JP5536836B2 - 設計方法及びリフレクトアレー - Google Patents
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入射波を所望方向に反射するリフレクトアレーの設計方法であって、
複数の素子が所定の素子間隔で整列している構造に所定の周波数の電波が入射して反射した場合の素子の反射位相を、隣接する素子のパッチ間のギャップサイズの関数として求め、反射位相及びギャップサイズの対応関係をメモリに保存するステップと、
前記リフレクトアレーを構成する複数の素子のうちの特定の素子が、特定の反射位相で前記電波を反射するように、該特定の素子のギャップサイズを前記対応関係に従って決定することを、前記リフレクトアレーを構成する複数の素子各々について実行するステップとを有し、
反射位相及びギャップサイズの前記対応関係は、所定のギャップサイズの前後2つのギャップサイズにおいて同じ値の反射位相が存在することを示し、
隣接する素子間の素子間隔及びギャップサイズが一定である構造に電波が入射して反射した場合に、反射波の反射位相を周波数の関数とすると、前記所定の周波数の前後2つの周波数において同じ値の反射位相が存在し、
隣接する素子のパッチ間のギャップサイズが一定である構造に前記所定の周波数の電波が入射して反射した場合に、反射波の反射位相を素子間隔の関数とすると、前記所定の素子間隔の前後2つの素子間隔において同じ値の反射位相が存在する、リフレクトアレーの設計方法である。
2.入射波を任意の方向に反射させる
3.変形例
3.1 反射位相がx軸方向に一定でありy軸方向に変化する変形例
3.2 所望の反射位相を実現できない場合
4.ギャップ可変スプリアス共振
4.1 反射位相
4.2 二共振
4.3 設計方法
4.4 スプリアス部分を使用するか否かによる相違
これらの項目の区分けは本発明に本質的ではなく、2以上の項目に記載された事項が必要に応じて組み合わせて使用されてよいし、ある項目に記載された事項が、別の項目に記載された事項に(矛盾しない限り)適用されてよい。
まず、開示される発明で前提となるリフレクトアレーを説明する。図1は、リフレクトアレーの原理を説明するための説明図を示す。図示されているように、地板上に整列した複数の素子各々による反射波の位相が、隣接する素子同士の間で徐々に変化していたとする。図示の例の場合、隣接する素子各々による反射波の位相差は90度である。電波は等位相面(破線で示されている)に垂直な方向に進行するので、個々の素子からの反射位相を適切に調整しつつ、素子を二次元的に配置することでリフレクトアレーを形成し、入射波を所望の方向に反射させることができる。
図12はリフレクトアレーに入射する入射波とそこから反射する反射波との関係を一般的に示している。図示の例の場合、入射波は(rθφ)極座標において、θ=θi及びφ=φiの方向から到来し、反射波はθ=θr及びφ=φrの方向へ進んでいる。原点はリフレクトアレーにおける1つの素子に対応する。上述したように、素子は典型的にはマッシュルーム構造の素子であるが、実施の形態はこれに限定されない。入射波が進行する方向に沿う入射単位ベクトルuiは、次のように書ける。
反射波が進行する方向に沿う反射単位ベクトルurは、次のように書ける。
図13に示すように、リフレクトアレーを構成する複数の素子各々の中心座標が、(mΔx,nΔy,0)にあるとする。ただし、m=0,1,2,...Nx及びn=0,1,2,...Nyであり、Nxはmの最大値及びNyはnの最大値である。x軸方向にm番目及びy軸方向にn番目の素子(便宜上、mn番目の素子と言及する)の位置ベクトルrmnは、次のように書ける。
この場合、mn番目の素子で実現すべき反射位相αmnは、次のように書ける。
ただし、「・」はベクトルの内積を表す。k0は電波の波数(2π/λ)を表し、λは電波の波長を表す。(8)式に(5)-(7)式を代入すると、次のように書ける。
=k0mΔx(sinθicosφiーsinθrcosφr)+k0nΔy(sinθisinφi−sinθrsinφr)・・・(9)
