する段階を含むことを特徴とするフォトマスクの設計方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009058861A JP5412892B2 (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | レンズ形状の設計方法、レンズの形成方法、撮像素子、およびフォトマスクの設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009058861A JP5412892B2 (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | レンズ形状の設計方法、レンズの形成方法、撮像素子、およびフォトマスクの設計方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010211078A JP2010211078A (ja) | 2010-09-24 |
JP5412892B2 true JP5412892B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=42971289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009058861A Active JP5412892B2 (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | レンズ形状の設計方法、レンズの形成方法、撮像素子、およびフォトマスクの設計方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5412892B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102141229B (zh) * | 2010-12-15 | 2012-10-10 | 上海三思电子工程有限公司 | 一种透镜的设计方法 |
JP6613648B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2019-12-04 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10198783A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Hitachi Ltd | 画像入力装置 |
JP5031173B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2012-09-19 | 大日本印刷株式会社 | 撮像装置と撮像装置におけるマイクロレンズの形成方法 |
-
2009
- 2009-03-12 JP JP2009058861A patent/JP5412892B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010211078A (ja) | 2010-09-24 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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