JP5407390B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(形態1)ゲート端子であるゲートパッドを素子領域の略中央に設ける。この形態によると、素子領域の中央を有効に活用することができる。
トレンチゲート電極6の接続部6aの一端(素子領域の中央側の端部)は、ゲート配線2aを介してゲートパッド4と接続されている。トレンチゲート電極6の周辺部6bの一端(素子領域の外側の端部)は、ゲート配線2bと接続されている。ゲートパッド4には、外部配線(図示しない)がワイヤボンディングされており、外部配線からゲート信号が入力される。ゲート配線2aは、ゲートパッド4とトレンチゲート電極6の接続部6aに接続されている。IGBT10では、トレンチゲート電極6の周辺部6bが、トレンチゲート電極6の接続部6aを介してゲートパッド4と導通している。なお、ゲート配線2a、2bはアルミニウムで形成されており、ゲート配線2a,2bの電気抵抗は小さい。このため、ゲート配線2a、2bに入力されたゲート信号はゲート配線2a、2b全体に瞬時に伝達される。
従来のIGBTでは、IGBTをオン/オフするゲート信号が入力されたときに、素子領域の中央部を流れるコレクタ電流が瞬時に上昇/下降しないため(図10参照)、素子領域の中央部でのコレクタ損失が大きい。また、素子領域の中央部に熱がこもる。このため、図3の破線12に示すように、素子領域の中央部で温度が上昇する。
一方、本実施例のIGBT10では、IGBTをオン/オフするゲート信号が入力されたときに、素子領域の中央部8Aを流れるコレクタ電流が瞬時に上昇/下降するため、素子領域の中央部8Aでのコレクタ損失が小さい。このため、従来のIGBTと比較して、素子領域の中央部8Aの温度は上昇し難い。また、IGBT10では、IGBT10をオン/オフするゲート信号が入力されると、素子領域の周辺部8Bを流れるコレクタ電流が緩やかに上昇/下降するため、素子領域の周辺部8Bでのコレクタ損失が大きい。このため、従来のIGBTに比べて温度が低下し難い。ただし、素子領域の周辺部8Bに発生した熱は素子領域の外周から放熱されるため、素子領域の周辺部8Bの温度上昇が抑えられる。これらによって、本実施例のIGBT10では、素子領域の中央部8Aと周辺部8Bで略同一の温度となる。
また、図2に示すように、素子領域の周辺部8Bにおけるコレクタ損失Wが従来のIGBTより大きいとしても、素子領域の中央部8Aにおけるコレクタ損失Wが従来のIGBTより小さいため、IGBT10の素子領域全体におけるコレクタ損失Wは従来のIGBTと等しい。このため、IGBT10では、従来のIGBTと同等のデバイス性能を維持することができる。
さらに、図2に示すように、IGBT10では、素子領域の中央部8Aにおけるコレクタ損失Wが従来のIGBTより少ないため、素子領域の中央部8Aの温度が許容温度以上まで上昇し難い。
第1トレンチゲート電極26aの一部は、ゲート配線22aを介してゲートパッド24と接続されている。第1トレンチゲート電極の両端は、ゲート配線22bの内側に接続されている。第2トレンチゲート電極26bの一端(素子領域の中央側の端部)は、ゲート配線22bと接続されている。第2トレンチゲート電極26bの他端(素子領域の外側の端部)は、ゲート配線22cと接続されている。ゲートパッド24には、外部配線(図示しない)がワイヤボンディングされており、外部配線からゲート信号が入力される。ゲート配線22aは第1トレンチゲート電極26aとゲートパッド24に接続されている。IGBT30では、第2トレンチゲート電極26bが、第1トレンチゲート電極26aを介してゲートパッド24と導通している。
トレンチゲート電極36、37の各接続部36a、37aの一端(素子領域の中央側の端部)は、ゲート配線32aを介してゲートパッド34と接続されている。トレンチゲート電極36、37の各周辺部36b、37bの一端(素子領域の外側の端部)は、ゲート配線32bと接続されている。ゲートパッド34には、外部配線(図示しない)がワイヤボンディングされており、外部配線からゲート信号が入力される。ゲート配線32aは、ゲートパッド34とトレンチゲート電極36、37の各接続部36a、37aに接続されている。IGBT40では、トレンチゲート電極36、37の各周辺部36b、37bが、トレンチゲート電極36、37の各接続部36a、37aを介してゲートパッド34と導通している。
