JP5410558B2 - リフレクトアレー及び設計方法 - Google Patents
リフレクトアレー及び設計方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5410558B2 JP5410558B2 JP2012044863A JP2012044863A JP5410558B2 JP 5410558 B2 JP5410558 B2 JP 5410558B2 JP 2012044863 A JP2012044863 A JP 2012044863A JP 2012044863 A JP2012044863 A JP 2012044863A JP 5410558 B2 JP5410558 B2 JP 5410558B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- reflection
- reflection phase
- degrees
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
- H01Q15/14—Reflecting surfaces; Equivalent structures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
- H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
- H01Q15/006—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces
- H01Q15/008—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces said selective devices having Sievenpipers' mushroom elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
- H01Q15/14—Reflecting surfaces; Equivalent structures
- H01Q15/148—Reflecting surfaces; Equivalent structures with means for varying the reflecting properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q21/00—Antenna arrays or systems
- H01Q21/0006—Particular feeding systems
- H01Q21/0018—Space- fed arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
- H01Q3/44—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the electric or magnetic characteristics of reflecting, refracting, or diffracting devices associated with the radiating element
- H01Q3/46—Active lenses or reflecting arrays
Description
入射波を所望方向に反射するリフレクトアレーであって、
所定の軸に垂直な表面を有する基板と、
前記基板に設けられた複数の素子と
を含み、前記複数の素子の内の特定の素子は、複数の反射位相の内の特定の反射位相で前記入射波を反射し、
前記複数の素子の各々は、パッチ及び地板を少なくとも有する素子構造を有し、
第1の隣接する素子の素子間隔は第2の隣接する素子の素子間隔とは異なるが、該第1の隣接する素子のパッチ間の隙間の長さは該第2の隣接する素子のパッチ間の隙間の長さに等しい、リフレクトアレーである。
1.1 斜め入射及び二共振特性
1.2 素子グループ
1.3 設計手順
1.4 シミュレーション結果
2.変形例
2.1 斜め入射を利用する変形例
2.2 二共振特性を利用する変形例
2.3 素子間隔を調整する変形例
2.4 更なる変形例
2.5 更なる変形例
2.6 更なる変形例
2.7 更なる変形例
<1.好ましい実施形態>
従来のマッシュルームリフレクトアレーは、隣接する素子のパッチ間のギャップの大きさで決まるキャパシタンスCとビアの長さで決まるインダクタンスLの値を素子ごとに変えている。これにより素子ごとにLC共振する周波数を変えることで、各マッシュルーム素子の反射位相の値を変えていた。このため、キャパシタンスやインダクタンスの変化する範囲を十分にとるために多層構造をとる必要があった。また、各キャパシタンスやインダクタンスの値は素子ごとに変化させる必要があった。このため、リフレクトアレーの特性を変化させるために、全ての素子のキャパシタンスやインダクタンスを一斉に同じ値で変化させることは困難であった。これに対して本発明では、反射位相の値は、素子間隔で決定されるため、導電層が一層である構造のリフレクトアレーを作成しやすくなる。さらに、全ての素子でギャップが同じ大きさであるため、このギャップの値を変えることで全ての素子のキャパシタンスを同時に変化させることができる。また、ビアの長さを変えることによって、全ての素子のキャパシタンスの値を一定にしたままインダクタンスLの値を一度に変化させることができる。このため、LとCの値を変化させることで制御可能なリフレクトアレーの実現が可能となる。
図4に示すような構造を有するリフレクトアレーにTM波がz軸に対して入射角θiで入射する場合、反射波の反射位相Γは次のように表現できる。
rf=fp/√εr (数式3)
により表現されるものとする。fpはプラズマ周波数を示す。εrはパッチ及び地板の間に介在する誘電体基板の比誘電率を示す。プラズマ周波数fpはプラズマ波数kpと次の関係を満たす。
