JP5398352B2 - フェライト薄膜の製造装置 - Google Patents
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Description
2 台座
3 回転台
4 液受け板
5 回転軸
6 ヒーターブロック
8 酸化液流入口
9 窒素ガス流入口
10 反応液流入口
11 回転モーター
12 取り外し用扉
13 搬送ベルト
14 取り付け用扉
15 ベルト駆動モーター
16 純水流入口
17 開閉シャッター
18 熱電対
20 昇温室
27、37 ノズル
30 成膜室
40 冷却室
Claims (6)
- 基体を加熱昇温する昇温室と、加熱昇温された前記基体にフェライト薄膜を成膜する成膜室と、前記フェライト薄膜が成膜された基体を冷却する冷却室と、前記基体の搬送を担う搬送装置とを有し、
前記昇温室と前記成膜室間、および前記成膜室と前記冷却室間はそれぞれ開閉可能な仕切りを介して互いに接合され、
前記昇温室、前記成膜室、前記冷却室のそれぞれが、前記基体を設置する台座と、前記台座を固定する回転台と、前記基体を加熱する機構と、第一鉄イオンを含む反応液と第一鉄イオンに対して酸化作用を有する成分を含む酸化液とを加熱された前記基体に供給する機構と、前記反応液および酸化液を前記基体から除去する機構とを有するフェライト薄膜の製造装置であって、
前記搬送装置は、前記基体を前記台座とともに、前記昇温室、前記成膜室、前記冷却室を当該順に通過するよう搬送し、
前記昇温室から前記成膜室、および前記成膜室から前記冷却室へ搬送する際に、前記台座を前記回転台に固定された方向と反対方向に移動し、前記回転台から取り外すよう構成されていることを特徴とするフェライト薄膜の製造装置。 - 前記搬送装置は前記回転台の直径よりも大きい開口部を備える1つのベルト状の架台を有するか、もしくは前記回転台の直径よりも大きい間隔で設置された2つのベルト状の架台を有し、前記台座を前記架台に搭載した状態で当該架台を移動させることにより前記台座が搬送されることを特徴とする請求項1に記載のフェライト薄膜の製造装置。
- 前記1つのベルト状の架台の幅から前記開口部の開口の幅を除いた長さ、もしくは前記2つのベルト状の架台の幅の合計は、前記台座の直径の1%以上でかつ98%以下であることを特徴とする請求項2に記載のフェライト薄膜の製造装置。
- 前記基体を加熱する機構は、前記基体の周囲の雰囲気を加熱する手段を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフェライト薄膜の製造装置。
- 前記基体の周囲の雰囲気を過熱する手段は、加熱した気体を前記基体の周囲に導入することによってなされることを特徴とする請求項4に記載のフェライト薄膜の製造装置。
- 前記加熱した気体は、水を含む液体を発熱体に接触させて発生させた蒸気であることを特徴とする請求項5に記載のフェライト膜の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009125930A JP5398352B2 (ja) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | フェライト薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009125930A JP5398352B2 (ja) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | フェライト薄膜の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010278031A JP2010278031A (ja) | 2010-12-09 |
JP5398352B2 true JP5398352B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=43424764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009125930A Active JP5398352B2 (ja) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | フェライト薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5398352B2 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS619567A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-17 | Hitachi Ltd | スパツタリングによる成膜方法 |
JP3254782B2 (ja) * | 1992-02-18 | 2002-02-12 | 株式会社日立製作所 | 両面スパッタ成膜方法及びその装置並びにスパッタ成膜システム |
JPH05271924A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-19 | Hitachi Ltd | 複数基板同時スパッタ成膜方法とその装置並びに複数基板同時スパッタ成膜システム |
JP2001006963A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Tdk Corp | 成膜処理装置および方法 |
JP3619769B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2005-02-16 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4060789B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2008-03-12 | Necトーキン株式会社 | フェライト膜の製造装置 |
JP2005303132A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Nec Tokin Corp | フェライト膜、その製造方法、及びその製造装置 |
JP4521814B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2010-08-11 | Necトーキン株式会社 | フェライト膜の製造装置 |
JP4734632B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2011-07-27 | 国立大学法人東京工業大学 | 高抵抗フェライト膜及びノイズ抑制体 |
JP4480016B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2010-06-16 | Necトーキン株式会社 | フェライト膜製造装置 |
JP2008108901A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Nec Tokin Corp | フェライト薄膜の製造装置および製造方法 |
-
2009
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Publication number | Publication date |
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JP2010278031A (ja) | 2010-12-09 |
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A621 | Written request for application examination |
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