JP2005303132A

JP2005303132A - フェライト膜、その製造方法、及びその製造装置

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Publication number: JP2005303132A
Application number: JP2004119178A
Authority: JP
Inventors: Okikuni Takahata; 興邦高畑; Tatsuya Chiba; 龍矢千葉; Koichi Kondo; 幸一近藤; 栄▲吉▼ ▲吉▼田; Eikichi Yoshida; Masanori Abe; 正紀阿部
Original assignee: NEC Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 2004-04-14
Filing date: 2004-04-14
Publication date: 2005-10-27

Abstract

【課題】フェライトメッキ法によって形成されたフェライト膜において、懸かる従来の欠点を解消して工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を製造するための装置を提供すること。
【解決手段】
結晶が柱状であるフェライト膜の製造装置であって、前記フェライト膜の製造装置は、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の機構と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体３に接触させる第２の機構とを構成するノズル１と基体３を連続して供給する第３の機構とを具備している。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁気ヘッド、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音響素子、及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁干渉抑制体などに広く応用されているスピネル型フェライト膜と、その製造方法とその製造装置に関する。

フェライトメッキとは、例えば、特許文献１に示されているように、固体表面に、金属イオンとして少なくとも第１鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む水溶液を接触させ、固体表面にＦｅ^２＋またはこれと他の水酸化金属イオンを吸着させ、続いて吸着したＦｅ^２＋を酸化させることにより第２鉄イオン（Ｆｅ^３＋）を得、これが水溶液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こし、これによって固体表面にフェライト膜を形成することをいう。

従来、この技術を基にフェライト膜の均質化、反応速度の向上を図ったもの（例えば、特許文献２、参照）、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライト膜を形成しようとするもの（例えば、特許文献３、参照）、フェライト膜の形成速度の向上に関するもの（例えば、特許文献４、特許文献５、及び特許文献６、参照）がある。

フェライトメッキは、謨を形成しようとする固体が前述した水溶液に対して耐性があれば何でも良い。更に、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（常温〜水溶液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を形成できるという特徴がある。そのため、他のフェライト膜作成技術に比べて、固体の限定範囲が小さい。

しかし、前述したように、これまで膜の生成速度の向上に対して種々の改善が提案されているが、工業的な生産性という観点からみるとまだまだ不十分であり、生産性という点に関して大きな課題があった。

また、フェライトメッキによって形成されたフェライト膜を磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁気ヘッド、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音響素子、及び電磁干渉抑胴体に用いる場合には、膜の均質性が重要なポイントとなる。膜の均質性が、各用途におけるフェライト膜の特性に大きく影響を与えるためである。

フェライトメッキによるフェライト膜は、前述のように固体表面を基点とした結晶成長によって形成される。その際、理想的な条件下で形成されたフェライト膜は、柱状結晶の集合体となる。しかし、従来は、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子が柱状結晶の成長を疎外することにより、また固体表面に吸着するＦｅ^２＋の不均一性によって、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を得ることが困難であった。

特公昭６３−０１５９９０号公報特公平０５−５０５８２５２号公報特開昭６１−０３０６７４号公報特公平０４−０５６７７９号公報特公平０７−００６０７２号公報特開平０２−１１６６３１号公報

そこで、本発明の技術的課題は、フェライトメッキ法によって形成されたフェライト膜において、懸かる従来の欠点を解消して工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜とその製造方法と、その製造装置とを提供することにある。

本発明者等は、種々検討の結果、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる機構、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる機構、及び基体が連続して供給される機構を具備させることによって、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜が得られることを見出し、本発明を為すに至ったものである。また、本発明者らは、少なくとも第一鉄イオンを含む反応披、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる際、噴流によって基体に供給することによって、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子を効率的に除去し、フェライトメッキ膜柱状結晶の長軸ａを０１〜５０μｍ、短軸ｂを０１〜１μｍ、また長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂを１〜１００に制御することが可能であることを見出し、本発明を為すに至ったものである。

即ち、本発明によれば、結晶が柱状であるフェライト膜であって、柱状結晶の長軸ａが０．１〜５０μｍ、短軸ｂが０．１〜３μｍであり、夫々の柱状結晶の高さが略一定に揃っていることを特徴とするフェライト膜が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜であって、前記フェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００であることを特徴とするフェライト膜が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜において、フェライトメッキ膜からなることを特徴とするフェライト膜が得られる。

