JP5407004B2 - 電線及びコイル - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態に係る電線は、図1に示すように、アルミニウム(Al)又はAl合金からなる中心導体1と、中心導体1を被覆する銅(Cu)からなる被覆層2と、被覆層2を被覆し、外部磁界を遮蔽する強磁性体層(磁性メッキ層)3とを備える、強磁性メッキされた銅被覆Al線(以下、「FCA」という。)である。
Rac=(1+ks)Rdc+Rp
=Rs+Rp …(1)
ここで、ksは表皮効果係数を表す。
ただし、μ0は真空中の比透磁率を表す。また、磁界Hθはθ方向成分のみを有し、次のように与えられる。
ここで、
をおくと、波動方程式(2)の解は次のようにおくことができる。
ただし、Jν(z)は第1種Bessel関数を表し、
であり、
は第1種Hankel関数を表す。
となる。ただし、
である。ここで、
であり、
である。
の法則より、導線に流れる全電流Iは次のように得られる。
ただし、
は横断面における導線の外周に沿う線積分を表す。式(19)に式(12),(13)を代入すると、次式(20)が得られる。
一方、図6に示す導線に流れ込むパワーフローはPoyntingベクトルより次式(21)のように計算される。
ここで、
は図6における導線の円筒状の表面積分を表し、
は法線方向に向くベクトル面素を表す。
はPoyntingベクトルであり、arはr方向の単位ベクトルである。
ここで、
により、次式(23)が得られる。
したがって、表皮効果による単位長さ当たりの交流抵抗は、次のように与えられる。
ただし、
は実数部を表し、周波数を0としたときの値が、直流抵抗Rdcである。
導線が2層構造の場合、σ1=σ2,μ1=μ2,式(14)及び式(15)より、
となる。
次に、本発明の第1の実施の形態における近接効果成分Rpの計算手法の一例を説明する。図7に示すように、導線の外部にx方向の高周波磁界Heが、x方向の単位ベクトルをaxとして、次のように印加されているとする。
ここで、H=∇×Aを満たす磁気ポテンシャル
を導入すると、外部ポテンシャル
は式(30)の磁界を与える。
ただし、μ0は真空中の透磁率を表す。
各境界で磁界の接線成分(Hθ)と磁束密度の法線成分(μ0Hr)が連続になる境界条件により、
となる。ただし、
である。ここで、
であり、
である。
また、電界Ezは次のように得られる。
図8に示す導線表面から導線内部に入り込むパワーフローは次式(50)のように計算される。
ただし、
はPoyntingベクトルを表し、
は図8における導線表面における面積分を表す。
ただし、
である。導線の損失PLは、次のように求められる。
となる。
となり、導線が1層構造の場合、σ1=σ2=σ3,μ1=μ2=μ3,式(47)及び式(48)よりさらに、
となる。
|H0|は電流の大きさ|I|に比例する。
ただし、αは比例係数であり、導線の巻き方に依存し、導線が細く密集する場合にαが大きくなる。これを式(56)に代入することにより、近接効果による単位長さ当たりの抵抗Rpは、次のように与えられる。
次に、上述した式(1)〜(62)を用いて、直径0.05mm、0.2mm、0.4mmの導線について計算した結果を、図8〜図41を用いて説明する。Alについては、抵抗率ρ=3.024×10−5Ω・mm、比透磁率μ1=1で計算した。Cuについては、抵抗率ρ=1.724×10−5Ω・mm、比透磁率μ2=1で計算した。強磁性体層3については、抵抗率ρ=9.8×10−5Ω・mm、比透磁率μ3=100〜10000で計算した。
本発明の第1の実施の形態の第1の実施例に係る巻線について説明する。まず、比較例として、図45(a)及び図45(b)に示すように、0.4mmに線引きした14本の素線を束ねた長さ7.3mのCu線にポリウレタンを被覆し、ボビン5を用いて80ターンで巻線(Cu巻線)6を作製した。Cu巻線6と同様の条件で、95%CA線の巻線(95%CA巻線)を作製した。これらCu巻線6及び95%CA巻線を備えるリアクトルを作製し、リアクトルを用いて直流抵抗及び交流抵抗を測定し、上述の式(61)における比例係数αを求めた。