ただし、2πN=0であるとしたが、一般性は失われない。なお、αmnは数式(9)により任意の値に設定可能であるが、ある1周期分の素子配列をxy平面上で反復的に設けることでリフレクトアレーを構成する観点からは、αmnは360度の約数(例えば、18度)であることが好ましい。
これは、図12において入射波の入射単位ベクトルuiのy成分の大きさと反射波の反射単位ベクトルurのy成分の大きさとが等しいことを示す。すなわち、入射単位ベクトル及び反射単位ベクトルのy成分同士が等しい場合、個々の素子で実現すべき反射位相を、x軸方向に変化させる一方、y軸方向には一定であるようにできる。数式(10)は、次のようにも書ける。
θr=arcsin(sinθisinφi/sinφr) ・・・(12)
従って、反射波のx軸からの偏角φrに基づいて、反射波のz軸からの偏角θrを一意に決定できる。目下の場合、mn番目の素子で実現すべき反射位相αmnは、次のように書ける。
=k0mΔx[sinθicosφiー(sinθisinφi/sinφr)×cosφr] ・・・(13)
従って、mn番目の素子で実現すべき反射位相αmnは、反射波のx軸からの偏角φrにより一意に決定される。
一例として、入射波のx軸からの偏角φiが270度であったとする。この場合、sinφi=-1及びcosφi=0であるので、次のように書ける。
αmn=k0mΔx[(sinθi/sinφr)×cosφr] ・・・(15)
図14は反射位相又は位相差αmnと反射波(θr,φr)との関係(上記の数式(13))を示す。シミュレーションでは、リフレクトアレーにおける素子同士の間隔Δxは4mmであり、電波の周波数は11GHzであるとした。また、入射波のz軸からの偏角はθi=20度であり、入射波のx軸からの偏角はφi=270度であるとした。位相差αmn=0の場合、反射波のz軸からの偏角θrは20度及びx軸からの偏角φrは90度となっており、これは鏡面反射を示す。図示されているように、位相差αmnが0から45度まで増加する場合に、反射波のz軸からの偏角θrは20度から徐々に増加して約67度に達する一方、反射波のx軸からの偏角φrは90度から徐々に減少して約22度に達している。
地板(接地プレート)とパッチとの間に介在する材料の誘電率=8.85×10-12
地板(接地プレート)とパッチとの間に介在する材料の透磁率=1.26×10-6
入射波のz軸からの偏角θi=20度
入射波のx軸からの偏角φi=270度
所望方向(θr,φr)=(29度,45度)
この場合、図18に示すように、反射波のメインビームがz軸となす偏角θrは29度となり、 x軸となす偏角φrは45度であり、所望方向に一致している。
<<3.1 反射位相がx軸方向に一定でありy軸方向に変化する変形例>>
上記の説明では、数式(10)を満たすようにすることで、素子で実現すべき反射位相αmnが、x軸方向には徐々に変化するが、y軸方向には一定であるようにしている。しかしながら実施の形態はこの例に限定されず、逆に、素子で実現すべき反射位相αmnが、y軸方向には徐々に変化するが、x軸方向には一定であるようにもできる。その場合、数式(9)において、仮に、Δxの係数である(sinθicosφiーsinθrcosφr)が恒等的に0になる必要がある。この場合、次式が成立する。
これは、図12において入射波の入射単位ベクトルuiのy成分と反射波の反射単位ベクトルurのx成分とが等しいことを示す。入射及び反射単位ベクトルのx成分同士が等しい場合に、個々の素子で実現すべき反射位相を、y軸方向に変化させる一方、x軸方向には一定であるようにできる。数式(16)は、次のようにも書ける。
θr=arcsin(sinθicosφi/cosφr) ・・・(18)
従って、反射波のx軸からの偏角φrから、反射波のz軸からの偏角θrを一意に決定できる。この場合、mn番目の素子で実現すべき反射位相αmnは、次のように書ける。
=k0nΔy[sinθisinφi−(sinθicosφi/cosφr)×sinφr] ・・・(19)
従って、mn番目の素子で実現すべき反射位相αmnは、反射波のx軸からの偏角φrにより一意に決定される。
