JP5392738B2 - 塗布法による有機トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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一方で今日低価格で大量生産が必要とされている電子ペーパーや、RFIDタグの需要が高まっており、より低コスト、大量生産、短時間の回路制作により製造が可能である有機半導体が注目されている。
特に有機トランジスタにおいて、有機層はゲート絶縁膜上に製膜されることが多い。ゲート絶縁膜としてはSiO2が広く用いられているが、絶縁膜表面における水酸基や酸素、水は電荷輸送の際にトラップサイトとなることから、絶縁膜表面を疎水化処理することによって、絶縁膜−有機半導体界面のトラップを減少させている(非特許文献1、特許文献1参照)。
また、水酸基を持たない高分子絶縁膜を用いることによって、これまでp型動作すると考えられていた半導体物質が新たにn型半導体特性を示すことが報告されている。(非特許文献2参照)。
本発明は、このような事情を憂慮したものであり、疎水性表面へスピンコート法や印刷法といった塗布法によって良好な有機半導体層を形成することを目的とするものである。
また、有機半導体層をスピンコート法により製膜する際に、有機半導体の溶液を滴下してから回転を開始するまでに待機時間を挿入することにより、より高い移動度を有する有機トランジスタの製造が可能になることも判明した。
(1)絶縁膜上に少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、
該絶縁膜表面の少なくとも動作領域が疎水化された疎水性表面であって、その他の領域が疎水化処理された絶縁膜の上に形成された親水性層からなる親水性表面であり、
前記有機半導体層は前記疎水性表面及び親水性表面の両表面上に形成されていることを特徴とする有機トランジスタ。
(2)前記親水性表面が、前記疎水性表面を囲むように設けられていることを特徴とする(1)に記載の有機トランジスタ。
(3)前記該有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする(1)又は(2)に記載の有機トランジスタ。
(4)絶縁膜上に少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する有機トランジスタの製造方法において、
絶縁膜表面を疎水化処理して疎水性表面を形成し、該疎水化処理した絶縁膜上の少なくとも動作領域以外の部分に親水性の層を形成することにより親水性表面とした後、
塗布法により、前記疎水性表面及び親水性表面の両表面上に有機半導体層を形成することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
(5)前記親水性表面を、前記疎水性表面を囲むように設けることを特徴とする(4)に記載の有機トランジスタの製造方法。
(6)前記該有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする(4)又は(5)に記載の有機トランジスタの製造方法。
(7)前記有機半導体層の形成が、スピン塗布法によるものであって、塗布液の滴下から回転開始までに、待機時間を挿入することを特徴とする(4)〜(6)のいずれかに記載の有機トランジスタの製造方法。
(8)前記待機時間が、温度0〜200℃において、1秒〜30分であることを特徴とする(7)に記載の有機トランジスタの製造方法。
図2(a)に示す構造は、基板3上にゲート電極4及びゲート絶縁膜5を有し、このゲート絶縁膜5上に有機半導体層7があり、その上にソース電極8およびドレイン電極9を有するものである。
図2(b)に示す構造は、基板3上にゲート電極4及びゲート絶縁膜5を有し、このゲート絶縁膜5上にソース電極8およびドレイン電極9があり、その上に有機半導体層7を有するものである。
いずれの構造においても、前述のとおり、ゲート絶縁膜5の表面は疎水処理6が施されており、この疎水処理6が施された表面上に有機トランジスタのチャネル部を形成することによって、有機トランジスタ素子を作製する。
図1に示されるように、本発明では、有機トランジスタ基板のゲート絶縁膜上に、少なくとも動作領域であるチャネル部に疎水処理を施し、その他の部分に親水部1を残す、もしくは親水部1を形成することによって、溶液プロセスによる有機半導体層の製膜を可能とする。チャネル部以外は親水性又は疎水性のどちらでも構わない。また、疎水部2の形状は正方形に限らず、チャネル部の形状に応じて、長方形や十文字型であっても良い。また、疎水部2は必ずしも親水部1によって囲う必要はない。このようなパターンを周期的に形成することによってアレイ化への対応も可能である。
基板3は、シリコン基板、ガラス基板や、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)ポリカーボネートに代表されるプラスチック基板を用いることができる。基板材も同様に、これらに制限されるものではない。
15mm×12mmサイズの厚さ300nmのシリコン酸化絶縁膜の付いたpドープシリコン基板をアルカリ性洗剤、純水、アセトン、エタノールでそれぞれ15分間超音波洗浄し、UV−03クリーナにて20分間オゾン洗浄を行い、その後HMDSに16時間浸潤し、疎水化処理を行った。
