JP5402211B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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上記のひとつの光電変換装置の製造方法において、前記第8の工程の後に、前記基板上に、パッシベーション層前駆体を形成する第10の工程と、をさらに含み、前記第9の工程において、前記端子部の上の前記第1被覆層と共に前記パッシベーション層前駆体をエッチングすると共に、前記光電変換素子の上の前記パッシベーション層前駆体をエッチングし、前記端子部と前記光電変換素子が露出されたパッシベーション層を形成することが好ましい。
上記のひとつの光電変換装置の製造方法において、前記第1被覆層と前記第2被覆層のうち、下層側の被覆層は有機物層であり、上層側の被覆層は無機物層であることが好ましい。
上記のひとつの光電変換装置の製造方法において、前記第1被覆層と前記第2被覆層のうち、下層側の被覆層は無機物層であり、上層側の被覆層は有機物層であることが好ましい。
上記のひとつの光電変換装置の製造方法において、前記無機物層は、SiOxNy(x=0または、y=0を含む)層であることが好ましい。
上記のひとつの光電変換装置の製造方法において、前記パッシベーション層は、SiOxNy(x=0または、y=0を含む)層であることが好ましい。
上記のひとつの光電変換装置の製造方法において、前記基板における平面視にて前記端子部が前記無機物層と重なっている場合に、前記パッシベーション層と前記無機物層を構成する窒化酸化珪素(窒化珪素、酸化珪素を含む)の組成比が揃えられていることが好ましい。
上記のひとつの光電変換装置の製造方法において、前記光電変換素子前駆体は、N+層と、I型半導体層と、P+層とを積層することにより形成されることが好ましい。
[適用例1]本適用例にかかる光電変換装置の製造方法は、光電変換素子と、前記光電変換素子と信号のやりとりをするための端子部と、を基板上に備えた光電変換装置の製造方法であって、前記基板上に、前記端子部を形成する工程と、前記基板上に、前記端子部を覆う第1被覆層を形成する工程と、前記基板における平面視にて、前記端子部に重ならない領域であって、積層方向で前記第1被覆層の上に前記光電変換素子の前駆体を形成する工程と、前記光電変換素子前駆体をエッチングし、前記光電変換素子を形成する工程と、前記端子部上の前記第1被覆層をエッチングし、前記端子部を露出させる工程と、を含むことを特徴とする。
以下、第1の実施形態として、光電変換装置の構成について説明する。図1は本実施形態の光電変換装置の配線構造を示す模式図であり、(a)は全体構成、(b)は光電変換装置が備えるフォトセンサーの断面図である。図1(a)に示すように、本実施形態の光電変換装置100は、素子領域Aに互いに交差する方向に延びる走査線3aとデータ線6aとが設けられている。走査線3aは、走査線駆動回路102に接続され、データ線6aは、読み取り回路101に接続されている。フォトセンサー50は、走査線3aとデータ線6aとの交点付近に対応して形成され、素子領域Aにマトリックス状に配列されている。
ここで、上記した光電変換装置の変形例について説明する。上記した例では、端子部10Bが、読み取り回路101から送出される信号(電荷)を外部回路へ伝送するための中継点となるよう、読み取り回路101の一部を構成するTFT10の一部として構成したが、端子部10Bは、この構成に限られるものではなく、外部回路から送出される信号を走査線駆動回路102へ伝送するための中継点となるよう、走査線駆動回路102の一部を構成するTFT等の一部として構成しても良い。また、読み取り回路101や走査線駆動回路102を光電変換装置100の外部に設ける構成として、端子部10Bを、データ線6aから送出される信号(電荷)を読み取り回路101へ伝送するための中継点となるよう構成したり、走査線駆動回路102から送出される信号を走査線3aへ伝送するための中継点となるように構成したりしても良い。いずれの場合においても、端子部10Bは、TFT40の接続電極部40Bと同じ層に構成されている。
以下、本実施形態にかかる光電変換装置の製造方法について、図面を用いて説明する。図3(a)、(b)、図4〜図9は第2の実施形態にかかる光電変換装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
ここで、上記した光電変換装置の製造方法の変形例について説明する。上記した例では、工程5において、接続電極部40Bと端子部10Bと重なる領域の有機平坦化層203を開口させ、工程6において、基板250における平面視にて接続電極部40Bの少なくとも一部と重なる領域の無機平坦化層202を貫通させ、接続電極部40Bに達するコンタクトホールを形成したが、これを、工程5において、接続電極部40Bと重なる領域の有機平坦化層203および無機平坦化層202を貫通させ、接続電極部40Bに達するコンタクトホールを形成し、工程6において、接続電極部40Bと重なる領域の有機平坦化層203を開口させるようにしても良い。この場合でも、接続電極部40Bと重なる領域を露出させる時に端子部10Bの上には無機平坦化層202が残されているため、端子部10Bはエッチング時の薬液等から保護される。上記した例では、第1被覆層としての無機平坦化層202を形成した後、第2被覆層としての有機平坦化層203を形成しているが、この順序は逆にしても良く、この場合でも平坦性を向上させることができる。