リフレクトアレーが電波を所望の方向に適切に反射できるようにするには、所定数個(例えば、N個)の素子各々による反射位相の差分の合計(N×Δφ)が360度(一般的には、360度の自然数倍)になることが好ましい。しかしながら、製造工程における制約等に起因して、0度から360度までの任意の反射位相を常に実現できるとは限らない。図20は或る設計パラメータと反射位相との相互関係を示す。設計パラメータは、例えば隣接する素子のパッチ同士の間の隙間(ギャップ)でもよいし、他の量でもよい。例えば、電波の周波数、素子間の間隔(素子の中心点から隣接する素子の中心点までの距離)や、パッチのサイズ等が設計パラメータとして使用されてもよい。何れの設計パラメータが使用されるにせよ、場合によっては、実現できない反射位相が生じる可能性がある。図20に示す例の場合、-180度から+90度付近までの反射位相は、0から4までの範囲内の設計パラメータ(例えば、0以上4mm以下のギャップ)を選ぶことで実現できるが、+90度から+180付近までの反射位相を実現することは困難である。
<4.1 反射位相>
次に、リフレクトアレーを構成する素子による反射波の反射位相と設計パラメータとの関係を考察する。設計パラメータは、例えば、電波の周波数(f)、素子間の間隔(Δx、Δy)、素子のパッチサイズ(Wx、Wy)、隣接する素子のパッチ同士の間の隙間又はギャップサイズ(gx、gy)等であるが、これらに限定されない。以下の説明において、リフレクトアレーに入射して反射する電波は、電場の振幅方向が反射面に沿っているTM波であるとする。反射面とは入射波及び反射波を含む平面である。リフレクトアレーはマッシュルーム構造で形成された複数の素子を含む。図22に示すように、電波は入射角θiの方向からリフレクトアレーに入射し、反射角θrの方向へ反射するものとする。リフレクトアレーは多数の素子が基板に設けられている構造を有し、個々の素子は地板とパッチとそれらの間の誘電体基板とを有するマッシュルーム構造で形成され、地板及びパッチはビアを介して接続されている。地板はグランドプレート又は接地面とも言及される。図23はリフレクトアレーの一部分を示す。図には4つの素子しか示されていないが、実際には更に多数の素子が存在する。なお、説明の便宜上、本願においてはリフレクトアレーを構成する素子の地板に垂直な方向がz軸であるとするが、座標軸の取り方は任意である。
rf=fp/√εr ・・・(7)
により表現されるものとする。fpはプラズマ周波数を示す。εrはパッチ及び地板の間に介在する誘電体基板の比誘電率を示す。プラズマ周波数fpはプラズマ波数kpと次の関係を満たす。
ただし、cは光速を示す。プラズマ波数kpは素子間隔Δxと次の関係を満たす。
次に、図23に示すようなリフレクトアレーを構成する素子の反射位相の周波数特性を考察する。具体的には、
設計周波数=11GHz(波長=27.3mm)、
基板の厚みt=1mm、
誘電体の比誘電率εr=10.2及び
素子間隔Δx=Δy=2.25mm
とした場合、
共振周波数rfは、10.5GHzであった。このとき、反射位相がゼロとなる周波数は、この構造のスプリアス共振の現象により、低い周波数と高い周波数の2箇所にあらわれ同相になる。したがって、この二つの反射位相がゼロとなる周波数の間で位相が360度一回転する。上記の数値例は単なる一例に過ぎず、適切な如何なる数値が使用されてもよい。なお、図23及び以下の説明において、素子間隔は、隣接する素子のビア同士の間の距離ΔV(Δx又はΔy)として定義されてもよいし、別の定義が使用されてもよい。例えば、隣接するパッチ間のギャップの中心から次のギャップの中心までの距離ΔPが、素子間隔であると定義されてもよい。
図32を参照しながら、リフレクトアレーを構成する素子のパッチ間のギャップを決定する設計手順を説明する。図32には、そのような設計手順の一例を示すフローチャートが示されている。フローはステップ3201から始まり、ステップ3203に進む。