また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜において、Ｎｉ−Ｚｎフェライトからなることを特徴とするフェライト膜が得られる。

また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜において、長尺状の基体の一面に形成されていることを特徴とするフェライト膜が得られる。

また、本発明によれば、結晶が柱状であるフェライト膜を製造する方法において、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の工程と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる第２の工程とを具備していることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造方法において、前記基体を連続して供給し、連続的もしくは断続的に移動させながら行うことを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法であって、前記第１の工程及び第２の工程は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を夫々噴流によって基体に接触させることを備えていることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造方法において、前記第１の工程及び第２の工程は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体の夫々の供給口を備え、当該反応液及び当該酸化媒体を前記基体に噴流によって吹き付けるノズルを用いて行われることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造方法において、前記第１及び第２の工程は同一のノズルを用いて行われることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法において、前記基体として長尺シート形状の物を用い、前記噴流に前記基体が衝突するように、前記基体の一面が対向するように連続的に供給されることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造方法であって、前記フェライト膜として結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａが０．１〜５０μｍ、短軸ｂが０．１〜３μｍであるものを得ることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法であって、前記フェライト膜として、結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００であるものを得ることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。

また、本発明によれば、結晶が柱状であるフェライト膜の製造装置であって、前記フェライト膜の製造装置は、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の機構と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる第２の機構と、基体を連続して供給する第３の機構とを具備していることを特徴とするフェライト膜の製造装置が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造装置であって、前記第１の機構及び第２の機構は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を夫々噴流によって基体に接触させる接触手段を備えていることを特徴とするフェライト膜の製造装置が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造装置において、前記接触手段は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体の夫々の供給口を備え、当該反応液及び当該酸化媒体を前記基体に噴流によって吹き付けるノズルからなることを特徴とするフェライト膜の製造装置が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜製造装置において、前記第１及び第２の機構は一体に形成されていることを特徴とするフェライト膜の製造装置が得られる。

また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造装置において、前記基体は長尺シート形状であり、前記第３の機構は、前記基体を前記第１及び第２の機構に一面が対向するように連続的に供給する搬送手段を備えていることを特徴とするフェライト膜製造装置が得られる。

また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造装置であって、前記フェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａが０．１〜５０μｍ、短軸ｂが０．１〜３μｍであることを特徴とするフェライト膜の製造装置が得られる。

さらに、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造装置であって、前記フェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００であることを特徴とするフェライト膜の製造装置が得られる。

本発明によれば、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を、噴流によって基体に接触させる機構、及び基体が連続して供給される機構を具備させることによって、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜と、その製造方法と、その製造装置を提供することができる。

また、本発明によれば、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させ、また少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させ、及び基体を連続して供給してフェライトメッキ膜を生成する際、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に供給する時間を制御することでフェライトメッキ膜柱状結晶の長軸ａを０．１〜５０μｍ、短軸ｂを０．１〜１μｍ、また長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂを１〜１００に制御することが可能であるフェライト膜と、その製造方法とその製造装置とを提供することができる。

本発明について更に詳細に説明する。

本発明において、フェライト膜の製造方法は、結晶が柱状であるフェライト膜を製造する方法であって、基体を連続して供給しながら、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の工程と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる第２の工程と、基体を連続して供給する第３の機構とを具備している構成である。

ここで、前記第１の工程及び第２の工程は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を夫々噴流によって基体に接触させることを備え、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体の夫々の供給口を備え、当該反応液及び酸化媒体を前記基体の一面に噴流によって吹き付けるノズルを用いて行うことが好ましく、第１及び第２の工程は、この一つノズルを用いて行うことが好ましい。

また、本発明のフェライト膜の製造方法において、前記基体は長尺シート形状であり、前記基体の供給は、前記基体を前記ノズルに一面が対向するように連続的に供給し、連続的又は断続的に搬送されることが好ましく、この搬送には、送りローラを用いることが好ましい。

また、本発明において、フェライト膜の製造装置は、上記製造方法を実施するための具体的構成であって、結晶が柱状であるフェライト膜を製造する装置であって、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の機構と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる第２の機構と、基体を連続して供給する第３の機構とを具備している構成である。

ここで、前記第１の機構及び第２の機構は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を夫々噴流によって基体に接触させる接触手段を備え、この接触手段は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体の夫々の供給口を備え、当該反応液及び酸化媒体を前記基体の一面に噴流によって吹き付けるノズルからなることが好ましく、第１及び第２の機構は、一体に形成されていることが好ましい。