以下、本実施形態にかかる光電変換装置の製造方法について、図面を用いて説明する。図10は本実施形態により得られる光電変換装置の断面図、図11〜図15は光電変換装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
ここで、上記した光電変換装置の製造方法の変形例について説明する。上記した例では、第1被覆層としての有機平坦化層402を形成した後、第2被覆層としての無機平坦化層403を形成しているが、この順序は逆にしても良く、この場合でも平坦性を向上させることができる。
Claims (8)
- 光電変換素子と、前記光電変換素子と信号のやりとりをするための端子部と、前記光電変換素子の電気的動作を制御する薄膜トランジスターと、前記光電変換素子と前記薄膜トランジスターの半導体層とを接続する接続電極部と、を基板上に備えた光電変換装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記端子部及び前記接続電極部を形成する第1の工程と、
前記基板上に、前記端子部及び前記接続電極部を覆う第1被覆層を形成する第2の工程と、
前記第1被覆層の上に第2被覆層を形成する第3の工程と、
前記端子部に重なる第1の領域及び前記接続電極部に重なる第2の領域において前記第2被覆層を開口する第4の工程と、
前記第2の領域において前記第1被覆層を開口する第5の工程と、
積層方向に画素電極前駆体を形成した後、前記基板における平面視にて、前記第2の領域、前記光電変換素子が配置されるべき第3の領域、及び、前記第2の領域と前記第3の領域とを電気的に接続する第4の領域を残すように前記画素電極前駆体をエッチングし、画素電極を形成する第6の工程と、
積層方向に前記光電変換素子の前駆体を形成する第7の工程と、
前記光電変換素子前駆体をエッチングし、前記第3の領域に前記光電変換素子を形成する第8の工程と、
前記端子部上の前記第1被覆層をエッチングし、前記端子部を露出させる第9の工程と、
を含み、
前記接続電極部は、前記基板における平面視にて前記端子部に重ならない位置であって前記端子部と積層方向の同一層に形成され、
前記光電変換素子の前駆体は、前記画素電極と電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記第8の工程の後に、
前記基板上に、パッシベーション層前駆体を形成する第10の工程と、をさらに含み、
前記第9の工程において、前記端子部の上の前記第1被覆層と共に前記パッシベーション層前駆体をエッチングすると共に、前記光電変換素子の上の前記パッシベーション層前駆体をエッチングし、前記端子部と前記光電変換素子が露出されたパッシベーション層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記第1被覆層と前記第2被覆層のうち、下層側の被覆層は有機物層であり、上層側の被覆層は無機物層であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
- 請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記第1被覆層と前記第2被覆層のうち、下層側の被覆層は無機物層であり、上層側の被覆層は有機物層であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
- 請求項3または4に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記無機物層は、SiOxNy(x=0または、y=0を含む)層であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
- 請求項2〜5のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記パッシベーション層は、SiOxNy(x=0または、y=0を含む)層であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
- 請求項3〜6のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記基板における平面視にて前記端子部が前記無機物層と重なっている場合に、前記パッシベーション層と前記無機物層を構成する窒化酸化珪素(窒化珪素、酸化珪素を含む)の組成比が揃えられていることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換素子前駆体は、N+層と、I型半導体層と、P+層とを積層することにより形成されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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