JP5402220B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 Download PDFInfo
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Description
図1は、実施の形態1にかかる半導体装置を示す断面図である。図1に示す半導体装置では、おもて面の面方位を(000−1)面とするn+半導体基板1が設けられている。n+半導体基板1は、例えば炭化珪素の四層周期六方晶(4H−SiC)からなる炭化珪素単結晶基板である。n+半導体基板1のおもて面には、炭化珪素からなるn-ドリフト領域2が設けられている。n-ドリフト領域2は、n+半導体基板1よりも低い不純物濃度を有する。
図13は、実施の形態2にかかる半導体装置の平面レイアウトを示す平面図である。図13に示す平面図は、pベース領域3、n+ソース領域4および第3トレンチ15の平面レイアウトである。実施の形態1において、第2トレンチ5に代えて、六角形の平面形状を有する第3トレンチ15を形成しても良い。
2 n-ドリフト領域
3 pベース領域
4 n+ソース領域
5 トレンチ(第2)
6 p+高濃度コンタクト領域
7 トレンチ(第1)
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10 層間絶縁膜
11 ソース電極
12 ドレイン電極
Claims (8)
- 炭化珪素半導体でできた基体のおもて面から形成された第1トレンチ内にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、
おもて面の面方位を(000−1)面とする第1導電型の半導体基板上に、第1導電型のドリフト領域を形成する工程と、
前記ドリフト領域の表面に、第2導電型のベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表面に、第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記第1トレンチと離れて、前記ソース領域を貫通し、前記ベース領域に達する第2トレンチを形成する工程と、
前記第2トレンチの側壁および底面に、前記ベース領域と同一の導電型を有し、前記ベース領域よりも高い不純物濃度を有する高濃度領域をエピタキシャル成長法により形成する工程と、
前記ソース領域に接し、前記高濃度領域を介して前記第2トレンチの内部に埋め込むように、ソース電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第2トレンチの側壁の面方位を、(11−20)面とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- [1−100]方向に延びる直線形状の平面レイアウトで、前記第2トレンチを形成することを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- [1−100]方向に延びる直線形状の複数のトレンチが平行に配列された平面レイアウトで、前記第2トレンチを形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- {11−20}面をトレンチ側壁とし、結晶内の等価な面がトレンチ側壁となる六角形状の平面レイアウトで、前記第2トレンチを形成することを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- {11−20}面をトレンチ側壁とし、結晶内の等価な面がトレンチ側壁となる六角形の平面形状を有するトレンチが、[1−100]方向に間隔を空けて複数配列された平面レイアウトで、前記第2トレンチを形成することを特徴とする請求項1、2または5のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記ソース領域をエピタキシャル成長法により形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- おもて面の面方位を(000−1)面とする第1導電型の半導体基板上に設けられた第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域上に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域の表面に設けられた第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域おもて面から前記ベース領域を貫通し、前記半導体基板に達する第1トレンチと、
前記第1トレンチ内に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記第1トレンチと離れて設けられ、前記ソース領域を貫通し、前記ベース領域に達する第2トレンチと、
前記第2トレンチの側壁および底面に設けられ、前記ベース領域と同一の導電型を有し、前記ベース領域よりも高い不純物濃度を有する高濃度エピタキシャル領域と、
前記ソース領域に接し、前記高濃度エピタキシャル領域を介して前記第2トレンチの内部に埋め込まれたソース電極と、
を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
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