また、本発明のフェライト膜の製造装置において、前記基体は長尺シート形状であり、前記第３の機構は、前記基体を前記第１及び第２の機構に一面が対向するように連続的に供給する搬送手段を備えていることが好ましく、この搬送手段は送りローラを備えていることが好ましい。

また、前記フェライト膜の製造方法及び装置によって製造されるフェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａが０．１〜５０μｍ、短軸ｂが０．１〜３μｍであることが好ましく、また、フェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００であることが好ましい。

本発明においては、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を、噴流によって基体に接触させる機構、及び基体が連続して供給される機構を具備させることによって、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜の製造装置が得られるものである。

また、本発明においては、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させ、また少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させ、及び基体を連続して供給してフェライトメッキ膜を生成する際、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に供給する時間を制御することでフェライトメッキ膜柱状結晶の長軸ａを０１〜５０μｍ、短軸ｂを０１〜１μｍ、また長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂを１〜１００に制御したフェライト膜が得られるものである。

本発明における反応液、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を噴流によって供給する構造が、フェライトメッキ膜の生成速度を向上し、かつ均質な柱状結晶とすることの原因の詳細は明らかとなっていない。しかし、噴流によってフェライトメッキ膜形成に寄与しない少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体が効率的に除去され、固体表面以外での副次的なフェライト微粒子の形成を抑制、除去し、また固体表面に均一にＦｅ^２＋を吸着させるものと考えられる。

以下、本発明について、具体例を挙げてより詳細に説明する。

図１は本発明のフェライトメッキ膜の製造装置の概略構成の一例を示す概略断面図である。図１を参照すると、メッキ装置１０１は、基板３を一端側に収容して、フェライトメッキ膜を形成するための反応槽２と、反応槽２の他端側に設けられ、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を、噴流によって基体に供給するためのノズル１とを備えている。ノズル１には、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体の供給口１ａ，１ｃが具備される。また、図１においては、ノズル１に少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を効率的に基体に供給するための温水供給口１ｂが具備される。従って、ノズルは少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を噴流によって基体３に供給するための第１の機構、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を噴流によって基体３に供給するための第２の機構として働く。尚、温水供給口１ｂは省略しても構わない。

ノズル１から噴流によって供給された少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体は、基体３の表面でフェライトメッキ膜を形成する。その際、フェライトメッキ膜形成に寄与しない反応液、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体、及び固体表面以外での副次的なフェライト微粒子は、排出口４から効率的に排出される。

図２は図１のメッキ装置の斜視方向概略図である。図２を参照すると、フェライトメッキ膜が形成される基体３は、送りロール１４〜１７によって反応槽２へ図示の白抜きの矢印１１で示すように、連続的に供給される。少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体は、ノズル１から噴流によって基体に供給される。第３の機構は、この送りロール１４〜１７を配置した搬送手段を備えている。

（例１）
純水１Ｌ（リットル）に対してＦｅＣｌ_２・４Ｈ_２Ｏを３．３ｇ、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏを１．２５ｇ、ＺｎＣｌ_２を０．０２５ｇ、それぞれ溶解した反応液を作製した。別の溶液として、純水１Ｌに対してＮａＮＯ_２を０．３ｇ、ＣＨ_３ＣＯＯＮＨ_４を５ｇ溶解した酸化液を作製した。

これらの溶液を用いて、図１及び図２に示したような装置を用いてフェライト膜を作製した。

フェライト膜の作製は、以下の手順で行った。

まず、ノズル１から供給される反応液、酸化液及び温水の流量を３０ｍＬ／分に調整した。その後メッキ膜を形成する基体の温度を、支持部材のヒータを用いて９０°Ｃに調節した。また、反応槽内部には窒素ガスを１．５１／分で供給して、非酸化性雰囲気を得た。

メッキ膜の形成は反応槽内で１時間行い、基体３の送り速度は反応槽２内に１分滞留するように調節した。

（例２）
反応液、酸化液の調整、及びメッキ装置、メッキ条件は、前記例１と同様に行った。メッキ膜の形成は反応槽２内で５時間行い、基体３の送り速度は反応槽２内に１０ｍｍ滞留するように調節した。

（例３）
反応液、酸化液の調整、及びメッキ装置、メッキ条件は、前記例１と同様に行った。メッキ膜の形成は反応槽２内で１時間行い、基体３の送り速度は反応槽２内に６０ｍｍ滞留するように調節した。