その後、2mm×12mm及び9mm×9mmのマスクを基板中央に設置し、酸化シリコンを真空蒸着することによって、図1(a)及び(b)に示されるような形状の親水部1及び疎水部2を有する基板を形成した。
一方、下記
この溶液を先に用意した親水部1及び疎水部2(以下、「親・疎水表面」という。)を有する基板に室温でスピンコート法によって製膜し、良質な均一膜を得た。
実施例1で得た、図1(a)に示す基板上に製膜したC60MC12薄膜に、金電極をマスク蒸着し、有機トランジスタ素子を作製した。
図3に、実施例2で作製した有機トランジスタの素子構造の断面図(a)及び俯瞰図(b)を示す。なお、(b)の点線部の断面図が(a)である。図中、10はpドープシリコンであり、基板とゲート電極を兼ねている。11はシリコン酸化絶縁膜、12はHMDSによる疎水化膜、13は親水性の酸化シリコン膜、14は有機半導体層、15及び16は、金電極である。
作製した素子の金電極のチャネル長は20μm、チャネル幅は5mmである。
図4に室温で測定した素子のドレイン電流―ドレイン電圧特性を示す。図4から明らかなように、良好なn−チャンネル−エンハンスメント型の特性を示しており、飽和領域(Vd=80V)から算出した電子移動度μは0.1cm2/Vs、閾電圧は28.0Vを示した。
実施例1と同様にして、図1(b)に示す親・疎水表面を作製するとともに、前記フラーレン誘導体C60MC12をクロロホルムに溶かし、10mg/mlの濃度に調整した。
スピンコート法によって製膜する際に、回転するまでの待機時間を挿入した。待機時間はそれぞれ0、30、60秒挿入した。
製膜した有機薄膜上に、図5の断面図(a)及び俯瞰図(b)に示すように、4つの金電極をマスク蒸着し有機トランジスタ素子を作製した。なお、(b)の点線部の断面図が(a)である。図中、10はpドープシリコンであり、基板とゲート電極を兼ねている。11はシリコン酸化絶縁膜、12はHMDSによる疎水化膜、13は親水性の酸化シリコン、14は有機半導体膜、15及び16は、金電極である。
作製したそれぞれの金電極のチャネル長は160、120、80、40μm、チャネル幅はそれぞれ4、3、2、1mmである。
図6にチャネル長160μm、チャネル幅4mmにおける、室温で測定した素子のドレイン電流―ドレイン電圧特性を示す。図6から明らかなように、良好なn−チャンネル−エンハンスメント型の特性を示した。飽和領域(Vd=80V)から算出した移動度と閾電圧を表1に示す(移動度と閾電圧は4つの電極における平均値である)。
表1から明らかなように、待機時間を挿入することによって、移動度は約2倍向上した。これは待機時間によって微結晶グレインのサイズが成長し、薄膜中に良好な伝導パスが形成されたためと考えられる。
2 疎水部
3 基板
4 ゲート電極
5 ゲート絶縁膜
6 疎水処理表面
7 有機半導体層
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 p型ドープシリコン基板
11 シリコン酸化膜
12 HMDS(疎水表面)
13 酸化シリコン膜(親水表面)
14 C60誘導体層
15 ソース電極(金電極)
16 ドレイン電極(金電極)
Claims (8)
- 絶縁膜上に少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、
該絶縁膜表面の少なくとも動作領域が疎水化された疎水性表面であって、その他の領域が疎水化処理された絶縁膜の上に形成された親水性層からなる親水性表面であり、
前記有機半導体層は前記疎水性表面及び親水性表面の両表面上に形成されていることを特徴とする有機トランジスタ。 - 前記親水性表面が、前記疎水性表面を囲むように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機トランジスタ。
- 絶縁膜上に少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する有機トランジスタの製造方法において、
絶縁膜表面を疎水化処理して疎水性表面を形成し、該疎水化処理した絶縁膜の上の少なくとも動作領域以外の部分に親水性の層を形成することにより親水性表面とした後、
塗布法により、前記疎水性表面及び親水性表面の両表面上に有機半導体層を形成することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。 - 前記親水性表面を、前記疎水性表面を囲むように設けることを特徴とする請求項4に記載の有機トランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする請求項4又は5に記載の有機トランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体層の形成が、スピン塗布法によるものであって、塗布液の滴下から回転開始までに、待機時間を挿入することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の有機トランジスタの製造方法。
- 前記待機時間が、温度0〜200℃において、1秒〜30分であることを特徴とする請求項7に記載の有機トランジスタの製造方法。
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