次に、リフレクトアレーの設計において、図31に示すようなスプリアス部分を使用する場合と使用しない場合の相違を考察する。図33はスプリアス部分を使用しないで設計した場合、すなわち図31の「理論」のグラフに基づいて設計した場合のリフレクトアレーの一部分(1周期分)を示す。このような部分がy軸方向に40個並べられ、x軸方向に2つ並べられ、x軸方向に140mm及びy軸方向に140mmの長さを有するリフレクトアレーが想定されている。x軸方向に16個の素子が並べられ、途中の素子4つ分の領域には素子が形成されていない。この領域は、「理論」のグラフにおいて実現できない反射位相の領域に対応する。図34は図31の「理論」のグラフにおいて、シミュレーションに採用されたギャップサイズ及び反射位相の16個の組み合わせ(設計値)を示す。この設計例の場合、素子間隔は3.5mmであり、二共振が生じない場合の数値例が使用されている。図示の例の場合、130度から180度までの反射位相を実現できない。図35は16個の素子のギャップサイズと反射位相との対応関係を表の形式で示している。図示されているように、反射位相は0度から18度ずつ変化しているが、±180度、162度、144度、126度の4種類の反射位相は、「理論」のグラフでは実現できないので、それらに対応するギャップサイズの欄は空白になっている。これは、図33に示すリフレクトアレーにおいて素子が形成されていない領域に対応する。
Claims (3)
- 入射波を所望方向に反射するリフレクトアレーの設計方法であって、
複数の素子が所定の素子間隔で整列している構造に所定の周波数の電波が入射して反射した場合の素子の反射位相を、隣接する素子のパッチ間のギャップサイズの関数として求め、反射位相及びギャップサイズの対応関係をメモリに保存するステップと、
前記リフレクトアレーを構成する複数の素子のうちの特定の素子が、特定の反射位相で前記電波を反射するように、該特定の素子のギャップサイズを前記対応関係に従って決定することを、前記リフレクトアレーを構成する複数の素子各々について実行するステップとを有し、
反射位相及びギャップサイズの前記対応関係は、所定のギャップサイズの前後2つのギャップサイズにおいて同じ値の反射位相が存在することを示し、
隣接する素子間の素子間隔及びギャップサイズが一定である構造に電波が入射して反射した場合に、反射波の反射位相を周波数の関数とすると、前記所定の周波数の前後2つの周波数において同じ値の反射位相が存在し、
隣接する素子のパッチ間のギャップサイズが一定である構造に前記所定の周波数の電波が入射して反射した場合に、反射波の反射位相を素子間隔の関数とすると、前記所定の素子間隔の前後2つの素子間隔において同じ値の反射位相が存在する、リフレクトアレーの設計方法。 - 第1の軸方向及び該第1の軸方向と直交する第2の軸方向に整列しかつ入射波を反射する複数の素子を有し、前記入射波を、該入射波及び鏡面反射波を含む面内にはない所望方向に反射するリフレクトアレーであって、
前記複数の素子の各々が地板及びパッチを少なくとも含み、
前記複数の素子のうちの任意の或る素子による反射波の位相が第1の条件、第2の条件及び第3の条件を満たすように、前記複数の素子のパッチ同士の間のギャップが設定され、
前記第1の条件は、前記或る素子による反射波の位相が、前記第1の軸方向において該或る素子に隣接する素子による反射波の位相と所定値だけ異なりかつ前記第2の軸方向において該或る素子に隣接する素子による反射波の位相と等しいことであり、
前記第2の条件は、前記入射波の進行方向に沿う入射単位ベクトルの前記第2の軸方向成分の大きさが、前記反射波の進行方向に沿う反射単位ベクトルの前記第2の軸方向成分の大きさと等しいことであり、
前記第3の条件は、前記第1の軸方向に整列する複数の所定数個の素子のパッチ間のギャップが最小値から最大値まで徐々に変化し、該複数の所定数個の素子の反射波の位相が360度の範囲にわたって前記所定値毎に変化することである、リフレクトアレー。 - 前記複数の素子の各々がマッシュルーム構造により形成されている、請求項2に記載のリフレクトアレー。
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