（例４）
反応液、酸化液の調整、及びメッキ装置、メッキ条件は、前記例１と同様に行った。メッキ膜の形成は反応槽２内で１時間行い、基体３の送り速度は、反応槽内に５００ｍｍ滞留するように調節した。

（比較例１）
純水１Ｌに対してＦｅＣｌ_２・４Ｈ_２Ｏを３．３ｇ、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏを１．２５ｇ、ＺｎＣｌ_２を０．０２５ｇ，それぞれ溶解した反応液を作製した。別の溶液として、純水１Ｌに対してＮａＮＯ_２を０．３ｇ、ＣＨ_３ＣＯＯＮＨ_４を５ｇ溶解した酸化液を作製した。

これらの溶液を用いて、図３に示したような装置を用いてフェライト膜を作製した。

図３は比較例に係るメッキ装置の要部を示す正面図である。図３を参照すると、回転台５１上の基体５２が載置され、基体５２の上部にノズル５３，５４が配置された構成である。

図３の装置を用いてフェライト膜を以下の手順で作製した。

まず、反応液、酸化液の流量を３０ｍＬ／分に調整した。その後メッキ膜を形成する基体５２の温度を、ヒータを用いて９０℃に調節した。また、メッキ装置には窒素ガスを１．５Ｌ／分で供給して、非酸化性雰囲気を得た。

メッキ膜の形成は、ノズル２１より反応液を、ノズル２２より酸化液を上記流量にて基体２３に供給しながら、回転台２４を１５０ｒｐｍで回転させながら行った。また、メッキ膜の形成は、噴霧時間を１分とすることで行った。

（比較例２）
図３と同様の装置を用い、反応液、酸化液の調整、及びメッキ条件は、比較例１と同様に行った。また、メッキ膜の形成は、噴霧時間を１０分とすることで行った。

（比較例３）
図３と同様の装置を用い、反応液、酸化液の調整、及びメッキ条件は比較例１と同様に行った。また、メッキ膜の形成は、噴霧時間を６０分とすることで行った。

（比較例４）
図３と同様の装置を用い、反応液、酸化液の調整、及びメッキ条件は比較例１と同様に行った。また、メッキ膜の形成は、噴霧時間を５００分とすることで行った。

下記表１に、本発明の例１〜４及び比較例１〜４いて生成したメッキ膜の、結晶の長軸ａ、短軸ｂの値、及び長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂ、及び成膜速度を示した。

上記表１から分かるように、本発明例１〜４ではメッキ時間の増加に伴って結晶の長軸ａ、短軸ｂの値、及び長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが増加している。このことは、即ち、本発明例において結晶の長軸ａ、短軸ｂの値、及びａ／ｂを制御したフェライトメッキ膜が得られたことを示している。これに対して、比較例１〜４では、メッキ時間を増加させても結晶の長軸ａ、短軸ｂの値、及びａ／ｂにバラツキがあり、長軸ａ、短軸ｂの値、及びａ／ｂが制御されていない。

図４に、本発明の例におけるフェライトメッキ膜の断面の模式図を、図５に、比較例におけるフェライトメッキ膜の断面の模式図を示した。図４及び図５の比較から、本発明の例に係るスピネル型フェライトメッキ膜５は、結晶粒５ａが柱状であり、その高さ（長さ）は一定であるが、比較例に係るスピネル型フェライトメッキ膜５５は結晶粒は柱状であるが、その高さ（長さ）は長短様々なものが、混在していることが判明した。

更に、上記表１から分かるように、本発明例１〜４で得られたフェライトメッキ膜の成膜速度は、比較例１〜４の約１０倍となっている。このことは、即ち、本発明の例において生成速度が向上したフェライトメッキ膜が得られることを示している。

本発明において、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの値が０．１μｍを下回った場合均質なフェライトメッキ膜が得られないために本発明の範囲から除外される。また、長軸ａの値が５０μｍを上回った場合、短軸ｂの値が１μｍを上回った場合、得られるフェライトメッキ膜の実質的な機械的強度が低下するために本発明の範囲から除外される。

本発明に係るフェライト膜は、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁気ヘッド、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪素子、磁気音響素子、及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁干渉抑制体等に適用でき、フェライト膜の製造方法及び製造装置は、前述したフェライト膜の製造に適用される。