ただし、cは光速を示す。プラズマ波数kpは素子間隔Δxと次の関係を満たす。
設計周波数=11GHz(波長=27.3mm)、
基板の厚みt=1mm、
誘電体の比誘電率εr=10.2及び
素子間隔Δx=Δy=2.25mm
とした場合、
共振周波数rfは、10.5GHzであった。このとき、反射位相がゼロとなる周波数は、このスプリアス共振より低い周波数と高い周波数の2箇所にあらわれ同相になる。したがって、この二つの反射位相がゼロとなる周波数の間で位相が360度一回転する。これらの数値例は単なる一例に過ぎず、適切な如何なる数値が使用されてもよい。なお、図4及び以下の説明において、素子間隔は、隣接する素子のビア同士の間の距離ΔV(Δx又はΔy)として定義されてもよいし、別の定義が使用されてもよい。例えば、隣接するパッチ間のギャップの中心から次のギャップの中心までの距離ΔPが、素子間隔であると定義されてもよい。
入射波がz軸に対して斜めに入射する場合、パッチによる反射だけでなく、地板による反射も考慮する必要がある。
図9を参照しながら、リフレクトアレーを構成する素子の素子間隔を決定する設計手順を説明する。図9には、そのような設計手順の一例を示すフローチャートが示されている。フローはステップS901から始まり、ステップS903に進む。
以下、上記の設計手順に従って素子間隔が決定されたリフレクトアレーについてのシミュレーション結果を説明する。
<2.変形例>
上記の「1.好ましい実施形態」においては、電波が斜めに入射すること、二共振特性を示すグラフを使用すること及び素子間隔を調整することという3つの特徴が全て使用されていた。しかしながらそれは最良の形態であり、3つの特徴を全て使用することは必須ではない。3つの特徴の内の任意の1つ以上の特徴を使用することが可能である。
例えば、電波がz軸に対して0度とは異なる角度で入射した場合において、反射位相及び素子間隔の間の関係は、二共振特性以外の特性を示していてもよい。また、反射位相が素子間隔の関数として表現されることは必須ではなく、反射位相が他のパラメータの関数として表現されてもよい。例えば、反射位相が、個々の素子のパッチサイズの関数として表現されてもよいし、或いは隣接する素子のパッチ同士の間の隙間(ギャップ)のサイズの関数として表現されてもよい。ただし、実現可能な反射位相の範囲を拡大する観点からは、「1.好ましい実施形態」のように、反射位相が素子間隔に対して、連続的に変化する関数であり、かつ、反射位相がゼロとなる共振点(共振する素子間隔)が2箇所にあらわれるように(二共振特性を示すように)、設計パラメータを選択することが好ましい。
arcsin(・)は正弦関数の逆関数sin−1(・)である。例えば、入射角θi=70度、反射角θr=−30度の場合、制御角Aは70−(−30)=100度となる。図22は制御角A=100度の場合の電波の遠方放射界を示す。図23は制御角A=0度の場合の電波の遠方放射界を示す。すなわち、このリフレクトアレーの場合、斜めから入射した電波に対する位相で動作する反射波の制御角と、正面波から入射した電波波に対する位相で動作する反射波の制御角が異なっている。この例の場合、鏡面反射方向に反射波を形成する場合(A=0度)と鏡面反射方向とは異なる方向に反射波を形成する場合(A=70度)とを1つのリフレクトアレーで使い分けることができる。更に、設計パラメータを適切に選択することで、斜めから入射した波に対する反射波と、正面から入射した波に対する反射波を同じ方向にすることも可能である。
電波が入射して来る方向が0度であったとしても、反射位相と素子間隔の関係が二共振特性を示す場合があるかもしれない。そのような二共振特性を示すようにするパラメータの組み合わせを意図的に使用することで、反射位相としてとり得る値の範囲を拡大することができる。
更に、素子のパッチ同士のギャップを一定に維持しつつ、素子間隔を調整することで反射位相を決定する特徴が、単独で使用されてもよい。すなわち、電波が0度方向から入射し、反射位相と素子間隔の関係が図6に示されるような関係である場合において、パッチ同士のギャップを一定に維持しつつ、素子間隔を調整することは有意義である。例えば、ギャップの値が一定に維持されるので、極端に狭いギャップを形成する必要が無くなり、実現可能な素子を増やすことが可能である。
所望の反射角θr=40度、
誘電体基板の比誘電率εr=10.2、
誘電体基板の厚さ(ビアの長さ)t=1mm、
誘電体基板のtanδ=0.0023、
パッチ間のギャップg=0.1mm、
ビアの直径dv=0.1mm、及び
電波の周波数f=11GHz(波長λ=27.3mm)。
ところで、シングルビームのリフレクトアレーを用いた場合、従来の技術では図24に示すように、ある入射波に対して所望方向にビームを向けることはできるが、別の方向からの入射波に対しては、所望方向にビームを向けることができなかった。この問題を解決するため、例えば図25に示すようなマルチビームのリフレクトアレーを用いる必要があった。しかしマルチビームにすると一般にビームの数だけ個々の反射(散乱)電力は小さくなるため、十分なレベルを確保できないという問題があった。これはリフレクトアレーの制御角Aが一意にきまり、反射角θrは
θr=arcsin[sin(θi)+sin(A)]
で決まるためである。
θr=f(A)=arcsin[sin(θi)+sin(A)]
のように導出できる(この点については例えば次の文献に記載されている:電子情報通信学会全国大会2011ソサイエティ大会B−1−66“マルチビーム・リフレクトアレーの斜め入射に対する反射特性の検討”:丸山珠美、沈 紀▲ユン▼、小田恭弘、トラン ゴクハオ、加山英俊)。
上述したように上記の実施形態によれば、リフレクトアレーのビアの長さは全て等しいため、この高さを一度に同じ値で変えることができる。マッシュルーム構造のインダクタンスLの値は、ビアの長さtと透磁率μの積で表される:
L=μt。
また、インダクタンスLと共振周波数fは、次のような関係がある。
従って、各素子のインダクタンスLの値を一斉に大きくすると各素子それぞれの共振周波数は低いほうへずれ、一斉に小さくすると各素子それぞれの共振周波数は高い方にずれる。