トレンチゲート電極43、45、46、47の各接続部43a、45a、46a、47aの一端(素子領域の中央側の端部)は、ゲート配線42aを介してゲートパッド44と接続されている。トレンチゲート電極43、45、46、47の各周辺部部43b、45b、46b、47bの一端(素子領域の外側の端部)は、ゲート配線42bと接続されている。ゲートパッド44には、外部配線(図示しない)がワイヤボンディングされており、外部配線からゲート信号が入力される。ゲート配線42aは、ゲートパッド44とトレンチゲート電極43、45、46、47の各接続部43a、45a、46a、47aに接続されている。IGBT50では、トレンチゲート電極の各周辺部43b、45b、46b、47bが、トレンチゲート電極46の各接続部43a、45a、46a、47aを介してゲートパッド4と導通している。
最も内側のトレンチゲート電極56aは、ゲート配線52aを介してゲートパッド52aと接続されている。各トレンチゲート電極56a、56b、56c、56d、56eは、隣接するトレンチゲート電極同士がゲート配線52cによって接続されている。最も外側のトレンチゲート電極56eは、ゲート配線52bによってゲート配線52dと接続されている。ゲートパッド54には、外部配線(図示しない)がワイヤボンディングされており、外部配線からゲート信号が入力される。IGBT60では、最も内側のトレンチゲート電極56aを除いた各トレンチゲート電極56b、56c、56d、56eが、内側に隣接するトレンチゲート電極を介してゲートパッド54と導通している。
トレンチゲート電極66の接続部66aの一端(素子領域の中央側の端部)は、ゲート配線62aを介してゲートパッド64と接続されている。トレンチゲート電極66の周辺部66bの一端(素子領域の外側の端部)は、ゲート配線62bと接続されている。ゲートパッド64には、外部配線(図示しない)がワイヤボンディングされており、外部配線からゲート信号が入力される。ゲート配線62aは、ゲートパッド64とトレンチゲート電極66の接続部66aを接続している。ゲート配線62aとトレンチゲート電極66が交差する位置では、トレンチゲート電極66がゲート配線62aの下方を通過している。
例えば、実施例ではIGBTを記載したが、MOSFETなどトレンチゲート電極を有する他の半導体装置であってもよい。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
4、24、34、44、54、64:ゲートパッド
6、36、37、43、45、46、47、56a、56b、56c、56d、56e、66:トレンチゲート電極
6a、36a、37a、43a、45a、46a、47a、66a:(トレンチゲート電極の)接続部
6b、36b、37b、43b、45b、46b、47b、66b:(トレンチゲート電極の)周辺部
8A、28A、38A、48A、58A、68A:素子領域の中央部
8B、28B、38B、48B、58B、68B:素子領域の周辺部
10、30、40、50、60、70:IGBT
12:従来のIGBTの素子領域の熱量分布
14:実施例1に係るIGBT10の素子領域の熱量分布
26a:第1トレンチゲート電極
26b:第2トレンチゲート電極
72:ポリシリコン
74:ゲート絶縁膜
76:絶縁膜
78:エミッタ電極
80:シリコン基板
Claims (3)
- 素子領域内に少なくとも1本のトレンチゲート電極を有している半導体装置であり、
前記トレンチゲート電極が、
素子領域の中央部に形成されており、ゲート信号が入力されるゲート端子が接続されている接続部と、
素子領域の周辺部に形成されており、素子領域の中央部側から外側に向かって伸びている周辺部と、を備えており、
前記周辺部が、前記接続部の周囲を素子領域の外側に向かって渦巻状に伸びており、前記接続部を介してゲート端子と導通していることを特徴とする半導体装置。 - 素子領域内に少なくとも1本のトレンチゲート電極を有している半導体装置であり、
前記トレンチゲート電極が、
素子領域の中央部に形成されており、ゲート信号が入力されるゲート端子が接続されている接続部と、
素子領域の周辺部に形成されており、素子領域の中央部側から外側に向かって伸びている周辺部と、を備えており、
前記周辺部が、前記接続部から素子領域の外側に向かって蛇行する形状で伸びており、前記接続部を介してゲート端子と導通していることを特徴とする半導体装置。 - 素子領域の中央部に形成されている少なくとも1本の第1トレンチゲート電極と、
素子領域の周辺部に形成されており、素子領域の中央部の周りに形成されている少なくとも1本の第2トレンチゲート電極を有している半導体装置であり、
第1トレンチゲート電極が、直線形状であり、ゲート信号が入力されるゲート端子と接続されており、
第2トレンチゲート電極が、前記第1トレンチゲート電極の周囲を素子領域の外側に向かって渦巻状に伸びており、第1トレンチゲート電極を介して前記ゲート端子と導通していることを特徴とする半導体装置。
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