本発明の第1の実施の形態の第2の実施例に係るIH調理器用の磁場発生コイルについて説明する。図47に示すように、比較例に係るCu線として、直径0.4mm、長さ6.6mの素線を55本用いてリッツ線構造とし、17ターンでIH調理器用の磁場発生コイルを作製し、それらについて特性確認試験を行い、上述の式(58)における比例係数αを求めた。
本発明の実施の形態の第3の実施例として、直径0.2mmの95%FCA線とFCu線について、それぞれ強磁性体層の厚さ2.3μm、比透磁率300の場合の近接効果による損失PLの計算結果を示す。図49から、FCA線では、近接効果による損失PLがFCu線と比較して0.73倍に低減されているのが分かる。
本発明の第2の実施の形態に係る電線は、図50に示すように、Al又はAl合金からなる中心導体1と、中心導体1を被覆するCuからなる被覆層2と、被覆層2を被覆し、強磁性体層3と、中心導体1と被覆層2と間に、中心導体1から被覆層2にかけて傾斜的に組成が変化するように形成され、被覆層2よりも体積抵抗率が大きい金属間化合物層(合金層)4とを備える。
本発明の第2の実施の形態の実施例として、減面率がそれぞれ20%以上の複数の伸線ダイスを用いて、図1に示すように中心導体1と被覆層2の間に金属間化合物層4が形成され、被覆層2の断面積が電線全体の断面積の5%である電線(以下、「5%CA線」という。)を作製した。まず、直径9.5mmのAlからなる中心導体1の上に0.15mm厚の銅テープを縦添え方式で添わせながらTIG溶接し、スキンパスで直径9.25mmに成形し、母材を作製した。この母材を、複数段(26パス)の伸線ダイスを通し、直径9.25mmから直径0.4mmに引き落とした。伸線ダイスのリダクション角度αは一律8°(全角2α=16°)とし、第1パス〜第3パスの減面率を29%〜24%、第4パス〜第10パスの減面率を23%〜21%、第11パス〜第26パスの減面率を21%〜20%とした。
本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…被覆層
3…強磁性体層
4…金属間化合物層
5…ボビン
6…巻線
7…母材
10…磁心
11…第1の巻線
12…第2の巻線
20…伸線ダイス
21…エントランス部
22…アプローチ部
23…リダクション部
24…ベアリング部
25…バックリリーフ部
Claims (3)
- アルミニウム又はアルミニウム合金からなる中心導体と、
前記中心導体を被覆する銅からなる被覆層と、
前記被覆層を被覆し、外部磁界を遮蔽する強磁性体層と、
前記中心導体と前記被覆層との間に形成され、前記被覆層よりも体積抵抗率が大きいアルミニウム及び銅からなる金属間化合物層と、を備え、
前記被覆層が、長手方向に繊維状組織を有し、
前記強磁性体層の厚さが0.5μm〜10μmであり、前記中心導体と前記金属間化合物層及び前記被覆層とを合わせた直径が0.05mm〜0.4mmであり、前記被覆層の断面積が前記中心導体と前記金属間化合物層及び前記被覆層とを合わせた断面積の3%〜15%であり、前記強磁性体層の比透磁率が100〜10000であり、使用される周波数が200Hz〜30MHzであることを特徴とする電線。 - 前記金属間化合物層は、前記被覆層が被覆された前記中心導体を減面率がそれぞれ20%以上の複数段のダイスを用いて伸線することにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の電線。
- アルミニウム又はアルミニウム合金からなる中心導体と、
前記中心導体を被覆する銅からなる被覆層と、
前記被覆層を被覆し、外部磁界を遮蔽する強磁性体層と、
前記中心導体と前記被覆層との間に形成され、前記被覆層よりも体積抵抗率が大きいアルミニウム及び銅からなる金属間化合物層と、を備え、
前記被覆層が、長手方向に繊維状組織を有し、
前記強磁性体層の厚さが0.5μm〜10μmであり、前記中心導体と前記金属間化合物層及び前記被覆層とを合わせた直径が0.05mm〜0.4mmであり、前記被覆層の断面積が前記中心導体と前記金属間化合物層及び前記被覆層とを合わせた断面積の3%〜15%であり、前記強磁性体層の比透磁率が100〜10000であり、使用される周波数が200Hz〜30MHzであることを特徴とする電線を絶縁被覆して使用したコイル。
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