本発明のフェライトメッキ膜の製造装置の概略構成の一例を示す概略断面図である。図１のメッキ装置の斜視方向概略図である。比較例１に係るフェライトメッキ膜の製造装置の概略構成を示す正面図である。本発明の例におけるフェライトメッキ膜の断面の模式図である。比較例におけるフェライトメッキ膜の断面の模式図である。

符号の説明

１ノズル
１ａ，１ｃ反応液、酸化媒等の供給口
１ｂ温水供給口
２反応槽
３基板
４排出口
５，５５フェライトメッキ膜
５ａ，５５ａ結晶粒
１４〜１７送りロール
５１回転台
５２基体
５３，５４ノズル
１０１メッキ装置

Claims

結晶が柱状であるフェライト膜であって、柱状結晶の長軸ａが０．１〜５０μｍ、短軸ｂが０．１〜３μｍであり、夫々の柱状結晶の高さが略一定に揃っていることを特徴とするフェライト膜。
請求項１記載のフェライト膜であって、前記フェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００であることを特徴とするフェライト膜。
請求項１又は２記載のフェライト膜において、フェライトメッキ膜からなることを特徴とするフェライト膜。
請求項１から３の内のいずれか一つに記載のフェライト膜において、Ｎｉ−Ｚｎフェライトからなることを特徴とするフェライト膜。
請求項１から４の内のいずれか一つに記載のフェライト膜において、長尺状の基体の一面に形成されていることを特徴とするフェライト膜。
結晶が柱状であるフェライト膜を製造する方法において、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の工程と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる第２の工程とを具備していることを特徴とするフェライト膜の製造方法。
請求項６記載のフェライト膜の製造方法において、前記基体を連続して供給し、連続的もしくは断続的に移動させながら行うことを特徴とするフェライト膜の製造方法。
請求項６又は７記載のフェライト膜の製造方法であって、前記第１の工程及び第２の工程は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を夫々噴流によって基体に接触させることを備えていることを特徴とするフェライト膜の製造方法。
請求項７記載のフェライト膜の製造方法において、前記第１の工程及び第２の工程は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体の夫々の供給口を備え、当該反応液及び当該酸化媒体を前記基体に噴流によって吹き付けるノズルを用いて行われることを特徴とするフェライト膜の製造方法。
請求項６記載のフェライト膜の製造方法において、前記第１及び第２の工程は同一のノズルを用いて行われることを特徴とするフェライト膜の製造方法。
請求項６から１０の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法において、前記基体として長尺シート形状の物を用い、前記噴流に前記基体が衝突するように、前記基体の一面が対向するように連続的に供給されることを特徴とするフェライト膜の製造方法。
請求項６記載のフェライト膜の製造方法であって、前記フェライト膜として結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａが０．１〜５０μｍ、短軸ｂが０．１〜３μｍであるものを得ることを特徴とするフェライト膜の製造方法。
請求項６から１２の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法であって、前記フェライト膜として、結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００であるものを得ることを特徴とするフェライト膜の製造方法。
結晶が柱状であるフェライト膜を製造するための装置であって、前記フェライト膜の製造装置は、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の機構と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体に接触させる第２の機構と、基体を連続して供給する第３の機構とを具備していることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
請求項１４記載のフェライト膜の製造装置であって、前記第１の機構及び第２の機構は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を夫々噴流によって基体に接触させる接触手段を備えていることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
請求項１５記載のフェライト膜の製造装置において、前記接触手段は、前記少なくとも第一鉄イオンを含む反応液及び少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体の夫々の供給口を備え、当該反応液及び当該酸化媒体を前記基体に噴流によって吹き付けるノズルからなることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
請求項１５記載のフェライト膜製造装置において、前記第１及び第２の機構は一体に形成されていることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
請求項１４から１７の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造装置において、前記基体は長尺シート形状であり、前記第３の機構は、前記基体を前記第１及び第２の機構に一面が対向するように連続的に供給する搬送手段を備えていることを特徴とするフェライト膜製造装置。
請求項１４記載のフェライト膜の製造装置であって、前記フェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａが０．１〜５０μｍ、短軸ｂが０．１〜３μｍであることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
請求項１４から１９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造装置であって、前記フェライト膜は結晶が柱状であって、柱状結晶の長軸ａ、短軸ｂの比ａ／ｂが１〜１００であることを特徴とするフェライト膜の製造装置。