次にTM斜め入射において、素子間隔を一定にし、ギャップを変化させたときの実施例を示す。図35は、素子間隔を約2.42mmで一定とし、ギャップを横軸にとったときの反射位相のシミュレーション値を示している。図35からわかるように、+180度から−180度まで360度全ての範囲の位相を確保できることがわかるここで、入射角は70度、電界の向きは入射面に平行としている。
入射角θiに対して、鏡面反射の場合は反射角θr=θiとなる。これに対して、リフレクトアレーの場合の反射角θrは、上述したように、入射角θiとリフレクトアレーによって決まる制御角Aの関数として求められる。従来のリフレクトアレーでは、この制御角が入射角θiに応じて変化するという考え方は存在しなかった。これに対して、本発明では、この制御角Aが入射角θiの変数となるためA(θi)となる。このとき、
θrm1=arcsin[sin(θim1)+sin(A(θim1)]=θrm2=arcsin[sin(θim2)+sin(A(θim2)]
が成立するように、制御角A(θim1)とA(θim2)を構成することで、異なる方向から入射した波を同一の方向に反射させることが可能となる。制御角は、各素子からの位相の差を用いて決定されるが、TM斜め入射の場合、各素子からの位相と位相差は入射角によって変化するためである。
θr 反射角
Mj 素子
g ギャップ
Claims (6)
- 入射波を所望方向に反射するリフレクトアレーであって、
所定の軸に垂直な表面を有する基板と、
前記基板に設けられた複数の素子と
を含み、前記複数の素子の内の特定の素子は、複数の反射位相の内の特定の反射位相で前記入射波を反射し、
前記複数の素子の各々は、パッチ及び地板を少なくとも有する素子構造を有し、
第1の隣接する素子の素子間隔は第2の隣接する素子の素子間隔とは異なるが、該第1の隣接する素子のパッチ間の隙間の長さは該第2の隣接する素子のパッチ間の隙間の長さに等しくなるように素子間隔及びパッチの寸法が決定され、
前記複数の素子各々の素子間隔及び反射位相により表現される対応関係は、素子間隔が第1の数値範囲内で増加する場合に反射位相が減少し、素子間隔が第1の数値範囲とは異なる第2の数値範囲内で増加する場合にも反射位相が減少し、前記第1及び第2の数値範囲全体にわたって反射位相は実質的に360度変化し、0度である反射位相に対応する素子間隔が前記第1及び第2の数値範囲内に1つずつ存在する関係を規定する、リフレクトアレー。 - 前記複数の素子の各々は、パッチと地板とパッチ間の隙間とビアホールとによって構成されるマッシュルーム構造である、請求項1記載のリフレクトアレー。
- 前記ビアホールの高さを変化させて、位相を変化させる、請求項2記載のリフレクトアレー。
- 前記各マッシュルーム構造の隙間を同じ値で一度に変化させて、位相を変化させる、請求項2または3記載のリフレクトアレー。
- 複数の素子が所定の軸に垂直な表面を有する基板に設けられておりかつ入射波を所望方向に反射させるリフレクトアレーの設計方法であって、
等しい素子間隔で並べられた複数の素子に電波が入射し反射した場合における素子の反射位相を、前記素子間隔の関数として求め、前記反射位相及び前記素子間隔の対応関係をメモリに保存するステップと、
前記複数の素子の内の特定の素子が、複数の反射位相の内の特定の反射位相で前記入射波を反射するように、該特定の素子の素子間隔を前記対応関係に従って決定することを、前記複数の素子各々について反復するステップと
を有することを特徴とするリフレクトアレーの設計方法。 - 前記複数の素子の各々は、パッチ及び地板を少なくとも有する素子構造を有し、
ある隣接する素子のパッチ間の隙間の長さは別の隣接する素子のパッチ間の隙間の長さに等しい、請求項5に記載の設計方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012044863A JP5410558B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | リフレクトアレー及び設計方法 |
PCT/JP2012/081293 WO2013128744A1 (ja) | 2012-02-29 | 2012-12-03 | リフレクトアレー及び設計方法 |
US14/379,599 US9425512B2 (en) | 2012-02-29 | 2012-12-03 | Reflectarray and design method |
EP12869953.5A EP2822098B1 (en) | 2012-02-29 | 2012-12-03 | Reflect array, and design method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012044863A JP5410558B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | リフレクトアレー及び設計方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013183238A JP2013183238A (ja) | 2013-09-12 |
JP5410558B2 true JP5410558B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=49081963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012044863A Active JP5410558B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | リフレクトアレー及び設計方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9425512B2 (ja) |
EP (1) | EP2822098B1 (ja) |
JP (1) | JP5410558B2 (ja) |
WO (1) | WO2013128744A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11876298B2 (en) | 2020-11-19 | 2024-01-16 | Metawave Corporation | Active redirection devices for wireless applications |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015112748A1 (en) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | Evolv Technology, Inc. | Beam forming with a passive frequency diverse aperture |
US9640867B2 (en) * | 2015-03-30 | 2017-05-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Tunable spatial phase shifter |
CN107404002A (zh) * | 2016-05-19 | 2017-11-28 | 深圳超级数据链技术有限公司 | 调节电磁波的方法和超材料 |
US10749270B2 (en) | 2018-05-11 | 2020-08-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polarization rotating phased array element |
US11239555B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-02-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | 2-bit phase quantization phased array element |
TWI749987B (zh) * | 2021-01-05 | 2021-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 天線結構及陣列天線模組 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4684952A (en) | 1982-09-24 | 1987-08-04 | Ball Corporation | Microstrip reflectarray for satellite communication and radar cross-section enhancement or reduction |
US6195047B1 (en) * | 1998-10-28 | 2001-02-27 | Raytheon Company | Integrated microelectromechanical phase shifting reflect array antenna |
US6417807B1 (en) | 2001-04-27 | 2002-07-09 | Hrl Laboratories, Llc | Optically controlled RF MEMS switch array for reconfigurable broadband reflective antennas |
US6426727B2 (en) * | 2000-04-28 | 2002-07-30 | Bae Systems Information And Electronics Systems Integration Inc. | Dipole tunable reconfigurable reflector array |
US6384797B1 (en) | 2000-08-01 | 2002-05-07 | Hrl Laboratories, Llc | Reconfigurable antenna for multiple band, beam-switching operation |
US6512494B1 (en) * | 2000-10-04 | 2003-01-28 | E-Tenna Corporation | Multi-resonant, high-impedance electromagnetic surfaces |
US6483481B1 (en) | 2000-11-14 | 2002-11-19 | Hrl Laboratories, Llc | Textured surface having high electromagnetic impedance in multiple frequency bands |
US6642889B1 (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-04 | Raytheon Company | Asymmetric-element reflect array antenna |
JP2005191982A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Kobe Steel Ltd | アンテナ |
JP2007096868A (ja) | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 反射板および該反射板を備えたリフレクタアンテナ |
WO2007051487A1 (en) | 2005-11-03 | 2007-05-10 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S.) | A reflectarry and a millimetre wave radar |
JP2008147763A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | Ebg構造 |
JP2008160589A (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Toshiba Corp | 高インピーダンス基板、アンテナ装置および携帯無線装置 |
US8217847B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-07-10 | Raytheon Company | Low loss, variable phase reflect array |
US7623088B2 (en) * | 2007-12-07 | 2009-11-24 | Raytheon Company | Multiple frequency reflect array |
JP4990188B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-08-01 | 三菱電機株式会社 | 反射板 |
US20120105305A1 (en) | 2009-05-29 | 2012-05-03 | Ntt Docomo, Inc. | Reflectarray |
JP2011019021A (ja) | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Ntt Docomo Inc | リフレクトアレイ |
JP4949455B2 (ja) | 2009-11-17 | 2012-06-06 | 東芝テック株式会社 | 周期構造体 |
JP5162677B2 (ja) | 2010-02-26 | 2013-03-13 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | マッシュルーム構造を有する装置 |
JP5162678B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2013-03-13 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | マッシュルーム構造を有する装置 |
US8957831B1 (en) | 2010-03-30 | 2015-02-17 | The Boeing Company | Artificial magnetic conductors |
-
2012
- 2012-02-29 JP JP2012044863A patent/JP5410558B2/ja active Active
- 2012-12-03 EP EP12869953.5A patent/EP2822098B1/en active Active
- 2012-12-03 US US14/379,599 patent/US9425512B2/en active Active
- 2012-12-03 WO PCT/JP2012/081293 patent/WO2013128744A1/ja active Application Filing
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11876298B2 (en) | 2020-11-19 | 2024-01-16 | Metawave Corporation | Active redirection devices for wireless applications |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013183238A (ja) | 2013-09-12 |
EP2822098A4 (en) | 2015-10-21 |
EP2822098B1 (en) | 2018-04-11 |
EP2822098A1 (en) | 2015-01-07 |
US9425512B2 (en) | 2016-08-23 |
WO2013128744A1 (ja) | 2013-09-06 |
US20150015455A1 (en) | 2015-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5410559B2 (ja) | リフレクトアレー及び設計方法 | |
JP5410558B2 (ja) | リフレクトアレー及び設計方法 | |
JP5352645B2 (ja) | マルチビームリフレクトアレイ | |
JP5162677B2 (ja) | マッシュルーム構造を有する装置 | |
JP5162678B2 (ja) | マッシュルーム構造を有する装置 | |
WO2014020969A1 (ja) | リフレクトアレー | |
JP5236754B2 (ja) | マッシュルーム構造を有する装置 | |
JP5398858B2 (ja) | リフレクトアレー及び設計方法 | |
JP6950830B2 (ja) | 位相制御装置、アンテナシステム及び電磁波の位相制御方法 | |
JP6958748B2 (ja) | 位相制御装置、アンテナシステム及び位相制御方法 | |
WO2014054444A1 (ja) | リフレクトアレー | |
JP6073203B2 (ja) | リフレクトアレーの設計方法 | |
JP5603907B2 (ja) | リフレクトアレー | |
JP5635567B2 (ja) | リフレクトアレー | |
JP5469724B1 (ja) | リフレクトアレー | |
JP5490194B2 (ja) | マルチビームリフレクトアレー | |
JP5536836B2 (ja) | 設計方法及びリフレクトアレー | |
JP5650172B2 (ja) | 反射素子を有するリフレクトアレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5410558 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |